專利名稱：在利用光學(xué)堆棧的照相機(jī)系統(tǒng)中的雜散光控制及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種照相機(jī)系統(tǒng)及相關(guān)方法。更加具體的說，本發(fā) 明涉及一種包括具有減少雜散光的光學(xué)堆棧的照相機(jī)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
照相機(jī)可以包括彼此固定在其平面部分處的光學(xué)基底的光學(xué)堆 棧?？衫缭诰瑢用嫱瑫r(shí)制造多個(gè)這種光學(xué)堆桟。另外，因?yàn)樗龉鈱W(xué)系統(tǒng)可以由彼此固定的基底的垂直堆棧形 成，所以在所述光學(xué)系統(tǒng)中可能不需要?dú)んw(例如，鏡筒)來安裝透 鏡。雖然消除這種殼體可以提供許多優(yōu)點(diǎn)，包括增加簡(jiǎn)易性和降低成 本，但這種光學(xué)系統(tǒng)本身可能具有透明側(cè)，所述堆棧被沿著該透明側(cè) 與晶片其它部分分離開(例如切割開)。這種側(cè)面可以允許光在設(shè)計(jì)的入瞳之外的其它地方進(jìn)入所述光 學(xué)堆棧，和/或可以允許以較高角度入射到設(shè)計(jì)的入瞳上的光從一個(gè) 邊緣反射到檢測(cè)器上。換句話說，從所述側(cè)面外部進(jìn)入的光會(huì)增加噪 音，和/或從所述側(cè)面內(nèi)部反射的光會(huì)增加噪音。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明涉及一種利用光學(xué)堆棧的照相機(jī)系統(tǒng)及相關(guān)方法， 其基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)或多個(gè)問題。因此本發(fā)明的特征是提供一種防止外部雜散光到達(dá)照相機(jī)系統(tǒng) 的檢測(cè)器的材料。本發(fā)明的另一個(gè)特征是提供一種防止內(nèi)部反射雜散光到達(dá)照相 機(jī)系統(tǒng)的檢測(cè)器的材料。本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)通過提供一種照 相機(jī)系統(tǒng)而變得顯而易見，所述照相機(jī)系統(tǒng)包括光學(xué)堆棧，包括在垂直方向上固定在一起的兩個(gè)基底和在所述兩個(gè)基底上的光學(xué)系統(tǒng)，所述兩個(gè)基底具有暴露的側(cè)面；在檢測(cè)器基底上的檢測(cè)器；和直接在 光學(xué)堆棧的至少一些側(cè)面上的雜散光阻止器。所述至少一些側(cè)面包括在光學(xué)堆棧中的基底上的最遠(yuǎn)離檢測(cè)器 基底的側(cè)面。所述雜散光阻止器可在光學(xué)堆棧的所有側(cè)面上。所述雜散光阻止器的折射系數(shù)可近似等于具有所述至少一些側(cè) 面的基底的折射系數(shù)。所述雜散光阻止器可以是密封劑。所述雜散光 阻止器可以是涂層。所述雜散光阻止器對(duì)檢測(cè)器能夠檢測(cè)的波長可以 是不透光的。所述光學(xué)堆棧中的一個(gè)基底具有小于所述檢測(cè)器基底的表面面 積。所述光學(xué)堆棧中的基底是同延的。所述檢測(cè)器基底可以在至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué)堆 棧。在延伸超過所述光學(xué)堆棧的檢測(cè)器基底上可以有焊盤。所述照相 機(jī)系統(tǒng)可以包括具有將與所述焊盤電連接的元件的基底。所述雜散光阻止器可以包括從光學(xué)堆棧的上表面延伸至檢測(cè)器 基底的密封劑。所述密封劑可覆蓋所述焊盤和焊盤與基底之間的電連 接器。所述照相機(jī)系統(tǒng)可以包括在基底上的限制密封劑的部件。所述照相機(jī)系統(tǒng)可以包括圍繞所述光學(xué)堆棧的殼體。所述檢測(cè) 器基底可在至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué)堆棧。在延伸超過所述 光學(xué)堆棧的檢測(cè)器基底上可以有焊盤。所述照相機(jī)系統(tǒng)可以包括具有 與所述焊盤電連接的元件的基底。所述圍繞光學(xué)堆棧的殼體可向下延 伸至基底。所述光學(xué)堆棧中的各基底可以不是同延的。所述殼體可延伸以 覆蓋延伸超過其它基底的光學(xué)堆棧的上部。所述雜散光阻止器可包括 在所述殼體的上表面中的開口與延伸超過其它基底的光學(xué)堆棧的上 部之間的密封劑。所述雜散光阻止器可包括在所述殼體與光學(xué)堆棧之 間的密封劑。所述光學(xué)堆棧中的各基底可以不是同延的。所述雜散光阻止器 可包括沿所述光學(xué)堆棧的密封劑。對(duì)光學(xué)堆棧中的基底進(jìn)行分隔的間隔片可包括距所述暴露側(cè)面7的間隙。