一種測(cè)試mos管特性的測(cè)試電路及其方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種測(cè)試電路，用于對(duì)具有柵極、源極和漏極的MOS管的測(cè)試，包括：第一單刀單擲開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)的第一觸點(diǎn)與柵極連接，第二觸點(diǎn)與源極連接；第二單刀單擲開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)的第三觸點(diǎn)與漏極連接，第四觸點(diǎn)與源極連接；單刀雙擲開(kāi)關(guān)，該開(kāi)關(guān)的第五觸點(diǎn)與一電源裝置連接，第六觸點(diǎn)與漏極連接，第七觸點(diǎn)與柵極連接；當(dāng)?shù)谝挥|點(diǎn)與第二觸點(diǎn)連通使柵極與源極短路，且第五觸點(diǎn)與第六觸點(diǎn)連通時(shí)，電源裝置的電壓加在漏極與源極之間，以測(cè)試MOS管的高溫反偏特性；當(dāng)?shù)谌|點(diǎn)與第四觸點(diǎn)連通使漏極與源極短路，且第五觸點(diǎn)與第七觸點(diǎn)連通時(shí)，電源裝置的電壓加在柵極與源極之間，以測(cè)試MOS管的高溫柵偏置特性。
【專利說(shuō)明】一種測(cè)試MOS管特性的測(cè)試電路及其方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造的測(cè)試領(lǐng)域，具體涉及一種測(cè)試MOS管特性的測(cè)試電路及其方法
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體制造中，在POWER MOS管生產(chǎn)出來(lái)以后并不能立即投入使用，而是要利用相關(guān)的可靠性試驗(yàn)對(duì)該MOS管的可靠性能以及實(shí)際使用壽命進(jìn)行測(cè)試，而MOS管的HTRB (高溫反偏)及HTGB (高溫柵偏置)特性是MOS管的兩項(xiàng)非常重要的可靠性項(xiàng)目，其中，高溫反偏特性反映了 MOS管在高溫下驗(yàn)證PN結(jié)的反向擊穿特性，高溫柵偏置則反映了 MOS管在高溫下柵氧的質(zhì)量情況。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試MOS管的特性的電路圖如圖1和圖2所示，其中，圖1是針對(duì)N-channel POWER MOS管的HTRB特性的測(cè)試電路圖，P-channel POWER MOS管應(yīng)使所加的電壓反向，從圖中可以看出，HTRB實(shí)驗(yàn)時(shí)，MOS管的柵極G與源極S短接，一偏壓通過(guò)串聯(lián)一電阻R后加在漏極D與源級(jí)S之間，電阻R的作用為當(dāng)漏極D與源極S擊穿的時(shí)候避免電路短路從而引起大電流損壞測(cè)試電路。圖2是針對(duì)N-channel MOS管的HTGB特性的測(cè)試電路圖，P-channel POWER MOS管仍應(yīng)使所加的電壓反向，從圖中可以看出，HTGB實(shí)驗(yàn)時(shí)，MOS管的漏極D與源極S短接，一偏壓通過(guò)串聯(lián)一電阻R后加在柵極G與源級(jí)S之間，電阻R同樣為保護(hù)設(shè)備的作用。
[0004]本發(fā)明 申請(qǐng)人:在實(shí)施本申請(qǐng)實(shí)施例的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)存在如下技術(shù)問(wèn)題:
[0005]現(xiàn)有技術(shù)針對(duì)MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測(cè)試電路在同一時(shí)間里只能測(cè)試高溫反偏特性和高溫柵偏置特性中的一個(gè)，不能對(duì)兩種特性同時(shí)進(jìn)行測(cè)試，并且也不能批量的測(cè)試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種測(cè)試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測(cè)試電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能同時(shí)測(cè)試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問(wèn)題。
[0007]為了解決上述問(wèn)題，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種測(cè)試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測(cè)試電路，該測(cè)試電路用于對(duì)包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進(jìn)行高溫反偏和高溫柵偏置特性的測(cè)試，所述測(cè)試電路包括:
[0008]第一單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第一觸點(diǎn)及第二觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述第二觸點(diǎn)與所述源極連接；
[0009]第二單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第三觸點(diǎn)及第四觸點(diǎn)，所述第三觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第四觸點(diǎn)與所述源極連接；
