一種低功耗短路保護(hù)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
:
[0001]本發(fā)明涉及一種低功耗短路保護(hù)電路，適用于家電控制器的短路保護(hù)及過度放電保護(hù)。屬于開關(guān)電源以及控制器技術(shù)領(lǐng)域。
【背景技術(shù)】
:
[0002]隨著社會發(fā)展，電子產(chǎn)品控制器產(chǎn)品隨處可見，包括空調(diào)控制器、洗衣機(jī)控制器、冰箱控制器等家用室內(nèi)控制器，以及太陽能控制器、風(fēng)管互補(bǔ)控制器等室外控制器，都通過輸出控制信號達(dá)到控制目的，但該控制信號的電流較大，存在功耗較大等問題。由于現(xiàn)有的控制器其輸出端多數(shù)是采用一個(gè)保險(xiǎn)絲作為斷路保護(hù)，存在保護(hù)不及時(shí)、容易燒壞電路等存在安全隱患。有些雖然設(shè)有短路保護(hù)電路，但其電路結(jié)構(gòu)不合理，存在電路結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本尚等缺陷。
[0003]綜合以上所述的問題目前仍未被解決，為此本發(fā)明專利公開了一種低功耗短路保護(hù)電路。

【發(fā)明內(nèi)容】

:
[0004]本發(fā)明目的，是為了解決上述所提出的問題，提供一種低功耗短路保護(hù)電路。該低功耗短路保護(hù)電路具有簡單可靠、低功耗、容易實(shí)現(xiàn)等特點(diǎn)。
[0005]本發(fā)明的目的可通過如下措施實(shí)現(xiàn):
[0006]一種低功耗短路保護(hù)電路，其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于:包括MOS管Q2、運(yùn)算放大器IC1A、可控硅Ql、二極管Dl和電阻R-R4 ；MOS管Q2的漏極連接可控硅Ql陽極及連接電阻R2的一端、電阻Rl的一端，電阻R2的另一端連接可控硅Ql陰極、運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的正輸入端、取樣電阻RA的一端和接地GND，取樣電阻RA的另一端連接二極管Dl的負(fù)極，二極管Dl的正極連接運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的負(fù)輸入端及通過電阻R4連接電源VCC，電阻Rl的另一端連接電源VCC ；MOS管Q2的柵極接地GND，MOS管Q2的源極連接輸出端OUT-GND ;運(yùn)算放大器IClA的輸出端通過電阻R3連接可控硅Ql的門極。
[0007]本發(fā)明的目的還可通過如下措施實(shí)現(xiàn):
[0008]本發(fā)明的一種實(shí)施方式是:運(yùn)算放大器IClA作為比較器使用，將二極管Dl的正極連接比較器的負(fù)輸入端、負(fù)極通過取樣電阻接地，形成反接連接結(jié)構(gòu)，將取樣電阻兩端電壓作為所述比較器的基準(zhǔn)電壓。
[0009]本發(fā)明的一種實(shí)施方式是:MOS管Q2為N型MOS管。
[0010]本發(fā)明的一種實(shí)施方式是:可控硅Ql為單向可控硅。
[0011]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0012]1、本發(fā)明將運(yùn)算放大器IClA作為比較器使用，將二極管Dl的正極連接比較器的負(fù)輸入端、負(fù)極通過取樣電阻接地，形成反接連接結(jié)構(gòu)，將取樣電阻兩端電壓作為運(yùn)算放大器(比較器)的基準(zhǔn)電壓，因此具有響應(yīng)速度快，功耗低并且有自鎖等突出的有益效果。
[0013]2、本發(fā)明由運(yùn)算放大器芯片、可控硅芯片、二極管和幾個(gè)電阻連接而成，利用運(yùn)算放大器的比較器功能以及可控硅的自鎖功能，具有短路保護(hù)及時(shí)、電路功耗低、不需外部電源和電路結(jié)構(gòu)簡單、電路板面積小、成本低、電路可靠性高等有益效果。
【附圖說明】
:
[0014]圖1為發(fā)明一個(gè)具體實(shí)施例的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
:
[0015]具體實(shí)施例1:
[0016]參照圖1，本實(shí)施例包括MOS管Q2、運(yùn)算放大器IC1A、可控硅Q1、二極管Dl和電阻R-R4 ;M0S管Q2的漏極連接可控硅Ql陽極及連接電阻R2的一端、電阻Rl的一端，電阻R2的另一端連接可控硅Ql陰極、運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的正輸入端、取樣電阻RA的一端和接地GND，取樣電阻RA的另一端連接二極管Dl的負(fù)極，二極管Dl的正極連接運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的負(fù)輸入端及通過電阻R4連接電源VCC，電阻Rl的另一端連接電源VCC ；M0S管Q2的柵極接地GND，M0S管Q2的源極連接輸出端OUT-GND ;運(yùn)算放大器IClA的輸出端通過電阻R3連接可控硅Ql的門極。
