半導(dǎo)體裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及通過樹脂封裝殼體內(nèi)且能夠在高溫區(qū)域內(nèi)進行工作的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]用于取代使用模具的壓鑄模，已存在使用樹脂殼體的半導(dǎo)體裝置。在這種半導(dǎo)體裝置中，作為半導(dǎo)體元件，有時使用SiC等的化合物半導(dǎo)體。SiC等的化合物半導(dǎo)體相比以往的Si半導(dǎo)體而言，能夠在高溫區(qū)域進行工作，可期待實現(xiàn)小型化和高效率化。
[0003]在使用SiC等的能夠?qū)崿F(xiàn)高溫工作的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體裝置中，為了保證在高溫區(qū)域的工作，對于覆蓋半導(dǎo)體元件的封裝材料使用耐熱性相對高于環(huán)氧類樹脂的例如凝膠材料。
[0004]其中，凝膠材料主要為硅類樹脂，因而硬度較低，缺少保護半導(dǎo)體元件的功能。因此，已經(jīng)公知的技術(shù)是與作為覆蓋凝膠材料的外圍體的環(huán)氧類樹脂組合起來以形成多層結(jié)構(gòu)。(專利文獻I)
[0005]專利文獻I日本特開平08-124951號公報
[0006]然而，在上述現(xiàn)有技術(shù)中，環(huán)氧類樹脂與凝膠材料之間的界面的緊密貼合性較低，易于產(chǎn)生剝離或空隙。相比通過使用模具的壓鑄模形成的半導(dǎo)體裝置而言，作為使用殼體的半導(dǎo)體裝置，除了上述界面的緊密貼合性的降低之外，還存在殼體內(nèi)壁面與樹脂間的緊密貼合性，它們會導(dǎo)致半導(dǎo)體裝置的可靠性的降低，從而產(chǎn)生問題。
【實用新型內(nèi)容】
[0007]本實用新型就是鑒于上述問題點而完成的，其提供一種耐熱性優(yōu)良且高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
[0008]為了解決上述課題，本實用新型采用如下所述的結(jié)構(gòu)。
[0009]本實用新型的半導(dǎo)體裝置具有半導(dǎo)體元件、在一個主表面上搭載有半導(dǎo)體元件的基板、配置于基板的一個主表面或側(cè)表面，且被配置為包圍半導(dǎo)體元件的殼體、以及覆蓋被殼體包圍的基板的一個主表面?zhèn)鹊姆庋b體。封裝體從基板的一個主表面?zhèn)绕?，依次具有第I層、第2層和第3層。第I層覆蓋半導(dǎo)體元件，且接觸殼體的內(nèi)壁面。第3層隔著第2層覆蓋第I層的主表面，且接觸殼體的內(nèi)壁面。第I層由耐熱性優(yōu)于第3層的樹脂構(gòu)成。第3層由硬度高于第I層的樹脂構(gòu)成。第I層與第2層之間的緊密貼合性和第2層與第3層之間的緊密貼合性高于第I層與第3層之間的緊密貼合性。
[0010]這里，第2層例如是以PPS為主材料的樹脂板。
[0011]以PPS為主材料的樹脂板可以具有貫通孔。
[0012]該貫通孔供配置于基板的一個主表面上的引線貫通，或作為注入形成第I層的樹脂的貫通孔或抽出第I層內(nèi)的氣體的貫通孔進行工作。
[0013]在本實用新型中，覆蓋被殼體包圍的基板的一個主表面?zhèn)鹊姆庋b體依次具有第I層、第2層和第3層。覆蓋半導(dǎo)體元件的第I層由耐熱性優(yōu)于第3層的樹脂構(gòu)成。因此，能夠提供一種耐熱性優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。
[0014]此外，第3層由硬度高于第I層的樹脂構(gòu)成。因此，能夠有效保護半導(dǎo)體元件不受至IJ來自外部的沖擊。
[0015]此外，第I層與第2層的緊密貼合性和第2層與第3層的緊密貼合性高于第I層與第3層的緊密貼合性。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)一種各層的緊密貼合性得以提升，且耐濕性優(yōu)良的半導(dǎo)體裝置。
[0016]其結(jié)果，能夠提供一種耐熱性較高且高可靠性的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0017]圖1是本實用新型的實施例1的半導(dǎo)體裝置100的俯視示意圖。
[0018]圖2是表示從圖1的A-A剖面觀察的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0019]標號說明
[0020]1:半導(dǎo)體元件，2:基板，3:引線，4:導(dǎo)電性粘結(jié)材料，5:殼體，6:封裝體，61:第I層，62:第2層，63:第3層，7:貫通孔，100:半導(dǎo)體裝置。
【具體實施方式】
[0021]以下，參照附圖詳細說明用于實施本實用新型的方式。此外，在以下附圖的描述中，對于同一或類似的部分使用同一或類似的符號表現(xiàn)。其中，附圖為示意性內(nèi)容，尺寸關(guān)系的比率等與現(xiàn)實情況不同。因此，應(yīng)對照如下說明判斷具體的尺寸等。此外，附圖彼此之間必然包含彼此的尺寸關(guān)系和比率不同的部分。
[0022]此外，以下所示的實施方式是用于具體實現(xiàn)本實用新型的技術(shù)思想的示例，本實用新型的實施方式的構(gòu)成部件的材質(zhì)、形狀、結(jié)構(gòu)、配置等并不局限于下述內(nèi)容。本實用新型的實施方式可以在不脫離主旨的范圍內(nèi)進行各種變更并實施。
[0023]實施例
[0024]以下，參照【附圖說明】本實用新型的實施例的半導(dǎo)體裝置100。圖1是本實用新型的實施例的半導(dǎo)體裝置100的俯視示意圖。此外，在圖1中，未圖示出基板、第I層、第2層以及用于電連接的配線。圖2是表示從圖1的A-A剖面觀察的半導(dǎo)體裝置100的結(jié)構(gòu)的剖面
示意圖。
[0025]圖2所示的半導(dǎo)體裝置100構(gòu)成為具有半導(dǎo)體元件1、基板2、引線3、導(dǎo)電性粘結(jié)材料4、殼體5、封裝體6、第I層61、第2層62和第3層63。
[0026]半導(dǎo)體元件I是例如由SiC半導(dǎo)體或GaN半導(dǎo)體等的化合物半導(dǎo)體構(gòu)成的功率用半導(dǎo)體元件。相比Si半導(dǎo)體而言能夠在高溫狀態(tài)下進行工作，而且切換速度較快，損耗較小。
[0027]基板2具有鋁基板、形成于鋁基板的上表面的絕緣層、以及隔著絕緣層形成于層厚基板的上表面的導(dǎo)體層(電路配線)，在此對這些部分省略圖示。
[0028]引線3是通過對Cu或Cu合金實施鍍Ni或鍍Ag而形成的。引線3與形成于基板2的上表面(一個主表面)的導(dǎo)體層電連接。在本實施例的半導(dǎo)體裝置100中，引線3直立配置于基板2的上表面。引線3作為半導(dǎo)體元件I等的外部取出電極而發(fā)揮功能。
[0029]引線3例如是通過對1.0mm厚的平坦形狀板材實施沖裁沖壓加工或化學(xué)蝕刻加工而形成的。
[0030]半導(dǎo)體元件I和引線3隔著導(dǎo)電性粘結(jié)材料4而固定粘結(jié)于在基板2的上表面(一個主表面)上形成的導(dǎo)體層。該導(dǎo)電性粘結(jié)材料4優(yōu)選