[0010]單刀雙擲開(kāi)關(guān)，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)具有第五觸點(diǎn)，第六觸點(diǎn)及第七觸點(diǎn)，所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置連接，所述第六觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第七觸點(diǎn)與所述柵極連接；
[0011]其中，當(dāng)所述第一觸點(diǎn)與所述第二觸點(diǎn)連通使所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)與所述第六觸點(diǎn)連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，測(cè)試所述MOS管的高溫反偏特性；
[0012]當(dāng)所述第三觸點(diǎn)與所述第四觸點(diǎn)連通使所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)與所述第七觸點(diǎn)連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，用于測(cè)試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0013]優(yōu)選地，所述測(cè)試電路還包括一保護(hù)電阻，連接在所述第五觸點(diǎn)與所述電源裝置之間，用于當(dāng)由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0014]優(yōu)選地，所述測(cè)試電路還具有一保險(xiǎn)裝置，連接在所述保護(hù)電阻與所述電源裝置之間，用于當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0015]優(yōu)選地，所述保險(xiǎn)裝置具體為一保險(xiǎn)絲，當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，通過(guò)將所述保險(xiǎn)絲燒斷，切斷所述電源裝置與所述保護(hù)電阻間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0016]優(yōu)選地，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測(cè)試電路的電源裝置。
[0017]優(yōu)選地，所述測(cè)試電路的所述源極與地連接，以使所述第二觸點(diǎn)、所述源極與所述第四觸點(diǎn)共同與所述地連接。
[0018]對(duì)應(yīng)地，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種測(cè)試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測(cè)試方法，同樣用于解決現(xiàn)有技術(shù)不能同時(shí)及批量測(cè)試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問(wèn)題，所述測(cè)試方法應(yīng)用于一測(cè)試電路中對(duì)包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進(jìn)行測(cè)試，所述測(cè)試電路包括:第一單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第一觸點(diǎn)及第二觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述第二觸點(diǎn)與所述源極連接；第二單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第三觸點(diǎn)及第四觸點(diǎn)，所述第三觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第四觸點(diǎn)與所述源極連接；單刀雙擲開(kāi)關(guān)，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)具有第五觸點(diǎn)，第六觸點(diǎn)及第七觸點(diǎn)，所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置連接，所述第六觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第七觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述測(cè)試方法包括:
[0019]通過(guò)將所述第一觸點(diǎn)與所述第二觸點(diǎn)連通，控制所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)與所述第六觸點(diǎn)連通，將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，以測(cè)試所述MOS管的高溫反偏特性；或者
[0020]通過(guò)將所述第三觸點(diǎn)與所述第四觸點(diǎn)連通，控制所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)與所述第七觸點(diǎn)連通，將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，以測(cè)試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述測(cè)試電路還包括:
[0022]保護(hù)電阻，連接在所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置之間，用于當(dāng)由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路；
[0023]保險(xiǎn)裝置，連接在所述保護(hù)電阻與所述電源裝置之間，用于當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0024]優(yōu)選地，當(dāng)所述保險(xiǎn)裝置具體為保險(xiǎn)絲時(shí)，所述方法還包括:
