專利名稱：制造光學(xué)傳感器的方法、光學(xué)傳感器和包括其的照相機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造光學(xué)傳感器的方法、光學(xué)傳感器和照相機(jī)。
背景技術(shù)：
用作用于圖像拾取裝置的光學(xué)傳感器的固態(tài)圖像拾取器件是已知的。在基于固態(tài)技術(shù)的光學(xué)傳感器中，通過使用具有凹部的塑料封裝或陶瓷封裝，在蓋子部件中封入(encapsulate)通過將晶片分成各單個(gè)芯片而獲得的圖像拾取器件芯片。在這樣的光學(xué)傳感器中，已知的是，當(dāng)使用玻璃作為蓋子部件時(shí)，從包含于玻璃中的重金屬等發(fā)射的α射線不利地影響圖像拾取器件芯片的特性。因此，提出使用不發(fā)射α射線的晶體 (crystal)作為光學(xué)傳感器的蓋子部件的配置(參見日本專利申請公開No. 2008-34502)。 此外，還提出使用發(fā)射少量α射線的玻璃作為蓋子部件的配置(參見日本專利申請公開 No. 05-279074)。通過將包含圖像拾取器件的晶片狀態(tài)半導(dǎo)體基板和光透射基板固定在一起并且將固定后的基板分成單獨(dú)的芯片而獲得的WXSP(晶片級芯片尺寸封裝)是已知的。例如在日本專利申請公開No. 2010-050260中公開了 WXSP的配置和制造方法。可以將WXSP 型光學(xué)傳感器在晶片級進(jìn)行一并處理，使得可以降低制造成本，并且可以實(shí)現(xiàn)小型化和薄型化的光學(xué)傳感器。但是，當(dāng)由不發(fā)射α射線的晶體或發(fā)射少量α射線的玻璃形成的光透射基板被固定到晶片上時(shí)，存在這樣的問題即，在制造工藝期間，由于熱膨脹而出現(xiàn)晶片或光透射基板的翹曲(warping)或者兩者的翹曲，并且實(shí)得率(yield rate)下降。另外，即使在制造之后，如果在固定后的光透射基板和晶片之間發(fā)生翹曲，也存在出現(xiàn)裂紋或剝離(peeling) 的問題。因此，通過將固定后的基板和晶片分成單獨(dú)的芯片而獲得的光學(xué)傳感器具有相同的問題。本發(fā)明提供可以減少α射線對于圖像拾取器件芯片的影響并且可以抑制翹曲的光學(xué)傳感器的制造方法。因此，可以使得光學(xué)傳感器和使用光學(xué)傳感器的照相機(jī)更加可靠。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)方面針對制造光學(xué)傳感器的方法。該方法包括設(shè)置包含多個(gè)像素區(qū)域的半導(dǎo)體晶片；設(shè)置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多個(gè)光透射部件，所述多個(gè)光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多個(gè)光透射部件中的每一個(gè)的α射線發(fā)射量小于或等于0.05C/Cm2*h;通過固定部件將所述光透射基板固定到所述半導(dǎo)體晶片上，使得所述多個(gè)光透射部件和所述半導(dǎo)體晶片相互面對；以及將固定在一起的所述半導(dǎo)體晶片和所述光透射基板分成單獨(dú)的件。參照附圖閱讀示例性實(shí)施例的以下描述，本發(fā)明的其它特征將變得清晰。


圖1包括圖IA和圖1B，其中，圖IA是第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的透視平面圖，圖 IB是第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的斷面圖。圖2A和圖2B是表示第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法的平面圖。圖2C 2H是表示第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法的斷面圖。圖3A和圖;3B是第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的部分?jǐn)嗝鎴D。圖4A是第二實(shí)施例的光學(xué)傳感器的透視平面圖。圖4B是第二實(shí)施例的光學(xué)傳感器的斷面圖。