半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置，其既能夠防止正向電流導(dǎo)致的元件破壞，又能夠抑制特性劣化。半導(dǎo)體裝置具有：n型半導(dǎo)體基體，其在主面上定義了元件區(qū)和包圍元件區(qū)的周圍的外周區(qū)；p型保護環(huán)，其配置于外周區(qū)，并具有以包圍元件區(qū)的周圍的方式配置于半導(dǎo)體基體的上表面的低濃度p型區(qū)、以及雜質(zhì)濃度高于低濃度p型區(qū)且配置于低濃度p型區(qū)的內(nèi)側(cè)的高濃度p型區(qū)，高濃度p型區(qū)的側(cè)表面和底面被低濃度p型區(qū)覆蓋而不接觸半導(dǎo)體基體的n型區(qū)；以及歐姆結(jié)電極，其與高濃度p型區(qū)形成歐姆結(jié)。
【專利說明】
半導(dǎo)體裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及形成有保護環(huán)的半導(dǎo)體裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]碳化硅(SiC)具有較大的帶隙和較高的電場強度，因而可用作大功率、高耐壓的半導(dǎo)體裝置材料。例如，由SiC構(gòu)成的肖特基勢皇二極管(SBD)用于高速切換用途。然而，如果對由SiC構(gòu)成的SBD施加浪涌電流等大寬度超過額定程度的正向電流，則襯底電阻會使正向電壓上升，導(dǎo)致發(fā)生元件破壞。因此，需要采用用于提升浪涌電流耐量的各種技術(shù)。
[0003]例如，已提出了如下結(jié)構(gòu)，獨立于形成肖特基結(jié)的第I電極層而形成與配置于SBD區(qū)域的外周的保護環(huán)形成歐姆結(jié)的第2電極層(例如，參照專利文獻I)。通過該結(jié)構(gòu)，在正向電壓上升的情況下，從由作為P型區(qū)的保護環(huán)和η型漂移區(qū)形成的PN結(jié)向漂移區(qū)注入少數(shù)載流子。少數(shù)載流子擴散至肖特基結(jié)的下方的漂移區(qū)從而引起傳導(dǎo)度調(diào)制，漂移區(qū)的串聯(lián)電阻降低，可抑制正向電壓的上升。通過如上使保護環(huán)的PN結(jié)作為PN 二極管工作，從而能夠防止浪涌電流導(dǎo)致的破壞。
[0004]然而，在上述方法中，在保護環(huán)與第2電極層未形成歐姆結(jié)的情況下，為了作為PN二極管工作而需要非常高的電壓，有時如果不達到與產(chǎn)生浪涌電流導(dǎo)致的破壞的電壓大致相同的電壓則無法作為PN 二極管工作。這種情況下，正向浪涌電流耐量不會提升。因此，在專利文獻I所述的方法中，將由作為與作為P型區(qū)的保護環(huán)形成歐姆結(jié)的金屬的鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)或它們的合金構(gòu)成第2電極層獨立于形成肖特基結(jié)的第I電極層形成。
[0005]專利文獻I日本特開2003-258271號公報
[0006]然而，專利文獻I所述的用于與P型保護環(huán)形成歐姆結(jié)的第2電極層中的金屬或合金有時會利用動作中的SBD的肖特基界面的發(fā)熱而與作為第I電極層的肖特基結(jié)電極用金屬反應(yīng)，存在使SBD的特性劣化的可能性。此外，在作為第I電極層的肖特基結(jié)電極的形成前形成作為第2電極層的歐姆結(jié)電極的情況下，SBD的特性可能會劣化。S卩，由于肖特基結(jié)電極形成時的前處理等，使得構(gòu)成歐姆結(jié)電極的Al類合金的一部分離散，并附著于肖特基結(jié)電極形成前的純凈的半導(dǎo)體基體的上表面，存在污染肖特基結(jié)界面的可能性。如果肖特基結(jié)界面被異物污染，則會妨礙均勻的肖特基結(jié)的形成，因而SBD的特性會劣化。例如會產(chǎn)生SBD的肖特基勢皇高度變動或反向特性劣化等的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]鑒于上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種既能夠防止正向電流導(dǎo)致的元件破壞，又能夠抑制特性劣化的半導(dǎo)體裝置。
[0008]本發(fā)明的一個方面提供一種半導(dǎo)體裝置，其具有:(一)η型半導(dǎo)體基體，其在主面上定義了元件區(qū)和包圍元件區(qū)的周圍的外周區(qū)；(二)P型保護環(huán)，其配置于外周區(qū)內(nèi)，并具有低濃度P型區(qū)和高濃度P型區(qū)，且高濃度P型區(qū)的側(cè)表面和底面被低濃度P型區(qū)覆蓋而使高濃度P型區(qū)不接觸半導(dǎo)體基體的η型區(qū)，其中，該低濃度P型區(qū)以包圍元件區(qū)的周圍的方式配置于半導(dǎo)體基體的上表面，該高濃度P型區(qū)的雜質(zhì)濃度高于低濃度P型區(qū)且該高濃度P型區(qū)配置于低濃度P型區(qū)的內(nèi)側(cè)；以及(三)歐姆結(jié)電極，其與高濃度P型區(qū)形成歐姆結(jié)。
[0009]本發(fā)明可提供一種既能夠防止正向電流導(dǎo)致的元件破壞，又能夠抑制特性劣化的半導(dǎo)體裝置。
【附圖說明】
[0010]圖1是表示本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
[0011]圖2是表示本發(fā)明第I實施方式而當半導(dǎo)體裝置的歐姆結(jié)電極的結(jié)構(gòu)例的示意性剖面圖。
[0012]圖3是表示本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的TLM測定結(jié)果的曲線圖。
[0013]圖4是表示比較例的半導(dǎo)體裝置的TLM測定結(jié)果的曲線圖。
[0014]圖5是表示正向特性的測定結(jié)果的曲線圖。
[0015]圖6是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之I)。
[0016]圖7是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之2)。
[0017]圖8是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之3)。
[0018]圖9是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之4)。
[0019]圖10是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之5)。
[0020]圖11是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之6)。
[0021]圖12是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之7)。
[0022]圖13是用于說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法的示意性工序剖面圖(之8)。
[0023]圖14是表示本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
