專利名稱：新型窄帶二次陷波器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種陷波器，具體涉及一種新型窄帶二次陷 波器。
背景技術(shù)：
在電子系統(tǒng)中，往往需要消除某些無用信號(hào)，以減小對(duì)有用信號(hào)的干擾，這些無用 信號(hào)存在于某個(gè)或多個(gè)頻率點(diǎn)上，而有用信號(hào)覆蓋的頻率很寬，使得帶通濾波器難于消除 某些無用信號(hào)。因此，帶阻濾波器應(yīng)運(yùn)而生，例如噪聲測試中需要檢測微安級(jí)的信號(hào)，如果 不增加帶阻濾波器，則電源噪聲很可能就會(huì)將待檢測的信號(hào)湮沒。作為帶阻濾波器的一種， 陷波器主要用于無線電接收機(jī)，以消除無用信號(hào)。但目前使用的陷波器，大多采用PCB工藝 制造，體積較大，應(yīng)用于對(duì)體積有嚴(yán)格要求的環(huán)境時(shí)，受到限制。而且精度、一致性及阻帶寬 度都不夠理想。
發(fā)明內(nèi)容為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種新型窄帶二 次陷波器，體積較小，能應(yīng)用于對(duì)體積有嚴(yán)格要求的環(huán)境中，且提高了精度、一致性，減小了 阻帶寬度。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，新型窄帶二次陷波器，包括串 聯(lián)的一級(jí)陷波器電路1和二級(jí)陷波器電路2，一級(jí)陷波器電路1的結(jié)構(gòu)和二級(jí)陷波器電路2 的結(jié)構(gòu)相同。一級(jí)陷波器電路1包括依次串聯(lián)的第一電阻R1、第二電阻R2和第一電容Cl，一級(jí) 陷波器電路1還包括串聯(lián)的第三電阻R3和第四電阻R4，第一電阻Rl的另一端與第三電阻 R3的另一端相連接，第一電容Cl的另一端分別與第五電阻R5的一端、第二電容C2的一端 和第一運(yùn)算放大器Al的正相輸入端相連接，第四電阻R4的另一端分別與第一運(yùn)算放大器 Al的反相輸入端、第六電阻R6的一端和第七電阻R7的一端相連接，第六電阻R6的另一端 接地，第七電阻R7的另一端與第八電阻R8的一端相連接；第五電阻R5的另一端、第二電容 C2的另一端、第一運(yùn)算放大器Al的輸出端和第八電阻R8的另一端分別與第二陷波器電路 2相連接。第一運(yùn)算放大器Al采用LF442單運(yùn)算放大器。二級(jí)陷波器電路2包括依次串聯(lián)的第九電阻R9、第十電阻RlO和第三電容C3，二 級(jí)陷波器電路2還包括串聯(lián)的第十一電阻Rll和第十二電阻R12，第九電阻R9的另一端和 第十一電阻Rll的另一端分別與一級(jí)陷波器電路1相連接，第三電容C3的另一端分別與第 十三電阻R13的一端、第四電容C4的一端和第二運(yùn)算放大器A2的正相輸入端相連接，第 十二電阻R12的另一端分別與第二運(yùn)算放大器A2的反相輸入端、第十四電阻R14的一端和 第十五電阻R15的一端相連接，第十四電阻R14的另一端接地，第十五電阻R15的另一端與 第十六電阻R16的一端相接，第十三電阻R13的另一端、第四電容C4的另一端、第二運(yùn)算放大器A2的輸出端和第十六電阻R16的另一端相接。第二運(yùn)算放大器A2采用LF442單運(yùn)算放大器。本實(shí)用新型窄帶二次陷波器采用兩級(jí)陷波器電路結(jié)構(gòu)，同時(shí)對(duì)輸入信號(hào)進(jìn)行兩個(gè) 頻率點(diǎn)的帶阻濾波；每級(jí)陷波器電路只需分別調(diào)整一個(gè)電阻，就能設(shè)置不同的Q值及頻率 點(diǎn)，生產(chǎn)和使用極為方便；內(nèi)部電阻均采用厚膜工藝印刷，減小了電路面積。使得該窄帶二 次陷波器具有體積小、重量輕、精度高、可靠性高及阻帶帶寬小等優(yōu)點(diǎn)，實(shí)用價(jià)值很高。

