靜電應(yīng)對(duì)元件的制作方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，提供靜電電容小，在短路率或耐久性上優(yōu)異，且能夠抑制短路破壞或峰值電壓的靜電應(yīng)對(duì)元件。本發(fā)明提供靜電應(yīng)對(duì)元件，所述靜電應(yīng)對(duì)元件具有絕緣性基板、在該絕緣性基板上相互分離而相對(duì)配置的電極、以及配置在該電極間的放電觸發(fā)部，所述放電觸發(fā)部由微小空隙不連續(xù)散布的多孔質(zhì)構(gòu)成，且具有中空構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有至少1個(gè)以上的中空部，形成該中空構(gòu)造的面具有致密構(gòu)造。
【專利說明】靜電應(yīng)對(duì)元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種靜電應(yīng)對(duì)元件，特別涉及一種在高速傳送系統(tǒng)中的使用或與共模濾波器的復(fù)合化中有用的靜電應(yīng)對(duì)元件。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，電子設(shè)備的小型化和高性能化急速發(fā)展。另外，如以USB2.0或S-ATA2、HDMI等高速傳送系統(tǒng)為代表的那樣，傳送速度的高頻化以及低驅(qū)動(dòng)電壓化的發(fā)展顯著。其反面，對(duì)電子設(shè)備的小型化或低驅(qū)動(dòng)電壓化而言，電子設(shè)備所使用的電子部件的耐壓下降。因此，以人體與電子設(shè)備的端子接觸時(shí)所產(chǎn)生的靜電脈沖為代表的對(duì)過電壓的保護(hù)成為重要的技術(shù)課題。
[0003]以往，作為這樣靜電脈沖的應(yīng)對(duì)，利用了在靜電進(jìn)入線與地之間設(shè)置壓敏電阻等的應(yīng)對(duì)部件的方法。近年來，信號(hào)線的信號(hào)頻率高速化進(jìn)展，前述的靜電應(yīng)對(duì)部件的靜電電容大的情況下信號(hào)品質(zhì)劣化，因而若到數(shù)百M(fèi)bps以上的傳送速度則需要IpF以下的低靜電電容的應(yīng)對(duì)部件。另外，在天線電路、RF模塊中并不能使用靜電電容大的靜電保護(hù)部件。
[0004]作為低靜電電容的靜電應(yīng)對(duì)元件，提出了在分離并相對(duì)配置的電極之間填充放電觸發(fā)部的靜電應(yīng)對(duì)元件的方案。這些元件與層疊壓敏電阻同樣地設(shè)置在靜電進(jìn)入的線與地之間。若施加過大的靜電壓電，則在靜電應(yīng)對(duì)元件的相對(duì)配置的電極間發(fā)生放電，可以將靜電導(dǎo)到地側(cè)。這樣的縫隙型的靜電應(yīng)對(duì)元件具備絕緣電阻大，靜電電容小，響應(yīng)性良好這樣的特征。
[0005]另一方面，列舉作為靜電應(yīng)對(duì)元件的重要的特性的靜電吸收特性作為課題。若自低壓發(fā)生放電，則有必要抑制放電時(shí)的峰值電壓。在不能將峰值電壓抑制到某個(gè)水平以下的情況下，成為保護(hù)對(duì)象的設(shè)備有被破壞的可能性，因而有必要將峰值電壓抑制得低。另夕卜，也列舉了反復(fù)動(dòng)作所引起的耐久性問題，多次放電產(chǎn)生后也有必要抑制峰值電壓。為了解決這些技術(shù)問題，公開了在相對(duì)電極周邊配置空洞的電路保護(hù)器件。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特許第4247581號(hào)公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開2008-2444348號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)3:國際公開W02010-061519號(hào)
[0011]專利文獻(xiàn)4:國際公開W02010-061550號(hào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0012]發(fā)明要解決的技術(shù)問題
[0013]然而，專利文獻(xiàn)I所記載的靜電應(yīng)對(duì)部件雖然可以吸收由形成在相對(duì)的電極的上部的空洞部放電所產(chǎn)生的熱或應(yīng)力，但僅在相對(duì)的電極的下面形成有放電觸發(fā)部(靜電保護(hù)材料)，因而存在不能產(chǎn)生穩(wěn)定的放電的擔(dān)憂。[0014]專利文獻(xiàn)2所記載的技術(shù)中，在相對(duì)的電極間填充導(dǎo)電性顆粒的表面由無機(jī)玻璃所覆蓋的復(fù)合顆粒而構(gòu)成靜電保護(hù)材料，因而不能得到可適用于高速傳送系統(tǒng)的高性能的靜電應(yīng)對(duì)元件。另外，通過復(fù)合顆粒間所形成的小的孔穴，難以完全吸收由放電所產(chǎn)生的熱或應(yīng)力，因此，通過電極周邊的破壞而在電極間生成熔融物，存在由該熔融物的凝聚而在電極間產(chǎn)生短路這樣的問題。
[0015]專利文獻(xiàn)3所記載的靜電應(yīng)對(duì)部件是在相對(duì)的電極的上下面形成有放電觸發(fā)部且在中央形成有空洞的構(gòu)造。在該構(gòu)造中，由于空洞部覽，因此存在不能廣生穩(wěn)定的放電的擔(dān)憂。另外，在存在于放電觸發(fā)部的表面的導(dǎo)電物熔融的情況下，存在熔融物的凝聚產(chǎn)生而在電極間產(chǎn)生短路的可能性。
[0016]專利文獻(xiàn)4所記載的靜電應(yīng)對(duì)部件采用在露出于空洞部內(nèi)的放電電極間具有導(dǎo)電性的粉狀的輔助電極材料分散的構(gòu)造，具有吸收由放電產(chǎn)生的熱或應(yīng)力的效果，但存在放電時(shí)發(fā)生輔助電極材料的破損等這樣的問題。
[0017]本發(fā)明有鑒于這樣的實(shí)際情況，其目的在于提供一種靜電電容小，靜電吸收特性、反復(fù)耐久性優(yōu)異，能夠抑制短路破壞且耐熱性和耐候性優(yōu)異，且生產(chǎn)率和經(jīng)濟(jì)性優(yōu)異的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0018]解決技術(shù)問題的手段
