專利名稱：一種鋰電池充電保護(hù)芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本申請(qǐng)涉及鋰電池技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種鋰電池充電保護(hù)芯片。
背景技術(shù)：
鋰電池充電前，需要事先測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳輸出的電壓，以確保OUT引腳輸出的電壓在鋰電池的充電電壓范圍內(nèi)，避免鋰電池在充電過程中被損壞。目前，測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳輸出的電壓的電路圖請(qǐng)參閱圖1，其中鋰電池充電保護(hù)芯片11的OUT引腳與PMIC(Power Management IC,電源管理芯片)12 的ISEN引腳相連，電源13通過開關(guān)14連接到OUT引腳和ISEN引腳的連接線上。檢測(cè)電阻15連接在鋰電池充電保護(hù)芯片11的OUT引腳和PMIC12的VBAT引腳之間，鋰電池16的正端連接檢測(cè)電阻15和PMIC12的VBAT引腳的連接點(diǎn)，負(fù)端連接接地端。電容17和穩(wěn)壓管18并聯(lián)連接在鋰電池充電保護(hù)芯片11的OUT引腳和接地端之間，其中穩(wěn)壓管18的陰極連接鋰電池充電保護(hù)芯片11的OUT引腳，陽極連接接地端。圖1所示的測(cè)試電路圖的原理為開關(guān)14閉合，電源13與OUT引腳導(dǎo)通，測(cè)試OUT 引腳輸出的電壓；開關(guān)14斷開，電源13與OUT引腳斷開連接，測(cè)試結(jié)束。但是，當(dāng)電源13 與OUT引腳導(dǎo)通時(shí)，電源13與OUT引腳之間連接的導(dǎo)線上寄生電感的作用，使OUT引腳產(chǎn)生高電壓，此高電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，損壞鋰電池16。連接在OUT引腳和接地端之間的穩(wěn)壓管18避免OUT引腳產(chǎn)生高電壓，從而進(jìn)一步避免對(duì)鋰電池16的損壞。然而，上述測(cè)試電路圖在鋰電池充電保護(hù)芯片11的外部同時(shí)增加電容17和穩(wěn)壓管18，增加了測(cè)試成本。
實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種鋰電池充電保護(hù)芯片，以解決現(xiàn)有測(cè)試電路中同時(shí)增加電容和穩(wěn)壓管，測(cè)試成本高的問題。技術(shù)方案如下本申請(qǐng)實(shí)施例公開一種鋰電池充電保護(hù)芯片，所述鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路，所述鉗位電路用于在檢測(cè)到所述OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管、第二 NPN型三極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 NPN型三極管中未連接發(fā)射極的集電極相連，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；[0013]所述第二 NPN型三極管的集電極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)第一二極管、第二二極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極相互連接，陰極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二二極管的陽極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，陰極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管、第二 PNP型三極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的發(fā)射極相互連接，集電極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 PNP型三極管的發(fā)射極相連，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二 PNP型三極管的發(fā)射極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管、第二 NPN型三極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；[0034]所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 NPN型三極管的集電極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二 NPN型三極管的集電極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)第一二極管、第二二極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極相互連接，陰極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二二極管的陽極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，陰極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管、第二 PNP型三極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管的發(fā)射極相互連接，集電極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 PNP型三極管的發(fā)射極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二 PNP型三極管的發(fā)射極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；[0055]所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。