所述雜散光阻止器可包括沿所述光學(xué)堆棧的密封劑，所述密 封劑填充所述間隙。電互連通過所述檢測(cè)器基底。在檢測(cè)器基底上的蓋板可在至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué) 堆棧。所述蓋板的暴露表面可以是不透光材料。所述不透光材料與雜 散光阻止器相同。所述蓋板可具有一個(gè)成角的邊緣，并且還包括覆蓋 所述蓋板的成角邊緣的不透光材料。所述不透光材料與雜散光阻止器 相同。本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點(diǎn)中的至少一個(gè)通過提供一種制 造照相機(jī)系統(tǒng)的方法而變得顯而易見，所述制造照相機(jī)系統(tǒng)的方法包 括固定光學(xué)堆棧，該光學(xué)堆棧包括兩個(gè)基底和在所述兩個(gè)基底上的 光學(xué)系統(tǒng)，所述兩個(gè)基底在垂直方向上被固定起來，所述兩個(gè)基底具 有暴露的側(cè)面和在檢測(cè)器基底上的檢測(cè)器；和直接在所述光學(xué)堆棧的 至少一些側(cè)面上提供雜散光阻止器。


本發(fā)明的上面和其它特征和優(yōu)點(diǎn)對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說通過 參考附圖對(duì)詳細(xì)示例實(shí)施例的說明將變得更加明顯，其中圖l表示根據(jù)本發(fā)明第一示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖2表示根據(jù)本發(fā)明第二示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖；圖3表示根據(jù)本發(fā)明第三示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖4表示根據(jù)本發(fā)明第四示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖5表示根據(jù)本發(fā)明第五示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖6表示根據(jù)本發(fā)明第六示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖7表示根據(jù)本發(fā)明第七示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖8表示根據(jù)本發(fā)明第八示例實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)的橫截面圖； 圖9表示說明一般雜散光問題的照相機(jī)系統(tǒng)的示意前視圖。
具體實(shí)施方式
此后將參照附圖更完整地說明本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明8的優(yōu)選實(shí)施例。然而本發(fā)明可以不同的形式來施行并且不應(yīng)構(gòu)成為限 制于此處所述的實(shí)施例。相反，這些實(shí)施例被提供使得該公開將是全 面的和完整的，并且將把本發(fā)明的概念完全傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中，為了清楚起見可能對(duì)層和區(qū)的厚度進(jìn)行了夸大。還應(yīng) 理解當(dāng)將一層被提及為在另一層或基底"之上"時(shí)，它可以直接在另 一層或基底上面，或者可以存在中間層。另外，應(yīng)該理解當(dāng)一層被提 及為在另一層"之下"時(shí)，它可以直接在另一層下面，或者也可以存 在一個(gè)或多個(gè)中間層。另外，還應(yīng)理解當(dāng)一層被提及為在兩層"之間" 時(shí)，它可以是兩層中間的唯一層，或者也可以存在一個(gè)或多個(gè)中間層。 全部附圖中同樣的數(shù)字表示同樣的部件。如此處所使用的，術(shù)語"晶 片"將意指在其上形成多個(gè)部件的任何基底，所述多個(gè)部件在最終使 用之前會(huì)被垂直分割開。另外，如此處所使用的，術(shù)語"照相機(jī)系統(tǒng)" 將意指包括了將光學(xué)信號(hào)傳遞給檢測(cè)器的光學(xué)成像系統(tǒng)(例如，輸出 如圖像之類的信息的圖像拍攝系統(tǒng))的任何系統(tǒng)。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，利用透鏡的照相機(jī)系統(tǒng)可以包括具有固 定在晶片層面上的至少兩個(gè)基底的光學(xué)堆棧。所述光學(xué)堆?？砂ㄒ?個(gè)光學(xué)成像系統(tǒng)。