[0019]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明人等，在相對(duì)電極周邊部形成放電觸發(fā)部，該放電觸發(fā)部由導(dǎo)電性無機(jī)材料、絕緣性無機(jī)材料和微細(xì)的空隙分散的構(gòu)造形成，而且成為在該放電觸發(fā)部內(nèi)在連結(jié)相對(duì)電極的方向上具有中空部的放電觸發(fā)部。由此，靜電電容小，耐久性優(yōu)異，能夠抑制短路破壞，因而能夠提供短路率或峰值電壓被減小的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0020]所述中空部以沿著連結(jié)相對(duì)電極的方向的方式形成，且中空部的長度有必要從相對(duì)電極間距離的0.5倍至小于放電觸發(fā)部的長度。另外，所述中空部的寬度有必要比放電觸發(fā)部的寬度小。即，所述中空部有必要形成在放電觸發(fā)部的內(nèi)部。該放電觸發(fā)部的形成中空部的面有必要采用導(dǎo)電物不連續(xù)分布在絕緣物中的復(fù)合構(gòu)造。通過成為這樣的構(gòu)造，使得放電在放電觸發(fā)部與中空部的界面產(chǎn)生。另外，在施加有靜電電壓的情況下，雖然考慮到形成中空構(gòu)造的面破損，但有這樣的破損的情況下，該面具有致密構(gòu)造，因而能夠抑制表面部的脫落等。因此，發(fā)生多次放電后，仍可以維持靜電吸收特性。另外，施加過大的靜電電壓，即使放電時(shí)表面部的一部分熔融，由于比該面更內(nèi)側(cè)露出，因而能夠維持放電功能。[0021 ] 所述放電觸發(fā)部由導(dǎo)電性無機(jī)材料和絕緣性無機(jī)材料所構(gòu)成。此外，在放電觸發(fā)部中有必要形成微小空隙。微小空隙具有吸收放電時(shí)的沖擊的效果、以及在放電時(shí)導(dǎo)電顆粒熔融的情況下通過使空隙吸收熔融物來抑制短路破壞的效果。若空隙的大小為使用的導(dǎo)電顆粒的平均顆粒徑的0.1?2倍左右，則可以引出上述效果。
[0022]上述相對(duì)配置的電極間的距離只要考慮所期望的放電特性來適當(dāng)設(shè)定即可，通常為I?50 μ m左右。從減小峰值電壓的觀點(diǎn)看，電極間距離的優(yōu)選范圍為7?30 μ m左右。
[0023]本
【發(fā)明者】等在測量上述構(gòu)成的靜電應(yīng)對(duì)元件的特性后,該靜電應(yīng)對(duì)元件與現(xiàn)有的相比，確認(rèn)在靜電吸收特性、反復(fù)耐久性、峰值電壓上優(yōu)異。因此，發(fā)生多次放電后仍可以具有作為靜電應(yīng)對(duì)元件的功能。
[0024]以往，在這種間隙型靜電應(yīng)對(duì)元件中，通常從相對(duì)配置的電極間容易放電的部位發(fā)生放電。因此，一旦發(fā)生放電，則下次發(fā)生放電時(shí)會(huì)選擇其他部位，因而放電特性有偏差的傾向。另一方面，如本發(fā)明所述通過制成在放電觸發(fā)部中沿著連結(jié)相對(duì)電極的方向而具有中空部的元件構(gòu)造，可以使放電的部位集中，放電特性的偏差變小。
[0025]另外，在現(xiàn)有的元件中，若過大的靜電電壓施加于元件且放電觸發(fā)部進(jìn)行電弧放電，則在相對(duì)電極間形成有導(dǎo)電性的熔融物，有在相對(duì)電極間短路的擔(dān)憂。另一方面，如本發(fā)明所述通過在放電觸發(fā)部自身形成微小的空隙，從而即使放電觸發(fā)部由于放電而熔融，熔融物也可以逃到微小空隙，可以抑制由熔融物所產(chǎn)生的相對(duì)電極間的短路。即，在放電觸發(fā)部與中空部的界面發(fā)生放電且熔融物形成的情況下，熔融物可以逃到內(nèi)側(cè)的放電觸發(fā)部的微小空隙，能夠抑制放電部位的短路。另外，通過位于放電觸發(fā)部與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部具有致密構(gòu)造，能夠防止因放電時(shí)的沖擊使放電部位脫落等造成破損，因而可以特別將峰值電壓抑制得低。多次放電發(fā)生后也可以具有作為靜電應(yīng)對(duì)元件的功能。相對(duì)于放電觸發(fā)部內(nèi)是具有微小空隙的多孔質(zhì)，放電觸發(fā)部表面部采用致密構(gòu)造。這里，為了使放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造，通過使用玻璃使限定在表面部分的區(qū)域成為空隙少的構(gòu)造。為了形成這樣的構(gòu)造，放電觸發(fā)部表面部的玻璃成分含有比率為20vOl%以上。
[0026]S卩，本發(fā)明的靜電應(yīng)對(duì)元件具備具有絕緣性表面的基體、在該絕緣性表面上相互分離而配置的電極、以及至少配置在該電極間的放電觸發(fā)部，所述放電觸發(fā)部采用導(dǎo)電顆粒與絕緣顆粒以及微細(xì)的空隙分散的復(fù)合構(gòu)造。在該放電觸發(fā)部內(nèi)具有連結(jié)相對(duì)電極的方向上具有中空部的中空構(gòu)造。此外,成為放電觸發(fā)部表面部的導(dǎo)電物在絕緣物中不連續(xù)的復(fù)合構(gòu)造，而且通過位于放電觸發(fā)部與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部具有致密構(gòu)造，從而提供在靜電吸收特性優(yōu)異，在耐久性上優(yōu)異且能夠抑制短路破壞或峰值電壓的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0027]另外，本發(fā)明的其他樣態(tài)是有效地復(fù)合化了本發(fā)明的靜電應(yīng)對(duì)元件的復(fù)合電子部件，磁性基體中具有電感元件，是將其與靜電應(yīng)對(duì)元件一體化的復(fù)合電子部件。所述電感元件在磁性基體內(nèi)具備導(dǎo)體圖案，所述靜電應(yīng)對(duì)元件是具有具備電極以及功能層的構(gòu)造，該電極是在所述磁性基板與一體化的絕緣基體中相互分離而相對(duì)配置的電極，該功能層是至少配置在該電極間的功能層。
[0028]發(fā)明的效果