優(yōu)選地，還包括與所述OUT引腳相連，檢測(cè)所述OUT引腳的電壓上升速率和電壓， 在所述電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率且電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，控制所述鉗位電路工作的斜率檢測(cè)電路。優(yōu)選地，所述斜率檢測(cè)電路包括電容、電阻、第一非門、第二非門和基本RS觸發(fā)器；其中所述電容一端連接所述OUT引腳，另一端連接所述電阻的一端，所述電阻的另一端連接接地端；所述第一非門輸入端連接所述電容和所述電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述第二非門的輸入端，所述第二非門的輸出端連接所述基本RS觸發(fā)器的S端。應(yīng)用上述技術(shù)方案，鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路。鉗位電路在檢測(cè)到OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流，將OUT引腳的電荷釋放，以降低OUT引腳輸出的電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過改變鋰電池充電保護(hù)芯片的內(nèi)部電路，使鋰電池充電保護(hù)芯片集成了穩(wěn)壓管的功能，從而在測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT 引腳輸出的電壓時(shí)，無需在OUT引腳處連接穩(wěn)壓管，降低了測(cè)試成本。
為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)中記載的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下， 還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片電壓的電路圖；圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片的一種局部示意圖；圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片中鉗位電路的一種電路圖；圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片中鉗位電路的另一種電路圖；圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片中鉗位電路的再一種電路圖；圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片的另一種局部示意圖；圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片中斜率檢測(cè)電路的電路圖。
具體實(shí)施方式
為使本申請(qǐng)的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對(duì)本申請(qǐng)作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。一個(gè)實(shí)施例請(qǐng)參閱圖2，圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片局部示意圖，其中 鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路21。鉗位電路21用于檢測(cè)OUT引腳輸出的電壓，在檢測(cè)到OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流。OUT引腳的電荷在下拉電流作用下被釋放，使得輸出電壓降低。鉗位電路21可以采用圖2所示的電路圖，包括第一電阻22、第二電阻23、第三電阻對(duì)、第四電阻25、第五電阻沈、兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管27、第二 NPN型
8三極管觀、運(yùn)算放大器四和N溝道增強(qiáng)型MOS管30 ；其中第一電阻22和第二電阻23串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間。兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管27的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端。二極管連接狀態(tài)是指三極管的集電極和基極連接在一起。第三電阻M—端連接兩個(gè)第一 NPN型三極管27的集電極，另一端連接第一電阻 22和第二電阻23的連接點(diǎn)。第四電阻25和第五電阻沈串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間。第二 NPN型三極管觀的集電極連接第四電阻25和第五電阻沈的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端。運(yùn)算放大器四的正相輸入端連接第一電阻22和第二電阻23的連接點(diǎn)，反相輸入端連接第四電阻25和第五電阻沈的連接點(diǎn)，輸出端連接N溝道增強(qiáng)型MOS管30的柵極。 N溝道增強(qiáng)型MOS管30的漏極連接OUT引腳，源極連接接地端。上述第一電阻22和第四電阻25具有相同阻值。第二電阻23和第五電阻沈具有相同阻值。從圖2所示的鉗位電路21可以看出，當(dāng)運(yùn)算放大器四的正相輸入端和反相輸入端輸入相同電壓時(shí)，鉗位電路21產(chǎn)生的固定電壓等于OUT引腳輸出的電壓，將其作為預(yù)設(shè)保護(hù)電壓。當(dāng)OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，運(yùn)算放大器四的正相輸入端電壓大于反相輸入端電壓，運(yùn)算放大器四輸出高電位，N溝道增強(qiáng)型MOS管30導(dǎo)通，產(chǎn)生下拉電流，OUT弓丨腳的電荷通過N溝道增強(qiáng)型MOS管30釋放，從而降低OUT引腳輸出的電壓。 