圖5A和圖5B是表示第二實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法的平面圖。圖5C 5H是表示第二實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法的斷面圖。圖6是光學(xué)傳感器被應(yīng)用于作為圖像拾取系統(tǒng)的例子的數(shù)字照相機(jī)的框圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照圖1 6來描述本發(fā)明的實(shí)施例。第一實(shí)施例圖IA和圖IB是表示本發(fā)明的第一實(shí)施例的光學(xué)傳感器的圖。圖IA是光學(xué)傳感器的透視平面圖。圖IB是沿圖IA中的線IB-IB切取的示意性斷面圖。根據(jù)第一實(shí)施例，光學(xué)傳感器包含經(jīng)由固定部件3被固定(附接)到光透射蓋子部件2上的圖像拾取器件芯片1。通過被光透射蓋子部件2、圖像拾取器件芯片1和固定部件3包圍來形成空間7。與第二實(shí)施例(在后面描述)相對照，空間7防止光透射部件2和圖像拾取器件芯片1相互面對的表面相互接觸。圖像拾取器件芯片1包含被設(shè)置在固定部件3的內(nèi)部區(qū)域27內(nèi)的像素區(qū)域5。通過用固定部件3將圖像拾取器件芯片1(在半導(dǎo)體晶片中被形成)和光透射基板2固定在一起并然后將固定后的元件切割成單獨(dú)的件，獲得光學(xué)傳感器。在本實(shí)施例中，圖像拾取器件芯片1是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器。像素區(qū)域5具有用于將入射光轉(zhuǎn)換成電荷的多個(gè)轉(zhuǎn)換元件和與所述多個(gè)轉(zhuǎn)換元件對應(yīng)的多個(gè)晶體管。布線結(jié)構(gòu)12、第一平坦化膜14、濾色器15、第二平坦化膜16被布置在圖像拾取器件芯片1的半導(dǎo)體基板(晶片)上。微透鏡17被布置在半導(dǎo)體基板的上(外部) 表面上(在基板的光入射側(cè))。絕緣膜20、導(dǎo)電膜21和絕緣部件23被布置在半導(dǎo)體基板 11下面(與光入射側(cè)相對的側(cè))。對于絕緣膜20使用氧化物膜(oxide film)或氮化物膜 (nitride film)等。對于導(dǎo)電膜21使用Al或Cu等。對于絕緣部件23使用焊料抗蝕劑 (solder resist)等。圖像拾取器件芯片1包含通孔(through-hole)電極6，所述通孔電極6貫穿在作為半導(dǎo)體基板11的光入射側(cè)的光透射蓋子部件側(cè)的第一主表面和在與第一主表面相對的側(cè)的第二主表面。通孔電極6由導(dǎo)電膜21的一部分形成。通孔電極6與布線結(jié)構(gòu)內(nèi)的表面電極13電連接。為了與圖中未示出的電路板連接，圖像拾取器件芯片1具有由導(dǎo)電膜21 的一部分形成的布線22。此外，圖像拾取器件芯片1具有用于與外部電路連接的連接端子對，所述連接端子M被布置在光透射蓋子部件2的相對側(cè)并且與布線端子22電連接。雖然對于連接端子 24使用的是焊料球，但是，也可以使用諸如ACP、ACF或NCP的各向異性導(dǎo)電部件。對于作為圖像拾取器件芯片的CMOS圖像傳感器使用硅基板。作為CMOS圖像傳感器的替代，可對于圖像拾取器件芯片使用CCD圖像傳感器等。光透射蓋子部件2表示將光透射基板分成單獨(dú)的件之后的配置，并且包含玻璃板加和光透射部件2b，所述光透射部件2b被固定(附接)到玻璃板加的面向圖像拾取器件芯片的表面上并且其α射線的發(fā)射量小于(少于)或等于0.05(:/(^2+(每小時(shí)每平方厘米的計(jì)數(shù))。如果從透射蓋子部件2發(fā)射的α射線的量大于0.05(/皿2·!!，那么圖像拾取器件芯片1會(huì)發(fā)生故障(malfunction)或者圖像質(zhì)量會(huì)劣化，因此，需要減少α射線的發(fā)射量。希望光透射蓋子部件2和圖像拾取器件芯片1具有彼此相近的線性(linear)膨脹系數(shù)。但是，現(xiàn)有的用于光學(xué)傳感器的低α射線玻璃具有與圖像拾取器件芯片1的線性膨脹系數(shù)大大不同的線性膨脹系數(shù)。