薄膜太陽能電池的制作方法
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及薄膜太陽能電池領域，尤其涉及一種透明導電膜為金屬納米線的薄膜太陽能電池。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜太陽能電池透明導電層為半導體材料，如ΙΤ0、FT0, AZO等，其在實現(xiàn)太陽能電池透光性要求的前提下，卻不能避免其自身材料因素導致的電阻存在，使得太陽能電池器件作為橫向光電收集器件而載流子收集效率不高，成為影響其光電轉(zhuǎn)換效率的瓶頸。而金屬的導電性能遠遠優(yōu)于半導體，同時如果把金屬做成納米線結(jié)構(gòu)布置于玻璃基底之上，作為透光與導電的太陽能窗口層，則可以實現(xiàn)比傳統(tǒng)的半導體透明導電膜優(yōu)越的性能，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型旨在提供一種測試硅基薄膜的缺陷態(tài)密度，進而為硅基薄太陽能電池的材料特性改善提供解決方案。
[0004]為了達成上述目的，提供了一種薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。
[0005]—些實施例中，所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。
[0006]—些實施例中，所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ mD
[0007]—些實施例中，所述金屬納米線層在所述玻璃基底進行工藝的控制與生長。
[0008]一些實施例中，所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10mm。
[0009]根據(jù)本實用新型的測薄膜太陽能電池，以金屬納米線替代半導體透明導電膜，如ΑΖΟ、ΙΤ0, FTO等，可以實現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0010]以下結(jié)合附圖，通過示例說明本實用新型主旨的描述，以清楚本實用新型的其他方面和優(yōu)點。
【附圖說明】
[0011]結(jié)合附圖，通過下文的詳細說明，可更清楚地理解本實用新型的上述及其他特征和優(yōu)點，其中:
[0012]圖1為根據(jù)本實用新型實施例的薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0013]參見本實用新型具體實施例的附圖，下文將更詳細地描述本實用新型。然而，本實用新型可以以許多不同形式實現(xiàn)，并且不應解釋為受在此提出之實施例的限制。相反，提出這些實施例是為了達成充分及完整公開，并且使本技術(shù)領域的技術(shù)人員完全了解本實用新型的范圍。
[0014]現(xiàn)參考附圖詳細說明根據(jù)本實用新型實施例的薄膜太陽能電池。
[0015]根據(jù)本實用新型的薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。
[0016]所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ m。所述金屬納米線層在所述玻璃基底進行工藝的控制與生長。所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10mm。
[0017]如圖1所示，本實用新型所提供的薄膜太陽能電池，以玻璃作為基板I，基板I的表面上依次為金屬納米線2、光電吸收層3、背電極層4。
[0018]金屬納米線2為銀鈉米線，鈉米銀膜層厚度為500 μ m，納米線之間的寬度為5mm ；其中背電極層4AZ0膜與鋁膜的復合結(jié)構(gòu)。
[0019]根據(jù)本實用新型的測薄膜太陽能電池，以金屬納米線替代半導體透明導電膜，如ΑΖΟ、ΙΤ0, FTO等，可以實現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
[0020]以上詳細描述了本實用新型的較佳具體實施例。應當理解，本領域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本實用新型的構(gòu)思做出諸多修改和變化。凡本技術(shù)領域中技術(shù)人員依本實用新型的構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)的基礎上通過邏輯分析、推理或者有限的實驗可以得到的技術(shù)方案，皆應在由權(quán)利要求書所確定的保護范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬納米線包括銀鈉米線，銅納米線。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬納米線層，其粒徑范圍為50?80nm，總厚度為300?600 μ m。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬納米線層在所述玻璃基底進行工藝的控制與生長。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種薄膜太陽能電池，其特征在于，所述金屬納米線中，線與線之間的間距為2?10_。
【專利摘要】一種薄膜太陽能電池，自下而上依次包括有玻璃基底、透明導電層、光電吸收層、背電極層，其特征在于，所述透明導電層為材料為金屬納米線，所述光電吸收層為非晶硅，微晶硅或碲化鎘薄膜。根據(jù)本實用新型的測薄膜太陽能電池，以金屬納米線替代半導體透明導電膜，如AZO、ITO、FTO等，可以實現(xiàn)在透光的前提下，大大減小膜層的電阻，更加有利于光生載流子的橫向收集，并減小電池器件的電阻，提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
【IPC分類】H01L31/0445, H01L31/0224
【公開號】CN204905264
【申請?zhí)枴緾N201520502813
【發(fā)明人】彭壽, 王蕓, 崔介東, 石麗芬, 曹欣
【申請人】中國建材國際工程集團有限公司, 蚌埠玻璃工業(yè)設計研究院
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2015年7月13日