圖1是本實(shí)用新型二次陷波器的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型二次陷波器中一級(jí)陷波器電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本實(shí)用新型二次陷波器中二級(jí)陷波器電路的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1中，1. 一級(jí)陷波器電路，2. 二級(jí)陷波器電路。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說明。如圖1所示，本實(shí)用新型二次陷波器的結(jié)構(gòu)，包括串聯(lián)的一級(jí)陷波器電路1和二級(jí) 陷波器電路2，一級(jí)陷波器電路1的結(jié)構(gòu)和二級(jí)陷波器電路2的結(jié)構(gòu)相同。如圖2所示，本實(shí)用新型二次陷波器中一級(jí)陷波器電路1的結(jié)構(gòu)，包括由依次串聯(lián) 的第一電阻R1、第二電阻R2和第一電容Cl組成的第一串聯(lián)電路，還包括由串聯(lián)的第三電阻 R3和第四電阻R4組成的第二串聯(lián)電路，第一串聯(lián)電路的一端與第二串聯(lián)電路的一端相連 接，即第一電阻Rl與第三電阻R3相連接，第一電容Cl的另一端分別與第五電阻R5的一端、 第二電容C2的一端和第一運(yùn)算放大器Al的正相輸入端相連接，第四電阻R4的另一端分別 與第一運(yùn)算放大器Al的反相輸入端、第六電阻R6的一端和第七電阻R7的一端相連接，第 六電阻R6的另一端接地，第七電阻R7的另一端與第八電阻R8的一端相連接；第五電阻R5 的另一端、第二電容C2的另一端、第一運(yùn)算放大器Al的輸出端和第八電阻R8的另一端相 接，并與第二陷波器電路2相連接。第一電阻Rl、第二電阻R2、第五電阻R5、第一電容Cl和第二電容C2構(gòu)成第一陷波 器電路1的基本電路；第三電阻R3、第四電阻R4、第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻R8 構(gòu)成第一陷波器電路1的反饋電路；調(diào)整第五電阻R5的阻值可改變一級(jí)陷波電路1的陷波 頻率點(diǎn)；調(diào)整第七電阻R7的阻值和第八電阻R8的阻值可改變該陷波頻率點(diǎn)處的信號(hào)衰減值。如圖3所示，本實(shí)用新型窄帶二次陷波器中二次陷波器電路2的結(jié)構(gòu)，包括依次串 聯(lián)的第九電阻R9、第十電阻RlO和第三電容C3，還包括串聯(lián)的第十一電阻Rll和第十二電 阻R12，第九電阻R9的另一端和第十一電阻Rll的另一端相接，并與第一陷波器電路1相連 接；第三電容C3的另一端分別與第十三電阻R13的一端、第四電容C4的一端和第二運(yùn)算放 大器A2的正相輸入端相連接；第十二電阻R12的另一端分別與第二運(yùn)算放大器A2的反相 輸入端、第十四電阻R14的一端和第十五電阻R15的一端相連接，第十四電阻R14的另一端 接地，第十五電阻R15的另一端與第十六電阻R16的一端相接；第十三電阻R13的另一端、 第四電容C4的另一端、第二運(yùn)算放大器A2的輸出端和第十六電阻R16的另一端相接。
4[0019]第九電阻R9、第十電阻R10、第十三電阻R13、第三電容C3和第四電容C4構(gòu)成第 二陷波器電路2的基本電路；第十一電阻R11、第十二電阻R12、第十四電阻R14、第十五電 阻R15和第十六電阻R16構(gòu)成第二陷波器電路2的反饋電路；調(diào)整第十三電阻R13的阻值 可改變二級(jí)器電路2的陷波頻率點(diǎn)；調(diào)整第十五電阻R15和第十六電阻R16可改變該陷波 頻率點(diǎn)處的信號(hào)衰減值。第一運(yùn)算放大器Al和第二運(yùn)算放大器A2均采用LF442單運(yùn)算放大器。一級(jí)陷波器電路1和二級(jí)陷波器電路2的基本電路結(jié)構(gòu)雖然相同，但兩個(gè)電路中 所用電阻的阻值完全不同，使得一級(jí)陷波器電路1和二級(jí)陷波器電路2所實(shí)現(xiàn)的功能不同。第一電阻R1、第三電阻R3相連接的一端接輸入信號(hào)IN ；—級(jí)陷波器電路1對(duì)輸入 信號(hào)IN進(jìn)行第一次濾波，然后，第一次濾波后的信號(hào)送入二級(jí)陷波器電路2，二級(jí)陷波器電 路2對(duì)輸入的信號(hào)進(jìn)行第二次濾波，經(jīng)第二運(yùn)算放大器A2的輸出端產(chǎn)生輸出信號(hào)OUT，并將 該輸出信號(hào)OUT最后輸出。