[0029]根據(jù)本發(fā)明的結(jié)構(gòu)，靜電電容小，在短路率或耐久性上優(yōu)異，且能夠抑制短路破壞或峰值電壓。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0030]圖1是概略地表示靜電應(yīng)對(duì)元件100的示意立體圖。
[0031]圖2是概略地表示靜電應(yīng)對(duì)元件100的示意截面圖。
[0032]圖3是圖2中的I1-1I線截面圖。
[0033]圖4是概略地表示放電觸發(fā)部表面部32的示意立體圖。
[0034]圖5是圖2中的II1-1II線截面概念圖。
[0035]圖6是表示靜電應(yīng)對(duì)元件100的制造工序的示意立體圖。
[0036]圖7是表示靜電應(yīng)對(duì)元件100的制造工序的示意立體圖。
[0037]圖8是表示靜電應(yīng)對(duì)元件100的制造工序的示意立體圖。
[0038]圖9是靜電放電試驗(yàn)中的電路圖。[0039]圖10是表示第I變形例的示意截面圖。
[0040]圖11是表示第2變形例的示意截面圖。
[0041]圖12是表示第3變形例的示意截面圖。
[0042]符號(hào)說明:
[0043]11絕緣性基板
[0044]Ila絕緣性表面
[0045]21，22 電極
[0046]21放電觸發(fā)部
[0047]31a~31c 中空部
[0048]32放電觸發(fā)部表面部 [0049]33導(dǎo)電性無機(jī)材料
[0050]34絕緣性無機(jī)材料
[0051]35微小空隙
[0052]41端子電極
[0053]51絕緣性保護(hù)層
[0054]100靜電應(yīng)對(duì)元件
[0055]AG間隙距離
[0056]ΔΜ連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的長度
[0057]Δ L放電觸發(fā)部31的長度
【具體實(shí)施方式】
[0058]以下，就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。再有，對(duì)于相同的要素使用相同的符號(hào)，省略重復(fù)的說明。另外，上下左右等位置關(guān)系只要無特別說明，則基于附圖所示的位置關(guān)系。此外，附圖的尺寸比率不限定于圖示的比率。另外，以下的實(shí)施方式是用于說明本發(fā)明的例示，本發(fā)明不僅限于該實(shí)施方式。
[0059](第I實(shí)施方式)
[0060]圖1是概略地表示本實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)元件的示意立體圖。圖2是概略地表示本實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)元件的示意截面圖。圖3是圖2中的I1-1I線截面圖。
[0061]靜電應(yīng)對(duì)元件100具備絕緣性基板11、配設(shè)在該絕緣性基板11的一對(duì)電極21，22、配設(shè)在這些電極21，22之間的放電觸發(fā)部31、與電極21，22電連接的端子電極41 (參照?qǐng)D8)、以及以覆蓋放電觸發(fā)部31的方式形成的絕緣性保護(hù)層51。放電觸發(fā)部31具有微小空隙不連續(xù)散布的構(gòu)造，且具有中空構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有至少I個(gè)以上的中空部31a，31b。這里，一對(duì)電極21，22以其前端部露出于這些中空部31a，31b內(nèi)的方式配置。再者，在該靜電應(yīng)對(duì)元件100中，放電觸發(fā)部31設(shè)計(jì)成作為自低壓放電的靜電保護(hù)材料而起作用，且當(dāng)被施加靜電等過電壓時(shí)，經(jīng)由該放電觸發(fā)部31 (中空部31a，31b)而在電極21，22間確保初始放電。以下，就各構(gòu)成要素進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0062]絕緣性基板11只要可支撐至少電極21，22和放電觸發(fā)部31，其尺寸形狀便無特別限制。這里，絕緣性基板11是指除了由絕緣性材料構(gòu)成的基板以外，還包含在基板上的一部分或整個(gè)面制作有絕緣膜的基板的概念。[0063]作為絕緣性基板11的具體例子，可以列舉使用了 Al203、Si02、Mg0、AlN、Mg2Si04等介電常數(shù)為50以下優(yōu)選20以下的低介電常數(shù)材料的陶瓷基板、或單晶基板等。另外，也可以適當(dāng)?shù)厥褂迷谔沾苫寤騿尉Щ宓鹊谋砻嫘纬闪擞?1203、5102、1%031隊(duì)1%講04等介電常數(shù)為50以下優(yōu)選20以下的低介電常數(shù)材料構(gòu)成的絕緣膜的基板。再有，在絕緣性保護(hù)層51可以使用與該絕緣性基板11同樣的基板，以下省略重復(fù)的說明。
[0064]在絕緣性基板11上，一對(duì)電極21，22相互分離而配設(shè)。在本實(shí)施方式中，一對(duì)電極21，22在絕緣性基板11的平面大致中央位置隔開間隙距離Λ G而相對(duì)配置。這里，間隙距離Λ G是指一對(duì)電極21，22間的最短距離。另外，Λ M表示中空部31a的長徑。還有，Λ L表不放電觸發(fā)部31的長度。
[0065]作為構(gòu)成電極21，22的材料，例如可以列舉選自C、N1、Al、Fe、Cu、T1、Cr、Au、Ag、
Pd和Pt中的至少一種金屬或它們的合金等，但不特別限定于這些。再有，在本實(shí)施方式中，電極21，22在俯視圖上形成為矩形狀，但其形狀無特別限制。
[0066]電極21，22間的間隙距離Λ G只要考慮所期望的放電特性而適當(dāng)設(shè)定即可，無特別限定，通常為I?50μπι左右，從確保低壓初始放電這樣的觀點(diǎn)看，優(yōu)選為7?30μπι左右。再有，電極21，22的厚度無特別限定，通常為I?20 μ m左右。
[0067]電極21，22的形成方法無特別限定，可以適當(dāng)選擇公知的方法。具體而言，可以列舉通過涂布、轉(zhuǎn)印、電鍍、無電鍍、蒸鍍或?yàn)R射等在絕緣性基板11上圖案形成具有所期望的厚度的電極層的方法。另外，也可以使用例如離子銑削或刻蝕等公知方法來加工電極21，22的大小或間隙距離AG。另外，也可以通過使用圖案形成電極21，22間的間隙部的制版來進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，從而在基板上圖案印刷金屬或合金的前驅(qū)體后，進(jìn)行燒成，由此形成電極21，22?；蛘撸部梢栽谟山^緣物構(gòu)成的坯片上通過絲網(wǎng)印刷來進(jìn)行電極21，22的形成。另外，還可以金屬或合金的前驅(qū)體例如在涂布電極膏體后，通過激光加工等形成電極21，22間的間隙部。
