專利名稱：靜電放電保護元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種保護元件，特別是涉及一種靜電放電保護元件。
背景技術(shù)：
靜電放電(electrostatic discharge, ESD)往往是造成集成電路發(fā)生靜電過度應(yīng)力(electrostatic overstress)或是永久性損毀的主要原因，因此常見的作法是在核心電路(core circuit)與焊墊(pad)之間加入靜電放電保護元件，以防止靜電放電的損害。在諸多靜電放電保護元件中，二極管觸發(fā)娃控整流器(diode-triggered siliconcontrolled rectifier, DTSCR)因具有較低的觸發(fā)電壓以及快速導通的特性，而廣泛地應(yīng)用在各類型的集成電路中。圖1是現(xiàn)有習知的二極管觸發(fā)硅控整流器的剖面圖。請參閱圖1所示，二極管觸發(fā)硅控整流器100包括P型基底110以及配置在P型基底110內(nèi)的P型井區(qū)120與N型井區(qū)131 134。此外，P+型摻雜區(qū)141 145與N+型摻雜區(qū)151 155交替地配置在P型井區(qū)120與N型井區(qū)131 134內(nèi)。在電性連接上，由P+型摻雜區(qū)142 145與N型井區(qū)131 134所構(gòu)成的多個二極管相互串接在焊墊101與接地配線GNDl之間。再者，P型井區(qū)120內(nèi)的P+型摻雜區(qū)141與N+型摻雜區(qū)151，以及P型基底110內(nèi)的P+型摻雜區(qū)146，皆電性連接至接地配線GNDl。藉此，硅控整流器100的布局結(jié)構(gòu)將可等效成如圖2所示的電路圖。如圖2所示，二極管觸發(fā)硅控整流器100包括由PNP晶體管MP21與NPN晶體管麗2組合而成的硅控整流電路、連接成達靈頓組態(tài)(Darlington configuration)的PNP晶體管MP22 MP24以及電阻R2。在操作上，ESD事件可分類成多種模式，例如:PS模式與NS模式。其中，PS模式是在焊墊101輸入一正脈沖信號且接地配線GNDl接地，而NS模式則是在焊墊101輸入一負脈沖信號且接地配線GNDl接地。當來自焊墊101的靜電信號為正脈沖信號時，亦即PS模式的ESD事件發(fā)生時，PNP晶體管MP22 MP24將貢獻微小的電流，以觸發(fā)由PNP晶體管MP21與NPN晶體管麗2組合而成的硅控整流電路。藉此，來自焊墊101的正脈沖信號將可通過硅控整流電路導引至接地配線GNDI。然而，當來自焊墊101的靜電信號為負脈沖信號時，亦即NS模式的ESD事件發(fā)生時，二極管觸發(fā)硅控整流器100將無法提供放電路徑。換言之，二極管觸發(fā)硅控整流器100并不具有NS模式的靜電放電保護功能，因此集成電路必需額外設(shè)置反向的二極管D2。此夕卜，當核心電路102正常操作時，由N型井區(qū)131 134與P+型摻雜區(qū)142 145所形成的二極管串將偏壓在順向偏壓下。此時，二極管觸發(fā)硅控整流器100中等效的PNP晶體管MP22 MP24將產(chǎn)生縱向的漏電路徑，進而導致二極管觸發(fā)硅控整流器100產(chǎn)生龐大的漏電流。換言之，二極管觸發(fā)硅控整流器100將無法滿足高速傳輸元件所需的低漏電流的條件，進而無法應(yīng)用在高速傳輸元件上。此外，二極管觸發(fā)硅控整流器100并不具有NS模式的靜電放電保護功能。
由此可見，上述現(xiàn)有的二極管觸發(fā)硅控整流器在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進一步改進。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的靜電放電保護元件，實屬當前重要研發(fā)課題之一，亦成為當前業(yè)界極需改進的目標。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的在于，克服現(xiàn)有的二極管觸發(fā)硅控整流器存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的靜電放電保護元件，所要解決的技術(shù)問題是使其利用N型深井區(qū)中的P型井區(qū)與N+型摻雜區(qū)來形成二極管串，以阻隔縱向漏電路徑的產(chǎn)生，藉此將可應(yīng)用在高速傳輸元件上，非常適于實用。