[0024]圖15是表示本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。
[0025]圖16是表示本發(fā)明第2實施方式的半導(dǎo)體裝置的另一結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
[0026]圖17是表示本發(fā)明第3實施方式的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的示意性剖面圖。
[0027]標號說明
[0028]1:半導(dǎo)體裝置，10:半導(dǎo)體基體，11:半導(dǎo)體襯底，12:半導(dǎo)體層，20:保護環(huán)，21:低濃度P型區(qū)，22:高濃度P型區(qū)，25:p型區(qū)，30:歐姆結(jié)電極，31:第I擴散阻擋金屬層，32:第2擴散阻擋金屬層，40:肖特基結(jié)電極，50:焊盤電極，60:背面電極，70:層間絕緣膜，80:第I保護膜，90:第2保護膜，100:有緣區(qū)，101:元件區(qū)，102:外周區(qū)。
【具體實施方式】
[0029]接著，參照【附圖說明】本發(fā)明的實施方式。在以下附圖的描述中，對于相同或相似的部分賦予相同或相似的符號。其中，應(yīng)留意附圖為示意性內(nèi)容，各層的厚度比率等與現(xiàn)實情況不同。因此，應(yīng)參考以下說明判斷具體的厚度和尺寸。另外，附圖彼此之間當然也包括相互的尺寸關(guān)系和比率不同的部分。
[0030]另外，以下所示的實施方式舉例示出用于具體實現(xiàn)本發(fā)明的技術(shù)思想的裝置和方法，本發(fā)明的實施方式中的結(jié)構(gòu)部件的材質(zhì)、形狀、結(jié)構(gòu)、配置等不限于以下所述內(nèi)容。本發(fā)明的實施方式可以在權(quán)利要求書的范圍內(nèi)施加各種變更。
[0031](第I實施方式)
[0032]本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置I如圖1所示，具有:n型半導(dǎo)體基體10，其在主面上定義了元件區(qū)101和包圍元件區(qū)101的周圍的外周區(qū)102 ;?型保護環(huán)20，其配置于外周區(qū)102 ;以及歐姆結(jié)電極30，其配置于半導(dǎo)體基體10上。在半導(dǎo)體裝置I的元件區(qū)101形成有半導(dǎo)體元件。而且，利用配置于外周區(qū)102上的保護環(huán)20，緩和在元件區(qū)101端部處的電場集中。由此，可防止電場集中所導(dǎo)致的半導(dǎo)體元件的破壞。
[0033]半導(dǎo)體基體10是在高濃度η型半導(dǎo)體襯底11上層疊作為漂移層的低濃度η型半導(dǎo)體層12得到的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體層12從元件區(qū)101—直到外周區(qū)102連續(xù)地形成。這里，半導(dǎo)體基體10由SiC構(gòu)成。
[0034]保護環(huán)20具有以包圍元件區(qū)101的周圍的方式呈環(huán)形狀配置于半導(dǎo)體基體10的上表面的低濃度P型區(qū)21、以及配置于低濃度P型區(qū)21的內(nèi)側(cè)且雜質(zhì)濃度被設(shè)定為高于低濃度P型區(qū)21的高濃度P型區(qū)22。高濃度P型區(qū)22的側(cè)表面和底面被低濃度ρ型區(qū)21覆蓋，并且高濃度P型區(qū)22不接觸半導(dǎo)體基體10的η型區(qū)。
[0035]歐姆結(jié)電極30與保護環(huán)20的高濃度ρ型區(qū)22形成歐姆結(jié)而電連接。
[0036]半導(dǎo)體裝置I具有配置于半導(dǎo)體基體10的上表面，且與元件區(qū)101形成肖特基結(jié)的肖特基結(jié)電極40。肖特基結(jié)電極40延伸至外周區(qū)102，肖特基結(jié)電極40的端部與形成于保護環(huán)20內(nèi)的高濃度ρ型區(qū)22的元件區(qū)側(cè)的上表面接觸。作為肖特基結(jié)電極40的材料，例如可使用鉬(Mo)、鈦(Ti)、鎳(Ni)等。
[0037]在半導(dǎo)體裝置I上以覆蓋肖特基結(jié)電極40的上表面的方式配置有歐姆結(jié)電極30。而且，在肖特基結(jié)電極40的外側(cè)，歐姆結(jié)電極30和高濃度ρ型區(qū)22形成歐姆結(jié)。
[0038]此外，在與配置有肖特基結(jié)電極40的主面(以下稱之為“表面”)相對的半導(dǎo)體基體10的另一個主面(以下稱之為“背面”)配置有背面電極60。背面電極60構(gòu)成為具有由與半導(dǎo)體基體10形成歐姆結(jié)的金屬或金屬化合物構(gòu)成的第I背面金屬層61、以及由金屬層疊體等構(gòu)成的焊盤用的第2背面金屬層62的層疊結(jié)構(gòu)。例如，可以將Ni膜和Ni硅化物膜等的第I背面金屬層61和Ti膜、Ni膜、Pd膜、Ag膜、Au膜等的第2背面金屬層62用于背面電極60。
[0039]另一方面，在歐姆結(jié)電極30的上表面以覆蓋半導(dǎo)體基體10的表面的方式配置有焊盤電極50。作為焊盤電極50的材料，例如可使用Al、T1、N1、Au等。
[0040]S卩，將焊盤電極50與背面電極60分別作為陽電極和陰電極的SBD形成于元件區(qū)101。保護環(huán)20用于緩和由于施加給陽電極的反向電壓而產(chǎn)生的元件區(qū)101的肖特基結(jié)區(qū)域端部處的電場集中。由此，能夠防止電場集中所導(dǎo)致的SBD的破壞。
[0041]保護環(huán)20是將高濃度ρ型區(qū)22配置于低濃度P型區(qū)21的上部的一部分而得到的結(jié)構(gòu)。即，以使得高濃度P型區(qū)22不接觸半導(dǎo)體層12的η型區(qū)的方式，利用低濃度ρ型區(qū)21覆蓋高濃度ρ型區(qū)22的側(cè)表面和底面。如上，結(jié)晶缺陷較多的高濃度ρ型區(qū)22被從漂移區(qū)遮斷，因此如后所述，能夠抑制在施加反向電壓時產(chǎn)生的漏電流的增大。高濃度P型區(qū)22的上表面的至少一部分在半導(dǎo)體基體10的表面露出，在該露出的區(qū)域內(nèi)，歐姆結(jié)電極30和高濃度ρ型區(qū)22形成歐姆結(jié)。
[0042]低濃度ρ型區(qū)21的雜質(zhì)濃度被設(shè)定為使得由于保護環(huán)20形成時的雜質(zhì)注入而產(chǎn)生半導(dǎo)體基體10的沖擊不會影響形成于元件區(qū)101的半導(dǎo)體元件的特性的范圍內(nèi)。例如，低濃度P型區(qū)21的雜質(zhì)濃度被設(shè)定為1.0X 116?1.0X 10 18atoms/cm3左右。
[0043]另一方面，以盡可能降低形成歐姆結(jié)的歐姆結(jié)電極30與高濃度ρ型區(qū)22的接觸電阻的方式，設(shè)定高濃度P型區(qū)22的雜質(zhì)濃度。優(yōu)選歐姆結(jié)電極30與高濃度ρ型區(qū)22的接觸電阻在1.0X10 3 Ω Mm2以下。此時，高濃度ρ型區(qū)22的雜質(zhì)濃度例如為5.0X 10 19?
