應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型屬于多級放大電路頻率補償領(lǐng)域，具體涉及一種多級放大電路的單米 勒電容頻率補償電路。
【背景技術(shù)】
[0002] LDO(低壓差）線性電源中為了提高輸出電壓精度，一般會在內(nèi)部設(shè)計高增益運算 放大電路。隨著集成電路工作電壓的不斷下降，高增益運放不能采用共源共柵結(jié)構(gòu)，而多采 用多級運算放大器級聯(lián)。這樣每增加一級放大電路就會相應(yīng)帶來一個極點，當(dāng)放大級數(shù)達 到3級甚至4級時，環(huán)路穩(wěn)定性成為電路設(shè)計中最困難的部分，而且往往難以達到理想效 果。在目前的LDO設(shè)計中，一般采用的補償方法是通過限制輸出電容的容值、ESR(等效串 聯(lián)電阻）的方法來將輸出主極點同其它極點分離，同時在內(nèi)部加入多個電容電阻增加零點 用以抵消極點來達到環(huán)路穩(wěn)定。但該方法不僅結(jié)構(gòu)復(fù)雜增加了電路設(shè)計的難度，也限制了 客戶在使用外圍元件時的自由度，造成LDO電路通用性降低，而且環(huán)路帶寬往往很低（低于 IMHz)，影響電路工作速度。 【實用新型內(nèi)容】
[0003] 本實用新型的目的在于提供一種應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電 路，只需要一個較小的電容就可以實現(xiàn)多級運放的頻率補償，結(jié)構(gòu)簡單，且環(huán)路帶寬很高。
[0004] 本實用新型的技術(shù)方案如下：
[0005]一種應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路，包括多級放大環(huán)路，所述 多級放大環(huán)路上的第一級和最后一級之間具有米勒電容，所述米勒電容的一端連接最后一 級放大器的輸出端，另一端通過一個共柵級放大器連接到第一級放大器的輸出端。
[0006] 所述米勒電容連接共柵級放大器的源端。
[0007] 所述多級放大環(huán)路的級數(shù)大于等于三級。
[0008] 本實用新型的有益技術(shù)效果是：
[0009] 本實用新型通過單米勒電容實現(xiàn)多級運放的頻率補償，結(jié)構(gòu)簡單，且環(huán)路帶寬很 高。本實用新型和傳統(tǒng)的嵌套式米勒補償不同，嵌套式米勒補償是將補償電容直接接在最 后一級輸出端和第一級輸出端之間。并且本實用新型在最后一級的漏和柵端間通過共柵極 進行了隔離，補償電容是從最后一級的漏端接到第一級的源端。本實用新型應(yīng)用在三級或 三級以上的運放電路中。
[0010] 本實用新型的優(yōu)點將在下面【具體實施方式】部分的描述中給出，部分將從下面的描 述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。
【附圖說明】
[0011] 圖1是使用單米勒電容補償?shù)娜夁\放原理框圖。
[0012] 圖2是使用單米勒電容補償?shù)娜夁\放等效小信號原理圖。
[0013] 圖3是使用單米勒電容補償?shù)腘(N>3)級運放原理框圖。
【具體實施方式】
[0014] 下面結(jié)合附圖對本實用新型的【具體實施方式】做進一步說明。
[0015]圖1是使用單米勒電容補償?shù)娜夁\放原理框圖，圖2是使用單米勒電容補償?shù)?三級運放等效小信號原理圖。根據(jù)圖2,列出使用單米勒電容補償?shù)娜夁\放四個節(jié)點的電 流方程。
【主權(quán)項】
1. 一種應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路，其特征在于，包括多級放大 環(huán)路，所述多級放大環(huán)路上的第一級和最后一級之間具有米勒電容，所述米勒電容的一端 連接最后一級放大器的輸出端，另一端通過一個共柵級放大器連接到第一級放大器的輸出 端。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路，其特征在 于，所述米勒電容連接共柵級放大器的源端。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路，其特征在 于，所述多級放大環(huán)路的級數(shù)大于等于三級。
【專利摘要】本實用新型公開了一種應(yīng)用于多級放大電路的單米勒電容頻率補償電路，包括多級放大環(huán)路，所述多級放大環(huán)路的第一級和最后一級之間具有米勒電容，所述米勒電容的一端連接最后一級放大器的輸出端，另一端通過一個共柵級放大器連接到第一級放大器的輸出端。本實用新型可以實現(xiàn)多級運放的頻率補償，結(jié)構(gòu)簡單，且環(huán)路帶寬很高，應(yīng)用在三級或以上的運放電路中。
【IPC分類】H03F3-68, H03F1-42
【公開號】CN204578474
【申請?zhí)枴緾N201520221416
【發(fā)明人】徐義強, 施家鵬, 葛玉洋
【申請人】無錫新硅微電子有限公司
【公開日】2015年8月19日
【申請日】2015年4月13日