[0025]將所述MOS管失效時(shí)產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險(xiǎn)絲；[0026]通過(guò)所述大電流將所述保險(xiǎn)絲燒斷，以切斷所述電源裝置與所述保護(hù)電阻間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0027]優(yōu)選地，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測(cè)試電路的電源裝置。
[0028]優(yōu)選地，所述方法還包括:通過(guò)將所述測(cè)試電路的所述源極與地連接，控制所述第二觸點(diǎn)、所述源極與所述第四觸點(diǎn)共同與所述地連接。
[0029]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的上述技術(shù)方案，至少具有如下技術(shù)效果或優(yōu)點(diǎn):
[0030]由于采用了根據(jù)MOS管高溫反偏及高溫柵偏置的測(cè)試原理，將單刀單擲開(kāi)關(guān)以及單刀雙擲開(kāi)關(guān)置于相應(yīng)的位置從而使需要的電路支路處于連通狀態(tài)，以實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試電路之間的轉(zhuǎn)變的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能同時(shí)及批量測(cè)試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性的技術(shù)問(wèn)題，因而，具有能同時(shí)及批量測(cè)試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)效果。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試MOS管高溫反偏特性的測(cè)試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0032]圖2為現(xiàn)有技術(shù)中測(cè)試MOS管高溫柵偏置特性的測(cè)試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0033]圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例中一種測(cè)試MOS管特性的測(cè)試電路的電路聯(lián)接示意圖；
[0034]圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例中測(cè)試MOS管高溫反偏特性的測(cè)試方法流程圖；
[0035]圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例中測(cè)試MOS管高溫柵偏置特性的測(cè)試方法流程圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0036]本申請(qǐng)實(shí)施例通過(guò)提供一種測(cè)試MOS管高溫反偏和高溫柵偏置特性的測(cè)試電路，可以解決現(xiàn)有技術(shù)中不能同時(shí)測(cè)試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)問(wèn)題。
[0037]本申請(qǐng)實(shí)施例的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題，總體思路如下:
[0038]在MOS管的測(cè)試電路中加入兩個(gè)單刀單擲單擲開(kāi)關(guān)以及一個(gè)單刀單擲雙擲開(kāi)關(guān)，單刀單擲單擲開(kāi)關(guān)具有兩個(gè)觸點(diǎn)，單刀單擲雙擲開(kāi)關(guān)具有三個(gè)觸點(diǎn)，根據(jù)測(cè)試高溫反偏及高溫柵偏置特性的原理，將不同的觸點(diǎn)之間連通，就能使需要的電路支路處于連通、斷開(kāi)或者短路的狀態(tài)，繼而實(shí)現(xiàn)測(cè)試高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測(cè)試電路之間的轉(zhuǎn)化，再對(duì)測(cè)試電路采用并聯(lián)的電路聯(lián)接方式，就能實(shí)現(xiàn)對(duì)MOS管高溫反偏以及高溫柵偏置特性的同時(shí)及批量測(cè)試。
[0039]通過(guò)采用本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，測(cè)試電路能根據(jù)用戶的選擇使單刀單擲開(kāi)關(guān)以及單刀雙擲開(kāi)關(guān)的不同觸點(diǎn)之間連通或者斷開(kāi)，從而可以將電路支路置于連通、斷開(kāi)或者短路狀態(tài)，繼而實(shí)現(xiàn)在測(cè)試高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測(cè)試電路之間的轉(zhuǎn)化，以實(shí)現(xiàn)對(duì)高溫反偏特性及高溫柵偏置特性的測(cè)試。
[0040]為了更好的理解上述技術(shù)方案，下面將結(jié)合說(shuō)明書附圖以及具體的實(shí)施方式對(duì)上述技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。
[0041]本申請(qǐng)實(shí)施例中用于測(cè)試具有柵極G，源極S，漏極D的POWER MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性的測(cè)試電路的電路聯(lián)接如圖3所示，具體包括:
