液晶顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制作方法，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域。陣列基板，一基板，具有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線；主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域；像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接；透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線。本發(fā)明同時(shí)還公開了該陣列基板的制造方法。
【專利說明】
液晶顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種具有高透光率的液晶顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]透明顯示(Transparent Display)是一種可以在畫面顯示的同時(shí)實(shí)現(xiàn)透明效果的顯示技術(shù)，即顯示器本身具有一定程度的光穿透性，能夠讓使用者觀看顯示器顯示畫面的同時(shí)，清楚地看見顯示器后側(cè)的背景。由于能提供用戶更好的使用體驗(yàn)，并具備輕薄，節(jié)能的優(yōu)勢，被認(rèn)為是下一代綠色環(huán)保型的顯示技術(shù)。隨著大型面板廠家積極開發(fā)并展出透明顯示概念產(chǎn)品，透明顯示器市場有望成為顯示市場的一個(gè)重大發(fā)展方向。
[0003]透明顯示是同時(shí)具備顯示和透明效果的顯示裝置。透明顯示面板在關(guān)閉時(shí)，面板就仿佛一塊透明玻璃；當(dāng)其工作時(shí)，觀看者不僅能夠觀看到在面板上顯示的內(nèi)容，同時(shí)還能透過面板觀看到面板后的物體。目前由透明顯示技術(shù)已經(jīng)衍生出很多新穎的產(chǎn)品，例如透明展示柜，透明眼鏡，智能窗戶等等應(yīng)用，并已獲得了市場的認(rèn)可。
[0004]透明顯示技術(shù)是以平板顯示器件為基礎(chǔ)而開發(fā)的新型顯示技術(shù)，但相對(duì)于傳統(tǒng)平板顯示技術(shù)，透明顯示技術(shù)主要有以下幾個(gè)特點(diǎn):高透過率;耗電量低;滿足基本顯示要求。
[0005]作為透明顯示器，透過率是最重要的一個(gè)技術(shù)指標(biāo)，目前行業(yè)并無相應(yīng)的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，一般認(rèn)為透過率大于10%的顯示面板可認(rèn)為透明顯示面板。普通的LCD作為被動(dòng)發(fā)光顯示器件，具有一定的透過率，但一般只有4%至7%，對(duì)于透明顯示相對(duì)較低，如何提高材料透過率是液晶面板透明化主要要解決的問題。而OLED，PDP等自發(fā)光器件，需要去除自身不發(fā)光材料，或者替換透明材料實(shí)現(xiàn)透明，主要的工作是透明材料開發(fā)。
[0006]透明顯示技術(shù)可通過像素結(jié)構(gòu)優(yōu)化，以達(dá)到更高的透明度，對(duì)于透明被動(dòng)顯示器件來說，可以使用環(huán)境光實(shí)現(xiàn)顯示，耗電量很低。而主動(dòng)顯示器件，雖然發(fā)光部分依舊耗費(fèi)電能，但相對(duì)結(jié)構(gòu)簡單，面積減小，耗電量也會(huì)相對(duì)減少。傳統(tǒng)液晶顯示器，在CF基板與TFT基板對(duì)位的時(shí)候存在3?I Oum的對(duì)位偏差。在像素周邊對(duì)應(yīng)BM的區(qū)域，由于對(duì)位偏差的存在，遮光的BM層會(huì)進(jìn)入像素開口區(qū)，導(dǎo)致像素的實(shí)際開口面積下降，光利用效率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]有鑒于此，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種低功耗、高透過率透明液晶顯示裝置、陣列基板及陣列基板的制作方法。
[0008]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明一方面提出了一種陣列基板，包括:一基板，具有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線；主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域;像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接;透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線。
[0009]進(jìn)一步地，該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離，該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)形成在與該陣列基板垂直的方向上的重疊區(qū)域，該透明電極與該像素電極單元之間的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。
[0010]進(jìn)一步地，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。
[0011]進(jìn)一步地，該透明電極在垂直于該基板方向上設(shè)置于該像素電極與該數(shù)據(jù)線之間。
[0012]進(jìn)一步地，該透明電極上方覆蓋氧化鈮薄膜。
[0013]進(jìn)一步地，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。
