專利名稱：一種高速、高精度模/數(shù)(a/d)轉(zhuǎn)換器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種模擬一數(shù)字(A/D)轉(zhuǎn)換器，特別涉及一種能夠大量減少元件數(shù)量、能以較小的電路規(guī)模實(shí)現(xiàn)更高精度的高速、高精度A/D轉(zhuǎn)換器。
當(dāng)今的社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入了高速信息數(shù)字化的時(shí)代，大量的信號需經(jīng)高速、高精度數(shù)字處理，這就需要大量的高速、高精度A/D轉(zhuǎn)換器。早期采用全并行轉(zhuǎn)換方式(Flash閃爍結(jié)構(gòu))，n位精度的A/D轉(zhuǎn)換器需要2n個(gè)具有n位線性要求的精密電阻，這些電阻經(jīng)串接并將電阻串兩端接至精密電源，便產(chǎn)生2n-1個(gè)基準(zhǔn)電源信號，這些基準(zhǔn)電源信號后接2n-1個(gè)高速比較器，與輸入信號進(jìn)行比較來確定轉(zhuǎn)換值。隨著轉(zhuǎn)換器精度的增加，制作難度和芯片功耗將會(huì)大增，因此這種方式通常用于精度為八位或八位以下的A/D轉(zhuǎn)換器。在中、高精度的高速A/D轉(zhuǎn)換器中，常采用分步轉(zhuǎn)換方式。所謂分步轉(zhuǎn)換方式，即，A/D轉(zhuǎn)換分幾步進(jìn)行。每一分步的精度可以較低，因此可采用全并行方式來實(shí)現(xiàn)。而下一分步轉(zhuǎn)換的輸入信號是將前一分步轉(zhuǎn)換成的數(shù)字量用D/A轉(zhuǎn)換器再轉(zhuǎn)變回模擬量，并與前一分步的輸入模擬量相減后產(chǎn)生的。這種分步方式較大地減少了元器件數(shù)量，但由于增加了D/A轉(zhuǎn)換器及模擬量減法器，制作難度較大，工作速度不易提高。八十年代中、后期，開發(fā)了模擬開關(guān)的分步轉(zhuǎn)換法。這種方法取消了常規(guī)分步法中所需的高速D/A轉(zhuǎn)換器及模擬量減法器，而僅增加了高速模擬開關(guān)，因此工作速度得到較大提高，制作難度亦有所下降。


圖1示出現(xiàn)有采用模擬開關(guān)分步法的A/D轉(zhuǎn)換器電路示意圖?，F(xiàn)有的這類A/D轉(zhuǎn)換器包含一個(gè)由m×p個(gè)等值精密電阻串聯(lián)組成的多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器102，它的兩端分別接基準(zhǔn)電壓Vref1和Vref2，其中的m×p個(gè)等值精密電阻以每p個(gè)為一組分成m組，由相鄰組的連接點(diǎn)處接出(m-1)個(gè)階位的粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，并在組內(nèi)相鄰電阻的連接點(diǎn)處分別經(jīng)一模擬開關(guān)接出(p-1)個(gè)階位的細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，同一組內(nèi)的模擬開關(guān)的控制端連接在一起構(gòu)成總共(n-1)個(gè)模擬開關(guān)組的控制端。多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器102的(n-1)個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端分別接至一個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓判斷器103的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端。輸入的模擬信號Vin經(jīng)采樣保持電路101輸出采樣電位至粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓判斷器103，經(jīng)與(m-1)個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓作比較輸出粗分階位判斷信號。此粗分階位判斷信號一方面經(jīng)一高數(shù)位編碼器104輸出數(shù)字信號的高數(shù)位值，另一方面經(jīng)模擬開關(guān)組選通控制器105向所選通的相應(yīng)模擬開關(guān)組的控制端提供選通控制輸出，使所選通的粗分組內(nèi)的(p-1)個(gè)細(xì)分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸往一個(gè)細(xì)分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓判斷器106，經(jīng)與來自采樣保持電路101的采樣信號相比較輸出細(xì)分階位判斷信號。此細(xì)分階位判斷信號經(jīng)一低數(shù)位編碼器107輸出數(shù)字信號的低數(shù)位值。數(shù)字信號的高數(shù)位值與數(shù)字信號的低數(shù)位值經(jīng)過數(shù)位碼合成器108合成后就構(gòu)成轉(zhuǎn)換的高精度數(shù)字輸出Dout。
