一種三維Cu/Co₃O₄多級納米線陣列及其制備方法和用圖
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種三維Cu/Co3O4多級納米線陣列，通過水熱反應(yīng)使得Co3O4納米線直接生長于泡沫銅基底之上形成多級結(jié)構(gòu)，長在泡沫銅基底上的Co3O4納米線直徑<50nm。具體制備方法是將經(jīng)過表面預(yù)處理的泡沫銅置于含有硝酸鈷、氟化銨和尿素的混合溶液中，在不同的溫度、不同濃度前驅(qū)體溶液下采用水熱反應(yīng)法進(jìn)行反應(yīng)，從而獲得三維的Co3O4多級納米陣列結(jié)構(gòu)，而后在350℃的熱處理溫度下，經(jīng)過水熱反應(yīng)的中間體轉(zhuǎn)化成了Co3O4，其納米線的直徑<50nm。將該多級納米陣列結(jié)構(gòu)應(yīng)用于諸如鋰離子電池和鋰空氣電池等新能源能量存儲及轉(zhuǎn)化器件不僅可以得到較高的比容量，還能夠明顯地改善優(yōu)化電極的動(dòng)力學(xué)過程。
【專利說明】
一種三維Cu/Co304多級納米線陣列及其制備方法和用途
技術(shù)領(lǐng)域
[0001 ]本發(fā)明涉及材料領(lǐng)域，具體涉及一種三維C11/C03O4多級納米線陣列及其制備方法和用途。
【背景技術(shù)】
[0002]探索新的電極材料對于發(fā)展能夠應(yīng)用于移動(dòng)電子設(shè)備和新能源汽車的新一代鋰離子電池等新能源儲能及能量轉(zhuǎn)化器件至關(guān)重要。過渡金屬氧化物由于其較高的理論比容量而受到了大量的研究，其中Co3O4由于其優(yōu)異的物理化學(xué)性能例如890mAh/g的理論比容量而引起了大量關(guān)注。然而，正如其他的過渡金屬氧化物一樣，在充放電過程中鋰離子的不斷嵌入與脫出會(huì)導(dǎo)致Co3O4電極容量的迅速衰減，這一現(xiàn)象主要是由于鋰離子的不斷嵌入脫出而引起Co3O4電極材料體積變化并帶來電子傳輸?shù)氖茏?。為了彌補(bǔ)Co3O4電極材料的這一缺點(diǎn)，許多具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的納米結(jié)構(gòu)被研究人員采用，諸如Co3O4納米線、納米帶、納米管、納米片以及微球的形貌都能夠保證電極性能的穩(wěn)定，但是這些結(jié)構(gòu)的Co3O4電極的電化學(xué)性能尤其是動(dòng)力學(xué)性能還不夠于滿足其作為新能源汽車動(dòng)力電池或者是移動(dòng)電子設(shè)備的要求。
[0003]正如目前研究所知，諸如鋰離子電池等新能源儲能及能量轉(zhuǎn)化器件的性能主要是由電池整體的電化學(xué)活性和電極材料的動(dòng)力學(xué)性能所決定的，而對于電極材料動(dòng)力學(xué)性能的改善主要通過對電子和離子在電解液/電極界面、電極體相和電極/集流體界面?zhèn)鬏斶^程的控制與優(yōu)化。對于一般傳統(tǒng)的制備工藝而言，漿料旋涂法是一種通過粘結(jié)劑來連接電極材料與電解質(zhì)，電極材料與集流體的常用方法，這種方法的明顯缺陷是大量具有電化學(xué)活性的表面不能夠與電解質(zhì)有較好的接觸，并且還會(huì)影響電極與集流體之間電子的傳輸。因此，基于這一角度的考量促使我們致力于探索一種合理的電極結(jié)構(gòu)既能夠保證電解質(zhì)與電極材料的充分接觸又能夠使得電子在電解質(zhì)與集流體之間的傳輸不受阻礙。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題為:克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)合理，具有較高電化學(xué)活性的三維Cu/Co304多級納米線陣列，這一種結(jié)構(gòu)能夠有效克服鋰離子不斷嵌入脫出而帶來體積的變化的不良影響，能夠通過三維多級的納米結(jié)構(gòu)明顯地提高電極的電催化活性，能夠通過Co3O4在泡沫銅基底上的直接生長避免聚合物粘結(jié)劑對于電極動(dòng)力學(xué)過程的不良影響。
[0005]本發(fā)明要解決的另一個(gè)技術(shù)問題為:提供一種上述三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種三維C11/C03O4多級納米線陣列，通過水熱反應(yīng)使得C03O4納米線直接生長于泡沫銅基底之上形成多級結(jié)構(gòu)，長在泡沫銅基底上的C03O4納米線直徑<50nm。
[0008]優(yōu)選地，所述的C03O4納米線尺寸均一、分布均勾。
[0009]優(yōu)選地，一種三維C11/C03O4多級納米線陣列的制備方法，具體步驟如下:
[0010](I)將泡沫銅沖壓成圓片后，依次置于丙酮和無水乙醇中超聲清洗以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈；
[0011](2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于濃鹽酸中進(jìn)行表面腐蝕處理后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈；
[0012](3)將Co (NO3) 2水溶液、尿素水溶液、NH4F水溶液混合攪拌后得到混合溶液；