因此，作為光透射蓋子部件2，用于在與圖像拾取器件芯片1連接時(shí)抑制翹曲的玻璃板加和用于減少對于圖像拾取器件芯片1的α射線照射的光透射部件2b被組合在一起。作為玻璃板加的材料，可以使用具有接近2. 6ppm/°C的線性膨脹系數(shù)的材料，該2. 6ppm/°C是作為用于圖像拾取器件芯片1的半導(dǎo)體基板11的硅的線性膨脹系數(shù)，并且，具體而言，可以使用具有大于或等于2. 0ppm/°C且小于或等于4. Oppm/0C 的線性膨脹系數(shù)的材料。因此，作為玻璃基板加，使用具有3. 2ppm/°C的線性膨脹系數(shù)的硼硅酸鹽(borosilicate)玻璃。作為用于玻璃基板加的硼硅酸鹽玻璃，可以使用Pyrex(注冊商標(biāo))和Tempax (注冊商標(biāo))等。與光透射部件2b相比，用于玻璃基板加的這些材料發(fā)射的α射線量更大。圖像拾取器件芯片1和玻璃板加具有彼此相近的線性膨脹系數(shù)，因此，由于溫度變化導(dǎo)致的翹曲被抑制。光透射部件2b是發(fā)射少量(low level) α射線的材料，并且進(jìn)一步地，如果玻璃板加發(fā)射α射線，那么光透射部件2b吸收α射線并且減少α射線，因此， 可以減少α射線對于圖像拾取器件芯片1的影響。光透射部件2b越厚，則光透射部件2b 越有效地吸收α射線，并且，50 μ m或更大的厚度是進(jìn)一步優(yōu)選的。另一方面，光透射部件 2b的厚度優(yōu)選為200 μ m或更小。原因是，如果光透射部件2b的厚度大于200 μ m,那么，玻璃板加和圖像拾取器件芯片之間的距離增大并由此使得固定部件3變厚，從而使得制造變得困難。此外，耐濕性(humidity resistance)會(huì)劣化。作為光透射部件2b，使用由具有約 6ppm/°C (每攝氏度的百萬分率,parts per million per degree Celsius)的線性膨脹系數(shù)的硼硅酸鹽玻璃形成的低α射線玻璃。作為光透射部件2b，還可以使用具有約10ppm/°C 的線性膨脹系數(shù)的晶體、或硅酸鹽(silicate)玻璃等。固定部件3由有機(jī)材料制成。具體而言，固定部件3是粘合劑(adhesive)材料或化合物，諸如UV固化液體粘合劑、熱固化液體粘合劑和由感光膜制成的片狀(sheet)粘合劑等。例如，通過構(gòu)圖來形成固定部件3。當(dāng)玻璃板和圖像拾取器件芯片之間的距離大時(shí)難以制造的原因在于，當(dāng)在用于在希望的位置中形成固定部件的工藝中使用液體粘合劑時(shí)， 粘合劑容易擴(kuò)散，并且，當(dāng)使用片狀粘合劑時(shí)，需要層疊多層的板狀粘合劑。下面將參照圖2A 2H來描述圖IA和圖IB中的光學(xué)傳感器的制造方法。與圖 IA和圖IB所示的配置相比，圖2A 2H所示的配置被簡化。首先，制備半導(dǎo)體晶片30 (圖 2A)，所述半導(dǎo)體晶片30包含多個(gè)像素區(qū)域5，并且特別地，在所述半導(dǎo)體晶片30中，在由硅單晶(silicon single crystal)形成的基板31上形成圖IA所示的多個(gè)像素區(qū)域。通過一般的半導(dǎo)體器件制造工藝來形成像素區(qū)域5等。
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然后，制備包含光透射晶片41和多個(gè)光透射部件2b的光透射基板40(圖2B)，其中，所述多個(gè)光透射部件2b在光透射晶片41的第一主表面上與半導(dǎo)體晶片30的多個(gè)像素區(qū)域5中的每一個(gè)對應(yīng)地被布置。從多個(gè)光透射部件2b中的每一個(gè)發(fā)射的α射線的量小于(低于或少于)或等于0. 05c/cm2 *h。光透射基板40的尺寸與半導(dǎo)體晶片30的尺寸基本上相同。在圖2B中，附圖標(biāo)記42表示用于切割光透射基板40的虛線。如圖3A和圖:3B所示，通過被布置在光透射部件2b的邊緣區(qū)域或整個(gè)表面上的粘合劑43來將光透射晶片41和光透射部件2b固定在一起(相互附接)。當(dāng)光透射晶片41 和光透射部件2b在邊緣區(qū)域上被固定在一起時(shí)，在光透射晶片41和光透射部件2b之間形成空間，并且，當(dāng)它們在整個(gè)表面上被固定在一起時(shí)，在光透射晶片41和光透射部件2b之間形成粘合劑43的層(參見圖3A和圖3B)。