在其上形成光學(xué)成像系統(tǒng)的基底可以具有可被暴露 的透明邊緣，所述邊緣可以增加到達(dá)檢測(cè)器的雜散光，從而增加噪音。 通過在至少一些邊緣上提供阻止材料，該雜散光可被減少或消除。如圖9的正面示意圖所示的，照相機(jī)系統(tǒng)60可包括光學(xué)堆棧40 和密封檢測(cè)器50。光學(xué)堆棧40可包括第一透明基底10、第二透明基 底20和第三透明基底30。光阻止材料12可被提供在第一透明基底 10的上表面上以定義一個(gè)入瞳并阻止雜散光進(jìn)入照相機(jī)系統(tǒng)60。然 而，光學(xué)堆棧40的剩余透明表面可以允許光在設(shè)計(jì)的入瞳之外的地 方進(jìn)入光學(xué)堆棧40和/或可以允許以較高角度入射到設(shè)計(jì)的入瞳上 的光從一個(gè)邊緣反射到檢測(cè)器上。例如，光束1可以從一側(cè)外部進(jìn)入 光學(xué)堆棧40和/或光束2可以從光學(xué)堆棧40的一側(cè)內(nèi)部反射，上面 兩種情況中的任一種都可增加照相機(jī)系統(tǒng)60中的噪音。隨著在其上 形成光學(xué)系統(tǒng)的光學(xué)基底的尺寸被減小和各側(cè)面更靠近檢測(cè)器，這些 問題可能被惡化。9在圖1中示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)100。在圖l中，可對(duì)所有顏色使用單透鏡系統(tǒng)，并且可以在檢測(cè)器陣列上提供 濾色鏡?？蛇x擇的，對(duì)于每個(gè)照相機(jī)系統(tǒng)，可以以任何數(shù)量的子照相 機(jī)(例如三個(gè)或四個(gè))來提供該透鏡系統(tǒng)，而濾色鏡的設(shè)計(jì)和/或位 置可以改變。這種用于照相機(jī)的透鏡堆棧設(shè)計(jì)可見諸于例如共同轉(zhuǎn)讓的未決美國臨時(shí)專利申請(qǐng)第60/855,365號(hào)(2006年10月31日提交) 和美國專利申請(qǐng)第11/487,580號(hào)(2006年7月17日提交)和第 10/949， 807號(hào)(2004年9月27日提交)，所有這些文獻(xiàn)在這里通過 整體引用而被并入本文。如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)100可以包 括光學(xué)堆棧140和檢測(cè)器基底170。光學(xué)堆棧140可包括通過各自的 間隔片512和523固定的第一基底110、第二基底120和第三基底130。 可在第一基底110上提供一個(gè)額外的間隔片501，以用作用于光學(xué)堆 棧140的孔徑光闌。第一基底IIO可以包括第一折射凸表面112，其可以幫助對(duì)輸入 到其上的光進(jìn)行成像。第一基底110的第二表面114可以是平的，并 且可以在其上包括紅外濾光片115。紅外濾光片115可以在光學(xué)堆棧 140中的任何一個(gè)表面上。第二基底120的第一表面可具有位于其上的衍射元件123，其可 以校正顏色和照相機(jī)象差。第二基底120的第二表面可具有第二折射 凸表面124，其還可以幫助對(duì)光進(jìn)行成像。第三基底130可以具有一個(gè)位于其中的折射凹表面132。凹表面 132可以使所述圖像的場(chǎng)變平，使得所有圖像點(diǎn)都可以在相同的平面 處成像到檢測(cè)器基底170上的檢測(cè)器陣列的有效區(qū)域上。在光學(xué)堆棧140與檢測(cè)器基底170之間提供了精確間隔的蓋板 150和支架160可被布置在光學(xué)堆棧140和檢測(cè)器基底170之間。蓋 板150和支架160可密封所述有效區(qū)域。除了有效區(qū)域外，檢測(cè)器基 底170可以包括顯微透鏡174的陣列和焊盤172。雖然支架160被顯示為是與檢測(cè)器基底170和蓋板150分開的 元件，但支架160可以與檢測(cè)器基底170和蓋板150之一或二者集成10起來。另外，雖然支架160的側(cè)壁被顯示為是直的，例如通過切割或 模制形成，但也可根據(jù)形成支架160的方式(例如以用于支架160 的特殊材料的蝕刻角)將它們形成一個(gè)角度。最后，支架160可以是 如在共同轉(zhuǎn)讓的美國專利第6,669,803號(hào)中所公開的精確布置在檢 測(cè)器基底170和蓋板150之一或二者上的粘結(jié)材料，所述文獻(xiàn)通過引 用而被并入本文。類似地，雖然蓋板159被顯示為具有斜邊，但這可以是用于產(chǎn) 生蓋板150的工藝的人造品，并且可以根據(jù)不同工藝而改變。尤其是， 當(dāng)在將要切割的表面下面的元件將被保護(hù)時(shí)，例如不是對(duì)所有固定的 晶片進(jìn)行切割時(shí)，可以利用斜角的切割刀片。另外，蓋板150可以是 透光的，例如玻璃，以便可以由照相機(jī)系統(tǒng)ioo進(jìn)行記錄。