[0014]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明另一方面提出了一種陣列基板，包括:一基板，該基板上依次形成有第一金屬層，柵極絕緣層，半導(dǎo)體層，第二金屬層，保護(hù)絕緣層，厚膜絕緣層，透明電極，隔離絕緣層，像素電極;其中，第一金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線，第二金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和漏極，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;主動(dòng)元件，包括:源極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該數(shù)據(jù)線圖案，柵極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該掃描線圖案，以及漏極;像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔貫穿隔離絕緣層、絕緣層與該主動(dòng)元件的漏極電性連接;透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。
[0015]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明又一方面提出了一種陣列基板，包括:一基板，該基板上依次形成有第一金屬層，柵極絕緣層，半導(dǎo)體層，第二金屬層、保護(hù)絕緣層，透明電極，厚膜絕緣層，像素電極;其中，第一金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線，第二金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和漏極，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;主動(dòng)元件，包括:源極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該數(shù)據(jù)線圖案，柵極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該掃描線圖案，以及漏極;像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔貫穿隔離絕緣層、絕緣層與該主動(dòng)元件的漏極電性連接;透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。
[0016]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明再一方面提出了一種液晶顯示裝置，包括:上述陣列基板;對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置;液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間；還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上；其中，該公共電極層與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。
[0017]為了達(dá)到上述或其它目的，本發(fā)明又一方面提出了一種液晶顯示裝置陣列基板的制作方法，包括:提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案;在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的源極、漏極;在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極；在該透明電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接;其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。
【附圖說明】
[0018]圖1為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖；
[0019]圖2為示意性示出本發(fā)明陣列基板平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖3為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)透明電極圖案平面示意圖；
[0021]圖4為示意性示出本發(fā)明一實(shí)施例圖1中像素結(jié)構(gòu)沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖5為示意性示出圖4中所示的存儲(chǔ)電容器結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為示意性示出本發(fā)明另一實(shí)施例圖1中像素結(jié)構(gòu)沿A-A’方向的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖7a?7e為示意性示出一實(shí)施例陣列基板不同制作步驟平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖8為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖9為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖10為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置在工作狀態(tài)下剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。
[0029]圖1為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)像素結(jié)構(gòu)平面示意圖。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括:掃描線101與數(shù)據(jù)線103在像素中央垂直正交，在數(shù)據(jù)線103與掃描線101的交叉處設(shè)有薄膜晶體管。薄膜晶體管的柵極為十字型交叉區(qū)域的該掃描線101的圖案，薄膜晶體管的源極為十字型交叉區(qū)域的該數(shù)據(jù)線103圖案，以及薄膜晶體管的漏極104，薄膜晶體管的溝道102。薄膜晶體管漏極104的上方設(shè)有接觸孔105，像素電極107覆蓋接觸孔105與像素電極107實(shí)現(xiàn)等電位連接。