[0068]在上述的電極21，22間，配設(shè)有放電觸發(fā)部31。在本實(shí)施方式中，成為在上述的絕緣性基板11上和電極21，22上層疊有放電觸發(fā)部31的結(jié)構(gòu)。該放電觸發(fā)部31的尺寸形狀及其配設(shè)位置只要以在施加過電壓時(shí)經(jīng)由放電觸發(fā)部31而在電極21，22間放電的方式設(shè)計(jì)，便無特別限定。
[0069]圖4是本實(shí)施方式的位于放電觸發(fā)部與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部32的示意圖。圖5是圖2的II1-1II截面概略圖。放電觸發(fā)部31成為具有的中空構(gòu)造的構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有中空部31a，31b。在本實(shí)施方式中，作為放電觸發(fā)部31，可以使用導(dǎo)電性無機(jī)材料33均一或隨機(jī)地分散在絕緣性無機(jī)材料32之中的復(fù)合物。該放電觸發(fā)部31如圖5所示那樣，采用微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造。即，本實(shí)施方式的放電觸發(fā)部31通過形成有中空部31a，31b而具有中空構(gòu)造，另一方面，成為具有微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造。此外，放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造。
[0070]放電觸發(fā)部表面部32包含玻璃成分，玻璃成分的比率為20VOl%以上。若玻璃成分的比率比20VOl%小，則放電觸發(fā)部表面部不是致密構(gòu)造，牽涉到放電時(shí)位于放電觸發(fā)部與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部附近的破壞，耐久性顯著劣化。因此，為了成為致密構(gòu)造，放電觸發(fā)部表面部的玻璃成分的比率優(yōu)選包含比40% vol要多。另外，就放電觸發(fā)部表面部的具有致密構(gòu)造的范圍，無特別限定，但若考慮放電時(shí)發(fā)生導(dǎo)電顆粒的熔融，則包含玻璃成分的致密構(gòu)造表面部的厚度優(yōu)選為I?4μ m左右。
[0071]作為絕緣性無機(jī)材料34的具體例子，可以列舉例如金屬氧化物，但不限定于這些。若考慮絕緣性或成本方面，則作為金屬氧化物，優(yōu)選為Al203、Sr0、Ca0、Ba0、Ti02、Si02、Zn0、In203、Ni0、Co0、Sn02、V205、Cu0、Mg0、Zr02。這些可以單獨(dú)使用I種，也可以并用2種以上。絕緣性無機(jī)材料32可以形成為絕緣性無機(jī)材料32的均一的膜，也可以形成為絕緣性無機(jī)材料32的顆粒的凝聚體，其性狀無特別限定。這些當(dāng)中，從賦予絕緣性的觀點(diǎn)看，更優(yōu)選使用A1203、SiO2, Mg2SiO4等。另一方面，從對(duì)絕緣性基質(zhì)賦予半導(dǎo)體性的觀點(diǎn)看，更優(yōu)選使用TiO2 *ZnO。通過對(duì)絕緣性基質(zhì)賦予半導(dǎo)體性，從而能夠得到放電開始電壓更低的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0072]作為導(dǎo)電性無機(jī)材料33的具體例子，可以列舉例如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硼化物等，但不特別限定于這些。若考慮導(dǎo)電性，則優(yōu)選C、N1、Al、Fe、Cu、T1、Cr、Au、Ag、Pd 和 Pt 或它們的合金。
[0073]僅從放電觸發(fā)部31的中空構(gòu)造側(cè)看的放電觸發(fā)部32如圖4那樣，其特征在于，具有導(dǎo)電性無機(jī)材料33不連續(xù)地分布在絕緣物中的復(fù)合構(gòu)造，且放電觸發(fā)部表面部32具有致密構(gòu)造。通過具有這樣的復(fù)合部，從而容易發(fā)生放電動(dòng)作，并自低壓發(fā)生放電，且是導(dǎo)電性無機(jī)材料分散在絕緣物中的復(fù)合部，因而可以維持放電前后的元件的絕緣。
[0074]微小空隙35對(duì)放電觸發(fā)部31賦予多孔性，由此吸收由放電所產(chǎn)生的熱或應(yīng)力，并緩和電極21，22及其周邊的熔融或變形等所引起的破壞。這里，本說明中，微小空隙35是指其大小為0.1?5 μ m的空隙。另外，在本說明書中，微小空隙35的大小是指縱橫比為I?5的球狀空隙的中值粒徑(D50)，就其他形狀而言是指長徑或短徑的算術(shù)平均值，為任意選擇的50點(diǎn)的平均值。微小空隙35的大小或微小空隙35相對(duì)于放電觸發(fā)部31的體積比例可以根據(jù)所期望的靜電吸收特性和對(duì)反復(fù)放電的耐久性以及電極21，22間的短路防止特性來適當(dāng)設(shè)定，無特別限定，微小空隙35的大小優(yōu)選為0.1?2μπι，另外，微小空隙的含有比率優(yōu)選為I?40vol %，更優(yōu)選為5?20vol %。
[0075]位于放電觸發(fā)部31與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部具有致密構(gòu)造，但為了具有這樣的構(gòu)造而賦予玻璃成分。放電觸發(fā)部表面部優(yōu)選含有20νΟ1%以上。通過放電觸發(fā)部表面部采用致密構(gòu)造，可以抑制放電時(shí)所產(chǎn)生的應(yīng)力所引起的破損，能夠得到在靜電吸收特性、以及對(duì)反復(fù)放電的耐久性或峰值電壓上優(yōu)異的元件。再有，具有致密構(gòu)造的放電觸發(fā)部表面部的區(qū)域優(yōu)選為圖2所示那樣的截面圖中從中空部往放電觸發(fā)部的深度方向I ?4 μ m0