2.0 X 1020atoms/cm3左右。
[0044]在半導(dǎo)體裝置I中，如果施加給形成于保護環(huán)20與作為η型區(qū)的漂移區(qū)之間的接觸面上的PN結(jié)的電壓達到了動作電壓，則會從PN結(jié)對漂移區(qū)注入少數(shù)載流子。此時，如果歐姆結(jié)電極30與保護環(huán)20的高濃度ρ型區(qū)22形成了歐姆結(jié)，則在施加給半導(dǎo)體裝置I的正向電壓到達PN結(jié)的動作電壓的時刻開始載流子的注入。
[0045]如果少數(shù)載流子向肖特基結(jié)電極40下方的漂移區(qū)擴散，則會引起傳導(dǎo)度調(diào)制，半導(dǎo)體裝置I的串聯(lián)電阻降低，可抑制正向電壓的上升。其結(jié)果，能夠防止浪涌電流等造成的SBD的破壞。
[0046]另外，保護環(huán)20的深度和寬度可根據(jù)半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)和所要求的耐壓等適當設(shè)定。
[0047]另外，歐姆結(jié)電極30優(yōu)選采用圖2所示的將第I擴散阻擋金屬層31與第2擴散阻擋金屬層32層疊得到的結(jié)構(gòu)。第I擴散阻擋金屬層31配置于肖特基結(jié)電極40的上表面，用于防止構(gòu)成肖特基結(jié)電極40的金屬的擴散。例如在肖特基結(jié)電極40由Mo膜構(gòu)成的情況下，第I擴散阻擋金屬層31使用Ni膜。第I擴散阻擋金屬層31與高濃度ρ型區(qū)22形成歐姆結(jié)。此外，第2擴散阻擋金屬層32配置于第I擴散阻擋金屬層31之上，用于防止構(gòu)成焊盤電極50的金屬的擴散。例如在焊盤電極50由Al膜構(gòu)成的情況下，第2擴散阻擋金屬層32使用Ti膜。
[0048]在圖1所示的半導(dǎo)體裝置I中，層間絕緣膜70配置于外周區(qū)102的外緣部。層間絕緣膜70以包圍元件區(qū)101的方式配置于半導(dǎo)體基體10的上表面。層間絕緣膜70例如為氧化硅膜等。在俯視觀察時，保護環(huán)20的外緣部與層間絕緣膜70在層間絕緣膜70的元件區(qū)側(cè)重合。以下，將未被層間絕緣膜70覆蓋的元件區(qū)101和外周區(qū)102的一部分稱作“有緣區(qū)100”。亦即，在有緣區(qū)100的外側(cè)，半導(dǎo)體基體10的上表面被層間絕緣膜70覆蓋。
[0049]如圖1所示，優(yōu)選肖特基結(jié)電極40的外緣部與有緣區(qū)100內(nèi)的保護環(huán)20的一部分重合。通過使肖特基結(jié)電極40的端部在有緣區(qū)100內(nèi)與保護環(huán)20的端部重疊，從而能夠完全防止作為肖特基結(jié)界面的元件區(qū)101的露出。因此，例如在半導(dǎo)體裝置I的制造工序中形成了肖特基結(jié)電極40后，肖特基結(jié)電極40成為掩模，而元件區(qū)101的表面不會被蝕刻。
[0050]如圖1所示，歐姆結(jié)電極30從高濃度ρ型區(qū)22 —直到層間絕緣膜70的有緣區(qū)側(cè)的側(cè)表面和層間絕緣膜70的上表面為止連續(xù)地形成。通過從有緣區(qū)100 —直到層間絕緣膜70的上表面配置歐姆結(jié)電極30，從而能夠完全防止有緣區(qū)100的露出。因此，能夠防止水等浸入到有緣區(qū)100與肖特基結(jié)電極40之間的界面以及有緣區(qū)100與歐姆結(jié)電極30之間的界面。此外，能夠使得對有緣區(qū)100與肖特基結(jié)電極40之間的界面以及有緣區(qū)100與歐姆結(jié)電極30之間的界面施加的電壓變得均勻。
[0051]另外，優(yōu)選在層間絕緣膜70的上表面上，歐姆結(jié)電極30的外緣部位于俯視觀察時比保護環(huán)20的外緣部靠內(nèi)側(cè)的位置處。其原因在于，為了在保護環(huán)20的外側(cè)形成場限環(huán)(Field Limiting Ring:FLR)的情況下抑制半導(dǎo)體裝置I的耐壓降低。如果歐姆結(jié)電極30延伸至FLR的上方，則耗盡層會延伸至設(shè)計程度以上，導(dǎo)致耐壓降低。為了防止這種情況，歐姆結(jié)電極30的外緣部被設(shè)定在比保護環(huán)20的外緣部靠內(nèi)側(cè)的位置處。
[0052]在半導(dǎo)體裝置I的制造過程中，如后所述，在室溫下進行形成保護環(huán)20的低濃度P型雜質(zhì)注入和高濃度P型雜質(zhì)注入。此后，利用活化退火形成保護環(huán)20。
[0053]為了使?jié)舛圈研蛥^(qū)22和歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)，高濃度ρ型區(qū)22的表面雜質(zhì)濃度必須達到歐姆結(jié)形成所需的濃度。于是，通過以下的方法將高濃度P型區(qū)22的表面雜質(zhì)濃度調(diào)整為最大。
[0054]首先，在室溫條件下使用離子注入法進行對半導(dǎo)體基體10的雜質(zhì)注入。接著進行活化退火。此后，為了去除已進行離子注入和活化退火的半導(dǎo)體基體10的表面損傷，利用熱氧化法形成熱氧化膜。亦即，半導(dǎo)體基體10的表面損傷層被氧化而成為氧化膜。接下來，利用使用氫氟酸混合液的濕蝕刻去除氧化膜。