[0030]在數(shù)據(jù)線層與像素電極層之間，分布著透明電極106。透明電極層是一層設(shè)置有開口的透明導(dǎo)電層，開口位置處于像素電極的下方，在像素的上下左右四個(gè)邊，像素電極107與透明電極106部分重疊。同時(shí)，在透明電極層的開口區(qū)域，在數(shù)據(jù)線和掃描線的上方，覆蓋有透明電極延伸部。
[0031]如圖1所示，透明電極106在像素的開口區(qū)域形成一個(gè)十字型交叉結(jié)構(gòu)。構(gòu)成十字型交叉結(jié)構(gòu)的透明電極分別覆蓋數(shù)據(jù)線103與掃描線101，用以屏蔽數(shù)據(jù)線103與掃描線101電壓對(duì)像素電極電壓的擾動(dòng)。具體地，數(shù)據(jù)線103與像素電極107之間，以及掃描線101與像素電極107之間都存在耦合電容。像素電極107上的電壓在保持時(shí)間內(nèi)電位是浮置的，在像素電極107電壓的保持時(shí)間內(nèi)，掃描線101和數(shù)據(jù)線103上的電壓變動(dòng)會(huì)通過耦合電容影響到像素電極107，通過將透明電極106的延伸部設(shè)置成十字型交叉結(jié)構(gòu)覆蓋數(shù)據(jù)線103和掃描線101，可以提升液晶顯示器件的顯示品質(zhì)。
[0032]圖2為示意性示出本發(fā)明陣列基板平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，透明電極106，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部109至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線103和該掃描線101。
[0033]相鄰像素的像素電極107之間存在左右間隙SI，上下間隙S2。間隙SI和S2越小，像素的光利用效率越尚。限制SI與S2大小的因素包括:曝光機(jī)的曝光精度;相鄰像素電極107電壓之間的干擾強(qiáng)度。一般，間隙SI和S2在5um左右。在圖2中，像素電極107與透明電極106部分重疊，形成像素的存儲(chǔ)電容Cs。重疊區(qū)域L1、L2、L3和L4分布在像素的四個(gè)邊上，此外還分布在十字型交叉結(jié)構(gòu)區(qū)域。
[0034]圖3為示意性示出本發(fā)明陣列基板側(cè)透明電極圖案平面示意圖。如圖3所示，透明電極層的圖案包括透明電極106和透明電極延伸部109，以及透明電極延伸部109區(qū)域鏤空形成開孔106a，透明電極層位于數(shù)據(jù)線層與像素電極層之間，在數(shù)據(jù)線層的漏極104上方分布著接觸孔，為了避免覆蓋接觸孔的像素電極層與透明電極層短路，在接觸孔的區(qū)域把透明電極的延伸部區(qū)域鏤空形成開孔106a，用于容納該接觸孔貫穿通過。
[0035]本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)中的透明電極106為透明導(dǎo)電薄膜，主要有金屬膜系、氧化物膜系、其他化合物膜系、高分子膜系、復(fù)合膜系等。具體地有ITO(錫摻雜三氧化銦)、ΑΖ0(鋁摻雜氧化鋅)、納米銀線、石墨烯等。優(yōu)選地，采用ITO材料。
[0036]在數(shù)據(jù)線103與掃描線101的正上方覆蓋十字型交叉結(jié)構(gòu)的透明電極106的延伸部109，除了屏蔽數(shù)據(jù)線103與掃描線101的電壓擾動(dòng)外，還可以降低數(shù)據(jù)線層金屬與掃描線層金屬的反光。為了提高環(huán)形透明電極層對(duì)下方金屬層的消光效果，同時(shí)降低環(huán)形透明電極的阻抗，可以在ITO等透明導(dǎo)電薄膜上方覆蓋氧化鈮薄膜。
[0037]圖4所示為像素電極與數(shù)據(jù)線金屬層之間的透明電極層的其中一種分布方式。在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為:在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布透明電極層106，在透明電極層106的上方分布隔離絕緣層115，在隔離絕緣層115的上方分布像素電極107，像素電極107通過貫穿隔離絕緣層115、厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。根據(jù)實(shí)際需要，可以省略保護(hù)絕緣層113。
[0038]結(jié)合圖1和圖4，圖5所示為像素電極與透明電極在像素四個(gè)邊上部分重疊以及在十字型交叉結(jié)構(gòu)上形成的存儲(chǔ)電容Cs。因?yàn)橄袼仉姌O與透明電極都是透明導(dǎo)電薄膜，重疊部分的區(qū)域依然是透光區(qū)域，這樣的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)可以提高像素的光利用效率。
[0039]圖6所示為像素電極與數(shù)據(jù)線金屬層之間的透明電極層的其中另一種分布方式。在像素AA’方向的截面圖，對(duì)應(yīng)的層次關(guān)系為:在玻璃、塑料等襯底基板111的上方分布掃描線101，在掃描線101的上方分布柵極絕緣層112，在柵極絕緣層112的上方分布半導(dǎo)體層102，在半導(dǎo)體層102的上方分布數(shù)據(jù)線(源極)103和漏極104，在數(shù)據(jù)線103的上方分布保護(hù)絕緣層113，在保護(hù)絕緣層113的上方分布透明電極層106，在透明電極層106的上方分布厚膜絕緣層114，在厚膜絕緣層114的上方分布像素電極107，像素電極107通過貫穿厚膜絕緣層114和保護(hù)絕緣層113的接觸孔105與漏極104實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接。
[0040]本發(fā)明提供了第一基板的制作方法，以上述實(shí)施例中的陣列基板為例，給出制作方法步驟如下:
[0041]首先，如圖7a所示，提供一透明基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線101;在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案，如半導(dǎo)體溝道圖案102。