反之，當(dāng)OUT引腳輸出的電壓小于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，運(yùn)算放大器四的正相輸入端電壓小于反相輸入端電壓，運(yùn)算放大器四輸出低電位，N溝道增強(qiáng)型MOS管30截止，不影響OUT引腳輸出的電壓。上述第一 NPN型三極管27的個(gè)數(shù)大于1個(gè)，第二 NPN型三極管28的個(gè)數(shù)為1個(gè)， 之所以設(shè)定第一 NPN型三極管27的個(gè)數(shù)大于1個(gè)，第二 NPN型三極管28的個(gè)數(shù)為1個(gè)，是為了保證在OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，運(yùn)算放大器四的正相輸入端電壓大于反相輸入端電壓，輸出高電位，N溝道增強(qiáng)型MOS管30導(dǎo)通，產(chǎn)生下拉電流，以降低OUT引腳輸出的電壓。在OUT引腳輸出的電壓小于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，運(yùn)算放大器四的正相輸入端電壓小于反相輸入端電壓，運(yùn)算放大器四輸出低電位，N溝道增強(qiáng)型MOS管30截止，不影響OUT引腳輸出的電壓。第一 NPN型三極管27還可以為二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管，當(dāng)?shù)谝?NPN型三極管27為二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管，與圖2的不同之處在于兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管的集電極連接接地端，發(fā)射極相互連接，且連接第三電阻24。第二 NPN型三極管28還可以為PNP型三極管，PNP型三極管的發(fā)射極連接第四電阻25和第五電阻沈的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端。第一 NPN型三極管27還可以采用至少兩個(gè)并聯(lián)的二極管31代替，即兩個(gè)二極管 31的陽極相互連接，陰極連接接地端，且相互連接的陽極連接第三電阻對(duì)。二極管32陽極連接第四電阻25和第五電阻沈的連接點(diǎn)，陰極連接接地端，如圖3所示。圖3所示的鉗位電路中其他元器件的連接與圖2所述的鉗位電路中具有相同標(biāo)號(hào)的元器件的連接相同，并且圖3所示的鉗位電路的工作原理與圖2所述的鉗位電路也相同，對(duì)此不再加以闡述。相應(yīng)地，本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片中鉗位電路的電路圖還可以參閱圖4和圖5。以圖4為例，包括第一電阻41、第二電阻42、第三電阻43、第四電阻44、第五電阻45、兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管46、第二 NPN型三極管47、運(yùn)算放大器 48和P溝道增強(qiáng)型MOS管40 ；其中第一電阻41和第二電阻42串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間。兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管46的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端。第三電阻43 —端連接兩個(gè)第一 NPN型三極管46的集電極相連，另一端連接第一電阻41和第二電阻42的連接點(diǎn)。第四電阻44和第五電阻45串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間。第二 NPN型三極管47的集電極連接第四電阻44和第五電阻45的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端。運(yùn)算放大器48的反相輸入端連接第一電阻41和第二電阻42的連接點(diǎn)，正相輸入端連接第四電阻44和第五電阻45的連接點(diǎn)，輸出端連接P溝道增強(qiáng)型MOS管49的柵極。P溝道增強(qiáng)型MOS管49的漏極連接OUT引腳，源極連接接地端。上述圖4所示的鉗位電路同樣可以在OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)， 運(yùn)算放大器48的正相輸入端電壓小于反相輸入端電壓，運(yùn)算放大器48輸出高電位，P溝道增強(qiáng)型MOS管49導(dǎo)通，產(chǎn)生下拉電流，OUT引腳的電荷通過P溝道增強(qiáng)型MOS管49釋放， 從而降低OUT引腳輸出的電壓。反之，當(dāng)OUT引腳輸出的電壓小于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，運(yùn)算放大器48的正相輸入端電壓大于反相輸入端電壓，運(yùn)算放大器48輸出低電位，P溝道增強(qiáng)型 MOS管49截止，不影響OUT引腳輸出的電壓。第一 NPN型三極管46的個(gè)數(shù)還可以為3個(gè)或者4個(gè)，即大于1的數(shù)目。第一 NPN 型三極管46還可以為二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管，當(dāng)?shù)谝?NPN型三極管46為二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管，與圖4的不同之處在于兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的PNP型三極管的集電極連接接地端，發(fā)射極相互連接，且連接第三電阻43。第二 NPN型三極管47還可以為 PNP型三極管，PNP型三極管的發(fā)射極連接第四電阻44和第五電阻45的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端。圖5所示的鉗位電路與圖4所示的鉗位電路工作原理相同，不同之處在于圖5中采用至少兩個(gè)二極管50代替第一 NPN型三極管46，一個(gè)二極管51代替第二 NPN型三極管 47，兩個(gè)二極管50的陽極相互連接，陰極連接接地端，且相互連接的陽極連接第三電阻43。 二極管51陽極連接第四電阻44和第五電阻45的連接點(diǎn)，陰極連接接地端。