本發(fā)明的另一目的在于，克服現(xiàn)有的二極管觸發(fā)硅控整流器存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的靜電放電保護元件，所要解決的技術(shù)問題是使其利用N型深井區(qū)與P型基底來形成反向的二極管，藉此將具有PS模式與NS模式的靜電放電保護功能，從而更加適于實用。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種靜電放電保護元件，具有第一連接端與第二連接端，并包括P型基底、M個第二 P型井區(qū)、多個第一 P+型摻雜區(qū)以及多個第一 N+型摻雜區(qū)，M為大于I的整數(shù)。P型基底具有第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及N型深井區(qū)。其中，N型深井區(qū)電性連接第一連接端，P型基底電性連接第二連接端。所述M個第二 P型井區(qū)配置于N型深井區(qū)內(nèi)。這些第一 P+型摻雜區(qū)分別配置在第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及這些第二 P型井區(qū)內(nèi)。這些第一 N+型摻雜區(qū)分別配置在第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及這些第二 P型井區(qū)內(nèi)，且這些第一 N+型摻雜區(qū)與這些第一 P+型摻雜區(qū)交替配置。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的靜電放電保護元件，其中位于第一P型井區(qū)內(nèi)的第一P+型摻雜區(qū)與第一N+型摻雜區(qū)電性連接至第二連接端。位于N型井區(qū)內(nèi)的第一 P+型摻雜區(qū)與第一 N+型摻雜區(qū)分別電性連接至第一連接端與第一個第二 P型井區(qū)內(nèi)的第一 P+型摻雜區(qū)。第i個第二 P型井區(qū)內(nèi)的第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至第i+Ι個第二 P型井區(qū)內(nèi)的第一 P+型摻雜區(qū)，且第M個第二 P型井區(qū)內(nèi)的第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至第二連接端，i為整數(shù)且(M-1)。前述的靜電放電保護元件，其中所述的N型井區(qū)位于第一 P型井區(qū)與N型深井區(qū)之間，且N型井區(qū)與第一 P型井區(qū)相接觸，N型井區(qū)與N型深井區(qū)互不接觸。前述的靜電放電保護元件，其中所述的M個第二 P型井區(qū)互不接觸。前述的靜電放電保護元件，還包括第二 N+型摻雜區(qū)。其中，第二 N+型摻雜區(qū)配置在N型深井區(qū)內(nèi)，并相鄰于第M個第二 P型井區(qū)，且N型深井區(qū)通過第二 N+型摻雜區(qū)電性連接第一連接端。前述的靜電放電保護元件，還包括第二 P+型摻雜區(qū)。其中，第二 P+型摻雜區(qū)配置于P型基底內(nèi)，并相鄰于N型深井區(qū)，且P型基底通過第二 P+型摻雜區(qū)電性連接第二連接端。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種靜電放電保護元件，具有第一連接端與第二連接端，并包括P型基底、一第二 P型井區(qū)、多個第一 P+型摻雜區(qū)以及多個第一 N+型摻雜區(qū)。P型基底具有第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及N型深井區(qū)，其中N型深井區(qū)電性連接第一連接端，P型基底電性連接第二連接端。第二P型井區(qū)配置于N型深井區(qū)內(nèi)。這個第一 P+型摻雜區(qū)分別配置在第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及第二 P型井區(qū)內(nèi)。