[0013](4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在100-130°C的溫度下進(jìn)行7-9h水熱反應(yīng)；
[0014](5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至340_360°C后，熱處理1.8-2.2h。
[0015]優(yōu)選地，步驟(I)中所述的泡沫銅沖壓成圓片的厚度為8mm，半徑為6cm，先置于丙酮中超聲清洗的時(shí)間為10-20min，然后置于無水乙醇中超聲清洗的時(shí)間均為10_20min。
[0016]優(yōu)選地，步驟(2)中泡沫銅圓片置于濃鹽酸中腐蝕時(shí)間為1.5-2.5h，5 %稀鹽酸超聲清洗的次數(shù)為2次，每次超聲時(shí)間為10-20min。
[0017]優(yōu)選地，步驟(3)的具體過程如下:分別配置濃度為0.6-1.2mol/L的Co(NO3)2水溶液，濃度為0.8-lmol/L的尿素水溶液和濃度為0.4-2mol/L的NH4F水溶液，然后將這三種溶液混合后攪拌0.8-1.2h得到混合溶液，其中，混合溶液中Co (NO3) 2水溶液、尿素水溶液、NH4F水溶液的體積比為2:1:1。
[0018]優(yōu)選地，步驟(4)中所述的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯內(nèi)襯上。
[0019]優(yōu)選地，步驟(5)中升溫速度為2 °C /min。
[0020]優(yōu)選地，一種三維Cu/Co304多級納米線陣列的用途，能夠用于儲能器件以及能量轉(zhuǎn)化器件的電極材料。
[0021]本發(fā)明的有益效果如下:
[0022]1、本發(fā)明在泡沫銅集流體上直接生長氧化鈷納米線可以保證氧化鈷與銅基底之間的良好的接觸與結(jié)合力，極大地提高活性物質(zhì)的利用率，更為關(guān)鍵的是這一種納米生長的方法可以省去引入聚合物粘結(jié)劑從而可以避免對電解質(zhì)與電極之間，電極與集流體之間載流子傳輸?shù)淖璧K。
[0023 ] 2、本發(fā)明的Cu/Co304電極具有三維多級結(jié)構(gòu)，有效地加大了活性電極的比表面積，使得電解質(zhì)與電極活性物質(zhì)的接觸面積加大，有利于鋰離子的迀移與擴(kuò)散，而納米線狀結(jié)構(gòu)不僅更有利于電子在電解質(zhì)與電極之間的傳輸而且減小了鋰離子不斷嵌入脫出過程而導(dǎo)致體積變化而產(chǎn)生的應(yīng)變，具有了穩(wěn)定的高容量與動(dòng)力學(xué)性能。
[0024]3、本發(fā)明通過改變前驅(qū)體反應(yīng)物的濃度，水熱反應(yīng)的反應(yīng)溫度，水熱的反應(yīng)時(shí)間與熱處理的溫度對所得納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行調(diào)控，通過不斷降低在本合成反應(yīng)中作為成型劑的氟化銨濃度和水熱反應(yīng)的溫度分別達(dá)到臨界值可獲得形貌均一，小尺寸的理想納米結(jié)構(gòu)。
[0025]4、本發(fā)明通過水熱反應(yīng)來合成三維C11/C03O4多級納米結(jié)構(gòu)電極具有工藝簡單，成本較低，安全可靠無污染的特點(diǎn)適合于大規(guī)模生產(chǎn)，因此具有較大的商業(yè)前景。
[0026]5、在水熱反應(yīng)前，通過聚四氟乙烯膠帶貼圓形泡沫銅的上端面得以控制Co3O4在圓形泡沫銅上的生長量以及生長位置，同時(shí)通過聚四氟乙烯膠帶對圓形泡沫銅在混合溶液中所處位置的固定得以獲得均一形貌的CO304。
【附圖說明】
[0027]圖1為實(shí)例I所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列不同放大倍數(shù)的掃描電子顯微鏡照片；
[0028]圖2為實(shí)例2所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列不同放大倍數(shù)的掃描電子顯微鏡照片；
[0029]圖3為實(shí)例3所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列不同放大倍數(shù)的掃描電子顯微鏡照片；
[0030]圖4為實(shí)例4所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列不同放大倍數(shù)的掃描電子顯微鏡照片；
[0031 ]圖5為實(shí)例I所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列的X射線衍射分析圖；
[0032]圖6為實(shí)例I所制備的三維CWC03O4多級納米線陣列的光電子能譜分析圖，其中圖a，b，c，d分別為鈷元素，氧元素，銅元素和全譜分析圖；
[0033]圖7為實(shí)例I所制備的三維CU/CO304多級納米線陣列的透射電子顯微鏡照片，其中圖a，b，c，d分別為單個(gè)納米線整體明場像形貌，單個(gè)納米線局部明場像形貌，相應(yīng)區(qū)域氧元素和鈷元素的能譜面掃分析。
【具體實(shí)施方式】
