流，從而促進所述含氟氣體與所述前驅(qū)物氣體的混合。
[0030]圖4D是沿著圖4B的剖線4D-4D的主體400的側(cè)視剖面圖。所述通孔405B中的一者的剖面是示出為取向成相對于主體400的縱軸A成角度α。相對于所述縱軸A的所述角度α可為約40度到約50度，諸如約45度。雖然僅示出一個通孔405Β，但是所有的通孔405Β可以按角度α傾斜。所述通孔405Β可以向內(nèi)地朝向縱軸A傾斜，朝向彼此傾斜，或者使用以上傾斜方式的組合。
[0031]根據(jù)本文描述的等離子體處理系統(tǒng)100的實施方式，可使用所述主氣源122、輔助氣源126和含氟氣體源124形成OLED結(jié)構(gòu)。所述OLED結(jié)構(gòu)可包括形成在所述基板101上的第一阻擋層和第二阻擋層。所述第一阻擋層可為電介質(zhì)層，諸如氮化硅(SiN)、氮氧化硅(S1N)、二氧化硅(S12)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)，或者其他合適的電介質(zhì)層。所述第一阻擋層可通過以下步驟來沉積:引入含硅前驅(qū)物(諸如，甲硅烷)以及一或多種含氮前驅(qū)物(諸如隊和NH 3)，以及氫氣。
[0032]可在所述第一阻擋層上使用遮罩暴露的區(qū)域上形成緩沖粘附層。所述緩沖粘附層可包括電介質(zhì)材料，諸如氮氧化硅。
[0033]可以在所述緩沖粘附層上沉積第二緩沖層。所述第二緩沖層可以是經(jīng)氟化的等離子體聚合六甲基二硅氧烷(PP-HMDS0:F)。所述pp-HMDS0:F層的沉積是通過使來自含氟氣體源124的一或多種含氟氣體，以及HMDSO氣體，與02、He或者N2O氣體一起流動而實現(xiàn)的。所述含氟氣體可以是三氟化氮(NF3)、SiF4、氟氣(F2)、碳氟化物(CxFy)，或者它們的任意組入口 ο
[0034]氟摻雜的等離子體聚合HMDSO層具有優(yōu)良的顆粒覆蓋性能和表面平面化效應。使用耦接到分隔的進料管線134的含氟氣體源124的試驗結(jié)果顯示:與使含氟氣體與來自主氣源122和輔助氣源126的氣體一起流動相比，所得膜中的顆粒具有大于約90%的減少。
[0035]可通過改進所述系統(tǒng)的氣體面板來將現(xiàn)有的等離子體處理系統(tǒng)改裝成包括含氟氣體源124和進料管線134。例如，可以添加用于所述含氟氣體源124的新管段，以及注射閥。還可將壓力開關(guān)，諸如500托或者550托的開關(guān)，添加到所述氣體面板和/或進料管線。
[0036]如上文所論述的分隔的供氣管線的使用防止了前驅(qū)物氣體和含氟氣體之間的過早反應。所述過早反應產(chǎn)生顆粒，顆?？稍斐稍谒龌迳闲纬傻谋∧ぶ械娜毕莺?或減少產(chǎn)率。本文公開的實施方式被證實將顆粒減少了約90%或更多。
[0037]盡管上述內(nèi)容是針對本公開案的實施方式，但可在不脫離本公開案的基本范圍的情況下設計本公開案的其他和進一步實施方式，且本公開案的范圍是由上文的權(quán)利要求書確定的。
【主權(quán)項】
1.一種等離子體處理腔室，包括: 第一前驅(qū)物源和第二前驅(qū)物源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源通過第一進料管線和第二進料管線耦接到設置在所述腔室上的遠程等離子體源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流體；以及 第三前驅(qū)物源，所述第三前驅(qū)物源包含含氟氣體，所述第三前驅(qū)物源通過與所述第一進料管線和所述第二進料管線分隔的第三進料管線耦接到在所述遠程等離子體源和所述腔室之間延伸的輸出導管。2.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述第一進料管線或者所述第二進料管線中的一者包括蒸發(fā)器。3.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述第一進料管線或者所述第二進料管線中的一者包括加熱器。4.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述輸出導管包括混合區(qū)塊的第一導管。5.如權(quán)利要求4所述的腔室，其中所述混合區(qū)塊包括耦接到所述混合區(qū)塊的第二導管。6.如權(quán)利要求5所述的腔室，其中所述第二導管包括凸緣，所述凸緣耦接到所述第三進料管線。7.如權(quán)利要求6所述的腔室，其中所述凸緣包括穿孔板。8.如權(quán)利要求7所述的腔室，其中所述穿孔板包括多個通孔，所述通孔中的至少一部分相對于所述穿孔板的縱軸傾斜。9.如權(quán)利要求8所述的腔室，其中通孔的所述部分相對于所述縱軸以40度到50度傾斜。10.