這些第一 N+型摻雜區(qū)分別配置在第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及第二P型井區(qū)內(nèi)，且這些第一 N+型摻雜區(qū)與這些第一 P+型摻雜區(qū)交替配置。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進一步實現(xiàn)。前述的靜電放電保護元件，其中位于第一P型井區(qū)內(nèi)的第一P+型摻雜區(qū)與第一N+型摻雜區(qū)電性連接至第二連接端。位于N型井區(qū)內(nèi)的第一 P+型摻雜區(qū)與第一 N+型摻雜區(qū)分別電性連接至第一連接端與第二 P型井區(qū)中的第一 P+型摻雜區(qū)。位于第二 P型井區(qū)內(nèi)的第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至第二連接端。前述的靜電放電保護元件，其中所述的N型井區(qū)位于該第一 P型井區(qū)與該N型深井區(qū)之間，且該N型井區(qū)與該第一 P型井區(qū)相接觸，該N型井區(qū)與該N型深井區(qū)互不接觸。前述的靜電放電保護元件，還包括:一第二 N+型摻雜區(qū)，配置在該N型深井區(qū)內(nèi)，并相鄰于該第二 P型井區(qū)，其中該N型深井區(qū)通過該第二 N+型摻雜區(qū)電性連接該第一連接端。前述的靜電放電保護元件，還包括:一第二 P+型摻雜區(qū)，配置于該P型基底內(nèi)，并相鄰于該N型深井區(qū)，其中該P型基底通過該第二 P+型摻雜區(qū)電性連接該第二連接端。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明靜電放電保護元件至少具有下列優(yōu)點及有益效果:本發(fā)明是將N型深井區(qū)設(shè)置在P型基底內(nèi)，并在N型深井區(qū)設(shè)置由P型井區(qū)與N+型摻雜區(qū)所構(gòu)成的二極管串。此外，N型深井區(qū)電性連接至第一連接端連，且P型基底電性連接至第二連接端。藉此，當靜電放電事件發(fā)生時，靜電放電保護元件將可利用N型深井區(qū)內(nèi)的二極管串來觸發(fā)其內(nèi)部的硅控整流電路，或是導通其內(nèi)部的反向二極管。此外，當核心電路正常操作時，N型深井區(qū)將藉由元件的第一連接端連接至焊墊，進而偏壓在反向電壓下。藉此，本發(fā)明的靜電放電保護元件將同時具有PS模式與NS模式的靜電放電保護功能，并可應(yīng)用在高速傳輸元件上。綜上所述，本發(fā)明是有關(guān)于一種靜電放電保護元件，其包括具有第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)與N型深井區(qū)的P型基底、多個第二 P型井區(qū)、多個第一 P+型摻雜區(qū)以及多個第一N+型摻雜區(qū)。這些第二 P型井區(qū)配置于N型深井區(qū)內(nèi)。這些第一 P+型摻雜區(qū)與這些第一P+型摻雜區(qū)交替配置在第一 P型井區(qū)、N型井區(qū)以及這些第二 P型井區(qū)內(nèi)。N型井區(qū)內(nèi)的第一 P+型摻雜區(qū)與N型深井區(qū)電性連接元件的第一連接端。第一 P型井區(qū)內(nèi)的摻雜區(qū)與P型基底電性連接元件的第二連接端。這些第二 P型井區(qū)與其內(nèi)部的這些第一 N+型摻雜區(qū)形成串接在N型井區(qū)內(nèi)的第一 N+型摻雜區(qū)與第二連接端之間的二極管串。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進步，并具有明顯的積極效果，誠為一新穎、進步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細說明如下。