[0042]第一單刀單擲開(kāi)關(guān)101，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)101具有第一觸點(diǎn)I及第二觸點(diǎn)2，所述第一觸點(diǎn)I與待測(cè)MOS管的柵極G連接，所述第二觸點(diǎn)2與所述待測(cè)MOS管的源極S連接；
[0043]第二單刀單擲開(kāi)關(guān)102，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)102具有第三觸點(diǎn)3及第四觸點(diǎn)4，所述第三觸點(diǎn)3與所述待測(cè)MOS管的漏極D連接，所述第四觸點(diǎn)4與所述待測(cè)MOS管的源極S連接；
[0044]單刀雙擲開(kāi)關(guān)103，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)103具有第五觸點(diǎn)5，第六觸點(diǎn)6及第七觸點(diǎn)7，所述第五觸點(diǎn)5與一電源裝置106連接，所述第六觸點(diǎn)6與所述待測(cè)MOS管的漏極D連接，所述第七觸點(diǎn)7與所述待測(cè)MOS管的柵極G連接；
[0045]其中，當(dāng)所述第一觸點(diǎn)I與所述第二觸點(diǎn)2連通使所述柵極G與所述源極S處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)5與所述第六觸點(diǎn)6連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置106的電壓加在所述漏極D與所述源極S之間，測(cè)試所述MOS管的高溫反偏特性；
[0046]當(dāng)所述第三觸點(diǎn)3與所述第四觸點(diǎn)4連通使所述漏極D與所述源極S處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)5與所述第七觸點(diǎn)7連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置106的電壓加在所述柵極G與所述源極S之間，用于測(cè)試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
[0047]在具體實(shí)施過(guò)程中，所述測(cè)試電路中還具有一保護(hù)電阻104，連接在所述第五觸點(diǎn)5與所述電源裝置106之間，用于當(dāng)所述測(cè)試電路用于測(cè)試所述待測(cè)MOS管的高溫反偏特性，而將所述待測(cè)MOS管的所述漏極D與所述源極S之間處于短路狀態(tài)，測(cè)試電路產(chǎn)生大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路。或者用于當(dāng)所述測(cè)試電路用于測(cè)試所述待測(cè)MOS管的高溫柵偏置特性，而將所述待測(cè)MOS管的所述柵極G與所述源極S之間處于短路狀態(tài)，測(cè)試電路產(chǎn)生大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0048]在具體實(shí)施過(guò)程中，為了更好的保護(hù)所述測(cè)試電路，除了在測(cè)試電路中設(shè)置一保護(hù)電阻104，還需要設(shè)置一保險(xiǎn)裝置105，所述保險(xiǎn)裝置105連接在所述保護(hù)電阻104與所述電源裝置106之間，用于當(dāng)所述待測(cè)MOS管失效，而所述測(cè)試電路產(chǎn)生大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路，以免所述測(cè)試電路中的器件燒壞。而在具體實(shí)施過(guò)程中，所述保險(xiǎn)裝置105 —般為一保險(xiǎn)絲，當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，所述保險(xiǎn)絲會(huì)燒斷，進(jìn)而切斷所述電源裝置106與所述保護(hù)電阻104間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。以上對(duì)于保險(xiǎn)裝置105的舉例并不用于限制本申請(qǐng)實(shí)施例的保險(xiǎn)裝置105，只要是能夠在本申請(qǐng)實(shí)施例的測(cè)試電路中起到與保險(xiǎn)絲相同作用的裝置都應(yīng)該在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0049]在具體實(shí)施過(guò)程中，所述電源裝置106可以設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)，成為所述測(cè)試電路的組成部分，在這種情況下，所述的電源裝置106還可以具有一能夠控制電源裝置106供電或斷電的開(kāi)關(guān)裝置，當(dāng)測(cè)試電路需要測(cè)試所述待測(cè)MOS管的特性時(shí)，所述開(kāi)關(guān)裝置控制所述電源裝置106供電，在不需要所述測(cè)試電路工作時(shí)，所述開(kāi)關(guān)裝置控制所述電源裝置106斷電?；蛘咚鲭娫囱b置106還可以為一外接于所述測(cè)試電路的供電裝置，此時(shí)的電源裝置106就不再是測(cè)試電路的組成部分了，具體地，比如此時(shí)電源裝置106為一電源插座，那么測(cè)試電路就還可以具有一能夠插到所述電源插座上的插頭，當(dāng)測(cè)試電路測(cè)試MOS管的特性而需要供電時(shí)，只需將連接在測(cè)試電路中的插頭插到所述電源插座上即可，而當(dāng)不需要測(cè)試MOS管的特性時(shí)，只需將插頭從電源插座上拔出即可。