[0042]接著，如圖7b所示，在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線103與該復(fù)數(shù)條掃描線101呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的源極、漏極104。
[0043]接著，如圖7c所示，在該第二層金屬薄膜圖案上覆蓋絕緣層，如保護(hù)絕緣層和厚膜絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極106及其十字型交叉結(jié)構(gòu)的延伸部109，在接觸孔的區(qū)域把透明電極的延伸部區(qū)域鏤空形成開孔106a，用于容納該接觸孔貫穿通過；
[0044]接著，如圖7d所示，在透明電極層上方覆蓋隔離絕緣層后刻蝕形成接觸孔105，接觸孔貫穿隔離絕緣層、厚膜絕緣層和保護(hù)絕緣層。
[0045]最后，如圖7e所示，在該隔離絕緣層上分布像素電極107，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔105與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接；
[0046]其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部109，該延伸部109至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線103和該掃描線101。
[0047]圖8為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖8所示，本發(fā)明還提供了一種液晶顯示裝置，包括:上述各實(shí)施方式以及對(duì)應(yīng)各實(shí)施例的陣列基板100，對(duì)置基板200，以及夾設(shè)于該陣列基板100與該對(duì)置基板200之間的液晶功能層300。
[0048]圖9為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置對(duì)置基板平面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖9所示，該液晶顯示器件采用的對(duì)置基板200，包括襯底基板211(圖中未示)、公共電極201、遮光圖案202、間隙子203。根據(jù)需要，可以省略遮光圖案202。在圖10中，在對(duì)置基板200與第一基板100之間為液晶功能層300，包括對(duì)置基板側(cè)配向膜303、液晶301、陣列基板側(cè)配向膜302。
[0049I圖10為示意性示出本發(fā)明液晶顯示裝置在工作狀態(tài)下剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖10所示，環(huán)型透明電極106與第二基板上的公共電極201，電位固定，不隨像素電壓的變化而變化。優(yōu)選地，環(huán)型透明電極與第二基板上的公共電極201的電位相等。在間隙SI和S2區(qū)域，由于環(huán)型透明電極與公共電極201之間的電位差為0，位于該區(qū)域的液晶分子排列狀態(tài)固定，不隨像素電壓的變化而變化，液晶分子的狀態(tài)可控。如圖9所示，即使在像素電極與公共電極201之間施加各種不同的電位，在間隙SI和S2區(qū)域的液晶分子，排列狀態(tài)都是固定的。
[0050]本發(fā)明提出的像素結(jié)構(gòu)，有如下特點(diǎn):
[005?] (I)金屬線少:只有掃描線與數(shù)據(jù)線兩條垂直正交的金屬線。金屬線少，金屬遮光與反光的影響就小。
[0052](2)金屬線細(xì):在掃描線、數(shù)據(jù)線與像素電極之間隔著保護(hù)層與厚膜層，像素之間的耦合電容小，金屬線可以做的很細(xì)。金屬線細(xì)，金屬遮光與反光的影響就小。
[0053](3)對(duì)于使用UV2A(Ultrav1let induced mult1-domain Vertical Alignment)技術(shù)的液晶顯示模式，掃描線與數(shù)據(jù)線就是液晶顯示疇與相鄰液晶顯示疇之間的分界線，顯示疇之間的黑紋直接分布在金屬線上方，不額外占用不透光的區(qū)域，像素的光利用效率尚O
[0054](4)對(duì)于使用常黑模式的VA顯示技術(shù)，在第一基板上的透明電極與第二基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為O，在間隙SI和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙SI和S2正上方的第二基板上的黑色矩陣。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙SI和S 2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo)致的間隙SI和S 2的漏光問題。
[0055](5)對(duì)于使用常白模式的VA顯示技術(shù)，在第一基板上的透明電極與對(duì)置基板上的公共電極之間的電位差設(shè)為6V，在間隙SI和S2區(qū)域，液晶顯示穩(wěn)定的黑態(tài)，從而可以省略間隙SI和S2正上方的對(duì)置基板上的黑色矩陣。采用本發(fā)明的技術(shù)方案，透明電極與像素電極之間的重疊面積充分，像素電極的電力線主要集中于像素電極與透明電極之間，散發(fā)到像素電極外側(cè)的電力線少，對(duì)間隙SI和S 2區(qū)域的液晶的擾動(dòng)微弱，可以解決像素電極電壓(電力線)擾動(dòng)導(dǎo)致的間隙SI和S 2的漏光問題。
