技術(shù)編號：9188361
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)通常用于在基板上沉積薄膜，所述基板為諸如半導(dǎo)體基板、太陽能電池板基板、液晶顯示器(LCD)基板，以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)顯示器。PECVD通常是通過以下步驟完成的將前驅(qū)物氣體引入到其中有基板設(shè)置在基板支撐件上的真空腔室中。所述真空腔室可耦接至遠(yuǎn)程等離子體腔室，所述遠(yuǎn)程等離子體腔室設(shè)置在真空腔室的外部，用于在清潔氣體進(jìn)入所述真空腔室之前將所述清潔氣體激勵(例如，激發(fā))成等離子體清潔氣體。所述前驅(qū)物氣體的部分通常被引...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。