元件的配置中的器件元件。例如，分路元件可被修改以包括單個器件元件、或者并聯(lián)的一對器件元件。此外，在某些實施例中，修改阻抗匹配電路不限于修改分路元件。換言之，可以修改在兩個器件元件之間電通聯(lián)的串聯(lián)元件。這里描述修改阻抗匹配電路的附加細(xì)節(jié)。
[0046]開關(guān)器件的示例部件
[0047]圖1示意性示出配置為在一個或多個刀102與一個或多個擲104之間切換一個或多個信號的射頻(RF)開關(guān)100。在一些實施例中，這樣的開關(guān)可基于一個或多個場效應(yīng)晶體管(FET)，諸如絕緣體上硅(SOI)FET。當(dāng)特定的刀連接到特定的擲時，這樣的路徑一般被稱為閉合或處于接通(ON)狀態(tài)。當(dāng)?shù)杜c擲之間的給定路徑未被連接時，這樣的路徑一般被稱為斷開或處于關(guān)斷(OFF)狀態(tài)。
[0048]圖2示出在一些實施方式中，圖1的RF開關(guān)100可包括RF核芯110和能量管理(EM)核芯112 AF核芯110可配置為在第一和第二端口之間路由RF信號。在圖2所示的示例性單刀雙擲(SPDT)配置中，這樣的第一和第二端口可包括刀102a和第一擲104a，或者刀102a和第二擲 104b。
[0049]在一些實施例中，EM核芯112可配置為提供例如電壓控制信號給RF核芯。EM核芯112還可配置為向RF開關(guān)100提供邏輯解碼和/或電源調(diào)節(jié)能力。
[0050]在一些實施例中，RF核芯110可包括一個或多個刀以及一個或多個擲以使得RF信號能在開關(guān)100的一個或多個輸入與一個或多個輸出之間傳遞。例如，RF核芯110可包括圖2所示的單刀雙擲(SH)T或SP2T)配置。
[0051 ] 在示例性的SPDT上下文中，圖3示出RF核芯110的更詳細(xì)的示例配置。RF核芯110示為包括經(jīng)由第一和第二晶體管(例如，F(xiàn)ET) 120a、120b耦接到第一和第二擲節(jié)點104a、104b的單個刀102a。第一擲節(jié)點104a示為經(jīng)由FET 122a耦接到RF地以向節(jié)點104a提供分流(shunting)能力。類似地，第二擲節(jié)點104b示為經(jīng)由FET 122bf禹接到RF地以向節(jié)點104b提供分流能力。
[0052]在示例操作中，當(dāng)RF核芯110處于RF信號正在刀102a與第一擲104a之間傳遞的狀態(tài)時，刀102a與第一擲節(jié)點104a之間的FET 120a可處于接通狀態(tài)，而刀102a和第二擲節(jié)點104b之間的FET 120b可處于關(guān)斷狀態(tài)。對于分路FET 122a、122b，分路FET 122a可處于關(guān)斷狀態(tài)，從而RF信號在從刀102a傳導(dǎo)到第一擲節(jié)點104a時不分流到地。與第二擲節(jié)點104b相關(guān)聯(lián)的分路FET 122b可處于接通狀態(tài)，從而通過第二擲節(jié)點104b到達(dá)RF核芯110的任何RF信號或噪聲被分流到地，以減小對刀至第一擲的操作的不期望的干擾影響。
[0053]雖然前述示例在單刀雙擲配置的上下文中進(jìn)行了描述，但是將理解，RF核芯可配置有其它數(shù)量的刀和擲。例如，可以有多于一個刀，且擲的數(shù)量可以少于或大于示例數(shù)量
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[0054]在圖3的示例中，刀12a和兩個擲節(jié)點104a、104b之間的晶體管示為單個晶體管。在一些實施方式中，(多個)刀與(多個)擲之間的這種開關(guān)功能可由開關(guān)臂片段(segment)提供，每個開關(guān)臂片段包括諸如FET之類的多個晶體管。
[0055]具有這樣的開關(guān)臂片段的RF核芯的示例性RF核芯配置130示于圖4中。在該示例中，刀102a和第一擲節(jié)點104a示為經(jīng)由第一開關(guān)臂片段140a耦接。類似地，刀102a和第二擲節(jié)點104b示為經(jīng)由第二開關(guān)臂片段140b耦接。第一擲節(jié)點104a示為能夠經(jīng)由第一分路臂片段142a分流到RF地。類似地，第二擲節(jié)點104b示為能夠經(jīng)由第二分路臂片段142b分流到RF地。