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述第一進料管線和所述第二進料管線耦接到設置在所述遠程等離子體源與所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源之間的混合區(qū)塊。11.一種等離子體處理腔室，包括: 第一前驅(qū)物源和第二前驅(qū)物源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源通過第一進料導管和第二進料導管耦接到設置在所述腔室上的遠程等離子體源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流體； 蒸發(fā)器，所述蒸發(fā)器耦接到所述進料導管，所述進料導管耦接到包含所述六甲基二硅氧烷流體的所述前驅(qū)物來源；以及 第三前驅(qū)物源，所述第三前驅(qū)物源包含含氟氣體，所述第三前驅(qū)物源通過與所述第一進料導管和所述第二進料導管分隔的第三進料導管耦接到在所述遠程等離子體源和所述腔室之間延伸的輸出導管。12.如權(quán)利要求11所述的腔室，其中所述第一進料導管和所述第二進料導管耦接到設置在所述遠程等離子體源與所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源之間的混合區(qū)塊。13.如權(quán)利要求11所述的腔室，其中所述輸出導管包括混合區(qū)塊的第一導管。14.如權(quán)利要求13所述的腔室，其中所述混合區(qū)塊包括耦接到所述混合區(qū)塊的第二導管。15.如權(quán)利要求14所述的腔室，其中所述第二導管包括凸緣，所述凸緣耦接到所述第三進料導管。16.如權(quán)利要求15所述的腔室，其中所述凸緣包括穿孔板。17.如權(quán)利要求16所述的腔室，其中所述穿孔板包括多個通孔，所述通孔中的至少一部分相對于所述穿孔板的縱軸傾斜。18.如權(quán)利要求17所述的腔室，其中通孔的所述部分相對于所述縱軸以40度到50度傾斜。19.一種等尚子體處理系統(tǒng)，包括: 腔室； 第一電極，所述第一電極設置在所述腔室內(nèi)，所述第一電極促進所述腔室內(nèi)的等離子體產(chǎn)生并且可相對于所述腔室內(nèi)的第二電極移動； 第一前驅(qū)物源和第二前驅(qū)物源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源通過第一進料導管和第二進料導管耦接到設置在所述腔室上的遠程等離子體源，所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源中的一者包含六甲基二硅氧烷流體；以及 第三前驅(qū)物源，所述第三前驅(qū)物源包含含氟氣體，所述第三前驅(qū)物源通過與所述第一進料導管和所述第二進料導管分隔的第三進料導管耦接到在所述遠程等離子體源和所述腔室之間延伸的輸出導管。20.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述輸出導管包括混合區(qū)塊的第一導管。21.如權(quán)利要求20所述的系統(tǒng)，其中所述混合區(qū)塊包括耦接到所述混合區(qū)塊的第二導管。22.如權(quán)利要求21所述的系統(tǒng)，其中所述第二導管包括凸緣，所述凸緣耦接到所述第三進料導管。23.如權(quán)利要求22所述的系統(tǒng)，其中所述凸緣包括穿孔板。24.如權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述穿孔板包括多個通孔，所述通孔中的至少一部分相對于所述穿孔板的縱軸傾斜。25.如權(quán)利要求19所述的系統(tǒng)，其中所述第一進料導管和所述第二進料導管耦接到設置在所述遠程等離子體源與所述第一前驅(qū)物源和所述第二前驅(qū)物源之間的混合區(qū)塊。
【專利摘要】本公開案涉及具有分隔的供氣管線的等離子體處理腔室及等離子體處理系統(tǒng)。本公開案公開了用于將前驅(qū)物氣體分別提供到等離子體處理系統(tǒng)的方法與設備，所述等離子體系統(tǒng)包括第一前驅(qū)物源和第二前驅(qū)物源，以及第三前驅(qū)物源，所述第一前驅(qū)物源和第二前驅(qū)物源通過第一進料管線和第二進料管線耦接到設置在所述腔室上的遠程等離子體源，所述第三前驅(qū)物源包含含氟氣體并且通過與所述第一進料管線和所述第二進料管線分隔的第三進料管線耦接到在所述遠程等離子體源和所述腔室之間延伸的輸出導管。
【IPC分類】H01J37/32
【公開號】CN204857653
【申請?zhí)枴緾N201520346288
【發(fā)明人】S·D·亞達夫, 陳志堅
【申請人】應用材料公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年5月26日