[0055]接著，通過熱氧化形成作為層間絕緣膜70的下層側(cè)的熱氧化膜，在熱氧化膜上通過CVD法形成作為層間絕緣膜70的上層側(cè)的CVD氧化膜。此后，光蝕刻技術(shù)和濕蝕刻技術(shù)選擇性去除有緣區(qū)100上的CVD氧化膜和熱氧化膜，使半導(dǎo)體基體10上的相當于有緣區(qū)100的區(qū)域的表面露出。
[0056]這里，在通過熱氧化而被氧化的半導(dǎo)體基體10的表面上，高濃度P型區(qū)22的表面的熱氧化速度比低濃度P型區(qū)21的表面和半導(dǎo)體層12的表面的熱氧化速度快，通過熱氧化形成的氧化膜厚變厚。亦即，通過濕蝕刻而露出的高濃度P型區(qū)22的表面的位置向比有緣區(qū)100中的其他區(qū)域的表面位置靠半導(dǎo)體基體10的內(nèi)部側(cè)的位置后退。預(yù)先調(diào)整注入分布，以使得在通過該熱氧化而形成氧化膜并去除了氧化膜后，露出的高濃度P型區(qū)22的表面的雜質(zhì)濃度成為與歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)的濃度。此外，在歐姆結(jié)電極30形成前，通過干蝕刻去除形成于高濃度P型區(qū)22表面的自然氧化膜。此時，還考慮到高濃度ρ型區(qū)22表面略微被蝕刻而表面后退的情況，一并調(diào)整注入分布。
[0057]例如，基于高濃度ρ型區(qū)22的雜質(zhì)注入時的表面濃度為2.0X 1020atoms/cm3,從表面進入半導(dǎo)基體內(nèi)部50nm的位置處的雜質(zhì)濃度為1X 102°atoms/cm3的注入分布，進行離子注入。其原因在于，通過基于用于去除損傷的熱氧化的氧化膜形成和基于濕蝕刻的氧化膜去除、作為層間絕緣膜70的氧化膜形成和基于濕蝕刻的有緣區(qū)100的氧化膜去除、以及歐姆結(jié)電極30形成前的干蝕刻，使得高濃度ρ型區(qū)22的表面相比于雜質(zhì)注入時的位置向半導(dǎo)體基體10內(nèi)部后退了 50nm。通過上述的注入分布，正好10.0X 102°atoms/cm3的濃度位置在表面露出。另外，低濃度P型區(qū)21在注入濃度為10.0X10lsatomS/Cm3、且深度為I μ m左右的深度方向上成為平坦的注入分布，不會受到氧化對表面位置后退的影響。另外，低濃度P型區(qū)21與半導(dǎo)體層12的未注入?yún)^(qū)域的氧化速度大致相同。
[0058]作為比較例，如下示出高濃度P型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)時的TLM測定結(jié)果。圖3是高濃度ρ型區(qū)22的表面濃度為1.0X102°atomS/Cm3時的測定結(jié)果。電流對于電壓的曲線示出線形，而相對于TLM電極間隔的電阻值為一定的，因而可知已形成了歐姆結(jié)。此時高濃度P型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30之間的接觸電阻為5.0X10 4Ω.cm2至1.0X10 3 Ω.cm20
[0059]通常，為了在η型半導(dǎo)體基體10上形成保護環(huán)20等的ρ型SiC區(qū)域，使用硼(B)和鋁(Al)等的ρ型雜質(zhì)的離子注入法或外延成長法等。通常在進行了離子注入后，通過惰性環(huán)境下的1500°C以上的熱處理來使離子活化，形成ρ型區(qū)。
[0060]此外，作為用于與ρ型SiC區(qū)域形成歐姆結(jié)的金屬膜的材料，可使用由Al、T1、Ni等構(gòu)成的Al類合金、Ti硅化物、Ni硅化物、金(Au)、鉑(Pt)等。利用熱處理使這些金屬以及金屬化合物與P型SIC區(qū)域反應(yīng)，形成歐姆結(jié)或降低接觸電阻。
[0061]此時，如果使與金屬接觸的部分的ρ型區(qū)的雜質(zhì)濃度在5.0X 1019atoms/cm3以上，則僅通過使P型區(qū)與Ni膜接觸就能夠形成歐姆結(jié)。然而，如果使保護環(huán)20整體成為5.0X 1019atoms/cm3以上的高濃度ρ型區(qū)，則如下所述反向漏電流會增大。如果對半導(dǎo)體基體10高濃度地注入雜質(zhì)，則即使采取了高溫注入等的對策，也能根據(jù)經(jīng)驗得知無法完全抑制對于半導(dǎo)體基體10的注入損傷。在雜質(zhì)注入后，會在半導(dǎo)體基體10的內(nèi)部產(chǎn)生注入導(dǎo)致的多處缺陷。該缺陷會妨礙形成于P型區(qū)與漂移區(qū)之間的耗盡層均勻形成，而在施加反向電壓時會作為漏電流路徑發(fā)揮作用。因此，來自缺陷附近的漏電流增大，反向特性顯著劣化。
[0062]在圖1所示的半導(dǎo)體裝置I中，以使得不會出現(xiàn)離子注入導(dǎo)致的對半導(dǎo)體基體10的損傷的方式，將降低了雜質(zhì)濃度的低濃度P型區(qū)21形成于保護環(huán)20與漂移區(qū)接觸的區(qū)域。另一方面，高濃度P型區(qū)22以完全不接觸漂移區(qū)的方式形成于保護環(huán)20的內(nèi)側(cè)。
[0063]由此，高濃度ρ型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)，從而保護環(huán)20與歐姆結(jié)電極30電連接起來。而且，保護環(huán)20內(nèi)的結(jié)晶缺陷較多的高濃度ρ型區(qū)22借助于低濃度ρ型區(qū)21而完全與漂移層遮斷，因而能夠抑制施加反向電壓時的漏電流的增加。