[0050]在具體實(shí)施過(guò)程中，在測(cè)試MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性時(shí)，一般都會(huì)將所述測(cè)試電路的所述源極S與地連接，以使所述第二觸點(diǎn)、所述源極S、以及所述第四觸點(diǎn)共同與所述地連接。[0051]通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的測(cè)試電路就能對(duì)MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性進(jìn)行測(cè)試，并且不需要更換其它元器件，只需將需要的觸點(diǎn)連通就能實(shí)現(xiàn)高溫反偏特性測(cè)試電路以及高溫柵偏置測(cè)試電路之間的任意轉(zhuǎn)換，而當(dāng)需要同時(shí)測(cè)試高溫反偏特性以及高溫柵偏特性時(shí)，或者批量測(cè)試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性時(shí)，只需要將若干相同的測(cè)試電路裝置按照并聯(lián)的聯(lián)接方式聯(lián)接起來(lái)即可，至于并聯(lián)的測(cè)試電路的數(shù)量則根據(jù)需要測(cè)試的MOS管數(shù)量以及需要測(cè)試的特性的項(xiàng)數(shù)來(lái)決定。
[0052]對(duì)應(yīng)地，基于同一發(fā)明構(gòu)思，本申請(qǐng)實(shí)施例還提供一種測(cè)試方法，應(yīng)用于上述的測(cè)試電路中對(duì)包括有柵極、源極以及漏極的待測(cè)MOS管進(jìn)行測(cè)試，所述測(cè)試電路包括:第一單刀單擲開(kāi)關(guān)101，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)101具有第一觸點(diǎn)I及第二觸點(diǎn)2，所述第一觸點(diǎn)I與所述柵極G連接，所述第二觸點(diǎn)2與所述源極S連接；第二單刀單擲開(kāi)關(guān)102，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)102具有第三觸點(diǎn)3及第四觸點(diǎn)4，所述第三觸點(diǎn)3與所述漏極D連接，所述第四觸點(diǎn)4與所述源極S連接；單刀雙擲開(kāi)關(guān)103，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)103具有第五觸點(diǎn)5，第六觸點(diǎn)6及第七觸點(diǎn)7，所述第五觸點(diǎn)5與一電源裝置106連接，所述第六觸點(diǎn)6與所述漏極D連接，所述第七觸點(diǎn)7與所述柵極G連接，所述測(cè)試方法應(yīng)包括高溫反偏測(cè)試方法以及高溫柵偏置測(cè)試方法，其中，高溫反偏測(cè)試方法如圖4所示，包括:
[0053]401:通過(guò)將所述第一觸點(diǎn)I與所述第二觸點(diǎn)2連通，控制所述柵極G與所述源極S處于短路狀態(tài)；
[0054]402:并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)5與所述第六觸點(diǎn)6連通，將所述電源裝置106的電壓加在所述漏極D與所述源極S之間，以測(cè)試所述待測(cè)MOS管的高溫反偏特性。
[0055]而高溫柵偏置的測(cè)試方法如圖5所示，包括:
[0056]501:通過(guò)將所述第三觸點(diǎn)3與所述第四觸點(diǎn)4連通，控制所述漏極D與所述源極S處于短路狀態(tài)；
[0057]502:并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)5與所述第七觸點(diǎn)7連通，將所述電源裝置106的電壓加在所述柵極G與所述源極S之間，以測(cè)試所述待測(cè)MOS管的高溫柵偏置特性。
[0058]以上的測(cè)試方法中的步驟并沒(méi)有順序的先后之分，只要保證在測(cè)試電路在測(cè)試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性之前，該測(cè)試電路的電源裝置不會(huì)供電即可。
[0059]在具體實(shí)施過(guò)程中，為了保護(hù)所述測(cè)試電路的安全，在進(jìn)行MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性測(cè)試時(shí)一般會(huì)在所述測(cè)試電路中加入保護(hù)裝置，用以當(dāng)流經(jīng)測(cè)試電路的電流為大于預(yù)設(shè)電流的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路中的器件不被損壞，所述的保護(hù)裝置包括:
[0060]保護(hù)電阻104，連接在所述第五觸點(diǎn)5與一電源裝置106之間，用于當(dāng)由于所述漏極D與所述源極S間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極G與所述源極S間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路；
[0061]保險(xiǎn)裝置105，連接在所述保護(hù)電阻104與所述電源裝置106之間，用于當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路。