如圖1所示，基底IIO、 120和130可以具有相對(duì)的平表面，在 它們之間形成有光學(xué)元件112、 115、 123、 124和132。平表面的使 用是有利的，因?yàn)樗试S對(duì)透鏡系統(tǒng)中的所有元件的傾斜進(jìn)行控制。 平表面的使用還可以允許堆疊元件并直接將元件粘結(jié)到所述平表面 上，這有助于晶片層級(jí)的裝配。所述平表面可被保留在每個(gè)元件附近 的外圍，或者可以通過適當(dāng)材料的沉積在每個(gè)透鏡元件的周圍形成平 表面。在其上具有光學(xué)元件的光學(xué)堆棧140中的基底對(duì)于被成像的波 長是透明的。在沒有附加結(jié)構(gòu)的情況下，基底的邊緣被暴露。因此， 如上所述，即使使用不透明的間隔片，外部雜散光也可通過這些基底 的邊緣進(jìn)入，并且可入射到所述有效區(qū)域上。另外，以較高角度即在 照相機(jī)視場(chǎng)外進(jìn)入的光可在這些邊緣處被內(nèi)反射。然而，通過在邊緣 上提供光阻止材料，到達(dá)所述有效區(qū)域的雜散光的數(shù)量可被減少。在圖1所示的第一實(shí)施例中，光阻止材料可以是密封劑192,所 述密封劑可被容納在殼體190中。與在沒有結(jié)合光學(xué)堆棧的設(shè)計(jì)中所 使用的殼體不同，殼體190非常簡(jiǎn)單，并且光學(xué)元件未直接固定于其 中。殼體190可以是不透明的。密封劑192可以是不透明的，并且可具有與光學(xué)堆棧的基底的材料類似的折射系數(shù)。例如，當(dāng)基底是具有 大約1.5的折射系數(shù)的熔融石英時(shí)，密封劑192可以是硅凝膠密封劑，11例如從Dow Corning公司獲得的HIPEC R6102 SEMICONDUCTOR PROTECTIVE C0ATING。根據(jù)將要使用的密封劑的厚度，該已知密封劑 可能不是足夠不透光的。因此，可在該傳統(tǒng)密封劑中加入碳以使傳統(tǒng) 的密封劑更加不透光。密封劑192可具有較低的模數(shù)，即不會(huì)對(duì)其他 元件引入較多的應(yīng)力，例如可避免絲焊176損壞。雖然作為密封劑 192的不透光或吸光材料與在入瞳處相比可減少外部光進(jìn)入光學(xué)堆 棧140，但使用具有與所述邊緣類似的折射系數(shù)的材料可減少光學(xué)堆 棧140內(nèi)的內(nèi)反射。在已經(jīng)通過絲焊176將焯盤172電連接至另一個(gè)基底180(例如 板上的芯片(COB))上之后，可布置密封劑194以保護(hù)絲焊176。 基底180可在其上包括用于限制密封劑194的部件182，例如周界。 這些部件182可在基底之中或之上以光刻的方式形成，并且可以是至 少50微米高。密封劑194可以與密封劑192相同或不同?？梢酝瑫r(shí) 或順序的方式來提供密封劑192、 194。根據(jù)正在使用的密封劑材料的粘度，可以與用于粘結(jié)材料類似 的方式在照相機(jī)系統(tǒng)的整個(gè)晶片上布置密封劑材料。例如，如在美國 專利第6， 096， 155號(hào)中所闡釋的那樣順序地提供密封劑材料，或者如 在美國專利6， 669， 803中所闡釋的那樣同時(shí)地提供密封劑材料，所述 文獻(xiàn)通過引用而被并入本文。如果同時(shí)提供密封劑材料，則可利用某 種掩模來保護(hù)光學(xué)堆棧140的上表面。也可以使用其它技術(shù)，例如使 用注射或噴射模塑法。另外，良好的覆蓋可能需要多步工藝來施加密 封劑，例如重復(fù)施加和固化密封劑。在如圖2所示的根據(jù)第二實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)200中，可消除 殼體190，并且可以使用相同的密封劑192來減少光學(xué)堆棧140中的 雜散光和保護(hù)絲焊176。第二實(shí)施例的其它元件與第一實(shí)施例中的相 同，其詳細(xì)說明將被省略。在根據(jù)第三實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)300中，可例如使用球柵陣列 將檢測(cè)器基底370配置成表面安裝到另一個(gè)基底上，由此消除絲焊。 然而，可以仍然使用與圖1所示相同的殼體190和密封劑192。另外， 如圖3所示，蓋板350的邊緣可以是垂直的。還如圖3所示，殼體12190、蓋板350和檢測(cè)器基底370可以是同延的。第三實(shí)施例中的其 它元件與第一實(shí)施例相同，并且將省略對(duì)其的詳細(xì)說明。在如圖4所示的根據(jù)第四實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)400中，涂層490 可代替第三實(shí)施例的殼體190和密封劑192。涂層490可具有與密封 劑192類似的性質(zhì)，即可以是不透光的并且具有與基底類似的折射系 數(shù)，并且可以是與密封劑192相同的材料。