[0064]圖5示出在保護環(huán)20上形成低濃度P型區(qū)21和高濃度ρ型區(qū)22并形成歐姆結(jié)電極30的SBD (A)、以及僅形成低濃度ρ型區(qū)21并形成歐姆結(jié)電極30的SBD (B)的正向電壓對正向電流的曲線。形成低濃度P型區(qū)21和高濃度ρ型區(qū)22并形成歐姆結(jié)電極30的SBD(A)相比于僅形成低濃度ρ型區(qū)21且形成歐姆結(jié)電極30的SBD(B)而言，能夠抑制正向電流IF較大的區(qū)域的電壓上升。即，形成低濃度ρ型區(qū)21和高濃度ρ型區(qū)22且形成歐姆結(jié)電極30的SBD(A)在被施加了正向浪涌電流時，可抑制電壓的上升，半導(dǎo)體裝置I的正向浪涌電流耐量提升。
[0065]以下，參照附圖，說明本發(fā)明第I實施方式的半導(dǎo)體裝置I的制造方法。另外，以下所述的半導(dǎo)體裝置I的制造方法僅為一例，包括其變形例在內(nèi)，可通過上述以外的各種制造方法實現(xiàn)，這是不言自明的。
[0066]首先，如圖6所示，在由SiC構(gòu)成的η型半導(dǎo)體襯底11上形成η型半導(dǎo)體層12，構(gòu)成半導(dǎo)體基體10。例如，半導(dǎo)體襯底11是襯底比電阻為0.02 Ω.αιι左右的η型SiC襯底，半導(dǎo)體層12是在半導(dǎo)體襯底11上外延成長的膜厚為5?10 μ m且雜質(zhì)濃度為5.0X 115?
15.0X 1015atoms/cm3左右的 SIC 半導(dǎo)體層。
[0067]接著，在半導(dǎo)體基體10的上表面形成注入貫通氧化膜(省略圖示)。然后，將以使得在注入貫通氧化膜上對注入部分開孔的方式布局的光致抗蝕膜作為掩模，在保護環(huán)20的形成區(qū)域離子注入P型雜質(zhì)。由此，如圖7所示，形成了低濃度ρ型區(qū)210。例如，將Al等的P型雜質(zhì)在室溫條件下注入到半導(dǎo)體層12的上部的一部分。此后，去除用于離子注入的掩模的光致抗蝕膜。
[0068]另外，還可以通過使半導(dǎo)體裝置I成為期望的耐壓的方式，在保護環(huán)20的外側(cè)形成FLR(省略圖示)。FLR可通過與保護環(huán)20相同的工序形成。然而，也可以按照半導(dǎo)體裝置I的結(jié)構(gòu)不同而使得保護環(huán)20和FLR的雜質(zhì)注入條件不同。此外，還可以在保護環(huán)20和FLR分別通過各自的工序進行注入用掩模的布局和雜質(zhì)注入。
[0069]接著，在低濃度ρ型區(qū)210的內(nèi)側(cè)注入用于形成高濃度P型區(qū)22的ρ型雜質(zhì)。例如，將以在注入貫通氧化膜上對注入部分開孔的方式重新布局的光致抗蝕膜作為掩模，將Al等的ρ型雜質(zhì)在室溫條件下注入到低濃度ρ型區(qū)210的上部的一部分。S卩，如圖8所示，在低濃度P型區(qū)210的內(nèi)側(cè)形成高濃度ρ型區(qū)220。此時，高濃度ρ型區(qū)220的側(cè)表面和底面被低濃度P型區(qū)210覆蓋，并且高濃度ρ型區(qū)220不直接接觸半導(dǎo)體層12的η型區(qū)。此后，去除用于離子注入的掩模的光致抗蝕膜和注入貫通氧化膜。
[0070]另外，上述內(nèi)容示出了在形成低濃度ρ型區(qū)210后形成高濃度P型區(qū)220的例子，然而也可以在形成高濃度P型區(qū)220后形成低濃度ρ型區(qū)210。此外，作為雜質(zhì)注入用的掩模，可使用光致抗蝕膜以外的掩模、例如氧化硅等的硬掩模等。
[0071]接著，利用活化退火形成保護環(huán)20。例如，對半導(dǎo)體基體10涂布由碳、氫、氧構(gòu)成的溶劑并燒結(jié)，或者通過物理氣相沉積(PVD)法或化學(xué)氣相沉積(CVD)法等形成碳層。而且，在氬(Ar)等的惰性環(huán)境下進行1600°C?2000°C、1分?15分的熱處理，從而使所注入的P型雜質(zhì)活化。由此，具有周圍被低濃度P型區(qū)21包圍的高濃度ρ型區(qū)22的保護環(huán)20形成于半導(dǎo)體基體10的外周區(qū)102。此后，通過氧化去除碳層。
[0072]接著，通過熱氧化使半導(dǎo)體基體10上的損傷層氧化，并通過濕蝕刻將其去除。
[0073]接著，作為層間絕緣膜70，在半導(dǎo)體基體10上形成熱氧化膜，在熱氧化膜上通過CVD法等形成絕緣膜。該絕緣膜例如是氧化硅膜、氮化硅膜、NSG膜、PSG膜等。使用光蝕刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)布局這些熱氧化膜和絕緣膜，如圖9所示形成層間絕緣膜70，并使有緣區(qū)100的半導(dǎo)體基體10的上表面露出。此時使露出的高濃度ρ型區(qū)22的表面濃度在
5.0X 1019atomS/Cm3以上。熱氧化膜在基體內(nèi)部后退，因此此時以使得后退的表面位置的濃度成為目的濃度的方式選擇之后的離子注入條件。
[0074]接著，作為肖特基結(jié)電極40，例如將膜厚50?200nm的MO膜形成于有緣區(qū)100內(nèi)的元件區(qū)101。肖特基結(jié)電極40在使金屬膜成膜后，使用光蝕刻技術(shù)和濕蝕刻技術(shù)等布局。此時，如圖10所示，將肖特基結(jié)電極40的端部配置為與保護環(huán)20的高濃度ρ型區(qū)22的一部分重合。接著，在惰性氣氛氣體中或還原氣氛氣體中進行600°C?650°C、5分?30分的熱處理，從而使半導(dǎo)體基體10肖特基結(jié)電極40反應(yīng)并形成肖特基結(jié)。
