專利名稱：：一種基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法及實現(xiàn)電路的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明公開一種鋰電池防過充實現(xiàn)方法及實現(xiàn)電路，尤其是一種基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法及實現(xiàn)電路。
背景技術：
：隨著消費類電子產品在人們的日常生活中的應用越來越廣泛，由此而帶來的一個問題就是電子產品的供電問題。目前，手機、MP3、MP4和移動DVD等電子產品都是采用鋰離子電池進行供電，鋰離子電池俗稱為鋰電池。鋰離子電池時一種可再生電池，當電量用盡后只要對其進行充電，就又可以進行使用，現(xiàn)有技術中的鋰電池在進行充電時，通常需要對其進行防過充保護，目前常用的一種防過充保護是在外部增設有保護控制電路，請參看附圖1，附圖1中為現(xiàn)有技術中常見的防過充保護電路，當電池充滿電時，CRBT接口輸入高電平，使三極管Q2導通，三極管Q2將MOS管U3的控制端接地，MOS管U3斷開，從而使充電電路的負極回路斷開，充電電路停止給鋰電池供電，從而達到防止過充的目的。但是，MOS管的價格比較貴，無形增加了充電電路的成本，且可靠性差，另一方面，由于在充電電路的負極回路中串接有一個MOS管，會在充電時等效于增加了電池的內阻。
發(fā)明內容針對上述提到的現(xiàn)有技術中的鋰電池充電電路中的防過充保護電路在成本高，可靠性差，且會增加電池內阻的問題，本發(fā)明提供一種防過充保護電路的實現(xiàn)方法及實現(xiàn)電路，其利用三極管的開關特性，在保護芯片的VM端連接有三極管，三極管受CRBT信號控制，常態(tài)時，保護芯片的VM端接地，當電池充滿電時，保護芯片的VM端接正電源，保護芯片的DO端輸出低電平使MOS管關斷，停止對電池的充電。本發(fā)明解決其技術問題采用的技術方案是一種基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法，保護芯片的正電源端連接在電源正極上，保護芯片的負電源端連接在電源負極上，鋰電池的正極與電源正極連接，鋰電池的負極與電源負極連接，電源負極和鋰電池負極之間連接有MOS管，保護芯片的DO端控制MOS管的通斷，保護芯片的VM端上連接有開關電路，開關電路觸發(fā)端連接在電壓檢測電路上，保護芯片的VM端常態(tài)時為高電平，使保護芯片的DO端控制MOS管常態(tài)時導通，保護芯片的VM端觸發(fā)態(tài)時為低電平，使保護芯片的DO端控制MOS管觸發(fā)態(tài)時關斷。一種實現(xiàn)上述方法的電路，鋰電池的正極與電源正極連接，鋰電池的負極與電源負極連接，保護芯片的正電源端連接在電源正極上，保護芯片的負電源端連接在電源負極上，電源負極和鋰電池負極之間連接有MOS管，MOS管的控制端連接在保護芯片的DO端，三極管Ql和電阻R9串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql和電阻R9的公共端連接在保護芯片的VM端上，三極管Q2和電阻R4串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql的基極連接在三極管Q2和電阻R4的公共端上，三極管Q2的基極與電壓檢測電路連接。本發(fā)明解決其技術問題采用的技術方案進一步還包括所述的開關電路為在電源正極與電源負極之間串聯(lián)連接有三極管Ql和電阻R9，三極管Ql和電阻R9的公共端連接在保護芯片的VM端上，三極管Q2和電阻R4串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql的基極連接在三極管Q2和電阻R4的公共端上，三極管Q2的基極與電壓檢測電路連接。所述的三極管Q2和電阻R4之間串聯(lián)連接有電阻R5，電阻R5阻值小于或等于電阻R4十分之一，三極管Ql的基極連接在Q2和電阻R5的公共端上。所述的三極管Q2與電壓檢測電路之間連接限流電阻R6。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明大大簡化了電路結構，利用廉價的三極管取代了昂貴的MOS管，使產品成本降低，在提高了產品可靠性的同時，還減小了電池的內阻。下面將結合附圖和具體實施方式對本發(fā)明做進一步說明。圖1為現(xiàn)有技術電路原理圖。圖2為本發(fā)明電路原理圖。具體實施例方式本實施例為本發(fā)明優(yōu)選實施方式，其他凡其原理和基本結構與本實施例相同或近似的，均在本發(fā)明保護范圍之內。請參看附圖2，本發(fā)明主要包括一個鋰電池保護芯片U1，保護芯片Ul的VCC端接電源正極，保護芯片Ul的VSS端接電源負極，鋰電池連接在電源正極和電源負極之間，本實施例中給出的電路為給多個鋰電池充電的保護電路，多個鋰電池串聯(lián)連接，串聯(lián)的鋰電池正極與電源正極連接，負極與電源負極連接，串聯(lián)的鋰電池中間電極與保護芯片Ul的VC端連接，保護芯片Ul的SENS端通過電阻R3與電源正極連接，保護芯片Ul的DO端通過限流電阻R7與MOS管U2的控制端連接，MOS管U2連接在電路的負極回路上，即連接在鋰電池負極與電源負極之間，保護芯片Ul的VM端上連接有開關電路，本實施例中，保護芯片Ul采用日本精工生產的保護IC，具體型號為S-8232，其引腳功能如下引腳號符號描述SENSVC-SENS間的電壓檢測端子(過充電、過放電檢測端子)放電控制用FET門極連接端子2DO(CMOS輸出)充電控制用FET門極連接端子3CO(CMOS輸出)<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>具體實施時，也可采用通功能的其他保護芯片替換。