一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電容器領(lǐng)域，特別涉及一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器。
【背景技術(shù)】
[0002]目前行業(yè)中，片式鋁電解電容器額定工作電壓一般情況下不高于100WV，片式鋁電解電容器行業(yè)領(lǐng)先日系企業(yè)及少數(shù)臺系企業(yè)有開發(fā)生產(chǎn)高壓片式電容，其額定工作電壓為400-450WV,其尺寸明顯偏大，不能滿足市場小型化發(fā)展趨勢，105°C產(chǎn)品壽命時間絕大多數(shù)不超過5000小時，不能滿足終端客戶對貼片型電容體積小型化及壽命期望。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]針對現(xiàn)有的技術(shù)不足，本實(shí)用新型提供一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，基于行業(yè)使用前景，本實(shí)用新型提供的一種額定工作電壓高，體積小及壽命長片式鋁電解電容，高溫負(fù)荷壽命可達(dá)105°C 8000小時以上，可滿足客戶LED節(jié)能燈等行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是:一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，包括素子，通過陽極箔、內(nèi)層電解紙、陰極箔和外層電解紙依次從內(nèi)向外組成繞卷成素子，正導(dǎo)針鉚接于陽極箔上，負(fù)導(dǎo)針鉚接于陰極箔上；其中，在外層電解紙與陰極箔之間設(shè)有襯墊負(fù)箔。
[0005]所述的襯墊負(fù)箔設(shè)置在陰極箔與外層電解紙之間位于負(fù)導(dǎo)針的鉚接處，且襯墊負(fù)箔一邊點(diǎn)焊于陰極箔上。
[0006]所述的襯墊負(fù)箔蓋住鉚刺孔，且對稱分布于陰極箔兩邊，其長為18mm,寬為5mm。
[0007]本實(shí)用新型的有益效果:片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，與同行業(yè)相比，規(guī)格相同時，本實(shí)用新型設(shè)計(jì)尺寸更小，結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與選材搭配，以及含浸新工藝改善，能大幅度延長產(chǎn)品使用壽命。具體是:產(chǎn)品高溫負(fù)荷壽命達(dá)到105°C 8000小時或以上；能解決因設(shè)計(jì)空間不足問題，可滿足客戶LED節(jié)能燈等行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，填補(bǔ)國內(nèi)在此項(xiàng)技術(shù)上的空白。
【附圖說明】
[0008]圖1為本實(shí)用新型的正面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0009]圖2為本實(shí)用新型的負(fù)面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0010]如圖1-圖2所示，一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，包括素子，通過陽極箔1、內(nèi)層電解紙4、陰極箔2和外層電解紙3依次從內(nèi)向外組成繞卷成素子，正導(dǎo)針6鉚接于陽極箔1上，負(fù)導(dǎo)針5鉚接于陰極箔2上；其中，在外層電解紙3與陰極箔2之間設(shè)有襯墊負(fù)箔7。
[0011]所述的襯墊負(fù)箔7設(shè)置在陰極箔2與外層電解紙3之間位于負(fù)導(dǎo)針5的鉚接處，且襯墊負(fù)箔7 —邊點(diǎn)焊于陰極箔2上。
[0012]所述的襯墊負(fù)箔7蓋住鉚刺孔，且對稱分布于陰極箔2兩邊，其長為18mm，寬為5mm ο
[0013]襯墊負(fù)箔作用為:防止制程老化過程及使用過程中，因鉚刺孔毛刺因素，通電條件下出現(xiàn)尖端放電，擊穿電解紙，而造成短路不良，同時，可提高電容器使用壽命。
[0014]制造原理為:正導(dǎo)針鉚接于正箔上，負(fù)導(dǎo)針鉚接于負(fù)箔上，由外層電解紙、陽極箔、內(nèi)層電解紙及陰極箔一起卷繞成芯包，其中，陰極箔鉚接處設(shè)有一塊襯墊負(fù)箔，襯墊箔位于沖孔面，襯墊箔尺寸為18mm (長)*5mm (寬)，芯包經(jīng)過烘干及含浸電解液，套上橡膠塞并放置于鋁殼內(nèi)，經(jīng)過組立封口成為裸品，通過老化測試，然后在片式電容器頂部印上標(biāo)識，底部蓋上座板，放置于包裝帶中。
[0015]所述負(fù)導(dǎo)針與陰極箔的釘接處設(shè)有一貼箔，該貼箔覆蓋住陰極箔和負(fù)導(dǎo)針的釘接孔，所述陽極箔為高耐壓高比容的陽極箔，所述陰極箔為化成陰極箔，所述電解紙為低緊度、低厚度的雙層電解紙；