[0075]此后，通過逆濺射處理或干蝕刻，對有緣區(qū)100內(nèi)的半導(dǎo)體基體10上的未形成肖特基結(jié)電極40的區(qū)域、即高濃度ρ型區(qū)22的露出的區(qū)域進行蝕刻。由此，去除了形成于高濃度P型區(qū)22的上表面的自然氧化膜和不要的物質(zhì)等，使高濃度P型區(qū)22的表面成為適于形成歐姆結(jié)的狀態(tài)。此外，在高濃度P型區(qū)22的表面濃度到達注入分布上的目標位置的情況下，進行逆濺射和干蝕刻，直到到達目標位置為止，使較高濃度的表面露出。例如，在氬(Ar)環(huán)境下進行幾分鐘的1000?2000W的干蝕刻。此時，層間絕緣膜70和肖特基結(jié)電極40成為掩模，因此表面露出的高濃度ρ型區(qū)22以外的半導(dǎo)體基體10的表面不會被蝕刻。
[0076]接著，如圖11所示，以接觸露出的高濃度P型區(qū)22的表面的方式使作為歐姆結(jié)電極30的歐姆金屬層300成膜。歐姆結(jié)電極30可采用圖2所示的2層結(jié)構(gòu)。例如，能夠作為第I擴散阻擋金屬層31使膜厚50?200nm的Ni層成膜，然后作為第2擴散阻擋金屬層32使膜厚50?200nm的Ti膜成膜。接著，在歐姆金屬層300之上作為焊盤金屬層500使膜厚I?10 μ m的Al膜成膜。歐姆金屬層300和焊盤金屬層500例如通過派射法、電子線蒸鍍法等形成。
[0077]接著，使用光蝕刻技術(shù)和濕蝕刻技術(shù)或干蝕刻技術(shù)布局焊盤金屬層500，形成焊盤電極50。進而，同樣地布局歐姆金屬層300，形成歐姆結(jié)電極30。此時，對于焊盤金屬層500和歐姆金屬層300，既可以使用相同的光掩模連續(xù)蝕刻，也可以分別使用光蝕刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)布局。
[0078]接著，作為第I保護膜80，通過CVD法以10nm?2 μ m的膜厚在半導(dǎo)體基體10上形成SiN膜、NSG膜或PSG膜。進而，在第I保護膜80上形成聚酰亞胺膜以作為第2保護膜90。而且，通過光蝕刻技術(shù)使肖特基結(jié)電極40上的第2保護膜90開孔，然后以第2保護膜90作為掩模，通過干蝕刻對第I保護膜80開孔。由此，焊盤電極50的表面露出，焊盤電極50作為半導(dǎo)體裝置I的陽電極而能夠與外部電連接。
[0079]接著，在半導(dǎo)體基體10的下表面形成背面電極60。通過光致抗蝕膜或保護帶等保護半導(dǎo)體基體10的表面，通過濕蝕刻、干蝕刻、磨削、研磨等去除半導(dǎo)體基體10的背面的氧化膜。此后，在去除了氧化膜的半導(dǎo)體基體10的背面通過濺射法、電子線蒸鍍法等形成Ni膜。接著，使通過激光退火法而成膜的Ni膜與半導(dǎo)體基體10的背面反應(yīng)，將作為背面歐姆結(jié)電極的Ni硅化物膜形成為第I背面金屬層61。由此，半導(dǎo)體基體10的背面與Ni硅化物膜形成歐姆結(jié)。接著，使用逆濺射處理和干蝕刻去除形成于Ni硅化物膜上的鈍態(tài)層，然后通過濺射法和電子線蒸鍍法等在第I背面金屬層61的表面形成由T1、N1、Ag、Au、Pd等構(gòu)成的第2背面金屬層62。由此，形成圖13所示的背面電極60，并能夠使其作為半導(dǎo)體裝置I的陰電極與外部電連接。
[0080]另外，作為背面歐姆結(jié)電極的Ni硅化物膜還能夠通過快速熱退火(RTA)處理等的加熱處理形成。這種情況下，在從形成層間絕緣膜70的熱氧化膜后，或在形成熱氧化膜和CVD氧化膜之后，直到使有緣區(qū)100的上表面露出的工序為止的期間內(nèi)，形成Ni硅化物膜。例如通過光致抗蝕膜等保護半導(dǎo)體基體10的表面，在利用濕蝕刻去除了氧化膜的半導(dǎo)體基體10的背面通過濺射法和電子線蒸鍍法使Ni膜成膜，在惰性環(huán)境或還原環(huán)境下進行900°C至1050°C、2分?10分的加熱處理。在加熱處理后，通過濕蝕刻去除未參與硅化物反應(yīng)的Ni，僅使所形成的Ni硅化物膜殘留于半導(dǎo)體基體10的背面。在形成表面結(jié)構(gòu)后，通過逆濺射處理和干蝕刻去除形成于Ni硅化物膜上的鈍態(tài)層。此后，通過濺射法和電子線蒸鍍法等在Ni硅化物膜的表面形成由T1、N1、Ag、Au、Pd等構(gòu)成的第2背面金屬層62。由此，形成圖13所示的背面電極60，并能夠使其作為半導(dǎo)體裝置I的陰電極與外部電連接。
[0081]以上完成了半導(dǎo)體裝置I。通過上述的半導(dǎo)體裝置I的制造方法，保護環(huán)20的高濃度P型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30能夠形成歐姆結(jié)。因此，利用來自形成于保護環(huán)20與漂移區(qū)之間的PN結(jié)的少數(shù)載流子注入而實現(xiàn)的漂移區(qū)的傳導(dǎo)度調(diào)制帶來的串聯(lián)電阻的降低，能夠抑制施加高電流時的電壓上升。即，能夠提供一種提升了正向浪涌電流耐量的半導(dǎo)體裝置I。
[0082]此外，在上述制造方法中通過制造工序條件的控制，高濃度ρ型區(qū)22的最表面以歐姆結(jié)形成所需的濃度常時露出，并且僅通過使高濃度P型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30接觸就能夠形成歐姆結(jié)。因而不需要高溫的加熱處理，因此能夠在肖特基結(jié)電極40形成后形成歐姆結(jié)電極30。因此，不同于在肖特基結(jié)電極40的形成前形成歐姆結(jié)電極30的情況，通過肖特基結(jié)電極40的形成時的前處理等，能夠防止構(gòu)成歐姆結(jié)電極30的金屬的離散等導(dǎo)致的肖特基結(jié)界面被污染的情況，能夠獲得穩(wěn)定的SBD特性。