[0076]放電觸發(fā)部31的中空部的個(gè)數(shù)無特別限定。在本實(shí)施方式中，采用了具有2個(gè)中空部31a，31b的中空構(gòu)造，但中空部的數(shù)量無限制，可以僅是I個(gè)，也可以是多個(gè)。隨著中空部的數(shù)量增加，相對(duì)于I個(gè)中空部的放電發(fā)生頻度下降，因而反復(fù)使用的耐久性更進(jìn)一步提高。再有，在設(shè)置多個(gè)中空部的情況下，各個(gè)中空部的形狀.大小可以相同也可以不同。
[0077]另外，就中空部31a，31b的形狀而言也無特別限定?？梢圆捎美缜驙?、橢圓球狀和不定形狀等任意形狀。尤其中空部31a，31b優(yōu)選為沿著連結(jié)電極21，22間的方向延伸的形狀。通過像這樣形成中空部31a，31b，在電極21，22間產(chǎn)生的放電在中空部與放電觸發(fā)部表面部的界面放電，因而放電觸發(fā)部的劣化減少，耐久性提高，并且抑制峰值電壓或放電開始電壓的偏差。[0078]另一方面，就中空部31a，31b的大小而言也無特別限定，但從抑制放電所引起的破壞并提高耐久性的觀點(diǎn)看，表示連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的長度Λ M優(yōu)選為至少電極21，22間的間隙距離Λ G的0.5~小于表示放電觸發(fā)部31的長度Λ L。再有，連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的長度是指連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的最大長度。放電觸發(fā)部31的長度是指連結(jié)電極21，22間的方向上的放電觸發(fā)部31的最大長度。例如,在制作間隙距離Λ G為10~20 μ m左右的靜電應(yīng)對(duì)元件100的情況下，連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的長度為5~IOym以上，小于放電觸發(fā)部31的長度。如圖2和圖3所示那樣，通過令連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a, 31b的長度為電極21，22間的間隙距離Λ G的1.0倍以上，成為電極21，22的前端部露出于中空部31a，31b內(nèi)的配置，從而抑制電極21，22間所產(chǎn)生的放電所引起的放電觸發(fā)部的破壞。另外，放電觸發(fā)部的劣化變小，耐久性提高，并且抑制峰值電壓或放電開始電壓的偏差。
[0079]放電觸發(fā)部31的厚度無特別限定，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，從提高反復(fù)耐久性的觀點(diǎn)看，更優(yōu)選為相對(duì)電極的厚度~元件厚度的一半以下。
[0080]放電觸發(fā)部31的形成方法無特別限定。例如，可以使用公知的薄膜形成方法?層疊方法。在按規(guī)定的含有比率包含所期望的大小的微小空隙35的構(gòu)造物中，從再現(xiàn)性良好且簡便地得到上述的構(gòu)造的放電觸發(fā)部31的觀點(diǎn)看，涂布至少含有絕緣性無機(jī)材料、導(dǎo)電性無機(jī)材料以及用于制作微小空隙35的因燒成而消失的樹脂材料的混合物，再將混合了用于在混合物上的所期望位置制作中空部31a，31b的消失材料以及用于使中空部表面部成為致密構(gòu)造的玻璃成分后的產(chǎn)物涂布成所期望形成之后，對(duì)其進(jìn)行燒成并使消失材料消失，由此形成具有上述微小空隙35的多孔質(zhì)構(gòu)造，并且劃分形成位于與中空部的界面的放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造的中空構(gòu)造的方法是合適的。作為為了使放電觸發(fā)部表面部具有致密構(gòu)造的方法，可以列舉通過使形成中空構(gòu)造時(shí)所使用的樹脂膏體含有玻璃成分，并在燒成的階段使消失材料揮發(fā)而使放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造的方法?；蛘撸梢粤信e通過使放電觸發(fā)部含有玻璃成分從而在燒成的階段使玻璃成分在中空部與放電觸發(fā)部的界面析出而使放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造的方法等，但不特定于這些方法。以下，就優(yōu)選的放電觸發(fā)部31的形成方法進(jìn)行說明。
[0081]在該方法中，首先，調(diào)制含有絕緣性無機(jī)材料、導(dǎo)電性無機(jī)材料以及用于制作微小空隙35的消失材料的混合物，將該混合物涂布或印刷在電極21，22的間隙間等來形成。然后，在賦給電極21，22的間隙間的混合物上部的規(guī)定位置，再將用于制作中空部31a，31b的消失材料與玻璃成分的混合物進(jìn)行涂布或印刷等而成為所期望形狀等。其后，可選地，根據(jù)需要，再在放電觸發(fā)部形成膏體以及空隙形成用膏體上的規(guī)定位置通過涂布或印刷等賦予前述的混合物。其后，通過實(shí)施燒成處理而使消失材料熱分解?揮發(fā)等而消失。通過像這樣在燒成時(shí)除去消失材料，從而得到按規(guī)定的含有比率包含所期望大小的微小空隙35的構(gòu)造體，在所期望位置具有所期望形狀的中空部31a，31b且放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造的具有中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部31。這里，燒成時(shí)的處理?xiàng)l件無特別限定。若考慮生產(chǎn)率和經(jīng)濟(jì)性，則優(yōu)選在大氣氣氛下在500~1200°C下燒成10分鐘~5小時(shí)左右。 [0082]再有，作為在上述方法中使用的消失材料，只要是燒成時(shí)進(jìn)行熱分解?揮發(fā)等而消失的材料，便無特別限定，可以適當(dāng)?shù)剡x擇公知的材料。作為這樣的消失材料的具體例子，可以列舉例如樹脂顆粒或溶質(zhì)與樹脂的混煉物即樹脂膏體，但無特別限定。作為代表的樹脂顆粒，可以列舉例如丙烯類樹脂等熱分解性優(yōu)異的樹脂顆粒。再有，樹脂顆粒的形成無特別限定，可以是例如錘狀、柱狀、縱橫比為I~5的球狀、縱橫比超過5的橢圓球狀、不定形狀等的任一種。