需要說明的是本申請(qǐng)實(shí)施例公開的鋰電池充電保護(hù)芯片的內(nèi)部電路雖然被改變，但是鋰電池充電保護(hù)芯片的價(jià)格并沒有變化。應(yīng)用上述技術(shù)方案，鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路21。鉗位電路21在檢測(cè)到OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流，將OUT引腳的電荷釋放，以降低OUT引腳輸出的電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過改變鋰電池充電保護(hù)芯片的內(nèi)部電路，使鋰電池充電保護(hù)芯片集成了穩(wěn)壓管的功能，從而在測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳輸出的電壓時(shí)，無需在OUT引腳處連接穩(wěn)壓管，降低了測(cè)試成本。另一個(gè)實(shí)施例上述實(shí)施例中鉗位電路21在檢測(cè)到OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，即7 產(chǎn)生下拉電流，以降低OUT引腳輸出的電壓。但是實(shí)際上OUT引腳輸出的電壓在電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率且電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，才需要降低OUT引腳輸出的電壓，因此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了另一種鋰電池充電保護(hù)芯片，在圖2的基礎(chǔ)上，增加斜率檢測(cè)電路20，如圖6所示。斜率檢測(cè)電路20與OUT引腳相連，檢測(cè)OUT引腳的電壓上升速率和電壓，在電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率且電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，控制鉗位電路21工作。上述斜率檢測(cè)電路20的電路圖可以參閱圖7，包括電容52、電阻53、第一非門 M、第二非門陽和基本RS觸發(fā)器56 ；其中電容52 —端連接OUT引腳，另一端連接電阻53的一端，電阻53的另一端連接接地端。第一非門M輸入端連接電容52和電阻53的連接點(diǎn)，輸出端連接第二非門55的輸入端，第二非門陽的輸出端連接基本RS觸發(fā)器56的S端。電容52和電阻53的連接端的電壓隨著OUT引腳輸出的電壓變化。當(dāng)OUT引腳輸出的電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率時(shí)，電容52和電阻53的連接端的電壓大于第一非門M的反轉(zhuǎn)電壓，第一非門M的邏輯輸出會(huì)從高變?yōu)榈停笥傻诙情T陽做邏輯變化，最后通過基本RS觸發(fā)器56產(chǎn)生有效的使能信號(hào)，鉗位電路21在有效的使能信號(hào)作用下工作。當(dāng) OUT引腳輸出的電壓上升速率小于預(yù)設(shè)速率時(shí)，電容52和電阻53的連接端的電壓小于第一非門M的反轉(zhuǎn)電壓，基本RS觸發(fā)器56產(chǎn)生無效的使能信號(hào)，鉗位電路21不工作。本申請(qǐng)實(shí)施例的預(yù)設(shè)速率由電容52和電阻53的取值而定，對(duì)于不同的鋰電池，可以選用不同的電容52和電阻53。鉗位電路21的具體電路圖可以參閱圖2至圖5中的任意一種，每個(gè)鉗位電路21中的運(yùn)算放大器改為具有使能信號(hào)的運(yùn)算放大器。運(yùn)算放大器的使能信號(hào)端連接斜率檢測(cè)電路20的輸出。應(yīng)用上述技術(shù)方案，斜率檢測(cè)電流20在檢測(cè)OUT引腳的電壓上升速率和電壓，在電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率且電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，控制鉗位電路21工作，提高保護(hù)準(zhǔn)確度。需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備
所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)......”限定的要素，并不排
除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。以上所述僅是本申請(qǐng)的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本申請(qǐng)?jiān)淼那疤嵯?，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本申請(qǐng)的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路，所述鉗位電路用于在檢測(cè)到所述OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管、第二 NPN型三極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 NPN型三極管的集電極相連，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述第二 NPN型三極管的集電極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)第一二極管、第二二極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型 MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極相互連接，陰極連接接地端； 所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二二極管的陽極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，陰極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管、第二 