[0056]在示例操作中，當(dāng)RF核芯130處于RF信號正在刀102a與第一擲104a之間傳遞的狀態(tài)時，第一開關(guān)臂片段140a中的所有FET可處于接通狀態(tài)，而第二開關(guān)臂片段140b中的所有FET可處于關(guān)斷狀態(tài)。第一擲節(jié)點104a的第一分路臂142a可使其所有FET處于關(guān)斷狀態(tài)，從而RF信號在從刀102a傳導(dǎo)到第一擲節(jié)點104a時不分流到地。與第二擲節(jié)點104b相關(guān)聯(lián)的第二分路臂142b中的所有FET可處于接通狀態(tài)，從而通過第二擲節(jié)點104b到達(dá)RF核芯130的任何RF信號或噪聲被分流到地，以減小對刀至第一擲的操作的不期望的干擾影響。
[0057]再次說明，雖然在SP2T配置的上下文中進(jìn)行描述，但是將理解，也可實施具有其它數(shù)量的刀和擲的RF核芯。
[0058]在一些實施方式中，開關(guān)臂片段(例如，140a、140b、142a、142b)可包括諸如FET之類的一個或多個半導(dǎo)體晶體管。在一些實施例中，F(xiàn)ET可以能夠處于第一狀態(tài)或第二狀態(tài)，并且可包括柵極、漏極、源極和本體(body)(有時也稱為襯底)。在一些實施例中，F(xiàn)ET可包括金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。在一些實施例中，一個或多個FET可串聯(lián)連接，形成第一端和第二端，使得當(dāng)FET處于第一狀態(tài)(例如，接通狀態(tài))時，RF信號可在第一端與第二端之間路由。
[0059]本申請的至少一些涉及可如何控制FET或一組FET以按照期望方式提供開關(guān)功能。圖5示意性示出在一些實施方式中，對FET 120的這種控制可由電路150促成，電路150配置為偏置和/或耦合FET 120的一個或多個部分。在一些實施例中，這樣的電路150可包括配置為偏置和/或耦合FET 120的柵極、偏置和/或耦合FET 120的本體、及/或耦合FET 120的源極/漏極的一個或多個電路。
[0060]參考圖6來描述如何對一個或多個FET的不同部分進(jìn)行這樣的偏置和/或耦合的示意性示例。在圖6中，節(jié)點144、146之間的開關(guān)臂片段140(其可以是例如圖4的示例的示例性開關(guān)臂片段140a、140b、142a、142b中的一個)示為包括多個FET 120。這樣的FET的操作可由柵極偏置/耦合電路150a、以及本體偏置/耦合電路150c、及/或源極/漏極耦合電路150b來控制和/或促成。
[0061]柵極偏置/耦合電路
[0062]在圖6所示的示例中，每個FET120的柵極可以連接到柵極偏置/耦合電路150a以接收柵極偏置信號和/或?qū)艠O耦合到FET 120或開關(guān)臂140的另一部分。在一些實施方式中，柵極偏置/耦合電路150a的設(shè)計或特征可改善開關(guān)臂140的性能。這樣的性能改善可包括但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性度。
[0063]本體偏置/耦合電路
[0064]如圖6所示，每個FET120的本體可以連接到本體偏置/耦合電路150c以接收本體偏置信號和/或?qū)⒈倔w耦合到FET 120或開關(guān)臂140的另一部分。在一些實施方式中，本體偏置/耦合電路150c的設(shè)計或特征可改善開關(guān)臂140的性能。這樣的性能改善可包括但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性度。
[0065]源極/漏極耦合電路