另外，作為代表的樹脂膏體，可以列舉例如將燒成時(shí)熱分解?揮發(fā).消失的樹脂例如丙烯樹脂、乙基纖維素、聚丙烯等混合在公知的溶質(zhì)后的膏體。這里，在使用樹脂顆粒來制作微小空隙35的情況下，其樹脂顆粒的粒徑可以以得到所期望的大小的微小空隙35的方式適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，無特別限定，優(yōu)選為0.1~4μπι。再有，在本說明書中，樹脂顆粒的粒徑，球狀的是指中值粒徑(D50)，其他的是指長徑或短徑的算術(shù)平均值。在這種情況下，樹脂顆粒的調(diào)配比例可以考慮所得到的放電觸發(fā)部31中的微小空隙35的含有比率來適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，無特別限定，優(yōu)選為I~30VOl%左右?；旌衔镎{(diào)制時(shí)，也可以調(diào)配溶劑、粘合劑等各種添加物。在使用樹脂膏體來制作中空部31a，31b的情況下，以得到所期望形狀.尺寸的中空部31a，31b的方式適當(dāng)?shù)卣{(diào)整樹脂膏體的固體份濃度或粘度等。再有，在樹脂膏體調(diào)制時(shí)或樹脂膏體涂布或印刷時(shí)，也可以調(diào)配溶劑或界面活性劑或增粘劑等各種添加物。另外，即使代替消失材料或與消失材料一起，使用具有對(duì)應(yīng)于所期望形狀.尺寸的中空部31a, 31b的形狀并在燒成時(shí)熱分解?揮發(fā)?消失的樹脂或纖維等所構(gòu)成的構(gòu)造體等，也可以制作中空部31a，31b。
[0083]在 本實(shí)施方式的靜電應(yīng)對(duì)元件100中，導(dǎo)電性無機(jī)材料33不連續(xù)分散在絕緣性無機(jī)材料中的復(fù)合物即放電觸發(fā)部31有效地作為絕緣電阻大，靜電電容小，且放電特性優(yōu)異這樣的靜電保護(hù)材料而起作用。然后，放電觸發(fā)部31由微小空隙不連續(xù)散布的構(gòu)造所構(gòu)成，且具有中空構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有中空部31a，31b。因此緩和了電極周邊的破壞或放電觸發(fā)部的破壞，顯著地提高反復(fù)耐久性。通過放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造，從而進(jìn)一步提高耐久性。另外，由于利用由無機(jī)材料構(gòu)成的復(fù)合物來構(gòu)成放電觸發(fā)部31，因此進(jìn)一步提高了耐熱性。另外，特性難以因溫度或濕度等的外部環(huán)境而變動(dòng)，其結(jié)果提高了可靠性。再此外，放電觸發(fā)部31成為由放電所產(chǎn)生的熔融物的凝聚難以集中在I個(gè)部位的結(jié)構(gòu)，因而電極21，22間的短路被有效地抑制。出于以上的理由，不僅靜電電容小，靜電吸收特性優(yōu)異，而且對(duì)放電的耐久性提高，可以將峰值電壓抑制得低，抑制放電后的電極間發(fā)生短路，耐熱性和耐候性優(yōu)異的高性能的靜電應(yīng)對(duì)元件100得以實(shí)現(xiàn)。
[0084]實(shí)施例
[0085]以下，通過實(shí)施例詳細(xì)地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這些。
[0086](實(shí)施例1)
[0087]首先，如圖6所示，準(zhǔn)備將由主成分為Al2O3和玻璃成分所構(gòu)成的材料薄片化后的坯片作為絕緣性基板11。在其一個(gè)絕緣性表面11a，將Ag膏體通過絲網(wǎng)印刷以成為厚度0.2 μ m的方式進(jìn)行印刷，從而圖案形成相對(duì)配置的一對(duì)帶狀的電極21，22。對(duì)于印刷后的一對(duì)電極，電極21，22的長度為0.5mm,寬度為0.4mm,電極21，22間的間隙距離Λ G為40 μ m0
[0088]以下，如圖7所示，在上述的絕緣性基板11上和電極21，22上按以下順序形成放電觸發(fā)部31。
[0089]首先，以令作為絕緣性無機(jī)材料34的以SiO2為主成分的玻璃顆粒(日本山村硝子株式會(huì)社制，商品序號(hào):ME13)為IOvol %，作為絕緣性無機(jī)材料34的平均粒徑I μ m的Al2O3(住友化學(xué)株式會(huì)社制,商品序號(hào):AM-27)為60vol%,作為導(dǎo)電性無機(jī)材料33的平均粒徑I μ m的Ag顆粒(三井金屬礦業(yè)株式會(huì)社制，商品序號(hào):SPQ05S)為30vol%,用于形成微小空隙35的平均粒徑I μ m的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):MX-150)為30Vol%的方式進(jìn)行稱量，并將這些進(jìn)行混合得到混合物。與其不同地，混煉作為粘合劑的乙基纖維素類樹脂與作為溶劑的松油醇，調(diào)制固體份濃度為8質(zhì)量％的涂料。接著，在如上述所得到混合物中添加涂料后，通過混煉，制作放電觸發(fā)部形成用的膏體狀混合物。
[0090]接著，將丙烯樹脂混合到丁基卡，制作中空部31a，31b制作用的固體份濃度為40質(zhì)量％的樹脂膏體。在該樹脂膏體中混合前述的玻璃顆粒，制成混合有玻璃成分的中空部形成用的膏體狀混合物。
[0091]接著，將所得到的放電觸發(fā)部形成用的膏體狀混合物以覆蓋電極21，22間的絕緣性基板11的絕緣性表面Ila的方式通過絲網(wǎng)印刷涂布少量，為了在該涂布后的混合物上和電極21，22上形成中空部31a，31b而將前述的中空部形成用的膏體狀混合物橢圓球狀地絲網(wǎng)印刷2個(gè)部位。再其后，通過以覆蓋前述的放電觸發(fā)部形成用的膏體狀混合物、涂布后的橢圓球狀的中空部形成用的膏體狀混合物的方式進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，從而形成與圖1所示的大致同等的放電觸發(fā)部31的前驅(qū)體。然后，在放電觸發(fā)部31的前驅(qū)體上層疊坯片后，再通過進(jìn)行熱壓制，制作層疊體。其后，將所得到的層疊體切斷成規(guī)定的大小，進(jìn)行劃片。然后，對(duì)劃片后的層疊體實(shí)施200°C下I小時(shí)的熱處理(脫粘合劑處理)，其后，按每分鐘10°C升溫，在大氣中950°C下保持30分鐘。通過該燒成處理，從放電觸發(fā)部31的前驅(qū)體中除去丙烯類樹脂顆粒、乙基纖維素系樹脂和溶劑，其結(jié)果，成為微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體，制作具有中空構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有中空部31a，31b，且放電觸發(fā)部表面部采用致密構(gòu)造的放電觸發(fā)部31。再有，燒成后的一對(duì)電極21，22間的間隙距離Λ G為30 μ m左右。另外，連結(jié)電極21，22間的方向的中空部31a，31b的長度Λ M為40 μ m。