圖1是現(xiàn)有習知的二極管觸發(fā)硅控整流器的剖面圖。圖2是現(xiàn)有習知的二極管觸發(fā)硅控整流器的等效電路圖。圖3是本發(fā)明的一實施例的靜電放電保護元件的剖面圖。圖4是用以說明圖3的靜電放電保護元件的等效電路圖。100: 二極管觸發(fā)硅控整流器110、310:P 型基底120、320、351 352:P 型井區(qū)131 134、330:N 型井區(qū)141 146、361 366:P+ 型摻雜區(qū)151 155,371 376:N+ 型摻雜區(qū)GND1、GND3:接地配線10U301:焊墊102、302:核心電路MP21 MP24、MP41 MP44:PNP 晶體管MN2、MN4:NPN 晶體管R2、R4:電阻D2、D41 D44:二極管300:靜電放電保護元件TM31:第一連接端TM32:第二連接端340:N型深井區(qū)
具體實施例方式為更進一步闡述本發(fā)明為達成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的靜電放電保護元件其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效，在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細說明中將可清楚呈現(xiàn)。通過具體實施方式
的說明，當可對本發(fā)明為達成預(yù)定目的所采取的技術(shù)手段及功效得一更加深入且具體的了解，然而所附圖式僅是提供參考與說明之用，并非用來對本發(fā)明加以限制。圖3是本發(fā)明的一實施例的靜電放電保護元件的剖面圖，其中靜電放電保護元件300具有第一連接端TM31與第二連接端TM32，且為了說明方便起見同一個第二連接端TM32分別標示在不同處。請參閱圖3所示，靜電放電保護元件300包括P型基底310、P型井區(qū)320、N型井區(qū)330、N型深井區(qū)340、多個P型井區(qū)351 353、多個P+型摻雜區(qū)361 366以及多個N+型摻雜區(qū)371 376。在配置上，P型井區(qū)320、N型井區(qū)330以及N型深井區(qū)340配置于P型基底310內(nèi)。此外，N型井區(qū)330位于P型井區(qū)320與N型深井區(qū)340之間。N型井區(qū)330與P型井區(qū)320相接觸，且N型井區(qū)330與N型深井區(qū)340互不接觸。再者，P型井區(qū)351 353配置于N型深井區(qū)340內(nèi)，且P型井區(qū)351 353互不接觸。
另一方面，P型井區(qū)320、N型井區(qū)330以及配置于N型深井區(qū)340內(nèi)的P型井區(qū)351 353各自包括一個P+型摻雜區(qū)與一個N+型摻雜區(qū)，例如:P型井區(qū)320內(nèi)配置有P+型摻雜區(qū)361與N+型摻雜區(qū)371，N型井區(qū)330內(nèi)配置有P+型摻雜區(qū)362與N+型摻雜區(qū)372。此外，位于P型井區(qū)320、N型井區(qū)330以及P型井區(qū)351 353中的P+型摻雜區(qū)361 365與N+型摻雜區(qū)371 375交替配置。在電性連接上，P型井區(qū)320內(nèi)的P+型摻雜區(qū)361與N+型摻雜區(qū)371電性連接至第二連接端TM32。N型井區(qū)330內(nèi)的P+型摻雜區(qū)362與N+型摻雜區(qū)372分別電性連接至第一連接端TM31與P型井區(qū)351內(nèi)的P+型摻雜區(qū)363。針對P型井區(qū)351 353內(nèi)的摻雜區(qū)來看，N+型摻雜區(qū)373電性連接至P+型摻雜區(qū)364，N+型摻雜區(qū)374電性連接至P+型摻雜區(qū)365，且N+型摻雜區(qū)375電性連接至第二連接端TM32。此外，N+型摻雜區(qū)376配置在N型深井區(qū)340內(nèi)，并相鄰于P型井區(qū)353。再者，N+型摻雜區(qū)376電性連接至第一連接端TM31。換言之，N型深井區(qū)340將可通過N+型摻雜區(qū)376電性連接至第一連接端TM31。另一方面，P+型摻雜區(qū)366配置于P型基底310內(nèi)，并相鄰于N型深井區(qū)340。此外，P+型摻雜區(qū)366電性連接至第二連接端TM32。換言之，P型基底310可通過P+型摻雜區(qū)366電性連接至第二連接端TM32。圖4是用以說明圖3的靜電放電保護元件的等效電路圖。