如此處所使用的，術(shù)語"涂層"將意指在一個(gè)表面上具有充分 受控的厚度的材料，而"密封劑"將意指被保形地沉積的材料。涂層 490可通過蒸鍍、噴繪、在例如液體墨汁中浸漬等來形成。甚至當(dāng)光 學(xué)堆棧140與檢測(cè)器基底470同延時(shí)也可使用涂層490。當(dāng)涂敷的光學(xué)堆棧140、 490不與檢測(cè)器基底470或蓋板150同 延時(shí)，如圖4所示，還可以在蓋板150上提供光屏蔽元件154，例如 與涂層490所用相同的材料或不同材料，例如金屬。另外，可在所述 斜邊上提供光屏蔽元件152，并且所述光屏蔽元件152可與光屏蔽元 件154相同或不同。第四實(shí)施例的其它元件與第三實(shí)施例相同，其詳細(xì)說明將被省略。在如圖5所示的根據(jù)第五實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)500中，殼體590 (例如，不透光殼體)可保護(hù)絲焊176以及容納密封劑材料592。光 學(xué)堆棧540的第三基底530可延伸超過第一和第二基底110、 120。 第三基底530可包括另外幫助限制密封劑592的部件。可例如通過下 列步驟來形成光學(xué)堆棧540的最終臺(tái)階式結(jié)構(gòu)通過在晶片層面上一 起固定第一和第二基底110、 120，將所固定的多個(gè)基底對(duì)切分 (singulating)，并且將切分的基底對(duì)固定到第三基底530上；或 者通過在切分之前固定所有三個(gè)基底110、 120、 530，并通過例如用 不同的刀片寬度從所固定基底的不同表面進(jìn)行切割來切分。這里，密 封劑592也可用于保護(hù)照相機(jī)系統(tǒng)500的元件免受潮氣和其它環(huán)境污 染物。第五實(shí)施例的其它元件與第一實(shí)施例相同，其詳細(xì)說明將被省 略。在如圖6所示的根據(jù)第六實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)600中，殼體69013(例如不透光殼體)可以保護(hù)絲焊176以及容納密封劑材料692。光 學(xué)堆棧640的第一基底610可具有比第二和第三基底620、 630小的 表面面積。第二基底620可包括另外幫助限制密封劑692的部件?？?例如通過下列步驟來形成光學(xué)堆棧640的最終臺(tái)階式結(jié)構(gòu)通過將切 分的第一基底固定在第二和第三基底上；或者通過在切分之前固定所 有三個(gè)基底，并通過例如用不同的刀片寬度從所固定基底的不同表面 進(jìn)行切割來切分。這里，密封劑692也可用于與外界隔絕地密封照相 機(jī)系統(tǒng)600。如與任何其它實(shí)施例相同的那樣，光學(xué)堆棧640可以是 任何適當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)堆棧。在如圖7所示的根據(jù)第七實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)700中，可以使 用僅使用一種密封劑792的臺(tái)階式光學(xué)堆棧740。該臺(tái)階式光學(xué)堆棧 740可幫助限制密封劑792以確保其良好的覆蓋性。在第七實(shí)施例的 特定光學(xué)堆棧740中，第一基底710可以小于第二基底720，而第二 基底可以小于第三基底730。蓋結(jié)構(gòu)750在其中可包括一個(gè)凹透鏡732。蓋結(jié)構(gòu)750可包括另 外用于幫助限制密封劑792的部件?？衫缤ㄟ^下列步驟來形成光學(xué) 堆棧740的最終臺(tái)階式結(jié)構(gòu)通過將第一至第三基底中的每一個(gè)進(jìn)行 切分，然后將它們固定在一起，將固定的基底對(duì)切分；或者通過在切 分之前固定所有三個(gè)基底，并通過例如用不同的刀片寬度從所固定基 底的不同表面進(jìn)行切割來切分。如圖8所示的根據(jù)第八實(shí)施例的照相機(jī)系統(tǒng)800可包括具有如 第一實(shí)施例或第五實(shí)施例中的第一至第三基底的光學(xué)堆棧840。然而 第一基底與第二基底之間的間隔片512，和第二基底與第三基底之間 的間隔片523'可以不延伸至這些基底的邊緣。在間隔片512'和 523'不是由通常要遭受切分(例如切割)的材料制成的時(shí)，這樣做 是有用的。例如，當(dāng)間隔片512' 、523'是SU8時(shí)，這些間隔片512'、 523'可被提供來使得它們?cè)谄涓髯曰椎姆指盥窂降姆秶狻Ｈ缓?密封劑892可填充間隔片512' 、 523'與基底邊緣之間的這些間隙 以減少雜散光。蓋結(jié)構(gòu)150可包括用于限制密封劑892的部件158。這里已經(jīng)披露了本發(fā)明的示例實(shí)施例，并且雖然使用了特定的14術(shù)語，但它們僅是以一般說明的意義并且不是限制的目的使用和闡釋 的。