[0092]其后，如圖8所示，通過以連接于電極21，22的外周端部的方式形成以Ag為主成分的端子電極41，從而得到實(shí)施例1的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0093](實(shí)施例2)
[0094]除了中空部形成用的膏體狀混合物的絲網(wǎng)印刷時(shí)僅在I個(gè)部位橢圓球狀地進(jìn)行絲網(wǎng)印刷以外，與實(shí)施例1同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體所構(gòu)成且具有中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部31，該中空構(gòu)造具有I個(gè)中空部31a，得到實(shí)施例2的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0095](比較例I)
[0096]除了在將中空部形成用的膏體狀混合物進(jìn)行絲網(wǎng)印刷時(shí)，替代中空部形成用的膏體狀混合物而使用放電觸發(fā)部形成用的膏體狀混合物以外，與實(shí)施例1同樣地操作，形成由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體所構(gòu)成且不具有中空部的非中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部，得到比較例I的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0097](比較例2)
[0098]除了替代用于形成微小空隙35的平均粒徑1.0 μ m的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):MX-150)而使用平均粒徑2.0 μ m的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):MX-200)以外，與比較例I同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體所構(gòu)成且不具有中空部的非中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部，得到比較例2的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0099](實(shí)施例3)
[0100]除了替代用于形成微小空隙35的平均粒徑1.Ομπι的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):ΜΧ-150)而將放電觸發(fā)部變更為10VOl%的玻璃顆粒、50vol %的Al203、30vol %的Ag顆粒、IOvol %的丙烯類樹脂顆粒以外，與實(shí)施例2同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體所構(gòu)成且具有中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部31，該中空構(gòu)造具有中空部31a，31b，得到實(shí)施例3的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0101](實(shí)施例4)
[0102]除了將用于形成放電觸發(fā)部的各成分的調(diào)配量，使用10Vol%的玻璃顆粒、50vol %的Al203、30vol %的Ag顆粒，并替代IOvol %的丙烯類樹脂顆粒MX-150而變更為10vOl%的平均粒徑2.0ym的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):ΜΧ-300)以外，與實(shí)施例2同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的多孔質(zhì)體所構(gòu)成且具有中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部31，該中空構(gòu)造具有I個(gè)中空部31a，得到實(shí)施例4的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0103](實(shí)施例5)
[0104]除了將用于形成放電觸發(fā)部的各成分的調(diào)配量，使用10Vol%的玻璃顆粒、50vol %的Al203、30vol %的Ag顆粒，使用IOvol %的丙烯類樹脂顆粒MX-150，并具有2個(gè)中空部以外，與實(shí)施例3同樣地操作，制作采用微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造且具有中空部31a，31b的2個(gè)中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部31，得到實(shí)施例5的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0105](比較例3)
[0106]除了將用于形成放電觸發(fā)部的各成分的調(diào)配量，使用10Vol%的玻璃顆粒、50vol %的Al203、30vol %的Ag顆粒，并使用IOvol %的丙烯類樹脂顆粒MX-150以外，與比較例I同樣地操作，制作采用微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體且不具有中空部的非中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部，得到比較例3的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0107](比較例4)