請同時參閱圖3與圖4所示，在實際應(yīng)用上，靜電放電保護元件300的兩端TM31與TM32可分別連接至集成電路中的焊墊301與接地配線GND3，且靜電放電保護元件300用以避免靜電放電事件對核心電路302所造成的損害。就布局結(jié)構(gòu)來看，N+型摻雜區(qū)371、P型井區(qū)320以及N型井區(qū)330將形成橫向的NPN晶體管MN4，且P+型摻雜區(qū)362、N型井區(qū)330以及P型基底310將形成縱向的PNP晶體管MP41。藉此，NPN晶體管MN4與PNP晶體管MP41將可形成一硅控整流電路。此外，電阻R4則是P型井區(qū)320所貢獻的等效電阻。再者，P型井區(qū)351、N型深井區(qū)340以及P型基底310將形成縱向的PNP晶體管MP42。相似地，P型井區(qū)352、N型深井區(qū)340以及P型基底310將形成縱向的PNP晶體管MP43，且P型井區(qū)353、N型深井區(qū)340以及P型基底310將形成縱向的PNP晶體管MP44。另一方面，P型井區(qū)351與N+型摻雜區(qū)373將形成二極管D41，P型井區(qū)352與N+型摻雜區(qū)374將形成二極管D42，且P型井區(qū)353與N+型摻雜區(qū)375將形成二極管D43。亦即，N型深井區(qū)340內(nèi)的P型井區(qū)351 353以及N+型摻雜區(qū)373 375將形成一二極管串，亦即由二極管D41 D43串接而成的二極管串。此外，N型深井區(qū)340與P型基底310將形成反向的二極管D44。換言之，P型井區(qū)320、N型井區(qū)330以及摻雜區(qū)361 362與371 372主要是用以構(gòu)成一硅控整流電路，而N型深井區(qū)340內(nèi)的二極管串則是用以觸發(fā)所述的硅控整流電路。因此，靜電放電保護元件300是一種二極管觸發(fā)娃控整流器(diode-triggered SCR)。在實際應(yīng)用上，當來自焊墊301的靜電信號為正脈沖信號，亦即PS模式的ESD事件發(fā)生時，則此時二極管串將提供微小的電流，進而觸發(fā)由NPN晶體管MN4與PNP晶體管MP41所形成的硅控整流電路。藉此，來自焊墊301的正脈沖信號將可通過硅控整流電路所提供的大電流路徑導引至接地配線GND3。此外，當來自焊墊301的靜電信號為負脈沖信號時，亦即NS模式的ESD事件發(fā)生時，則此時的二極管D44將導通，進而提供導通至接地配線GND3的路徑給負脈沖信號。換言之，在實際應(yīng)用上，靜電放電保護元件300無需額外設(shè)置一個反向的二極管，就同時具有PS模式與NS模式的靜電放電保護功能。再者，就靜電放電保護元件300的布局結(jié)構(gòu)來看，等效的PNP晶體管MP42 MP44不會形成達靈頓組態(tài)。此外，P型井區(qū)與N+型摻雜區(qū)所形成的二極管串是配置在N型深井區(qū)340內(nèi)，且N型深井區(qū)340是電性連接至焊墊301。因此，當核心電路302正常操作時，N型深井區(qū)340將偏壓在反向電壓下，進而阻隔了縱向漏電路徑的產(chǎn)生。亦即，當核心電路302正常操作時，靜電放電保護元件300中的等效PNP晶體管MP42 MP44將不會產(chǎn)生漏電路徑。換言之，當核心電路302正常操作時，靜電放電保護元件300并不會產(chǎn)生龐大的漏電流。藉此，靜電放電保護元件300將可滿足高速傳輸元件所需的低漏電流的條件，進而可以應(yīng)用在高速傳輸元件上。值得一提的是，圖3實施例所列舉的二極管串是由3個二極管D41 D42串接而成，但其并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域具有通常知識者也可依設(shè)計任意需更改二極管串的組成個數(shù)。舉例來說，N型深井區(qū)340內(nèi)的二極管串可由M個二極管串接而成，M為大于I的整數(shù)。此時，N型深井區(qū)340內(nèi)將設(shè)置M個P型井區(qū)。此外，在電性連接上，第I個P型井區(qū)內(nèi)的P+型摻雜區(qū)電性連接至N型井區(qū)330內(nèi)的N+型摻雜區(qū)372。第i個P型井區(qū)內(nèi)的N+型摻雜區(qū)電性連接至第i+Ι個P型井區(qū)內(nèi)的P+型摻雜區(qū)，且第M個P型井區(qū)內(nèi)的N+型摻雜區(qū)電性連接至第二連接端TM32，i為整數(shù)且(M-1)。