在本實(shí)施例中，光透射晶片41和光透射部件 2b在邊緣區(qū)域上被固定在一起。光透射晶片41是具有0. 3mm的厚度和具有與硅的線性膨脹系數(shù)相近的3. 2ppm/°C的線性膨脹系數(shù)的硼硅酸鹽玻璃(Pyrex (注冊商標(biāo)))。光透射部件2b是具有約6ppm/°C的線性膨脹系數(shù)并且α射線發(fā)射量小于或等于0. 05c/cm2 -h的硼硅酸鹽玻璃。雖然圖3A和圖;3B示出光透射晶片41和光透射部件2b通過粘合劑43被附接，但是，也可例如通過氣相淀積法等直接在光透射晶片41上形成光透射部件2b。光透射部件2b需要能夠減少進(jìn)入半導(dǎo)體晶片30上的像素區(qū)域5的α射線。因此，光透射部件2b 的尺寸可以大于或等于半導(dǎo)體晶片30上的像素區(qū)域5的尺寸。此外，如圖1所示，光透射部件2b的尺寸可以小于固定部件3的內(nèi)部區(qū)域。光透射晶片41發(fā)射的α射線的量比光透射部件2b發(fā)射的α射線的量大。然后，返回參照圖2C，以格子(grid)圖案在半導(dǎo)體晶片上布置固定部件3。當(dāng)通過使用液體粘合劑將光透射基板40與半導(dǎo)體晶片30接合時(shí)，固定部件3被布置在固定部件3將光透射部件2b包圍起來的位置處。雖然在圖2C中，固定部件3被布置在半導(dǎo)體晶片30上，但是，固定部件3可以被布置在光透射基板40上，或者可以被布置在半導(dǎo)體晶片 30和光透射基板40兩者上。然后，如圖2D所示，被固定到光透射晶片41上的多個(gè)光透射部件2b和半導(dǎo)體晶片30現(xiàn)在相互面對。在該位置中，光透射基板40和半導(dǎo)體晶片30通過固定部件被有效地接合在一起。為了確保耐濕性并減小尺寸，固定部件3的寬度“W”可以大于或等于Imm且小于或等于2mm。然后，在圖2E所示的狀態(tài)中，減小半導(dǎo)體晶片30的厚度。作為用于減小半導(dǎo)體基板的厚度的方法，從后部磨削(back-grinding)、CMP (化學(xué)機(jī)械平坦化)和蝕刻中選擇一種或更多種方法。半導(dǎo)體晶片30的厚度從被處理之前的700 μ m減小到約75 μ m。當(dāng)半導(dǎo)體晶片30的厚度減小到約100 μ m時(shí)，在下一工藝中，容易地形成通孔電極。圖2F示出在半導(dǎo)體晶片30中形成通孔電極6的簡化工藝。對于通孔電極6，為了在形成于半導(dǎo)體晶片的表面上的多層布線(圖中未示出)中的布線部分中制作開口，通過蝕刻形成通孔。然后，形成諸如硅氧化物(silicon oxide)膜的絕緣膜，并且，通孔中的絕緣膜被蝕刻以制作開口。通過例如Cu電鍍來形成通孔電極，并且，在半導(dǎo)體晶片的與面對光透射基板的表面相對的表面(后表面)上形成布線。然后，在半導(dǎo)體晶片的后表面上形成焊料抗蝕劑作為絕緣部件，在布線上形成開口，并且形成焊料球作為連接端子對。然后，如圖2G所示，固定后的半導(dǎo)體晶片和光透射基板沿圖2B中限定的虛線被切割成單獨(dú)的件。附圖標(biāo)記50表示切割位置。用于切割的方法選自刀片劃割(dicing)和激光劃割等。激光劃割在減薄的半導(dǎo)體晶片中具有優(yōu)異的可加工性(workability)，可以用小的寬度切割半導(dǎo)體晶片，并且可以抑制在切割表面上產(chǎn)生毛刺(burr)。在上述的工藝中，完成光學(xué)傳感器，如圖2H所示。如上所述，可以減小α射線對于圖像拾取器件芯片的影響， 并且，可以通過本實(shí)施例的光學(xué)傳感器抑制翹曲。此外，通過本實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法，可以減小α射線對于圖像拾取器件芯片的影響，可以抑制晶片的翹曲，并且，可以抑制被切割成單獨(dú)的件的光學(xué)傳感器的翹曲。因此，可以提高生產(chǎn)實(shí)得率。第二實(shí)施例圖4Α和圖4Β是表示本發(fā)明的第二實(shí)施例的光學(xué)傳感器的圖。圖4Α是光學(xué)傳感器的透視平面圖。圖4Β是沿圖4Α中的線IVB-IVB切取的示意性斷面圖。與圖IA和圖IB中的光學(xué)傳感器的不同在于，光透射部件2和圖像拾取器件芯片 1相互面對的表面的至少多個(gè)部分相互接觸。