雖然現(xiàn)有這種模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器不需要高速D/A轉(zhuǎn)換器及高速模擬量減法器，工作速度得到較大提高，制作難度有所下降，但這種方式所需精密電阻及模擬開關(guān)數(shù)量較大。而精密電阻的制作占用較大的芯片面積，同時(shí)模擬開關(guān)數(shù)量多后連線復(fù)雜，增加了制作復(fù)雜度，從而對制作這種方式的高精度A/D轉(zhuǎn)換器仍然帶來一定的困難。
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種能夠大量減少精密電阻和模擬開關(guān)數(shù)量并降低芯片制作難度的高速與高精度模擬開關(guān)分步法的A/D轉(zhuǎn)換器。
本發(fā)明的一項(xiàng)目的是要大量減少模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器所需的精密電阻和模擬開關(guān)的數(shù)量，減少它們在芯片中占用的面積，從而降低芯片的制作難度，提高產(chǎn)品的合格率并降低成本。
本發(fā)明的另一目的是要在模擬開關(guān)分步法的A/D轉(zhuǎn)換器中使用具有低插入效應(yīng)的單向模擬開關(guān)以保證高速度和高精度A/D轉(zhuǎn)換器的實(shí)現(xiàn)。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的上述目的，本發(fā)明的模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器包括一個(gè)模擬信號輸入端、一個(gè)采樣保持電路、一個(gè)多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器、一個(gè)粗分階位電壓判斷器、一個(gè)高數(shù)位編碼器、一個(gè)模擬開關(guān)選通控制器、一個(gè)多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器、一個(gè)細(xì)分階位電壓判斷器、一個(gè)低數(shù)位編碼器、一個(gè)高、低數(shù)位碼合成器以及一個(gè)數(shù)字信號輸出端。其中的多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器有一高基準(zhǔn)電壓輸入端和一低基準(zhǔn)電壓輸入端，有按等階位差遞變的多個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端與粗分階位電壓判斷器的多個(gè)相應(yīng)的粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端連接，鄰近的每兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端設(shè)有一對模擬開關(guān)受模擬開關(guān)選通控制器的選通控制，同時(shí)與多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端接通或斷開。輸入的模擬信號經(jīng)模擬信號輸入端輸往采樣保持電路后將采樣電平分別輸往粗分電壓判斷器與細(xì)分電壓判斷器。采樣電平在粗分階位電壓判斷器中經(jīng)與多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較之后作出判斷，然后分別向高數(shù)位碼編碼器和模擬開關(guān)選通控制器輸出粗分階位電壓判斷信號，模擬開關(guān)選通控制器根據(jù)粗分階位電壓的判斷信號選通多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的相應(yīng)的鄰近兩標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端與多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端同時(shí)分別連接。采樣電平在細(xì)分階位電壓判斷器中經(jīng)與來自多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后作出判斷，向低數(shù)位編碼器輸出細(xì)分階位判斷信號。由高數(shù)位編碼器輸出的高數(shù)位碼和由低數(shù)位編碼器輸出的低數(shù)位碼經(jīng)高低數(shù)位碼合成器合成后在數(shù)字信號輸出端輸出高精度的數(shù)字信號。
本發(fā)明將現(xiàn)有技術(shù)需用大量元件組成的單一的多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器改進(jìn)成由少量元件分別組成的粗分與細(xì)分兩個(gè)多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器。將由粗分判斷器對細(xì)分判斷器進(jìn)行選通控制所需的模擬開關(guān)數(shù)從兩組以上的多組減至僅需兩組。這就大量地壓縮了元器件數(shù)與模擬開關(guān)數(shù)，壓縮了芯片占用面積與電路規(guī)模。它能用同樣的電路規(guī)模實(shí)現(xiàn)更高位數(shù)的A/D轉(zhuǎn)換器。甚至能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)情況下無法實(shí)現(xiàn)的高精度A/D轉(zhuǎn)換器。