[0108]除了替代IOvol %的丙烯類樹脂顆粒MX-150而變更為IOvol %的平均粒徑3.0ym的球狀的丙烯類樹脂顆粒(綜研化學(xué)株式會(huì)社制，商品序號(hào):MX-300)以外，與比較例3同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體所構(gòu)成且不具有中空部的非中空構(gòu)造的放電觸發(fā)部，得到比較例4的靜電應(yīng)對(duì)元件。
[0109](比較例5)
[0110]除了省略在制成中空部形成用的膏體狀混合物時(shí)添加玻璃成分的工序以外，與實(shí)施例3同樣地操作，制作由微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體構(gòu)成且具有I個(gè)中空部31a的中空構(gòu)造并且放電觸發(fā)部表面部不采用致密構(gòu)造的放電觸發(fā)部31，得到比較例5的靜電應(yīng)對(duì)元件100。
[0111](比較例6)
[0112]除了省略丙烯類樹脂顆粒的調(diào)配，并將各成分的調(diào)配量變更為15ν01%的玻璃顆粒、55vol %的Al203、30vol %的Ag顆粒以外，與比較例I同樣地操作，制作不具有微小空隙35且不具有中空部的非中空部構(gòu)造的放電觸發(fā)部，得到比較例5的靜電應(yīng)對(duì)元件100。[0113]〈構(gòu)造觀察〉
[0114]在如上述那樣得到的實(shí)施例1~5的靜電應(yīng)對(duì)元件100中，研磨放電觸發(fā)部31的截面，使用SEM進(jìn)行截面觀察。確認(rèn)了均是微小空隙35不連續(xù)散布的構(gòu)造體，且具有中空構(gòu)造，該中空構(gòu)造具有I個(gè)或2個(gè)中空部，放電觸發(fā)部表面部成為致密構(gòu)造。
[0115]〈微細(xì)構(gòu)造觀察〉
[0116]在如上述那樣得到的實(shí)施例1~5的靜電應(yīng)對(duì)元件100中，研磨放電觸發(fā)部31的截面(不形成中空部31a，31b的部位的截面)，使用SEM進(jìn)行截面觀察，拍攝照片。就所拍攝的照片進(jìn)行微小空隙的圖像處理，計(jì)算微小空隙的面積的總和，并通過用整體面積除來算出微小空隙的比率。 [0117]〈靜電放電試驗(yàn)〉
[0118]以下，就如上述那樣得到的實(shí)施例1~5的靜電應(yīng)對(duì)元件100和比較例I~6的靜電應(yīng)對(duì)兀件,使用圖9所不的靜電試驗(yàn)電路來實(shí)施靜電放電試驗(yàn)。在表1和表2表不試驗(yàn)結(jié)果。
[0119]該靜電放電試驗(yàn)基于國際標(biāo)準(zhǔn)IEC61000-4-2的靜電放電仿真試驗(yàn)和噪聲試驗(yàn)，遵照人體模型(放電電阻330 Ω、放電電容150pF、施加電壓8.0kV、接觸放電)來進(jìn)行。具體而言，如圖9的靜電試驗(yàn)電路所示，將評(píng)價(jià)對(duì)象的靜電應(yīng)對(duì)元件的一個(gè)端子電極接地，并且將靜電脈沖施加部連接在另一個(gè)端子電極后，使靜電脈沖施加部接觸放電槍而施加靜電脈沖。這里，所施加的靜電脈沖施加放電開始電壓以上的電壓。
[0120]對(duì)于放電開始電壓，一邊使靜電試驗(yàn)從0.4kV開始以0.2kV間隔增加一邊進(jìn)行試驗(yàn)。記錄此時(shí)所觀測的靜電吸收波形，以靜電吸收效果顯現(xiàn)的電壓為放電開始電壓。靜電電容為IMHz的靜電電容(pF)。就短路率，各樣品準(zhǔn)備100個(gè)，將靜電放電試驗(yàn)按8.0kV重復(fù)100次時(shí)，數(shù)出電極問發(fā)生短路的個(gè)數(shù)，用其比例)表示。就耐久性，準(zhǔn)備各樣品100個(gè)，對(duì)各個(gè)樣品在8kV進(jìn)行1000次放電試驗(yàn)。就各個(gè)樣品，測量第1000次的峰值電壓，數(shù)出峰值電壓為400V以下的樣品的個(gè)數(shù)，用其比例(％)表示。另外，就峰值電壓也與上述同樣地進(jìn)行放電試驗(yàn)，就各個(gè)樣品測量第1000次的峰值電壓，計(jì)算平均值。峰值電壓越低靜電吸收效果越高，作為靜電應(yīng)對(duì)元件越優(yōu)。
[0121][表1]
[0122]
【權(quán)利要求】
1.一種靜電應(yīng)對(duì)元件，其特征在于， 具有絕緣性基板、在該絕緣性基板上相互分離而相對(duì)配置的電極、以及配置在該電極間的放電觸發(fā)部， 所述放電觸發(fā)部由微小空隙不連續(xù)散布的多孔質(zhì)構(gòu)成，且具有中空構(gòu)造，所述中空構(gòu)造具有至少I個(gè)以上的中空部，形成該中空構(gòu)造的面具有致密構(gòu)造。
2.如權(quán)利要求1所述的靜電應(yīng)對(duì)元件，其特征在于， 所述放電觸發(fā)部的形成中空構(gòu)造的面，具有至少I種導(dǎo)電性無機(jī)材料不連續(xù)分散在至少I種絕緣性無機(jī)材料的基體中的復(fù)合構(gòu)造。
3.如權(quán)利要求1或2所述的靜電應(yīng)對(duì)元件，其特征在于， 所述放電觸發(fā)部的形成中空構(gòu)造的面包含玻璃成分，且玻璃成分的比率為20Vol%以上。
4.如權(quán)利要求1?3中的任一項(xiàng)所述的靜電應(yīng)對(duì)元件，其特征在于， 所述放電觸發(fā)部的中空構(gòu)造以沿著將所述電極間連結(jié)的方向的方式形成。
【文檔編號(hào)】H01T4/12GK103988380SQ201280061315
【公開日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2012年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月12日
【發(fā)明者】朝倉健作, 鈴木真吾, 藤森敬洋 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社