與圖IA和圖IB中的構(gòu)成要素相同的構(gòu)成要素被賦予相同的附圖標(biāo)記，并且，將省略對于它們的詳細(xì)描述。如圖4Β所示，光透射蓋子部件2和圖像拾取器件芯片1之間的接觸是圖像拾取器件芯片1的微透鏡17與光透射部件2b之間的接觸。這里，微透鏡17和光透射部件2b之間的接觸包含微透鏡17與光透射部件2b直接相互接觸的配置，以及微透鏡17與光透射部件2b經(jīng)由抗反射涂層膜等而相互接觸的配置。通過這樣的配置，當(dāng)減薄圖像拾取器件芯片1的硅基板時(shí)，強(qiáng)度增大。因此，可以抑制諸如翹曲的變形以及破裂的可能性。下面，將參照圖5A 5H來描述圖4A和圖4B中的光學(xué)傳感器的制造方法。圖5A 5H以與圖2A 2H相同的方式被簡化。當(dāng)圖5A 5H所示的制造方法與圖2A 2H所示的相同時(shí)，將簡要描述制造方法，并且將詳細(xì)描述制造方法之間的不同。首先，如圖5A所示，制備半導(dǎo)體晶片30，其中，所述半導(dǎo)體晶片30包含多個(gè)像素區(qū)域5，并且特別地，在所述半導(dǎo)體晶片30中，在由硅單晶形成的半導(dǎo)體晶片上形成圖4A所示的多個(gè)像素區(qū)域。在半導(dǎo)體晶片30的第一主表面(最上面的表面)上形成微透鏡17。然后，如圖5B所示，制備光透射基板40，所述光透射基板40包含光透射晶片41和多個(gè)光透射部件2b，所述多個(gè)光透射部件2b在光透射晶片41的第一主表面上與半導(dǎo)體晶片30的多個(gè)像素區(qū)域5中的每一個(gè)對應(yīng)地布置。從光透射部件2b發(fā)射的α射線的量小于或等于0. 05c/cm2 · h0然后，以格子圖案在半導(dǎo)體晶片上布置固定部件3(圖5C)。當(dāng)通過使用液體粘合劑將光透射基板40與半導(dǎo)體晶片30接合時(shí)，固定部件3被布置在固定部件3將光透射部件2b包圍起來的位置處。然后，使光透射基板40上的多個(gè)光透射部件2b和半導(dǎo)體晶片30相互面對，并且， 光透射基板40和半導(dǎo)體晶片30通過固定部件3被接合在一起(圖5D)。此時(shí)，多個(gè)光透射部件2b和半導(dǎo)體晶片30相互面對的表面的至少多個(gè)部分相互接觸。更具體而言，由于微透鏡17是在半導(dǎo)體晶片30的最上面的表面上形成的，因此，光透射部件2b和微透鏡17相互接觸。然后，減小半導(dǎo)體晶片的厚度(圖5E)。為了有效地形成通孔電極6，半導(dǎo)體晶片 30的厚度被減薄，使得半導(dǎo)體晶片的總厚度被減薄到約ΙΟΟμπι。但是，一般地，在光透射基板40和半導(dǎo)體晶片30之間形成中空(hollow)部分(S卩，空間)的配置中，當(dāng)進(jìn)行減薄時(shí)， 可以通過來自例如磨削石的壓力使中空部分凹進(jìn)(dent)。因此，如果用于減薄半導(dǎo)體晶片 30和光透射基板40之間的距離的壓力不被適當(dāng)?shù)乜刂?，那么，這會(huì)呈現(xiàn)由于晶片會(huì)局部變形或出現(xiàn)裂紋而導(dǎo)致的問題。由于該問題，傳感器的尺寸難以被擴(kuò)大。在本實(shí)施例中，通過使光透射基板40和半導(dǎo)體晶片30緊密接觸，空間中的凹陷(depression)減小，使得在半導(dǎo)體晶片30的減薄工藝中防止可能的變形或裂紋。因此，可以獲得大尺寸的光學(xué)傳感器。 這里，大尺寸的光學(xué)傳感器主要意指視角為17. 3X 13mm或更大的4/3系統(tǒng)(Four Thirds System)的圖像傳感器。例如，大尺寸的光學(xué)傳感器具有約22. 3 X 14. 9mm的APS-C的尺寸、 約36. OX 24mm的全尺寸、或者中間尺寸。然后，參照圖5F，在半導(dǎo)體晶片中形成通孔電極6，并且在半導(dǎo)體晶片30的與面向光透射基板的表面相對的表面(后表面)上形成布線(圖5F)。然后，在半導(dǎo)體晶片的后表面上形成焊料抗蝕劑作為絕緣部件，在布線上形成開口，并且，形成焊料球作為連接端子 24。然后，固定后的半導(dǎo)體晶片30和光透射基板40被切割成單獨(dú)的件(圖5G)。在上述的工藝中，完成光學(xué)傳感器(圖5H)。如上所述，可以減少α射線對于圖像拾取器件芯片的影響，并且，可以通過本實(shí)施例的光學(xué)傳感器來進(jìn)一步抑制翹曲。