例如，雖然光學(xué)堆棧中的基底可以都是相同的材料，但也可以是 不同的材料。當(dāng)利用不同的基底材料時(shí)，光阻止材料的折射系數(shù)可最 接近于最可能對(duì)光進(jìn)行內(nèi)反射的基底的折射系數(shù)，或者可以對(duì)各基底 求平均。另外，光學(xué)堆棧中的一些或所有光學(xué)元件可被復(fù)制并可以是 塑料的，而不是傳遞給基底。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解在不脫 離如后附權(quán)利要求所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對(duì)形式 和細(xì)節(jié)做出各種改變。
權(quán)利要求
1.一種照相機(jī)系統(tǒng)，包括光學(xué)堆棧，其包括在垂直方向上固定在一起的兩個(gè)基底和在所述兩個(gè)基底上的光學(xué)系統(tǒng)，所述兩個(gè)基底具有暴露的側(cè)面；在檢測(cè)器基底上的檢測(cè)器；和直接處在所述光學(xué)堆棧的至少一些側(cè)面上的雜散光阻止器。
2. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述至少一些側(cè)面包 括在所述光學(xué)堆棧中的基底上的最遠(yuǎn)離所述檢測(cè)器基底的側(cè)面。
3. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器在 所述光學(xué)堆棧的所有側(cè)面上。
4. 如權(quán)利要求l所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器的 折射系數(shù)近似等于具有所述至少一些側(cè)面的基底的折射系數(shù)。
5. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述光學(xué)堆棧中的一 個(gè)基底具有小于所述檢測(cè)器基底的表面面積。
6. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器是 密封劑。
7. 如權(quán)利要求l所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器是 涂層。
8. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器對(duì) 所述檢測(cè)器能夠檢測(cè)到的波長不透光。
9. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述光學(xué)堆棧中的基底是同延的。
10. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述檢測(cè)器基底在至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué)堆棧。
11. 如權(quán)利要求io所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括在延伸超過所述光學(xué)堆棧的所述檢測(cè)器基底上的焊盤。
12. 如權(quán)利要求ll所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括具有將與所述焊 盤電連接的元件的基底。
13. 如權(quán)利要求12所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器 包括從所述光學(xué)堆棧的上表面延伸至所述檢測(cè)器基底的密封劑。
14. 如權(quán)利要求13所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述密封劑蓋住所 述焊盤和在所述焊盤與所述基底之間的電連接器。
15. 如權(quán)利要求13所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括在所述基底上的 限制所述密封劑的部件。
16. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括圍繞所述光學(xué)堆 棧的殼體。
17. 如權(quán)利要求16所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述檢測(cè)器基底在 至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué)堆棧。
18. 如權(quán)利要求17所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括在所述檢測(cè)器基 底上的延伸超過所述光學(xué)堆棧的焊盤。