[0066]如圖6所示，每個FET120的源極/漏極可以連接到耦合電路150b以將源極/漏極耦合到FET 120或開關(guān)臂140的另一部分。在一些實施方式中，耦合電路150b的設(shè)計或特征可改善開關(guān)臂140的性能。這樣的性能改善可包括但不限于器件插入損耗、隔離性能、功率處理能力和/或開關(guān)器件線性度。
[0067]開關(guān)性能參數(shù)的示例
[0068]插入損耗
[0069]開關(guān)器件性能參數(shù)可包括插入損耗的度量。開關(guān)器件插入損耗可以是對通過RF開關(guān)器件路由的RF信號的衰減的度量。例如，開關(guān)器件的輸出端口處的RF信號的幅值可小于開關(guān)器件的輸入端口處的RF信號的幅值。在一些實施例中，開關(guān)器件可包括將寄生電容、電感、電阻或電導(dǎo)引入到器件中的器件部件，導(dǎo)致增大的開關(guān)器件插入損耗。在一些實施例中，開關(guān)器件插入損耗可測量為開關(guān)器件的輸入端口處的RF信號的功率或電壓對開關(guān)器件的輸出端口處的RF信號的電源或電壓的比值。減少的開關(guān)器件插入損耗對于實現(xiàn)改善的RF信號發(fā)送而言可能是期望的。
[0070]厘直
[0071]開關(guān)器件性能參數(shù)還可包括隔離的度量。開關(guān)器件隔離可以是RF開關(guān)器件的輸入端口與輸出端口之間的RF隔離的度量。在一些實施例中，其可以是在開關(guān)器件處于輸入端口與輸出端口電隔離的狀態(tài)時，例如在開關(guān)器件處于關(guān)斷狀態(tài)時，對開關(guān)器件的RF隔離的度量。增大的開關(guān)器件隔離可以改善RF信號完整性。在某些實施例中，隔離增大可以改善無線通信裝置的性能。
[0072]互調(diào)失真
[0073]開關(guān)器件性能參數(shù)還可包括互調(diào)失真(Hffi)性能的度量?；フ{(diào)失真(Hffi)可以是對RF開關(guān)器件中的非線性度的度量。
[0074]頂D可從混合在一起并且產(chǎn)生不是諧波頻率的頻率的兩個或更多信號產(chǎn)生。例如，假設(shè)兩個信號具有在頻率空間彼此相對接近的基頻這樣的信號的混合可導(dǎo)致在與這兩個信號的基頻和諧波頻率的不同乘積對應(yīng)的頻率處的頻譜峰值。例如，二階互調(diào)失真(也稱為頂D2)典型地考慮為包括頻率&+5 J2-AJfdMf2t3三階頂D(也稱為頂D3)典型地考慮為包括2f i+f 2、2f1-f2、f i+2f 2、f1-2f2?？梢砸灶愃品绞叫纬筛唠A的乘積。
[0075]一般地，隨著頂D階數(shù)增大，功率電平減小。因此，二階和三階可能是特別關(guān)注的不期望的影響。諸如四階和五階之類的更高階在一些情形中也可能是受關(guān)注的。
[0076]在一些RF應(yīng)用中，可能期望減小對RF系統(tǒng)內(nèi)的干擾的易感性(susceptibility)。RF系統(tǒng)中的非線性可能導(dǎo)致引入雜散信號到系統(tǒng)中。RF系統(tǒng)中的雜散信號可導(dǎo)致系統(tǒng)內(nèi)的干擾并且使由RF信號傳輸?shù)男畔⒘踊?。具有增大的非線性度的RF系統(tǒng)可表現(xiàn)出增大的對干擾的易感性。例如開關(guān)器件的系統(tǒng)部件中的非線性可導(dǎo)致引入雜散信號到RF系統(tǒng)中，由此導(dǎo)致總體RF系統(tǒng)線性度和頂D性能的劣化。
[0077]在一些實施例中，RF開關(guān)器件可實施為包括無線通信系統(tǒng)的RF系統(tǒng)的一部分。系統(tǒng)的MD性能可通過增大系統(tǒng)部件的線性度，諸如RF開關(guān)器件的線性度，而得到改善。在一些實施例中，無線通信系統(tǒng)可操作在多頻帶和/或多模式環(huán)境中。在操作在多頻帶和/或多模式環(huán)境中的無線通信系統(tǒng)中，互調(diào)失真(IMD)性能的改善可能是期望的。在一些實施例中，開關(guān)器件MD性能的改善可以改善操作在多模式和/或多頻帶環(huán)境中的無線通信系統(tǒng)的頂D性能。
[0078]對于以各種無線通信標(biāo)準(zhǔn)操作的無線通信裝置而言，例如對于以長期演進(jìn)(L