此外，通過本實(shí)施例的光學(xué)傳感器的制造方法，可以減少α射線對于圖像拾取器件芯片的影響，可以進(jìn)一步抑制晶片的翹曲，并且，可以抑制被切割成單獨(dú)的件的光學(xué)傳感器的翹曲，從而使得可以抑制實(shí)得率的降低。第三實(shí)施例應(yīng)用于數(shù)字照相機(jī)圖6是本發(fā)明的第一或第二實(shí)施例中描述的光學(xué)傳感器被應(yīng)用于作為圖像拾取裝置600的例子的數(shù)字照相機(jī)的框圖。在圖像拾取裝置600中，通過上述的光學(xué)傳感器的第一或第二實(shí)施例中的任一個(gè)來實(shí)現(xiàn)固態(tài)圖像拾取器件604。用于將光聚焦于固態(tài)圖像拾取器件604的配置包含快門601、圖像拾取透鏡602 和孔徑603。快門601控制固態(tài)圖像拾取器件604的曝光，并且，入射光通過圖像拾取透鏡 602被聚焦于固態(tài)圖像拾取器件604上。此時(shí)，由孔徑603控制光量。根據(jù)進(jìn)入的光而從固態(tài)圖像拾取器件604輸出的信號在圖像拾取信號處理電路 605中被處理，并且通過A/D轉(zhuǎn)換器606被從模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號。A/D轉(zhuǎn)換器606可被集成在固態(tài)圖像拾取器件中。由信號處理單元607計(jì)算所輸出的數(shù)字信號，并且拾取的圖像數(shù)據(jù)被產(chǎn)生。根據(jù)由用戶設(shè)定的操作模式，拾取的圖像數(shù)據(jù)可以在安裝于數(shù)字照相機(jī)中的存儲器610中被保存，或者，可以通過外部I/F單元613被傳送到諸如計(jì)算機(jī)或打印機(jī)的外部設(shè)備。拾取的圖像數(shù)據(jù)也可以通過記錄介質(zhì)控制I/F單元611被記錄于諸如存儲器卡等的記錄介質(zhì)612中，所述記錄介質(zhì)612可被附接于數(shù)字照相機(jī)上并且可從數(shù)字照相機(jī)上被拆下。固態(tài)圖像拾取器件604、圖像拾取信號處理電路605、A/D轉(zhuǎn)換器606和信號處理單元607被定時(shí)發(fā)生器608控制，并且，整個(gè)系統(tǒng)被總體控制/計(jì)算單元609控制，所述總體控制/計(jì)算單元609可被微處理器等實(shí)現(xiàn)。也可通過相同的工藝在與固態(tài)圖像拾取器件 604的半導(dǎo)體基板相同的半導(dǎo)體基板上形成上述系統(tǒng)。如上所述，通過使用本實(shí)施例的配
9置，能夠提供可以減少α射線對于圖像拾取器件芯片的影響的光學(xué)傳感器的制造方法、光學(xué)傳感器和使用光學(xué)傳感器的照相機(jī)?？梢赃m當(dāng)?shù)亟M合或適當(dāng)?shù)匦薷纳鲜龅膶?shí)施例。
雖然已參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)被賦予最寬的解釋以包含所有這樣的變更方式以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
權(quán)利要求
1.一種制造光學(xué)傳感器的方法，包括設(shè)置包含多個(gè)像素區(qū)域的半導(dǎo)體晶片；設(shè)置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多個(gè)光透射部件， 所述多個(gè)光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多個(gè)光透射部件中的每一個(gè)發(fā)射α射線，所述α射線的量小于或等于0.05(/皿2·!!;通過固定部件將所述光透射基板固定到所述半導(dǎo)體晶片上，使得所述多個(gè)光透射部件和所述半導(dǎo)體晶片相互面對；以及將固定后的半導(dǎo)體晶片和光透射基板分成單獨(dú)的件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，設(shè)置半導(dǎo)體晶片包含制備具有微透鏡的半導(dǎo)體晶片， 