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可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器的制作方法

文檔序號(hào):7342494閱讀:246來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明為一種可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,尤指一種藉由將箝制電路(Clamping Circuit)與變壓器二次側(cè)相連接,使金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管在關(guān)斷(OFF)狀態(tài)時(shí),汲極端所承受的高壓,可透過(guò)該箝制電路(Clamping Circuit)得以先行箝制,使得金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管承受的高電壓降低,以增加金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的可靠度。
背景技術(shù)
一般待測(cè)物廣泛使用交換式電源供應(yīng)器(switching power supply)提供所需電源,在傳統(tǒng)上提供待測(cè)物所需的電源供應(yīng)器多是用線(xiàn)性式電源供應(yīng)器。線(xiàn)性式電源供應(yīng)器常用于可提供定電壓或定電流的電源供應(yīng)器中,并且能抵抗如低漣波噪聲(Low ripple noise)、低電磁干擾(Low EMI)、具有良好調(diào)節(jié)特性與容易控制等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)。雖然線(xiàn)性式電源供應(yīng)器已在市場(chǎng)上廣為一般使用者所接受,但它仍有一些缺點(diǎn),如功率損耗大與電源效率低。再者,由于電源供應(yīng)器的體積龐大且效率不高,因此利用交換式技術(shù)(switching-mode technique)來(lái)制作電源供應(yīng)器已成為必然的趨勢(shì),并以此提供電源密度和電源效率。
請(qǐng)參閱圖1所示,傳統(tǒng)的交換式電源供應(yīng)器,是利用回路的導(dǎo)通及截止反復(fù)變化時(shí),將輸入電壓整流濾波后的直流電壓做一定的頻率切換,其結(jié)果再加以濾波,即可得到一固定的輸出電壓,而非隨程序控制而變動(dòng)的電壓輸出。
一般而言,交換式電源供應(yīng)器都是屬于高頻的電子裝置,其工作頻率目前大部份處于20KHz至200KHz之間。在系統(tǒng)電路中,其功率開(kāi)關(guān),如晶體管或金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET),會(huì)工作于飽和(Saturation)與截止(cut off)的特性區(qū)域中。而傳統(tǒng)的線(xiàn)性式電源供應(yīng)器通常使用工作在線(xiàn)性區(qū)域的晶體管,用它來(lái)做變阻器,以調(diào)節(jié)不穩(wěn)定的輸入電壓。在這種型式的電路中,被動(dòng)組件必須承受隨負(fù)載而改變的電流,一旦輸入電壓發(fā)生變化或是負(fù)載突然增加,則被動(dòng)組件所消耗的功率也隨之變化或增加。因此,整個(gè)系統(tǒng)損失的功率也隨之提高,引起效率下降。然而交換式電源供應(yīng)器并非完全工作于線(xiàn)性區(qū)域的中,所以,即使輸入電壓范圍變化甚廣、負(fù)載變化甚大,仍可獲得比線(xiàn)性式電源供應(yīng)器更高的效率。
再者,請(qǐng)參照?qǐng)D2所示,其為返馳式(Flyback)電源電路,由于它的變壓器又兼作輸出儲(chǔ)能電感使用,且次級(jí)端僅需一個(gè)二極管D1,而C1主要系用來(lái)調(diào)整電源供應(yīng)器的功率因子。
再者,由PWM IC、三極管Q1、變壓器T1組成的功率放大級(jí)Power stage,主要藉由PWM IC控制Q1電子開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通與否,再配合次級(jí)側(cè)的二極管D1和電容C0,而得到直流電壓的輸出,只是因晶體管Q1導(dǎo)通時(shí),變壓器T1的初級(jí)側(cè)會(huì)有初級(jí)電流流過(guò),不過(guò)由于變壓器T1的初級(jí)側(cè)與二次側(cè)的極性相反,使二極管D1會(huì)被逆向偏壓,而無(wú)能量輸出,進(jìn)而無(wú)法經(jīng)回授電路來(lái)控制PWM IC的開(kāi)閉周期;更因電流皆?xún)?chǔ)存在變壓器T1中,造成變壓器T1的損耗大。
此外,該變壓器的初級(jí)也可以連接有一箝制電路(Clamping Circuit),以箝制經(jīng)過(guò)電流的電壓,但由于初級(jí)電流電壓較高會(huì)造成效率較原來(lái)低外,更因箝制電路(Clamping Circuit)組件必須耐高壓,所以成本較一般高。
請(qǐng)參照?qǐng)D3所示,其為順向式(Forward)電源電路,其與返馳式電路的主要差別在于功率放大級(jí)Power stage的次級(jí)側(cè)部分,順向式多用了一個(gè)肖特基二極管和電感,當(dāng)Q1截止時(shí),隔離變壓器T1的繞組上的電壓極性會(huì)反轉(zhuǎn),使得D2二極管變成逆向偏壓而不導(dǎo)通,而D3二極管則處于導(dǎo)通狀態(tài),此時(shí)負(fù)載端的能量,則由L0和C0所儲(chǔ)存的能量供給。因此在順向式電路圖中,L0和C0除了作為低通濾波器之外,亦為一儲(chǔ)能組件。在組件的采用上和Flyback電路大同小異,然而,由于在晶體管Q2關(guān)斷(OFF)時(shí)來(lái)自T1初級(jí)側(cè)的反向電壓會(huì)和C′上的輸出電壓相累積而成為兩倍的輸出電壓,故Q1的耐壓有高達(dá)800V以上,且該順向式(Forward)電源電路雖可使流經(jīng)變壓器初級(jí)側(cè)及次級(jí)側(cè)的電流較小而使變壓器的銅損小,但變壓器增加第三繞組卻導(dǎo)致增加成本。