為了提供對本發(fā)明更清楚的了解，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的最佳實(shí)施例作出詳細(xì)說明。
圖1為現(xiàn)有模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器的電路示意圖。
圖2為本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例的模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器的電路示意圖。
圖3為本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器中所用模擬開關(guān)的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2示出本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例的模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器的電路示意結(jié)構(gòu)。其中的多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器202是由多個(gè)等值的精密電阻串聯(lián)組成，串聯(lián)電阻的兩端分別為高低基準(zhǔn)電壓的引接端Vref1和Vref2，從每兩個(gè)相鄰的精密電阻連接點(diǎn)處引出一個(gè)粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，每一精密電阻的兩端又各經(jīng)一個(gè)模擬開關(guān)并列形成成對的粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，多對并列模擬開關(guān)的控制端組成受模擬開關(guān)選通控制器205控制的多對選通控制端；該實(shí)施例的粗分階位電壓判斷器203由多個(gè)比較器組成，來自采樣保持電路201的采樣電平接至每一比較器的一個(gè)輸入端，每一比較器的另一輸入端分別依序接入由粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器202接入的每一粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓，多個(gè)比較器的輸出端組成粗分階位電壓判斷器203的多個(gè)判斷輸出；該實(shí)施例的多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器209也是由多個(gè)等值的精密電阻串聯(lián)組成，此串聯(lián)電阻的兩端分別與多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器202的每一成對的粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端連接，從此串聯(lián)電阻的每兩個(gè)相鄰精密電阻的連接點(diǎn)處引出一個(gè)細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端；該實(shí)施例的細(xì)分階位電壓判斷器206的結(jié)構(gòu)與前述粗分階位電壓判斷器203的結(jié)構(gòu)類似。
圖3示出了本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器中所用能夠降低插入效應(yīng)的單向隔離模擬開關(guān)的電路示意結(jié)構(gòu)。它由第一NPN晶體管T3、第二NPN晶體管T4、第一PNP晶體管T2、第二PNP晶體管T2′、第三PNP晶體管T1共五個(gè)晶體管組成。第一PNP晶體管T2和第二PNP晶體管T2′的發(fā)射極和集電極分別相連，組成一對并聯(lián)PNP晶體管，一對并聯(lián)PNP晶體管中的兩個(gè)晶體管的基極可分別選作模擬開關(guān)的模擬信號輸入端Vi和輸入控制端Vc，第一NPN晶體管T3的基極與所述一對并聯(lián)的PNP晶體管的發(fā)射極的連接點(diǎn)相連，第一NPN晶體管T3的發(fā)射極則作為模擬開關(guān)的輸出端Vo，第一NPN晶體管T3的集電極連接參考電壓Vcc，第二NPN晶體管T4的發(fā)射極與并聯(lián)的PNP晶體管T2和T2′的集電極連接點(diǎn)相連，并接至電源“地”。第二NPN晶體管T4基極連接第一偏置電壓Vb1，第三PNP晶體管T1的集電極和基極分別與第一NPN晶體管T3的基極和集電極相連，第三PNP晶體管T1的集電極和基極分別與第一NPN晶體管T3的基極和集電極相連，第三PNP晶體管T1的發(fā)射極連接第二偏置電壓Vb2。
上述本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例中所用模擬開關(guān)的運(yùn)行情況是當(dāng)控制端Vc的控制信號為“0”時(shí)(低電平時(shí))，Vi上的輸入信號被封住，無法傳送到輸出端，輸出端輸出低電平。當(dāng)控制端Vc的控制信號為“1”時(shí)(高電平時(shí))，Vi上的輸入信號經(jīng)第二PNP晶體管T2′跟隨輸出，信號電平提高了一個(gè)發(fā)射結(jié)壓降，再經(jīng)第一NPN晶體管T3跟隨輸出，信號電平恢復(fù)原有值。輸入信號在變化過程中，由于T1、T4管的恒流作用，T2′、T3管中流過的電流始終不變，也即晶體管的發(fā)射結(jié)壓降不變，使得經(jīng)本發(fā)明模擬開關(guān)傳輸后的信號不會(huì)產(chǎn)生附加失真。由于開關(guān)中對輸入信號的兩級射極跟隨，開關(guān)的輸入阻抗很高，開關(guān)的接入，不會(huì)對信號產(chǎn)生有害的插入影響。這種開關(guān)的速度極快，常規(guī)制作工藝下的傳播延遲小于lns，借助于它，可以保障本發(fā)明的高速與高精度的轉(zhuǎn)換運(yùn)行。