這些微透鏡在與所述多個(gè)像素區(qū)域?qū)?yīng)的位置處被布置在半導(dǎo)體晶片上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在通過固定部件將所述光透射基板固定到所述半導(dǎo)體晶片上之后，所述多個(gè)光透射部件的表面的至少一部分與所述半導(dǎo)體晶片的表面的至少一部分接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在固定所述光透射基板和所述半導(dǎo)體晶片時(shí)，所述固定部件包圍所述多個(gè)光透射部件中的每一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在所述光透射基板中，所述多個(gè)光透射部件的厚度大于或等于50 μ m。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在設(shè)置光透射基板時(shí)，所述光透射基板具有光透射晶片，所述光透射晶片發(fā)射α射線，所述α射線的量大于從所述多個(gè)光透射部件發(fā)射的α 射線的量。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中，在設(shè)置光透射基板時(shí)，所述光透射基板具有線性膨脹系數(shù)，所述光透射晶片的線性膨脹系數(shù)大于或等于2. 0ppm/°C且小于或等于4. 0ppm/°C，以及在設(shè)置半導(dǎo)體晶片時(shí)，所述半導(dǎo)體晶片由硅制成。
8.一種光學(xué)傳感器，包括包含像素區(qū)域的圖像拾取器件芯片；以及經(jīng)由固定部件被固定到所述圖像拾取器件芯片上的光透射蓋子部件，其中，所述光透射蓋子部件包含玻璃板和固定到所述玻璃板的面對所述圖像拾取器件芯片的表面上的光透射部件，所述光透射部件發(fā)射α射線，所述α射線的量小于或等于 0. 05c/cm2 · ho
9.根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)傳感器，其中，所述光透射部件的厚度大于或等于50μ m。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)傳感器，其中，所述玻璃板發(fā)射α射線，從所述玻璃板發(fā)射的α射線的量大于從所述光透射部件發(fā)射的α射線的量。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)傳感器，其中，所述玻璃板的線性膨脹系數(shù)大于或等于 2. 0ppm/°C且小于或等于4. 0ppm/°C，并且，所述圖像拾取器件芯片包含由硅制成的半導(dǎo)體基板。
12.—種照相機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求1的方法制造的光學(xué)傳感器；以及被配置為處理通過所述光學(xué)傳感器獲得的信號的信號處理單元。
13. 一種照相機(jī)，包括根據(jù)權(quán)利要求8的光學(xué)傳感器；以及被配置為處理通過所述光學(xué)傳感器獲得的信號的信號處理單元。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造光學(xué)傳感器的方法、光學(xué)傳感器和包括其的照相機(jī)。所述制造光學(xué)傳感器的方法包括設(shè)置包含多個(gè)像素區(qū)域的半導(dǎo)體晶片；設(shè)置包含光透射晶片的光透射基板，其中所述光透射晶片上附接有多個(gè)光透射部件，所述多個(gè)光透射部件被布置在所述光透射晶片的第一主表面上，并且所述多個(gè)光透射部件中的每一個(gè)的α射線發(fā)射量小于或等于0.05c/cm2·h；通過固定部件將所述光透射基板固定到所述半導(dǎo)體晶片上；以及將被固定在一起的半導(dǎo)體晶片和光透射基板分成單獨(dú)的件。
文檔編號H04N5/225GK102386192SQ20111024216
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月27日
發(fā)明者中山明哉, 小坂忠志, 松木康浩, 都筑幸司, 鈴木隆典, 長谷川真 申請人:佳能株式會(huì)社