[0062]而在具體實(shí)施過(guò)程中，當(dāng)所述保險(xiǎn)裝置105具體為一保險(xiǎn)絲時(shí)，所述測(cè)試方法還包括:將所述MOS管失效時(shí)產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險(xiǎn)絲；通過(guò)所述大電流將所述保險(xiǎn)絲燒斷，以切斷所述電源裝置106與所述保護(hù)電阻104間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。以上對(duì)于保險(xiǎn)裝置105的具體說(shuō)明并不用于限制本申請(qǐng)實(shí)施例的保險(xiǎn)裝置105，只要是能夠在本申請(qǐng)實(shí)施例的測(cè)試方法中起到與保險(xiǎn)絲相同作用的裝置都應(yīng)該在本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0063]在具體實(shí)施過(guò)程中，所述電源裝置106可以設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)，成為所述測(cè)試電路的組成部分，在這種情況下，所述的電源裝置106還可以具有一能夠控制電源裝置106供電或斷電的開(kāi)關(guān)裝置，當(dāng)測(cè)試電路需要測(cè)試所述待測(cè)MOS管的特性時(shí)，所述開(kāi)關(guān)裝置控制所述電源裝置106供電，在不需要所述測(cè)試電路工作時(shí)，所述開(kāi)關(guān)裝置控制所述電源裝置106斷電?；蛘咚鲭娫囱b置106還可以為一外接于所述測(cè)試電路的供電裝置，此時(shí)的電源裝置106就不再是測(cè)試電路的組成部分了，具體地，比如此時(shí)電源裝置106為一電源插座，那么測(cè)試電路就還可以具有一能夠插到所述電源插座上的插頭，當(dāng)測(cè)試電路測(cè)試MOS管的特性而需要供電時(shí)，只需將連接在測(cè)試電路中的插頭插到所述電源插座上即可，而當(dāng)不需要測(cè)試MOS管的特性時(shí)，只需將插頭從電源插座上拔出即可。
[0064]在具體實(shí)施過(guò)程中，所述測(cè)試方法還包括:通過(guò)將所述測(cè)試電路的所述源極S與地連接，控制所述第二觸點(diǎn)2、所述源極S與所述第四觸點(diǎn)4共同與所述地連接。
[0065]通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的測(cè)試電路就能對(duì)MOS管的高溫反偏特性以及高溫柵偏置特性進(jìn)行測(cè)試，并且不需要更換其它元器件，只需將需要的觸點(diǎn)連通就能實(shí)現(xiàn)高溫反偏特性測(cè)試電路以及高溫柵偏置測(cè)試電路之間的任意轉(zhuǎn)換，而當(dāng)需要同時(shí)測(cè)試高溫反偏特性以及高溫柵偏特性時(shí)，或者批量測(cè)試MOS管的高溫反偏特性及高溫柵偏置特性時(shí)，只需要將若干相同的測(cè)試電路裝置按照并聯(lián)的聯(lián)接方式聯(lián)接起來(lái)即可，至于并聯(lián)的測(cè)試電路的數(shù)量則根據(jù)需要測(cè)試的MOS管數(shù)量以及需要測(cè)試的特性的項(xiàng)數(shù)來(lái)決定。
[0066]在本申請(qǐng)實(shí)施例的方法實(shí)施例中，所有步驟均沒(méi)有順序要求，即測(cè)試電路中的器件可以任何順序接入電路，但要保證在所有電路器件完成接入前，不得為測(cè)試電路供電即可。
[0067]通過(guò)本申請(qǐng)實(shí)施例中的一個(gè)或多個(gè)技術(shù)方案，可以實(shí)現(xiàn)如下技術(shù)效果:
[0068]由于采用了根據(jù)MOS管高溫反偏及高溫柵偏置的測(cè)試原理，將單刀單擲開(kāi)關(guān)以及單刀雙擲開(kāi)關(guān)置于相應(yīng)的位置從而使需要的電路支路處于連通狀態(tài)，以實(shí)現(xiàn)不同測(cè)試電路之間的轉(zhuǎn)變的技術(shù)手段，解決了現(xiàn)有技術(shù)中不能同時(shí)及批量測(cè)試MOS管的高溫反偏及高溫柵偏置特性的技術(shù)問(wèn)題，因而，具有能同時(shí)及批量測(cè)試MOS管的高溫反偏和高溫柵偏置特性的技術(shù)效果。
[0069]在此說(shuō)明書中，本發(fā)明已參照其特定的實(shí)施例作了描述，但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種測(cè)試電路，用于對(duì)包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進(jìn)行測(cè)試，其特征在于，所述測(cè)試電路包括: 第一單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第一觸點(diǎn)及第二觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述第二觸點(diǎn)與所述源極連接； 第二單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第三觸點(diǎn)及第四觸點(diǎn)，所述第三觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第四觸點(diǎn)與所述源極連接； 單刀雙擲開(kāi)關(guān)，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)具有第五觸點(diǎn)，第六觸點(diǎn)及第七觸點(diǎn)，所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置連接，所述第六觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第七觸點(diǎn)與所述柵極連接； 其中，當(dāng)所述第一觸點(diǎn)與所述第二觸點(diǎn)連通使所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)與所述第六觸點(diǎn)連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，測(cè)試所述MOS管的高溫反偏特性； 當(dāng)所述第三觸點(diǎn)與所述第四觸點(diǎn)連通使所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，且當(dāng)所述第五觸點(diǎn)與所述第七觸點(diǎn)連通時(shí)通過(guò)將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，用于測(cè)試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