除此之外，倘若應(yīng)用在低壓操作下，N型深井區(qū)340內(nèi)的二極管串也可由單一個二極管所構(gòu)成。此時，N型深井區(qū)340內(nèi)將配置單一個P型井區(qū)。此外，針對N型深井區(qū)340內(nèi)的單一個P型井區(qū)來看，其內(nèi)部的P+型摻雜區(qū)電性連接至N型井區(qū)330內(nèi)的N+型摻雜區(qū)372，且其內(nèi)部的N+型摻雜區(qū)則電性連接至第二連接端TM32。 綜上所述，本發(fā)明是將N型深井區(qū)設(shè)置在P型基底內(nèi)，并在N型深井區(qū)設(shè)置由P型井區(qū)與N+型摻雜區(qū)所構(gòu)成的二極管串。藉此，當靜電放電事件發(fā)生時，靜電放電保護元件將可利用N型深井區(qū)內(nèi)的二極管串來觸發(fā)其內(nèi)部的硅控整流電路，或是導通其內(nèi)部的反向二極管。此外，當核心電路正常操作時，N型深井區(qū)將藉由元件的第一連接端連接至焊墊，進而偏壓在反向電壓下。如此一來，將可阻隔縱向漏電路徑的產(chǎn)生，進而抑制靜電放電保護元件的漏電流的產(chǎn)生。換言之，本發(fā)明的靜電放電保護元件同時具有PS模式與NS模式的靜電放電保護功能，并可應(yīng)用在高速傳輸元件上。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種靜電放電保護元件，其特征在于其具有一第一連接端與一第二連接端，并包括: 一P型基底，具有一第一 P型井區(qū)、一 N型井區(qū)以及一 N型深井區(qū)，其中該N型深井區(qū)電性連接該第一連接端，該P型基底電性連接該第二連接端； M個第二P型井區(qū)，配置于該N型深井區(qū)內(nèi)，其中M為大于1的整數(shù)； 多個第一P+型摻雜區(qū)，分別配置在該第一 P型井區(qū)、該N型井區(qū)以及該些第二 P型井區(qū)內(nèi)；以及 多個第一 N+型摻雜區(qū)，分別配置在該第一 P型井區(qū)、該N型井區(qū)以及該些第二 P型井區(qū)內(nèi)，且該些第一 N+型摻雜區(qū)與該些第一 P+型摻雜區(qū)交替配置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于其中位于該第一P型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)與該第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至該第二連接端，位于該N型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)與該第一 N+型摻雜區(qū)分別電性連接至該第一連接端與第一個第二 P型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)，第i個第二 P型井區(qū)內(nèi)的該第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至第i+1個第二 P型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)，且第M個第二 P型井區(qū)內(nèi)的該第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至該第二連接端，i為整數(shù)且(M-1)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于其中所述的N型井區(qū)位于該第一 P型井區(qū)與該N型深井區(qū)之間，且該N型井區(qū)與該第一 P型井區(qū)相接觸，該N型井區(qū)與該N型深井區(qū)互不接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于其中該些第二P型井區(qū)互不相連。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于還包括: 一第二 N+型摻雜區(qū)，配置在該N型深井區(qū)內(nèi)，并相鄰于第M個第二 P型井區(qū)，其中該N型深井區(qū)通過該第二 N+型摻雜區(qū)電性連接該第一連接端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電保護元件，其特征在于還包括: 一第二 P+型摻雜區(qū)，配置于該P型基底內(nèi)，并相鄰于該N型深井區(qū)，其中該P型基底通過該第二 P+型摻雜區(qū)電性連接該第二連接端。