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人有鑒于前述傳統(tǒng)的線(xiàn)性式電源供應(yīng)器,一旦輸入電壓發(fā)生變化或是負(fù)載突然增加,則被動(dòng)組件所消耗的功率也隨之變化或增加,造成整個(gè)系統(tǒng)損失的功率也隨之提高,而效率則隨之下降等缺點(diǎn),乃依其從事電源供應(yīng)器的制造經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)累積,針對(duì)上述缺失悉心研究各種解決的方法,在經(jīng)過(guò)不斷的研究、實(shí)驗(yàn)與改良后,終于開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)出本發(fā)明所述的一種可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器。
本發(fā)明所述一種可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,主要包括有一整流/濾波電路、一變壓器、一二次濾波電路及一直流輸出端,其中該整流/濾波電路連接至一市電的交流(AC)電源,利用其電容及電感構(gòu)成的全波整流電路,將AC電源整流及濾波,而獲得一較穩(wěn)定的直流電源,而該變壓器連接至該整流/濾波電路,令其將整流及濾波后的直流電源降低電壓值,經(jīng)該二次濾波電路的二次濾波,由該直流輸出端輸出直流電。
所述電源供應(yīng)器設(shè)有一箝制電路,該箝制電路與該變壓器的二次側(cè)相連接,使該箝制電路(Clamping Circuit)可將金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí)在汲極(Drain)承受產(chǎn)生的高壓得以先行箝制及因該變壓器磁漏、電感產(chǎn)生與儲(chǔ)存在該變壓器的能量釋放,使得金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)承受的高電壓降低,以增加金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的可靠度。
所述的箝制電路的能量釋放方式,是在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),其一二極管由原先的逆向偏壓變成順向,而使得其能在超過(guò)逆向額定參考電壓時(shí),自身放電而將能量釋放及消除,同時(shí),其穩(wěn)壓二極管亦為逆向偏壓,以免除變壓器產(chǎn)生飽和。
所述電源供應(yīng)器的直流輸出端與二次濾波電路之間設(shè)有一差動(dòng)程序控制集成電路,使透過(guò)該差動(dòng)程序控制集成電路的比對(duì)功能,將直流輸出端的輸出電壓與一預(yù)先設(shè)定的電壓/時(shí)間V(t)相比對(duì),并將比對(duì)后的差異經(jīng)由一光藕合器傳送到一脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片,令該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片依據(jù)此差異控制該整流/濾波電路、該變壓器間的一金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)的波形負(fù)載周期,令調(diào)節(jié)流入該變壓器初級(jí)側(cè)的輸入電源的電流大小,進(jìn)而使該電源供應(yīng)器的直流輸出端能提供穩(wěn)定程序控制電壓的輸出。
所述電源供應(yīng)器設(shè)有一分壓電路,該分壓電路與該電源供應(yīng)器輸入端的整流/濾波電路相連接,該分壓電路并連接至脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片而受該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片的OVRV所控制,該分壓電路可將整流/濾波電路的AC電源電壓傳送至該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片,使當(dāng)OVRV的電壓因AC電源過(guò)高而超過(guò)設(shè)定值時(shí),OVRV可使金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷,而使該電源供應(yīng)器獲得保護(hù),避免遭受高電壓的破壞。
所述電源供應(yīng)器設(shè)有一緩沖電路,該緩沖電路由電容、電阻所組成,該緩沖電路與該金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管相連接,該緩沖電路可防止因變壓器在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),因電壓反向造成的脈沖電流;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),將變壓器初級(jí)側(cè)所產(chǎn)生的高壓脈沖經(jīng)逆向偏壓的一二極管,藉由一電阻將一電容充電抵消該脈沖電流;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管開(kāi)通時(shí),該二極管呈順向偏壓且該電容進(jìn)行放電,將脈沖電流能量消耗掉,以保全金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管及減低電磁波干擾信號(hào)的產(chǎn)生。


圖1系習(xí)用的電源電路方塊圖;圖2系習(xí)用的返馳式電源電路示意圖;圖3系習(xí)用的順向式電源電路示意圖;圖4系本發(fā)明所述實(shí)施例的電源電路方塊圖;圖5系本發(fā)明所述實(shí)施例的電源電路圖。