[0016]所述陰極箔采用化成陰極箔，通常情況下陰極箔的耐壓在1.0V，通過使用化成陰極箔將其耐壓提升到3V?5V等，使產(chǎn)品阻抗值得到進(jìn)一步優(yōu)化(降低15?30) %，使其抵御紋波電流的能力提高30%。目前在行業(yè)內(nèi)，采用陽極箔是化成過的，而陰極箔是沒有化成的，化成是為鋁箔表面處理，使其表面形成氧化膜，這個就是電容的絕緣介質(zhì)。本發(fā)明中采用化成過的陰極箔，可使其可承受反向電奪3?5V，提高產(chǎn)品耐紋波性能；
[0017]作為上述技術(shù)的進(jìn)一步改進(jìn)，所述陽極箔為采用1.6倍*電容額定工作電壓的化成耐壓鋁箔，高比容陽極箔；
[0018]所述電解紙為雙層電解紙，由20um與30um兩種電解紙組成，一種低密度與一種高密度電解紙；
[0019]本發(fā)明還公開了上述高壓小型化貼片鋁電解電容器及其制作方法，其具體步驟是:
[0020]選材和裁切:選用高耐壓高比容的陽極箔，選用低緊度低厚度的電解紙，選用化成陰極箔，并對陽極箔、陰極箔和電解紙進(jìn)行裁切；
[0021]釘繞:在陽極箔與正導(dǎo)針鉚接前進(jìn)行預(yù)沖孔，并吸走鋁肩吸箔灰的預(yù)處理方式，然后在正、負(fù)導(dǎo)針與陽、陰極箔鉚接處設(shè)有一塊襯墊作用負(fù)箔覆蓋住鉚接孔處不平整的凸起部分，嚴(yán)格控制打扁厚度及接觸電阻；
[0022]機(jī)上抽真空含浸及組立封口:將適量烘干芯包加入振動盤，通過機(jī)上在線抽真空含浸及脫液，每次含浸數(shù)量約為60顆干芯包，經(jīng)過多次抽真空含浸，幾秒鐘可完成含浸過程，含浸完成芯包大約2分鐘就能全部組立封口完成；此含浸作業(yè)優(yōu)勢在于，烘干芯包立即就可含浸，干芯包在空氣中爆露時間短(注:時間長易吸收容氣中水分)，含浸完成芯包立即可組立封口，不易吸收空氣中水氣，此種含浸方式，含浸效果優(yōu)，每顆芯包含浸電解液量均勻，可明顯改善回流焊試驗(yàn)效果，經(jīng)過驗(yàn)證，此種含浸方式可延長電容器壽命試驗(yàn)；
[0023]組裝:將浸漬好的芯包與鋁殼和蓋體組成裸品電容器，此步驟中使用密封性、耐高溫性能良好的丁基材質(zhì)作為密封材料，預(yù)防電解液在高溫通過封口膠粒和封口邊緣向外逸出，可確保產(chǎn)品壽命；
[0024]清洗:將裸品表面電解液及油漬清洗干凈；
[0025]自動老化測試分選:對電容器進(jìn)行高溫老化充電，修補(bǔ)氧化皮膜，穩(wěn)定電容器之電氣性能，并對不良品進(jìn)行剔除作業(yè)；
[0026]成型、印字與包裝:將電容器引腳切除，引腳經(jīng)過打扁，上座板成型，在電容器頂部印字，將印刷好產(chǎn)品封裝于包裝帶中。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，其特征在于，包括素子，通過陽極箔、內(nèi)層電解紙、陰極箔和外層電解紙依次從內(nèi)向外組成繞卷成素子，正導(dǎo)針鉚接于陽極箔上，負(fù)導(dǎo)針鉚接于陰極箔上；其中，在外層電解紙與陰極箔之間設(shè)有襯墊負(fù)箔。2.如權(quán)利要求1所述的一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，其特征在于，所述的襯墊負(fù)箔設(shè)置在陰極箔與外層電解紙之間位于負(fù)導(dǎo)針的鉚接處，且襯墊負(fù)箔一邊點(diǎn)焊于陰極箔上。3.如權(quán)利要求2所述的一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，其特征在于，所述的襯墊負(fù)箔蓋住鉚刺孔，且對稱分布于陰極箔兩邊，其長為18_，寬為5_。
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種片式高壓小型化長壽命鋁電解電容器，包括素子，通過陽極箔、內(nèi)層電解紙、陰極箔和外層電解紙依次從內(nèi)向外組成繞卷成素子，正導(dǎo)針鉚接于陽極箔上，負(fù)導(dǎo)針鉚接于陰極箔上；其中，在外層電解紙與陰極箔之間設(shè)有襯墊負(fù)箔；所述的襯墊負(fù)箔設(shè)置在陰極箔與外層電解紙之間位于負(fù)導(dǎo)針的鉚接處，且襯墊負(fù)箔一邊點(diǎn)焊于陰極箔上；所述的襯墊負(fù)箔蓋住鉚刺孔，且對稱分布于陰極箔兩邊，其長為18mm,寬為5mm；本實(shí)用新型的有益效果：產(chǎn)品高溫負(fù)荷壽命達(dá)到105℃8000小時或以上；能解決因設(shè)計(jì)空間不足問題，可滿足客戶LED節(jié)能燈等行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域，其也能填補(bǔ)國內(nèi)在此項(xiàng)技術(shù)上的空白。
【IPC分類】H01G9/004, H01G9/00
【公開號】CN204966287
【申請?zhí)枴緾N201520790120
【發(fā)明人】曹士康
【申請人】常州華務(wù)電子有限公司
【公開日】2016年1月13日
【申請日】2015年10月12日