[0034]以下實(shí)施例子可以更好地理解本發(fā)明，但本發(fā)明不局限于以下實(shí)施例。此外應(yīng)理解，在閱讀本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請所附權(quán)力要求書所限定的范圍。
[0035]實(shí)例I
[0036]一種三維Cu/CO304多級納米線陣列的制備方法，具體步驟如下:
[0037](I)將泡沫銅沖壓成厚度為8_，半徑為6cm的圓片后，將其分別置于丙酮和無水乙醇中分別超聲清洗15min以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈；
[0038](2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于分析純濃鹽酸中腐蝕2h后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗2次，每次超聲時(shí)間為15min，以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈；
[0039](3)分別配置濃度為lmol/L的Co(NO3)2水溶液20mL，濃度為lmol/L的尿素水溶液1mL和濃度為0.6mol/L的NH4F水溶液10mL，然后將這三種溶液混合后攪拌Ih得到混合溶液。
[0040](4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在IlOtC的溫度下進(jìn)行Sh水熱反應(yīng)；
[0041](5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至350°C后(升溫速度為2°C/min)，熱處理2h得到三維C11/C03O4多級納米線陣列。
[0042]如圖1所示:實(shí)例I所得的三維C11/C03O4多級納米線結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)合理，形貌均一，納米線尺寸小于50nm可以保證一些較大的比表面積，可以獲得一些微觀效應(yīng)，提升了電極的電催化活性。而其單一的形貌可以確保其作為鋰離子電池電極時(shí)穩(wěn)定的性能，確?？芍貜?fù)性，所以是最為理想的電極納米結(jié)構(gòu)。
[0043]圖5為實(shí)例I所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列的X射線衍射分析圖；通過X射線衍射分析可以看到該樣品粉末為純相從中也可以得出實(shí)例I長在泡沫銅上面的納米線確為Co3O4并且呈現(xiàn)為尖晶石結(jié)構(gòu)，而這種尖晶石結(jié)構(gòu)正有利于鋰離子的存儲。
[0044]圖6為實(shí)例I所制備的三維Cu/Co304多級納米線陣列的光電子能譜分析圖。通過分析不僅確定了實(shí)例I樣品的表面元素也確定了具體元素的價(jià)態(tài)，而Co元素在尖晶石結(jié)構(gòu)中同時(shí)存在3價(jià)態(tài)和2價(jià)態(tài)也大大降低了電子躍迀的活化能。
[0045]圖7為實(shí)例I所制備的三維CWC03O4多級納米線陣列通過在無水乙醇中超聲半小時(shí)后所作的透射電子顯微鏡照片。通過對單一納米線的明場像觀察再次確定了該納米線的具體尺寸與形狀，為根部小于50nm的類針狀納米線，而后又通過對這一單個(gè)產(chǎn)物的mapping分析獲得其成分分布的具體信息，也再一次確定該納米線確為C03O4納米線。
[0046]實(shí)例2
[0047]一種三維Cu/CO304多級納米線陣列的制備方法，具體步驟如下:
[0048](I)將泡沫銅沖壓成厚度為8mm，半徑為6cm的圓片后，將其分別置于丙酮和無水乙醇中分別超聲清洗15min以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈；
[0049](2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于分析純濃鹽酸中腐蝕2h后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗2次，每次超聲時(shí)間為15min，以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈；
[0050](3)分別配置濃度為lmol/L的Co (NO3 )2水溶液20mL，濃度為lmol/L的尿素水溶液1mL和濃度為0.8mol/L的NH4F水溶液10mL，然后將這三種溶液混合后攪拌Ih得到混合溶液。
[0051](4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在IlOtC的溫度下進(jìn)行Sh水熱反應(yīng)；
[0052](5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至350°C后(升溫速度為2°C/min)，熱處理2h得到三維C11/C03O4多級納米線陣列。
[0053]如圖2所示:實(shí)例2所得的三維Cu/CO304多級納米線結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)合理，納米線尺寸小于50nm，并且在納米線周邊有小顆粒的附著，可以進(jìn)一步提升其催化活性，但是整體形貌的均一性有欠缺，所以可以預(yù)見其作為鋰離子電池電極材料是雖具有較好的活性但是不能夠具有較好的可重復(fù)性。
