陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例涉及一種陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]高級超維場轉(zhuǎn)換(AdvancedSuper Dimens1n Switch，ADS)技術(shù)由于具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用于各類顯示裝置中。在ADS液晶顯示裝置中，像素電極和公共電極都設(shè)置于陣列基板上，例如，像素電極可以具有板狀結(jié)構(gòu)，公共電極可以具有狹縫狀結(jié)構(gòu)，像素電極設(shè)置于公共電極和陣列基板的襯底基板之間。通過對公共電極和像素電極加載數(shù)據(jù)電壓可以控制液晶分子的偏轉(zhuǎn)，進(jìn)而控制通過液晶面板的光線。
[0003]陣列基板上設(shè)置有多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，這些柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定多個(gè)子像素單元。例如，可以通過對柵線依次施加?xùn)艗呙栊盘栆詫?shí)現(xiàn)圖像顯示。為更好地滿足顯示效果的需要，像素電極上的電壓通常需要能夠保持在某個(gè)電壓值上，直到下一幀柵掃描信號到來。如果維持在像素電極上的電壓過早下降，則會(huì)降低ADS液晶顯示裝置的顯示效果。因此，通常ADS陣列基板中的每一子像素單元都包括一個(gè)存儲(chǔ)電容來滿足保持像素電極電壓穩(wěn)定的要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例提供一種陣列基板、顯示裝置，以在保證子像素單元的開口率的前提下增大陣列基板的存儲(chǔ)電容。
[0005]本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板，其包括子像素單元，所述子像素單元包括第一透明公共電極、像素電極和第二透明公共電極；所述像素電極設(shè)置于所述第一透明公共電極上方并且與所述第一透明公共電極相絕緣，所述第一透明公共電極在所述像素電極所在面上的正投影與所述像素電極有重疊部分；以及所述第二透明公共電極設(shè)置于所述像素電極上方并且與所述像素電極相絕緣。
[0006]例如，所述陣列基板還可以包括平坦層其設(shè)置于所述像素電極與所述第二透明公共電極之間。
[0007]例如，所述第一透明公共電極的所述正投影可以位于所述像素電極所在區(qū)域內(nèi)。
[0008]例如，所述陣列基板還包括柵線和數(shù)據(jù)線，柵線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述子像素單元，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線中的至少之一在所述第一透明公共電極所在面上的正投影可以位于所述第一透明公共電極所在區(qū)域之外。
[0009]例如，所述陣列基板還可以包括公共電極線，所述第一透明公共電極可以與所述公共電極線直接接觸，并且二者之間的接觸區(qū)域與所述第一透明公共電極在所述公共電極線所在面上的正投影所在的區(qū)域一致。
[0010]例如，所述公共電極線與所述柵線同層設(shè)置，則所述陣列基板還可以包括覆蓋所述柵線的端部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以與所述第一透明公共電極同層設(shè)置；或者所述公共電極線與所述數(shù)據(jù)線同層設(shè)置，則所述陣列基板還可以包括覆蓋所述數(shù)據(jù)線的端部的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)可以與所述第一透明公共電極同層設(shè)置。
[0011]例如，所述第一透明公共電極可以具有鏤空部，所述鏤空部在所述像素電極所在面上的正投影位于所述像素電極所在區(qū)域中。
[0012]例如，沿所述第一透明公共電極所在面方向，所述鏤空部的平面形狀可以為多邊形、圓形或橢圓形。
[0013]例如，所述子像素單元還包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括有源層，所述有源層與所述第一透明公共電極可以同層設(shè)置。
[0014]本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，其包括以上任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0015]在本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板、顯示裝置中，通過設(shè)置與像素電極交疊的第一透明公共電極，使得第一透明公共電極和像素電極之間產(chǎn)生電容，以獲得更大的存儲(chǔ)電容；第一透明公共電極設(shè)置為透明，可以保證陣列基板的開口率；此外，第一透明公共電極設(shè)置于像素電極的遠(yuǎn)離第二透明公共電極的一側(cè)，可以盡量避免對像素電極與第二透明公共電極之間產(chǎn)生的用于控制液晶的電場造成影響。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅涉及本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，而非對本實(shí)用新型的限制。
[0017]圖1a為一種ADS陣列基板的俯視不意圖；
[0018]圖1b為沿圖1a中AA線、BB線和CC線的剖視示意圖；
[0019]圖2a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板的俯視示意圖；
[0020]圖2b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種陣列基板沿圖2a中aa線、bb線和cc線的剖視示意圖；
[0021]圖3a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板中柵線的端部設(shè)置有導(dǎo)電結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0022]圖3b為沿圖3a中EE線的剖視示意圖；
[0023]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的另一種陣列基板沿圖2a中aa線、bb線和cc線的剖視示意圖；
[0024]圖5a和圖5b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板中第一透明公共電極設(shè)置有鏤空部的俯視不意圖；
[0025]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的顯示裝置的剖視示意圖；
[0026]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法的流程圖；
[0027]圖8a和圖Sb為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的利用形成有源層的材料制作第一透明公共電極的不意圖；
[0028]圖9a為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中形成第一透明公共電極后的俯視不意圖；
[0029]圖9b為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中形成像素電極后的俯視示意圖；
[0030]圖9c為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法中形成第二透明公共電極后的俯視不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；谒枋龅谋緦?shí)用新型的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在無需創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0032]除非另外定義，本公開使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本實(shí)用新型所屬領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個(gè)”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺鞍钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)該詞前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關(guān)系，當(dāng)被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關(guān)系也可能相應(yīng)地改變。
[0033]圖1a為一種ADS陣列基板的俯視示意圖；圖1b為沿圖1a中AA線、BB線和CC線的剖視示意圖。如圖1a和圖1b所示，該ADS陣列基板包括多條柵線101和多條數(shù)據(jù)線102，這些柵線101和數(shù)據(jù)線102彼此交叉以限定多個(gè)子像素單元。例如，每個(gè)子像素單元包括薄膜晶體管110以及設(shè)置于平坦層150上且通過絕緣層170彼此絕緣的像素電極160和公共電極180。薄膜晶體管110包括柵極111、柵絕緣層112、有源層113、源極114和漏極115，柵極111可以與柵線101 —體形成，源極114可以與數(shù)據(jù)線102 —體形成，漏極115與像素電極160例如通過過孔161電連接。該ADS陣列基板還可以包括與公共電極180電連接的公共電極線130，該公共電極線130例如與柵線101同層設(shè)置。
[0034]在研究中，本申請的發(fā)明人注意到，ADS陣列基板中的存儲(chǔ)電容通常是通過公共電極180和像素電極160之間的交疊部分產(chǎn)生，但存儲(chǔ)電容的大小往往受到絕緣層170的厚度或分辨率等因素的限制而很難增大。
[0035]如圖2a和圖2b所示，本實(shí)用新型的至少一個(gè)實(shí)施例提供了一種陣列基板20，其包括子像素單元200，子像素單元200包括第一透明公共電極290、像素電極260和第二透明公共電極280，像素電極260設(shè)置于第一透明公共電極290上方并且與第一透明公共電極290相絕緣(S卩，二者之