[0056]以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種等同變換，這些等同變換均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0057]另外需要說明的是，在上述【具體實(shí)施方式】中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本發(fā)明對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，包括: 一基板，具有呈十字型交叉布置的復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和復(fù)數(shù)條掃描線； 主動(dòng)元件，設(shè)置在該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線的十字型交叉區(qū)域； 像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過接觸孔與該主動(dòng)元件電性連接； 透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元之間設(shè)有間隔距離，該透明電極延伸至每一個(gè)該像素電極單元的各周邊區(qū)域內(nèi)形成在與該陣列基板垂直的方向上的重疊區(qū)域，該透明電極與該像素電極單元之間的重疊區(qū)域形成存儲(chǔ)電容器。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極在垂直于該基板方向上設(shè)置于該像素電極與該數(shù)據(jù)線之間。5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該透明電極上方覆蓋氧化鈮薄膜。6.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，該透明電極的材料采用錫摻雜三氧化銦、鋁摻雜氧化鋅、納米銀線、或者石墨烯。7.—種陣列基板，包括: 一基板，該基板上依次形成有第一金屬層，柵極絕緣層，半導(dǎo)體層，第二金屬層，保護(hù)絕緣層，厚膜絕緣層，透明電極，隔離絕緣層，像素電極； 其中，第一金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線，第二金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和漏極，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置； 主動(dòng)元件，包括:源極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該數(shù)據(jù)線圖案，柵極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該掃描線圖案，以及漏極； 像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔貫穿隔離絕緣層、絕緣層與該主動(dòng)元件的漏極電性連接； 透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。8.—種陣列基板，包括: 一基板，該基板上依次形成有第一金屬層，柵極絕緣層，半導(dǎo)體層，第二金屬層、保護(hù)絕緣層，透明電極，厚膜絕緣層，像素電極； 其中，第一金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線，第二金屬層形成的圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和漏極，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線和該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置； 主動(dòng)元件，包括:源極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該數(shù)據(jù)線圖案，柵極，設(shè)置在十字型交叉區(qū)域的該掃描線圖案，以及漏極； 像素電極，以各個(gè)該十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行男纬捎袕?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，且通過一接觸孔貫穿隔離絕緣層、絕緣層與該主動(dòng)元件的漏極電性連接;透明電極，呈整面分布在該基板上，且該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。9.一種液晶顯示裝置，包括: 如權(quán)利要求1-8所述的陣列基板； 對(duì)置基板，與該陣列基板相對(duì)設(shè)置； 液晶層，夾置在該陣列基板與該對(duì)置基板之間； 還包括公共電極，呈面電極圖案分布在該對(duì)置基板上； 其中，該公共電極層與該透明電極同時(shí)施加相同電位電壓。10.—種液晶顯示裝置陣列基板的制作方法，包括: 提供一陣列基板，形成第一層金屬薄膜圖案，該第一層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條掃描線； 在該第一金屬層的圖案上形成柵極絕緣層，在該柵極絕緣層的上方形成半導(dǎo)體圖案；在該半導(dǎo)體圖案上，形成第二層金屬薄膜圖案，該第二層金屬薄膜圖案包括復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線，該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線呈十字型交叉布置;還包括薄膜晶體管的源極、漏極； 在該第二層金屬薄膜圖案上分布絕緣層，在該絕緣層上整面分布有透明電極； 在該透明電極上分布隔離絕緣層，在該隔離絕緣層上分布像素電極，該像素電極為以各個(gè)該復(fù)數(shù)條數(shù)據(jù)線與該復(fù)數(shù)條掃描線之間的十字型交叉區(qū)域?yàn)橹行?，形成?fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的像素電極單元，該像素電極單元通過貫穿該隔離絕緣層和該絕緣層的一接觸孔與漏極實(shí)現(xiàn)電學(xué)連接； 其中，該透明電極延伸至各個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)形成有復(fù)數(shù)個(gè)重復(fù)排列的開口區(qū)域，在每一個(gè)該像素電極單元的區(qū)域內(nèi)還形成有該透明電極的延伸部，該延伸部至少覆蓋呈十字型交叉布置的該數(shù)據(jù)線和該掃描線，該透明電極的延伸部還設(shè)置有開孔，用于容納該接觸孔貫穿通過。
【文檔編號(hào)】G02F1/1343GK106094365SQ201610454751
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】不公告發(fā)明人
【申請(qǐng)人】上海紀(jì)顯電子科技有限公司