為了將上述本發(fā)明一項(xiàng)實(shí)施例中所用模擬開關(guān)設(shè)計(jì)成能夠與常規(guī)雙極型NPN晶體管集成電路工藝相容的電路，在本發(fā)明的該項(xiàng)實(shí)施例中所有PNP晶體管均采用以N型半導(dǎo)體材料作基區(qū)并沿基片水平或縱深方向設(shè)置的橫向或垂直的結(jié)構(gòu)。
下表為本發(fā)明模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器與現(xiàn)有的模擬開關(guān)分步法A/D轉(zhuǎn)換器在不同精度的情況下所需精密電阻及模擬開關(guān)的數(shù)量對比
<p>由上表可見，本發(fā)明大量地減少了精密電阻及模擬開關(guān)的數(shù)量，十分有利于實(shí)現(xiàn)高精度A/D轉(zhuǎn)換器，又由于在本發(fā)明中所采用的單向隔離模擬開關(guān)是一種十分高速的器件，因此，本發(fā)明是一種高速、高精度A/D轉(zhuǎn)換器。
權(quán)利要求
1．一種高速、高精度的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，它包括一個(gè)模擬信號輸入端、一個(gè)采樣保持電路、一個(gè)多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器、一個(gè)粗分階位電壓判斷器、一個(gè)高數(shù)位編碼器、一個(gè)模擬開關(guān)選通控制器、一個(gè)多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器、一個(gè)細(xì)分階位電壓判斷器、一個(gè)低數(shù)位編碼器、一個(gè)高、低數(shù)位碼合成器以及一個(gè)數(shù)字信號輸出端；其中所述的多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器有一高基準(zhǔn)電壓輸入端和一低基準(zhǔn)電壓輸入端，有按等階位差遞變的多個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端與所述粗分階位電壓判斷器的多個(gè)相應(yīng)的粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端連接，鄰近的每兩個(gè)所述粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端設(shè)有一對模擬開關(guān)受所述模擬開關(guān)選通控制器的選通控制，同時(shí)與所述多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端接通或斷開；輸入的模擬信號經(jīng)所述模擬信號輸入端輸往所述采樣保持電路后將采樣電平分別輸往所述粗分電壓判斷器與所述細(xì)分電壓判斷器，采樣電平在所述粗分階位電壓判斷器中經(jīng)與多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較之后作出判斷，接著分別向所述高數(shù)位碼編碼器和所述模擬開關(guān)選通控制器輸出粗分階位電壓判斷信號，所述模擬開關(guān)選通控制器根據(jù)粗分階位電壓的判斷信號選通所述多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的相應(yīng)的鄰近兩所述標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端與所述多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的兩個(gè)所述標(biāo)準(zhǔn)電壓輸入端同時(shí)分別連接，采樣電平在所述細(xì)分階位電壓判斷器中經(jīng)與來自所述多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較后作出判斷，向所述低數(shù)位編碼器輸出細(xì)分階位判斷信號，由所述高數(shù)位編碼器輸出的高數(shù)位碼和由所述低數(shù)位編碼器輸出的低數(shù)位碼經(jīng)所述高低數(shù)位碼合成器合成后在所述數(shù)字信號輸出端輸出高精度的數(shù)字信號。
2．按照權(quán)利要求1所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中所述的多階位標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器由多個(gè)等值的精密電阻串聯(lián)組成，所述串聯(lián)電阻的兩端分別為高、低基準(zhǔn)電壓的引接端，從每兩個(gè)相鄰的所述精密電阻連接點(diǎn)處引出一個(gè)所述的粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，每一所述精密電阻的兩端又各經(jīng)一個(gè)模擬開關(guān)并列形成成對的所述粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端，多對并列的所述模擬開關(guān)的控制端組成受所述模擬開關(guān)選通控制器控制的多對選通控制端。