本實(shí)用新型陷波器采用多芯片集成電路設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)及可靠性設(shè)計(jì)，利用厚膜混 合集成電路工藝制成；采用由外引腳、殼體和蓋板構(gòu)成的雙列直插全密封金屬結(jié)構(gòu)；外引 腳鍍金、殼體鍍鎳，采用平行縫焊密封，并在殼體內(nèi)充氮?dú)獗Ｗo(hù)。內(nèi)部貼片元件包括裸芯片 和其他片式元件，內(nèi)部裸芯片采用金絲球焊鍵合，瓷片為Al2O3陶瓷基板、導(dǎo)帶和電阻采用 厚膜絲網(wǎng)印刷工藝。能夠?qū)?nèi)部電阻進(jìn)行激光微調(diào)，從而達(dá)到電路體積與性能的完美結(jié)合， 具有體積小、重量輕、精度高、可靠性高及阻帶帶寬小等優(yōu)點(diǎn)。
權(quán)利要求1.新型窄帶二次陷波器，其特征在于，包括串聯(lián)的一級(jí)陷波器電路(1)和二級(jí)陷波器 電路(2)，一級(jí)陷波器電路(1)的結(jié)構(gòu)和二級(jí)陷波器電路(2)的結(jié)構(gòu)相同。
2.按照權(quán)利要求1所述的窄帶二次陷波器，其特征在于，所述的一級(jí)陷波器電路(1)包 括依次串聯(lián)的第一電阻(R1)、第二電阻(R2)和第一電容(Cl)，一級(jí)陷波器電路(1)還包括 串聯(lián)的第三電阻(R3)和第四電阻(R4)，第一電阻(Rl)的另一端與第三電阻(R3)的另一端 相連接，第一電容(Cl)的另一端分別與第五電阻(R5)的一端、第二電容(C2)的一端和第 一運(yùn)算放大器(Al)的正相輸入端相連接，第四電阻(R4)的另一端分別與第一運(yùn)算放大器 (Al)的反相輸入端、第六電阻(R6)的一端和第七電阻(R7)的一端相連接，第六電阻(R6)的 另一端接地，第七電阻(R7)的另一端與第八電阻(R8)的一端相連接；第五電阻(R5)的另一 端、第二電容(C2)的另一端、第一運(yùn)算放大器(Al)的輸出端和第八電阻(R8)的另一端分別 與第二陷波器電路(2)相連接。
3.按照權(quán)利要求2所述的窄帶二次陷波器，其特征在于，所述的第一運(yùn)算放大器(Al) 采用LF442單運(yùn)算放大器。
4.按照權(quán)利要求1所述的窄帶二次陷波器，其特征在于，所述的二級(jí)陷波器電路(2)包 括依次串聯(lián)的第九電阻(R9)、第十電阻(RlO)和第三電容(C3)，二級(jí)陷波器電路(2)還包括 串聯(lián)的第i^一電阻(Rll)和第十二電阻(R12)，第九電阻(R9)的另一端和第i^一電阻(Rll) 的另一端分別與一級(jí)陷波器電路(1)相連接，第三電容(C3)的另一端分別與第十三電阻 (R13)的一端、第四電容(C4)的一端和第二運(yùn)算放大器(A2)的正相輸入端相連接，第十二 電阻(R12)的另一端分別與第二運(yùn)算放大器(A2)的反相輸入端、第十四電阻(R14)的一端 和第十五電阻(R15)的一端相連接，第十四電阻(R14)的另一端接地，第十五電阻(R15)的 另一端與第十六電阻(R16)的一端相接，第十三電阻(R13)的另一端、第四電容(C4)的另一 端、第二運(yùn)算放大器(A2)的輸出端和第十六電阻(R16)的另一端相接。
5.按照權(quán)利要求2所述的窄帶二次陷波器，其特征在于，所述的第二運(yùn)算放大器(A2) 采用LF442單運(yùn)算放大器。
專利摘要新型窄帶二次陷波器，包括串聯(lián)的一級(jí)陷波器電路和二級(jí)陷波器電路，一級(jí)陷波器電路的結(jié)構(gòu)和二級(jí)陷波器電路的結(jié)構(gòu)相同。本實(shí)用新型窄帶二次陷波器體積較小，能應(yīng)用于對(duì)體積有嚴(yán)格要求的環(huán)境中，且重量輕，精度和可靠性，阻帶帶寬小，實(shí)用價(jià)值很高。
文檔編號(hào)H03H7/06GK201854246SQ20102058486
公開日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2010年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月1日
發(fā)明者劉豫, 同軍軍, 鄭江信 申請(qǐng)人:天水華天微電子股份有限公司