[0083](第2實施方式)
[0084]以上說明了形成于半導(dǎo)體裝置I的元件區(qū)101的半導(dǎo)體元件為SBD的情況。然而，半導(dǎo)體元件不限于SBD。
[0085]例如圖14所示，本發(fā)明對于在SBD的肖特基勢皇區(qū)具有P型區(qū)的結(jié)勢皇肖特基二極管(JBS)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體元件形成于元件區(qū)101的情況也是有效的。在JBS結(jié)構(gòu)中，在元件區(qū)101內(nèi)以一定間隔配置ρ型區(qū)25。在施加反向電壓時，形成于ρ型區(qū)25與η型漂移區(qū)的接合部的耗盡層擴張，與臨近的形成于P型區(qū)25與η型漂移區(qū)的接合部的耗盡層連接，完全遮斷漂移區(qū)的電流路徑，從而得到高耐壓。通常情況下，在施加反向電壓時移動的載流子會在正向動作時被排出。然而，在SIC的情況下，會在ρ型區(qū)25與肖特基結(jié)電極40之間形成壁皇而遮斷載流子的移動，有時載流子未排出而殘留于接合部。其結(jié)果，在施加反向電壓時形成的耗盡層在正向動作時也未消失，漂移區(qū)的空間變小，因此可能招致正向電壓的上升。于是，在JBS結(jié)構(gòu)的ρ型區(qū)25的一部分設(shè)置與歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)的部分，以能夠?qū)崿F(xiàn)載流子的排出。例如，在P型區(qū)25被配置為在俯視觀察時從元件區(qū)101的端延伸至端的多個條紋形狀的情況下，如圖15舉例所示，使各個條紋的至少一端與保護環(huán)20連接。由此，P型區(qū)25始終經(jīng)由保護環(huán)20連接到與設(shè)置于保護環(huán)20內(nèi)的高濃度ρ型區(qū)22形成歐姆結(jié)的歐姆結(jié)電極30。因此，能夠順利排出蓄積于接合部的載流子。
[0086]此外，在構(gòu)成為將ρ型區(qū)25配置為彼此遠離的多個島狀部件的情況下，如圖16所示，在P型區(qū)25的內(nèi)部形成高濃度ρ型區(qū)22。然后，以使得高濃度ρ型區(qū)22在半導(dǎo)體基體10的表面露出的方式布局肖特基結(jié)電極40，并配置為使得歐姆結(jié)電極30與高濃度ρ型區(qū)22接觸。由此，各個ρ型區(qū)25能夠與歐姆結(jié)電極30形成歐姆結(jié)。
[0087]在第2實施方式的半導(dǎo)體裝置I的制造時，在進行用于形成保護環(huán)20和ρ型區(qū)25的雜質(zhì)注入的情況下，在半導(dǎo)體基體10的半導(dǎo)體層12之上形成注入貫通氧化膜，并且通過光致抗蝕膜形成使注入?yún)^(qū)域開口的離子注入掩模。另外，按照對半導(dǎo)體裝置I要求的特性，分別設(shè)定保護環(huán)20和ρ型區(qū)25的注入條件。此時，分別進行或部分共同進行離子注入掩模的形成和離子注入。另外，在保護環(huán)20內(nèi)的高濃度ρ型區(qū)22和ρ型區(qū)25配置為多個島狀部件的情況下，如果在各個P型區(qū)25內(nèi)設(shè)置了高濃度ρ型區(qū)22，則高濃度ρ型區(qū)22形成為不直接接觸η型漂移區(qū)。另外，保護環(huán)20以及ρ型區(qū)25和高濃度ρ型區(qū)22的雜質(zhì)注入中的任意一方可優(yōu)先進行。
[0088](第3實施方式)
[0089]如圖17所示，在對SBD附加PN結(jié)區(qū)域，并且將一并設(shè)置了肖特基結(jié)和PN結(jié)的MPS(Merged PIN/Schottky:混合PIN肖特基)結(jié)構(gòu)形成于元件區(qū)101的情況下，本發(fā)明也是有效的。MPS結(jié)構(gòu)的二極管在被施加較高的正向電流而正向電壓上升時，PIN 二極管工作，通過積極利用來自PN結(jié)的少數(shù)載流子注入實現(xiàn)的漂移區(qū)的傳導(dǎo)度調(diào)制，能夠抑制正向電壓的上升。即，能夠提升正向浪涌電流耐量。此外，利用所述效果還能夠靈活用于大電流規(guī)格的器件結(jié)構(gòu)。
[0090]在構(gòu)成MPS的情況下，將與PIN 二極管的ρ型區(qū)25連接的電極獨立形成于肖特基結(jié)電極40。在ρ型區(qū)25內(nèi)形成高濃度ρ型區(qū)22，作為配置與ρ型區(qū)25連接的電極的區(qū)域。在半導(dǎo)體層12的SBD區(qū)域形成肖特基結(jié)電極40時，肖特基結(jié)電極40的端部位于ρ型區(qū)25的端部與形成于該P型區(qū)25的高濃度ρ型區(qū)22之間。如上，通過肖特基結(jié)電極40完全覆蓋肖特基結(jié)界面。接著，形成歐姆結(jié)電極30，高濃度ρ型區(qū)22與歐姆結(jié)電極30在肖特基結(jié)電極40之間形成歐姆結(jié)。由此，歐姆結(jié)電極30成為與PIN 二極管的ρ型區(qū)25連接的電極。因此，能夠使PiN 二極管工作。