2.如權(quán)利要求1所述的測(cè)試電路，其特征在于，所述測(cè)試電路還包括一保護(hù)電阻，連接在所述第五觸點(diǎn)與所述電源裝置之間，用于當(dāng)由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路。
3.如權(quán)利要求2所述的測(cè)試電路，其特征在于，所述測(cè)試電路還具有一保險(xiǎn)裝置，連接在所述保護(hù)電阻與所述電源裝置之間，用于當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路。
4.如權(quán)利要求3所述的測(cè)試電路，其特征在于，所述保險(xiǎn)裝置具體為一保險(xiǎn)絲，當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生所述大電流后，通過(guò)將所述保險(xiǎn)絲燒斷，切斷所述電源裝置與所述保護(hù)電阻間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。
5.如權(quán)利要求1-4任一權(quán)項(xiàng)所述的測(cè)試電路，其特征在于，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測(cè)試電路的電源裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的測(cè)試電路，其特征在于，所述測(cè)試電路的所述源極與地連接，以使所述第二觸點(diǎn)、所述源極與所述第四觸點(diǎn)共同與所述地連接。
7.—種測(cè)試方法，應(yīng)用于一測(cè)試電路中對(duì)包括有柵極、源極以及漏極的MOS管進(jìn)行測(cè)試，其特征在于，所述測(cè)試電路包括:第一單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第一單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第一觸點(diǎn)及第二觸點(diǎn)，所述第一觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述第二觸點(diǎn)與所述源極連接；第二單刀單擲開(kāi)關(guān)，所述第二單刀單擲開(kāi)關(guān)具有第三觸點(diǎn)及第四觸點(diǎn)，所述第三觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第四觸點(diǎn)與所述源極連接；單刀雙擲開(kāi)關(guān)，所述單刀雙擲開(kāi)關(guān)具有第五觸點(diǎn)，第六觸點(diǎn)及第七觸點(diǎn)，所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置連接，所述第六觸點(diǎn)與所述漏極連接，所述第七觸點(diǎn)與所述柵極連接，所述方法包括: 通過(guò)將所述第一觸點(diǎn)與所述第二觸點(diǎn)連通，控制所述柵極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)與所述第六觸點(diǎn)連通，將所述電源裝置的電壓加在所述漏極與所述源極之間，以測(cè)試所述MOS管的高溫反偏特性；或者 通過(guò)將所述第三觸點(diǎn)與所述第四觸點(diǎn)連通，控制所述漏極與所述源極處于短路狀態(tài)，并通過(guò)將所述第五觸點(diǎn)與所述第七觸點(diǎn)連通，將所述電源裝置的電壓加在所述柵極與所述源極之間，以測(cè)試所述MOS管的高溫柵偏置特性。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述測(cè)試電路還包括: 保護(hù)電阻，連接在所述第五觸點(diǎn)與一電源裝置之間，用于當(dāng)由于所述漏極與所述源極間處于所述短路狀態(tài)，或者所述柵極與所述源極間處于短路狀態(tài)而產(chǎn)生電流值大于一預(yù)設(shè)值的大電流時(shí)，保護(hù)所述測(cè)試電路； 保險(xiǎn)裝置，連接在所述保護(hù)電阻與所述電源裝置之間，用于當(dāng)所述MOS管失效產(chǎn)生電流值大于所述預(yù)設(shè)值的大電流后，保護(hù)所述測(cè)試電路。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于， 當(dāng)所述保險(xiǎn)裝置具體為保險(xiǎn)絲時(shí)，所述方法還包括: 將所述MOS管失效時(shí)產(chǎn)生的所述大電流傳輸至所述保險(xiǎn)絲； 通過(guò)所述大電流將所述保險(xiǎn)絲燒斷，以切斷所述電源裝置與所述保護(hù)電阻間的連路，以保護(hù)所述測(cè)試電路。
10.如權(quán)利要求8-9任一權(quán)項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述電源裝置具體為設(shè)置在所述測(cè)試電路內(nèi)的電源裝置，或者為一外接于所述測(cè)試電路的電源裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法還包括:通過(guò)將所述測(cè)試電路的所述源極與地連接，控制所述第二觸點(diǎn)、所述源極與所述第四觸點(diǎn)共同與所述地連接。
【文檔編號(hào)】G01R31/26GK103913688SQ201310003944
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月7日
【發(fā)明者】邱海亮, 蔡新春 申請(qǐng)人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司