3．按照權(quán)利要求1所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述的粗分階位電壓判斷器由多個(gè)比較器組成，來自所述采樣保持電路的采樣電平接至每一所述比較器的一個(gè)輸入端，每一所述比較器的另一輸入端分別依序接入由所述粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器接入的每一粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓，多個(gè)所述比較器的輸出端組成所述粗分階位電壓判斷器的多個(gè)判斷輸出。
4．按照權(quán)利要求1所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述的多階位細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器由多個(gè)等值的精密電阻串聯(lián)組成，所述串聯(lián)電阻的兩端分別與所述多階位粗分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器的每一成對的所述粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端連接，從所述串聯(lián)電阻的每兩個(gè)相鄰所述精密電阻的連接點(diǎn)處引出一個(gè)所述細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓輸出端。
5．按照權(quán)利要求1所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述的細(xì)分階位電壓器由多個(gè)比較器組成，來自所述采樣保持電路的采樣電平接至每一所述比較器的一個(gè)輸入端，每一所述比較器的另一輸入端分別依序接入由所述細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器接入的每一細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓，多個(gè)所述比較器的輸出端組成所述細(xì)分階位電壓判斷器的多個(gè)判斷輸出。
6．按照權(quán)利要求1所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，所述的模擬開關(guān)全部分別由第一NPN晶體管、第二NPN晶體管、第一PNP晶體管、第二PNP晶體管、第三PNP晶體管共五個(gè)晶體管組成，其中所述第一PNP晶體管和所述第二PNP晶體管的發(fā)射極和集電極分別相連，組成一對并聯(lián)PNP晶體管，所述一對并聯(lián)PNP晶體管中的兩個(gè)晶體管基極則分別作為所述模擬開關(guān)的模擬信號輸入端和輸入控制端，所述第一NPN晶體管的基極與所述一對并聯(lián)的PNP晶體管的發(fā)射極連接點(diǎn)相連，所述第一NPN晶體管的發(fā)射極則作為所述模擬開關(guān)的輸出端，所述第一NPN晶體管的集電極連接參考工作電壓，所述第二NPN晶體管的發(fā)射極與所述一對并聯(lián)的PNP晶體管的集電極連接點(diǎn)相連，并接至電源“地”，所述第二NPN晶體管的集電極與所述模擬開關(guān)的輸出端相連，所述第二NPN晶體管的基極連接第一偏置電壓，所述第三PNP晶體管的集電極和基極分別與所述第一NPN晶體管的基極和集電極相連，所述第三PNP晶體管的發(fā)射極連接第二偏置電壓。
7．按照權(quán)利要求6所述的A/D轉(zhuǎn)換器，其特征在于，其中所述第一、第二和第三PNP晶體管是在集成電路芯片中以所述芯片的N型基體材料作基區(qū)并沿基片水平或縱深方向設(shè)置的橫向或垂直的PNP晶體管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種高速、高精度的A/D轉(zhuǎn)換器,它將輸入的模擬信號經(jīng)采樣后的采樣電平與一標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器所產(chǎn)生的多個(gè)粗分階位標(biāo)準(zhǔn)電壓作比較,判斷其所處的階位后得到高位數(shù)字碼,并根據(jù)此判斷結(jié)果選通一對模擬開關(guān)將取樣電平所處的階位電壓差加到一個(gè)細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓發(fā)生器上,由它產(chǎn)生多階位的細(xì)分標(biāo)準(zhǔn)電壓再與取樣電平作比較,判斷并換算出低位數(shù)字,由高、低位數(shù)字碼合成輸出全部數(shù)字碼。本發(fā)明減少了元件數(shù)量,降低了制作難度。
文檔編號H03M1/14GK1232321SQ9810153
公開日1999年10月20日 申請日期1998年4月13日 優(yōu)先權(quán)日1998年4月13日
發(fā)明者石寅, 李世祖, 朱榮華, 王守覺 申請人:中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所