19. 如權(quán)利要求18所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括具有與所述焊盤電連接的元件的基底。
20. 如權(quán)利要求19所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述圍繞光學(xué)堆棧 的殼體向下延伸至所述基底。
21. 如權(quán)利要求20所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述光學(xué)堆棧中的 各基底不是同延的。
22. 如權(quán)利要求21所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述殼體延伸以覆 蓋延伸超過其它基底的光學(xué)堆棧的上部。
23. 如權(quán)利要求22所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器 包括處于在所述殼體的上表面中的開口與延伸超過其它基底的光學(xué) 堆棧的上部之間的密封劑。
24. 如權(quán)利要求16所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器 包括在所述殼體與所述光學(xué)堆棧之間的密封劑。
25. 如權(quán)利要求16所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述殼體延伸以覆 蓋所述檢測(cè)器基底上的蓋板。
26. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述光學(xué)堆棧中的 各基底不是同延的。
27. 如權(quán)利要求26所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器 包括沿所述光學(xué)堆棧的密封劑。
28. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中對(duì)所述光學(xué)堆棧中 的所述基底進(jìn)行分隔的間隔片包括距所述暴露側(cè)面的間隙。
29. 如權(quán)利要求28所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述雜散光阻止器 包括沿所述光學(xué)堆棧的密封劑，所述密封劑填充所述間隙。
30. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括通過所述檢測(cè)器 基底的電互連。
31. 如權(quán)利要求1所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中在一個(gè)檢測(cè)器基底 上的蓋板在至少一個(gè)方向上延伸超過所述光學(xué)堆棧。
32. 如權(quán)利要求31所述的照相機(jī)系統(tǒng)，還包括在所述蓋板的暴 露表面上的不透光材料。
33. 如權(quán)利要求32所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述不透光材料與 雜散光阻止器相同。
34. 如權(quán)利要求31所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述蓋板具有一個(gè) 成角的邊緣，并且還包括覆蓋所述蓋板的成角的邊緣的不透光材料。
35. 如權(quán)利要求34所述的照相機(jī)系統(tǒng)，其中所述不透光材料與 所述雜散光阻止器相同。
36. —種制造照相機(jī)系統(tǒng)的方法，包括固定光學(xué)堆棧，所述光學(xué)堆棧包括兩個(gè)基底和在所述兩個(gè)基底 上的光學(xué)系統(tǒng)，所述兩個(gè)基底在垂直方向上被固定起來，所述兩個(gè)基 底具有暴露的側(cè)面和在一個(gè)檢測(cè)器基底上的檢測(cè)器；和直接在所述光學(xué)堆棧的至少一些側(cè)面上提供雜散光阻止器。
全文摘要
一種照相機(jī)系統(tǒng)可以包括光學(xué)堆棧(140)，其包括在垂直方向上固定在一起的兩個(gè)基底(110，120)和在所述兩個(gè)基底上的光學(xué)系統(tǒng)(112，124)，所述兩個(gè)基底具有暴露的側(cè)面；在檢測(cè)器基底(170)上的檢測(cè)器；和直接在光學(xué)堆棧的至少一些側(cè)面上的雜散光阻止器(192)。
文檔編號(hào)H04N5/225GK101606381SQ200780049903
公開日2009年12月16日 申請(qǐng)日期2007年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年11月16日
發(fā)明者哈德遜·韋爾奇, 布魯斯·麥威廉斯, 羅伯特·D·泰科斯特, 韓洪濤 申請(qǐng)人:德薩拉北美公司