[0091]在第3實施方式的半導(dǎo)體裝置I的制造時，在進行用于形成保護環(huán)20和ρ型區(qū)25的雜質(zhì)注入的情況下，在半導(dǎo)體基體10的半導(dǎo)體層12上形成注入貫通氧化膜，并且通過光致抗蝕膜形成使注入?yún)^(qū)域開口的離子注入掩模。另外，按照對半導(dǎo)體裝置I要求的特性，分別設(shè)定保護環(huán)20和ρ型區(qū)25的注入條件。此時，分別進行或者局部共通進行離子注入掩模的形成和離子注入。此外，在保護環(huán)20內(nèi)的高濃度ρ型區(qū)22和ρ型區(qū)25配置為多個島狀部件的情況下，如果在各個P型區(qū)25內(nèi)設(shè)置高濃度ρ型區(qū)22，則高濃度ρ型區(qū)22形成為不直接接觸η型漂移區(qū)。另外，保護環(huán)20以及ρ型區(qū)25和高濃度ρ型區(qū)22的雜質(zhì)注入中的任意一方可優(yōu)先進行。
[0092]如上所述，在不另外形成MPS結(jié)構(gòu)的PIN 二極管的ρ型區(qū)25的接觸用電極的情況下，也能夠歐姆結(jié)于ρ型區(qū)25。由此，能夠簡化制造工序。此外，能夠抑制ρ型區(qū)25的接觸用電極的形成時的肖特基結(jié)界面的污染。
[0093](其他的實施方式)
[0094]如上所述通過實施方式描述了本發(fā)明，然而應(yīng)理解為構(gòu)成該公開內(nèi)容的一部分的論述和附圖并非用于限定本發(fā)明。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)該公開內(nèi)容，能夠明確各種替代性實施方式、實施例和運用技術(shù)。
[0095]例如，上述內(nèi)容示出了半導(dǎo)體基體10為SiC的情況，而半導(dǎo)體基體10也可以為其他材料、例如硅(Si)。
[0096]如上，本發(fā)明當然還應(yīng)包括以上未描述的各種實施方式等。因此，本發(fā)明的技術(shù)的范圍僅應(yīng)當基于上述說明而根據(jù)正確的權(quán)利要求書中的發(fā)明特定事項加以確定。
【主權(quán)項】
1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具有: η型半導(dǎo)體基體，其在主面上定義了元件區(qū)和包圍所述元件區(qū)的周圍的外周區(qū)； P型保護環(huán)，其配置于所述外周區(qū)內(nèi)，并具有低濃度P型區(qū)和高濃度P型區(qū)，且所述高濃度P型區(qū)的側(cè)表面和底面被所述低濃度P型區(qū)覆蓋而使所述高濃度P型區(qū)不接觸所述半導(dǎo)體基體的η型區(qū)，其中，該低濃度P型區(qū)以包圍所述元件區(qū)的周圍的方式配置于所述半導(dǎo)體基體的上表面，該高濃度P型區(qū)的雜質(zhì)濃度高于所述低濃度P型區(qū)且該高濃度P型區(qū)配置于所述低濃度P型區(qū)的內(nèi)側(cè)；以及 歐姆結(jié)電極，其與所述高濃度P型區(qū)形成歐姆結(jié)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述半導(dǎo)體基體由碳化硅構(gòu)成。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該半導(dǎo)體裝置還具有肖特基結(jié)電極，該肖特基結(jié)電極配置于所述元件區(qū)的上表面，且與所述半導(dǎo)體基體形成肖特基結(jié)。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該半導(dǎo)體裝置還具有焊盤電極，該焊盤電極配置于所述歐姆結(jié)電極的上表面， 所述歐姆結(jié)電極具有: 第I擴散阻擋金屬層，其配置于所述肖特基結(jié)電極的上表面，防止構(gòu)成所述肖特基結(jié)電極的金屬的擴散；以及 第2擴散阻擋金屬層，其配置于所述第I擴散阻擋金屬層之上，防止構(gòu)成所述焊盤電極的金屬的擴散。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該半導(dǎo)體裝置還具有背面電極，該背面電極配置于所述半導(dǎo)體基體的與配置有所述肖特基結(jié)電極的主面相對的另一個主面，肖特基勢皇二極管形成于所述元件區(qū)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任意一項所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 該半導(dǎo)體裝置還具有層間絕緣膜，該層間絕緣膜以包圍所述元件區(qū)的方式配置于所述外周區(qū)的外緣部， 所述歐姆結(jié)電極從所述高濃度P型區(qū)的上表面一直到所述層間絕緣膜的側(cè)表面和上表面連續(xù)地形成。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述歐姆結(jié)電極的外緣部在所述層間絕緣膜的上表面位于俯視觀察時比所述保護環(huán)的外緣部靠內(nèi)側(cè)的位置。
【文檔編號】H01L29/45GK106024850SQ201510358385
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年6月25日
【發(fā)明人】川口博子, 吉江徹, 熊倉弘道, 大久保秀, 大久保秀一
【申請人】三墾電氣株式會社