主要部份的代表符號(hào)電源供應(yīng)器20整流/濾波電路 21變壓器22二次濾波電路 23直流輸出端24差動(dòng)程序控制IC25光藕合器(Opto Coupler)26脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片 27金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 28(MOSFET)分壓電路 29緩沖電路(Snubber Circuit) 211箝制電路(Clamping Circuit)21具體實(shí)施方式
為更好的理解本發(fā)明所述的目的和效果,現(xiàn)以一具體實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。
請(qǐng)參閱圖4、5所示,本實(shí)施例所述可穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器20,包括有一整流/濾波電路21、一變壓器22、一二次濾波電路23及一直流輸出端24,其中該整流/濾波電路21連接至一市電的交流(AC)電源31,利用其電容C2及電感L1構(gòu)成的全波整流/濾波電路,將AC電源31予以整流及濾波,而獲得一較穩(wěn)定的直流電源,而該變壓器22連接至該整流/濾波電路21,令其將整流及濾波后,并將程序控制切換電路調(diào)變的直流電源降低其電壓值,經(jīng)該二次濾波電路23的二次濾波,由該直流輸出端24輸出直流電。
請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該電源供應(yīng)器20的直流輸出端24與二次濾波電路23之間設(shè)有一差動(dòng)程序控制集成電路IC25,透過(guò)該差動(dòng)程序控制IC25的比對(duì)功能,將直流輸出端24的輸出電壓與一預(yù)先設(shè)定的電壓/時(shí)間V(t)程序控制相比對(duì),并將比對(duì)后的差異經(jīng)由一光藕合器(Opto Coupler)26傳送到一脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27,令該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27依據(jù)此差異控制該整流/濾波電路21與該變壓器22間的一金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28的波形負(fù)載周期,令調(diào)節(jié)流入該變壓器22初級(jí)側(cè)的輸入電源的電流切換(ON-OFF)比例,進(jìn)而使該電源供應(yīng)器20的直流輸出端24能提供依原設(shè)定的電壓波形輸出。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,本實(shí)施例所述電源供應(yīng)器20設(shè)有一分壓電路29,該分壓電路29與該電源供應(yīng)器輸入端的整流/濾波電路21相連接,該分壓電路29并連接至脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27的OVRV端,該分壓電路29可將整流/濾波電路21的DC電源電壓傳送至該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27,當(dāng)OVRV的電壓因AC電源過(guò)高,而使整流后的DC電壓超過(guò)設(shè)定值時(shí),OVRV可使金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28關(guān)斷(off),而使該電源供應(yīng)器20獲得保護(hù),避免遭受高電壓的破壞。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該本實(shí)施例所述電源供應(yīng)器20設(shè)有一緩沖電路(Snubber Circuit)210,該緩沖電路(Snubber Circuit)210由電容C4、電阻R3、R1及二極管D3(Diode)所組成,該緩沖電路(Snubber Circuit)210與該金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28相連接,該緩沖電路(SnubberCircuit)210可防止因變壓器22在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28關(guān)斷(OFF)時(shí),因電壓反向造成的脈沖電流與高電壓;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28關(guān)斷(OFF)時(shí),此時(shí)二極管為逆向偏壓,將變壓器22初級(jí)側(cè)22b所產(chǎn)生的高壓脈沖,藉由一電容C4充電,以吸收該脈沖電流;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28開(kāi)啟(ON)時(shí),該二極管D3呈順向偏壓且該電容C4進(jìn)行放電,將脈沖電流能量消耗掉,以保全金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28及減低電磁波(EMI)干擾訊號(hào)的產(chǎn)生。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,本實(shí)施例所述電源供應(yīng)器20設(shè)有一箝制電路(Clamping Circuit)211,藉由變壓器磁路的交鏈,該箝制電路(ClampingCircuit)211與該變壓器22的二次側(cè)相連接,使該箝制電路(ClampingCircuit)211可將金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28關(guān)斷(OFF)時(shí)產(chǎn)生的高壓及因該變壓器22磁漏、電感產(chǎn)生與儲(chǔ)存于該變壓器22藉由磁通交鏈的立即反應(yīng)而將能量釋放,使得金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28承受的高電壓降低,以增加金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28的可靠度。