[0017]本實(shí)施例中:
[0018]運(yùn)算放大器IClA作為比較器使用，將二極管Dl的正極連接比較器的負(fù)輸入端、負(fù)極通過取樣電阻接地，形成反接連接結(jié)構(gòu)。MOS管Q2為N型MOS管?？煽毓鑁l為單向可控娃。
[0019]主控電路由MOS管Q2、運(yùn)算放大器IC1A、可控硅Ql、二極管Dl和電阻R1-R4組成。所述輸出端OUT-GND可以輸出信號到家電控制器的控制信號輸入端。
[0020]可控硅Ql采用常規(guī)技術(shù)的單向可控硅芯，MOS管Q2采和常規(guī)技術(shù)的MOS管，運(yùn)算放大器IClA采用常規(guī)技術(shù)的運(yùn)算放大器芯片。
[0021]本發(fā)明的工作原理I是:
[0022]運(yùn)算放大器IClA作為比較器使用、Dl構(gòu)成反接連接結(jié)構(gòu)，作為運(yùn)算放大器的基準(zhǔn)電壓?？煽毓鑁l動作后具有鎖定功能。
[0023]通過以上原理，能夠解決傳統(tǒng)短路保護(hù)電路復(fù)雜成本高，保護(hù)不及時(shí)，且電路具有可靠性高，電路簡單，電路板面積小，功耗低等特點(diǎn)。
[0024]本發(fā)明的其他【具體實(shí)施方式】是:
[0025]所述電路不僅僅包括相同作用的運(yùn)算放大器，相同作用的MOS管，還包括其他具有相同作用和功能的電子元器件。
[0026]以上所述，僅為本發(fā)明較具體的實(shí)施例，但發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限與此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于:包括MOS管Q2、運(yùn)算放大器IC1A、可控硅Q1、二極管Dl和電阻R-R4 ；M0S管Q2的漏極連接可控硅Ql陽極及連接電阻R2的一端、電阻Rl的一端，電阻R2的另一端連接可控硅Ql陰極、運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的正輸入端、取樣電阻RA的一端和接地GND，取樣電阻RA的另一端連接二極管Dl的負(fù)極，二極管Dl的正極連接運(yùn)算發(fā)達(dá)器IClA的負(fù)輸入端及通過電阻R4連接電源VCC，電阻Rl的另一端連接電源VCC ;MOS管Q2的柵極接地GND，MOS管Q2的源極連接輸出端OUT-GND ;運(yùn)算放大器IClA的輸出端通過電阻R3連接可控硅Ql的門極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于:運(yùn)算放大器IClA作為比較器使用，將二極管Dl的正極連接比較器的負(fù)輸入端、負(fù)極通過取樣電阻接地，形成反接連接結(jié)構(gòu)，將取樣電阻兩端電壓作為所述比較器的基準(zhǔn)電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于:運(yùn)算放大器IClA連接成比較器。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于:M0S管Q2為N型MOS管。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于:可控硅Ql為單向可控硅。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種低功耗短路保護(hù)電路，其特征在于：包括MOS管Q2、運(yùn)算放大器IC1A、可控硅Q1、二極管D1和電阻R-R4；MOS管Q2的漏極連接可控硅Q1陽極及連接電阻R2的一端、電阻R1的一端，電阻R2的另一端連接可控硅Q1陰極、運(yùn)算發(fā)達(dá)器IC1A的正輸入端、取樣電阻RA的一端和接地GND，取樣電阻RA的另一端連接二極管D1的負(fù)極，二極管D1的正極連接運(yùn)算發(fā)達(dá)器IC1A的負(fù)輸入端及通過電阻R4連接電源VCC，MOS管Q2的柵極接地GND，MOS管Q2的源極連接輸出端OUT-GND；運(yùn)算放大器IC1A的輸出端通過電阻R3連接可控硅Q1的門極。本發(fā)明利用運(yùn)算放大器的比較器功能以及可控硅的自鎖功能，以達(dá)到響應(yīng)速度快，功耗低并且有自鎖等特點(diǎn)。
【IPC分類】H02H3-08
【公開號】CN104600660
【申請?zhí)枴緾N201510012560
【發(fā)明人】姚長標(biāo), 黃祖好, 林建和
【申請人】廣東瑞德智能科技股份有限公司
【公開日】2015年5月6日
【申請日】2015年1月9日