本實施例中的開關電路包括三極管Q1、三極管Q2和外圍電阻，本實施例中，三極管Ql采用PNP型三極管，三極管Ql的發(fā)射極連接在電源正極上，三極管Ql的集電極上連接有電阻R9，電阻R9另一端與電源負極連接，三極管Ql的集電極與保護芯片Ul的VM端連接，三極管Ql的基極通過電阻R4與電源正極連接，同時，三極管Ql的基極通過電阻R5與三極管Q2的集電極連接，本實施例中，三極管Q2采用NPN型三極管，三極管Q2的發(fā)射極與電源負極連接，三極管Q2的基極通過電阻R6與CRBT接口連接。本實施例中，電阻R5阻值小于或等于電阻R4十分之一。常態(tài)時，即鋰電池進行充電時，CRBT接口為低電平，三極管Q2關斷，三極管Ql的基極為高電平，三極管Ql導通，將保護芯片Ul的VM端與電源正極短接，保護芯片Ul的VM端為高電平，使得保護芯片Ul的DO端輸出高電平導通MOS管U2，電路回路導通，鋰電池進行正常充電；當鋰電池充滿電后，即進入觸發(fā)狀態(tài)，CRBT接口為高電平，三極管Q2導通，三極管Ql的基極被下拉為低電平，三極管Ql關斷，將保護芯片Ul的VM端下拉為低電平，保護芯片Ul的VM端為低電平，使得保護芯片Ul的DO端輸出低電平使MOS管U2關斷，從而使電源負極回路斷開，鋰電池停止充電，從而達到對鋰電池的防過充保護。本實施例中，MOS管采用型號為UPA1870的N溝道MOS管，具體實施時，也可用其他型號的MOS管替換。本發(fā)明采用廉價的三極管取代昂貴的MOS管，來實現(xiàn)放置鋰電池過充的目的，不但降低了產品成本，而且提高可產品的可靠性，同時，還減少了電池的內阻。權利要求一種基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法，保護芯片的正電源端連接在電源正極上，保護芯片的負電源端連接在電源負極上，鋰電池的正極與電源正極連接，鋰電池的負極與電源負極連接，其特征是所述的電源負極和鋰電池負極之間連接有MOS管，保護芯片的DO端控制MOS管的通斷，保護芯片的VM端上連接有開關電路，開關電路觸發(fā)端連接在電壓檢測電路上，保護芯片的VM端常態(tài)時為高電平，使保護芯片的DO端控制MOS管常態(tài)時導通，保護芯片的VM端觸發(fā)態(tài)時為低電平，使保護芯片的DO端控制MOS管觸發(fā)態(tài)時關斷。2.根據(jù)權利要求1所述的基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法，其特征是所述的開關電路為在電源正極與電源負極之間串聯(lián)連接有三極管Ql和電阻R9，三極管Ql和電阻R9的公共端連接在保護芯片的VM端上，三極管Q2和電阻R4串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql的基極連接在三極管Q2和電阻R4的公共端上，三極管Q2的基極與電壓檢測電路連接。3.一種實現(xiàn)如權利要求1所述方法的電路，鋰電池的正極與電源正極連接，鋰電池的負極與電源負極連接，保護芯片的正電源端連接在電源正極上，保護芯片的負電源端連接在電源負極上，其特征是所述的電源負極和鋰電池負極之間連接有MOS管，MOS管的控制端連接在保護芯片的DO端，三極管Ql和電阻R9串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql和電阻R9的公共端連接在保護芯片的VM端上，三極管Q2和電阻R4串聯(lián)連接在電源正極與電源負極之間，三極管Ql的基極連接在三極管Q2和電阻R4的公共端上，三極管Q2的基極與電壓檢測電路連接。4.根據(jù)權利要求3所述的電路，其特征是所述的三極管Q2和電阻R4之間串聯(lián)連接有電阻R5，電阻R5阻值小于或等于電阻R4十分之一，三極管Ql的基極連接在Q2和電阻R5的公共端上。5.根據(jù)權利要求3或4所述的電路，其特征是所述的三極管Q2與電壓檢測電路之間連接限流電阻R6。全文摘要本發(fā)明公開一種基于保護芯片的鋰電池防過充的實現(xiàn)方法及實現(xiàn)電路，保護芯片的正電源端連接在電源正極上，保護芯片的負電源端連接在電源負極上，鋰電池的正極與電源正極連接，鋰電池的負極與電源負極連接，電源負極和鋰電池負極之間連接有MOS管，保護芯片的DO端控制MOS管的通斷，保護芯片的VM端上連接有開關電路，開關電路觸發(fā)端連接在電壓檢測電路上，保護芯片的VM端常態(tài)時為高電平，使保護芯片的DO端控制MOS管常態(tài)時導通，保護芯片的VM端觸發(fā)態(tài)時為低電平，使保護芯片的DO端控制MOS管觸發(fā)態(tài)時關斷。本發(fā)明大大簡化了電路結構，降低了產品成本，在提高了產品可靠性的同時，還減小了電池的內阻。文檔編號H02J7/00GK101800433SQ200910208319公開日2010年8月11日申請日期2009年10月23日優(yōu)先權日2009年10月23日發(fā)明者賀乃瑞申請人:欣旺達電子股份有限公司