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,本實(shí)施例所述電源供應(yīng)器的箝制電路(ClampingCircuit)211的能量釋放方式,是在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28關(guān)斷(OFF)時(shí),其一二極管由原先的逆向偏壓變成順向,而穩(wěn)壓二極管(Zener Diodes)則為逆向偏壓,使得其能在超過(guò)逆向額定參考電壓時(shí),穩(wěn)壓二極管(ZenerDiodes)自身放電而將能量釋放及消除,同時(shí),可以免除變壓器22產(chǎn)生飽和。在本發(fā)明中,再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該變壓器22的初級(jí)側(cè)的a端接到該整流/濾波電路21的后的正端,而整流后的負(fù)端接到共同地端。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該變壓器22的初級(jí)側(cè)的22b端接到金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28的汲極(Drain),而金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管28主要作用在于將直流電壓截波。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該變壓器22的次級(jí)側(cè)接到該二次濾波電路23,該二次濾波電路23包含一二極管(Diode)30及一濾波電容32。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27的驅(qū)動(dòng)電力,是由該整流/濾波電路21透過(guò)降壓及穩(wěn)壓電路電阻R12、電容C7及穩(wěn)壓二極管(Zener Diodes)Z1所提供,使輸入該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWMIC)27的驅(qū)動(dòng)電力的電壓Vcc保持恒定并持續(xù)。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27系藉由電阻R5固定其頻率。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,輸入AC電壓的過(guò)電壓保護(hù)是由電阻R11a、R11b、電容C1及電阻R12所構(gòu)成的分壓電路29,經(jīng)電阻R11a、R11b的連接點(diǎn)的電壓接至該脈波寬度調(diào)節(jié)集成電路(PWM IC)27的OVRV所控制,使當(dāng)OVRV的電壓因AC電源31過(guò)高而超過(guò)設(shè)定值時(shí),OVRV可使金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28關(guān)斷(SWITCH OFF),而使該電源供應(yīng)器20獲得保護(hù)。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27上的PDRV及NDRV透過(guò)電阻R10a、R10b將脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27的開(kāi)通(ON)、關(guān)斷(OFF)電壓波形上升及下降斜率控制,并將脈波寬度調(diào)節(jié)集成電路(PWM IC)27控制信號(hào)輸出至金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28的閘極,使通過(guò)源極(Source)到汲極(Drain)及該變壓器22初級(jí)側(cè)的電流受到閘極電壓信號(hào)的控制。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,通過(guò)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28的電流,流經(jīng)電阻R4產(chǎn)生的偏壓輸入至脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片(PWM IC)27的電流偵測(cè)端ILMT,由ILMT預(yù)設(shè)的容許電壓值使脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片27產(chǎn)生過(guò)電流保護(hù)的功能,以避免金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)28及變壓器22負(fù)載電流過(guò)大。
再請(qǐng)參閱第4、5圖所示,該變壓器22可以為一環(huán)型變壓器,令其具有增加磁能轉(zhuǎn)換效率、減少磁漏的優(yōu)點(diǎn)。
以上所述,僅為本發(fā)明最佳具體實(shí)施例,但是本發(fā)明的構(gòu)造特征并不局限于此,任何熟悉該項(xiàng)技藝者在本發(fā)明領(lǐng)域內(nèi),可輕易思及的變化或修飾及減少部分電路功能皆可涵蓋在以下本案的專(zhuān)利范圍,本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,該電源供應(yīng)器主要包括有一整流/濾波電路、一變壓器、一二次濾波電路及一直流輸出端,其中該整流/濾波電路連接至一市電的交流電源,利用其電容及電感構(gòu)成的全波整流電路,將交流電源整流及濾波,而獲得一較穩(wěn)定的直流電源,而該變壓器連接至該整流/濾波電路,令其將整流及濾波后的直流電源降低電壓值,經(jīng)該二次濾波電路的二次濾波,由該直流輸出端輸出直流電;其特征在于所述電源供應(yīng)器設(shè)有一箝制電路,該箝制電路與該變壓器的二次側(cè)相連接,使該箝制電路可將金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí)在汲極承受產(chǎn)生的高壓得以先行箝制以及釋放因該變壓器磁漏、電感產(chǎn)生與儲(chǔ)存在該變壓器的能量,使得金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管承受的高電壓降低,以增加金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的可靠度。