PNP型三極管、運(yùn)算放大器和N溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的發(fā)射極相互連接，集電極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 PNP型三極管的發(fā)射極相連，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述第二 PNP型三極管的發(fā)射極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的正相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，反相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述N溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管、第二 NPN型三極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 NPN型三極管的集電極相互連接，發(fā)射極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 NPN型三極管的集電極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述第二 NPN型三極管的集電極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，發(fā)射極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)第一二極管、第二二極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型 MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間； 所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極相互連接，陰極連接接地端； 所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一二極管的陽極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二二極管的陽極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，陰極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述鉗位電路包括第一電阻、第二電阻、第三電阻、與所述第一電阻具有相同阻值的第四電阻、與所述第二電阻具有相同阻值的第五電阻、至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管、第二 PNP型三極管、運(yùn)算放大器和P溝道增強(qiáng)型MOS管；其中所述第一電阻和所述第二電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述至少兩個(gè)二極管連接狀態(tài)的第一 PNP型三極管的發(fā)射極相互連接，集電極連接接地端；所述第三電阻一端連接所述至少兩個(gè)第一 PNP型三極管的發(fā)射極，另一端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)；所述第四電阻和所述第五電阻串聯(lián)連接在OUT引腳和接地端之間；所述第二 PNP型三極管的發(fā)射極連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，基極連接集電極，集電極連接接地端；所述運(yùn)算放大器的反相輸入端連接所述第一電阻和所述第二電阻的連接點(diǎn)，正相輸入端連接所述第四電阻和所述第五電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的柵極；所述P溝道增強(qiáng)型MOS管的漏極連接所述OUT引腳，源極連接接地端。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，還包括與所述OUT引腳相連，檢測(cè)所述OUT引腳的電壓上升速率和電壓，在所述電壓上升速率大于預(yù)設(shè)速率且電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，控制所述鉗位電路工作的斜率檢測(cè)電路。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的鋰電池充電保護(hù)芯片，其特征在于，所述斜率檢測(cè)電路包括 電容、電阻、第一非門、第二非門和基本RS觸發(fā)器；其中所述電容一端連接所述OUT引腳，另一端連接所述電阻的一端，所述電阻的另一端連接接地端；所述第一非門輸入端連接所述電容和所述電阻的連接點(diǎn)，輸出端連接所述第二非門的輸入端，所述第二非門的輸出端連接所述基本RS觸發(fā)器的S端。
專利摘要本申請(qǐng)公開了一種鋰電池充電保護(hù)芯片，所述鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳處連接有鉗位電路，所述鉗位電路用于在檢測(cè)到所述OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流。應(yīng)用上述技術(shù)方案，鉗位電路在檢測(cè)到OUT引腳輸出的電壓大于預(yù)設(shè)保護(hù)電壓時(shí)，產(chǎn)生下拉電流，將OUT引腳的電荷釋放，以降低OUT引腳輸出的電壓。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過改變鋰電池充電保護(hù)芯片的內(nèi)部電路，使鋰電池充電保護(hù)芯片集成了穩(wěn)壓管的功能，從而在測(cè)試鋰電池充電保護(hù)芯片的OUT引腳輸出的電壓時(shí)，無需在OUT引腳處連接穩(wěn)壓管，降低了測(cè)試成本。
文檔編號(hào)H02H9/04GK202197099SQ20112034408
公開日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者楊興洲 申請(qǐng)人:開源集成電路(蘇州)有限公司