7.一種靜電放電保護元件，其特征在于其具有一第一連接端與一第二連接端，并包括: 一 P型基底，具有一第一 P型井區(qū)、一 N型井區(qū)以及一 N型深井區(qū)，其中該N型深井區(qū)電性連接該第一連接端，該P型基底電性連接該第二連接端； 一第二 P型井區(qū)，配置于該N型深井區(qū)內(nèi)； 多個第一 P+型摻雜區(qū)，分別配置在該第一 P型井區(qū)、該N型井區(qū)以及該第二 P型井區(qū)內(nèi)；以及 多個第一 N+型摻雜區(qū)，分別配置在該第一 P型井區(qū)、該N型井區(qū)以及該第二 P型井區(qū)內(nèi)，且該些第一 N+型摻雜區(qū)與該些第一 P+型摻雜區(qū)交替配置。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護元件，其特征在于其中位于該第一P型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)與該第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至該第二連接端，位于該N型井區(qū)內(nèi)的該第一 P+型摻雜區(qū)與該第一 N+型摻雜區(qū)分別電性連接至該第一連接端與該第二 P型井區(qū)中的該第一 P+型摻雜區(qū)，且位于該第二 P型井區(qū)內(nèi)的該第一 N+型摻雜區(qū)電性連接至該第二連接端。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護元件，其特征在于其中所述的N型井區(qū)位于該第一 P型井區(qū)與該N型深井區(qū)之間，且該N型井區(qū)與該第一 P型井區(qū)相接觸，該N型井區(qū)與該N型深井區(qū)互不接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護元件，其特征在于還包括: 一第二 N+型摻雜區(qū)，配置在該N型深井區(qū)內(nèi)，并相鄰于該第二 P型井區(qū)，其中該N型深井區(qū)通過該第二 N+型摻雜區(qū)電性連接該第一連接端。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的靜電放電保護元件，其特征在于還包括: 一第二 P+型摻雜區(qū)，配置于該P型基底 內(nèi)，并相鄰于該N型深井區(qū)，其中該P型基底通過該第二 P+型摻雜區(qū)電性連接該第二連接端。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種靜電放電保護元件，其包括具有第一P型井區(qū)、N型井區(qū)與N型深井區(qū)的P型基底、多個第二P型井區(qū)、多個第一P+型摻雜區(qū)以及多個第一N+型摻雜區(qū)。這些第二P型井區(qū)配置于N型深井區(qū)內(nèi)。這些第一P+型摻雜區(qū)與這些第一P+型摻雜區(qū)交替配置在第一P型井區(qū)、N型井區(qū)以及這些第二P型井區(qū)內(nèi)。N型井區(qū)內(nèi)的第一P+型摻雜區(qū)與N型深井區(qū)電性連接元件的第一連接端。第一P型井區(qū)內(nèi)的摻雜區(qū)與P型基底電性連接元件的第二連接端。這些第二P型井區(qū)與其內(nèi)部的這些第一N+型摻雜區(qū)形成串接在N型井區(qū)內(nèi)的第一N+型摻雜區(qū)與第二連接端之間的二極管串。
文檔編號H02H9/04GK103094273SQ20111034713
公開日2013年5月8日 申請日期2011年10月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月31日
發(fā)明者何介暐 申請人:旺宏電子股份有限公司