2.如權(quán)利要求1所述的可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,其特征在于所述的箝制電路的能量釋放方式,是在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),其一二極管由原先的逆向偏壓變成順向,而使得其能在超過(guò)逆向額定參考電壓時(shí),自身放電而將能量釋放及消除,同時(shí),其穩(wěn)壓二極管亦為逆向偏壓,以免除變壓器產(chǎn)生飽和。
3.如權(quán)利要求1所述的可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,其特征在于電源供應(yīng)器的直流輸出端與二次濾波電路之間設(shè)有一差動(dòng)程序控制集成電路,使透過(guò)該差動(dòng)程序控制集成電路的比對(duì)功能,將直流輸出端的輸出電壓與一預(yù)先設(shè)定的電壓/時(shí)間V(t)相比對(duì),并將比對(duì)后的差異經(jīng)由一光藕合器傳送到一脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片,令該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片依據(jù)此差異控制該整流/濾波電路、該變壓器間的一金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的波形負(fù)載周期,令其調(diào)節(jié)流入該變壓器初級(jí)側(cè)的輸入電源的電流大小,進(jìn)而使該電源供應(yīng)器的直流輸出端能提供穩(wěn)定程序控制電壓的輸出。
4.如權(quán)利要求1所述的可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,其特征在于電源供應(yīng)器設(shè)有一分壓電路,該分壓電路與該電源供應(yīng)器輸入端的整流/濾波電路相連接,該分壓電路并連接至脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片而受該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片的OVRV所控制,該分壓電路可將整流/濾波電路的AC電源電壓傳送至該脈波寬度調(diào)節(jié)控制芯片,使當(dāng)OVRV的電壓因交流電源過(guò)高而超過(guò)設(shè)定值時(shí),OVRV可使金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷,而使該電源供應(yīng)器獲得保護(hù),避免遭受高電壓的破壞。
5.如權(quán)利要求1所述的可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,其特征在于電源供應(yīng)器設(shè)有一緩沖電路,該緩沖電路由電容、電阻所組成,該緩沖電路與該金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管相連接,該緩沖電路可防止因變壓器在金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),因電壓反向造成的脈沖電流;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管關(guān)斷時(shí),將變壓器初級(jí)側(cè)所產(chǎn)生的高壓脈沖經(jīng)逆向偏壓的一二極管,藉由一電阻將一電容充電抵消該脈沖電流;當(dāng)金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管開(kāi)通時(shí),該二極管呈順向偏壓且該電容進(jìn)行放電,將脈沖電流能量消耗掉,以保全金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管及減低電磁波干擾信號(hào)的產(chǎn)生。
全文摘要
本發(fā)明系有關(guān)一種可提供穩(wěn)定程序控制電源輸出的電源供應(yīng)器,該電源供應(yīng)器的直流輸出端設(shè)有一變壓器,該變壓器的二次側(cè)相連接有一箝制電路(Clamping Circuit),因該箝制電路(Clamping Circuit)設(shè)在降壓變壓器二次側(cè),因此可不需耐高直流電壓,即可驅(qū)動(dòng)該箝制電路(Clamping Circuit)動(dòng)作,且該箝制電路(Clamping Circuit)可將金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管(MOSFET)在關(guān)斷(OFF)狀態(tài)時(shí),汲極端(Drain)所承受的高壓得以先行箝制,降低金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管承受的高電壓,以增加金屬氧化半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管的可靠度,而且可使該變壓器因磁漏、電感產(chǎn)生與儲(chǔ)存于該變壓器的能量釋放或消除,進(jìn)而免除變壓器產(chǎn)生飽和。
文檔編號(hào)H02M3/28GK1617433SQ20031011358
公開(kāi)日2005年5月18日 申請(qǐng)日期2003年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年11月14日
發(fā)明者姚培智 申請(qǐng)人:元鴻電子股份有限公司
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