[0054]實(shí)例3
[0055]一種三維Cu/CO304多級納米線陣列的制備方法，具體步驟如下:
[0056](I)將泡沫銅沖壓成厚度為8mm，半徑為6cm的圓片后，將其分別置于丙酮和無水乙醇中分別超聲清洗15min以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈；
[0057](2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于分析純濃鹽酸中腐蝕2h后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗2次，每次超聲時(shí)間為15min，以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈；
[0058](3)分別配置濃度為lmol/L的Co (NO3 )2水溶液20mL，濃度為lmol/L的尿素水溶液1mL和濃度為1.2mol/L的NH4F水溶液10mL，然后將這三種溶液混合后攪拌Ih得到混合溶液。
[0059](4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在IlOtC的溫度下進(jìn)行Sh水熱反應(yīng)；
[0060](5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至350°C后(升溫速度為2°C/min)，熱處理2h得到三維C11/C03O4多級納米線陣列。
[0061 ]如圖3所示:實(shí)例3所得的三維C11/C03O4多級納米線結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)合理，在納米線周邊有介孔小圓柱附著，這種介孔的存在可以為鋰離子的傳輸提供通道，但是其納米線的尺寸需要進(jìn)一步優(yōu)化。
[0062]實(shí)例4
[0063]一種三維Cu/CO304多級納米線陣列的制備方法，具體步驟如下:
[0064](I)將泡沫銅沖壓成厚度為8_，半徑為6cm的圓片后，將其分別置于丙酮和無水乙醇中分別超聲清洗15min以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈；
[0065](2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于分析純濃鹽酸中腐蝕2h后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗2次，每次超聲時(shí)間為15min，以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈；
[0066](3)分別配置濃度為lmol/L的Co (NO3 )2水溶液20mL，濃度為lmol/L的尿素水溶液1mL和濃度為0.6mol/L的NH4F水溶液10mL，然后將這三種溶液混合后攪拌Ih得到混合溶液。
[0067](4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在120°C的溫度下進(jìn)行Sh水熱反應(yīng)；
[0068](5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至350°C后(升溫速度為2°C/min)，熱處理2h得到三維C11/C03O4多級納米線陣列。
[0069]如圖4所示:實(shí)例4所得的三維CWC03O4多級納米線結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)合理，形貌均一，可以獲得一些微觀效應(yīng)，提升了電極的電催化活性。而其單一的形貌可以確保其作為鋰離子電池電極時(shí)穩(wěn)定的性能，確?？芍貜?fù)性，但是尺寸上相對于實(shí)例I而言有待提升。
[0070]以上內(nèi)容僅僅是對本發(fā)明的構(gòu)思所作的舉例和說明，所屬本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員對所描述的具體實(shí)施例做各種各樣的修改或補(bǔ)充或采用類似的方式替代，只要不偏離發(fā)明的構(gòu)思或者超越本權(quán)利要求書所定義的范圍，均應(yīng)屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種三維C11/C03O4多級納米線陣列，其特征在于:通過水熱反應(yīng)使得C03O4納米線直接生長于泡沫銅基底之上形成多級結(jié)構(gòu)，長在泡沫銅基底上的C03O4納米線直徑<50nm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維C11/C03O4多級納米線陣列，其特征在于:所述的C03O4納米線尺寸均一、分布均勾。3.一種三維Cu/CO304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于: 具體步驟如下: (1)將泡沫銅沖壓成圓片后，依次置于丙酮和無水乙醇中超聲清洗以除去泡沫銅表面的油污，然后用去離子水將其表面沖洗干凈； (2)將步驟(I)所得的泡沫銅圓片置于濃鹽酸中進(jìn)行表面腐蝕處理后取出，然后用5%的稀鹽酸溶液超聲清洗以去除表面顆粒，再用去離子水沖洗干凈； (3)將Co(NO3) 2水溶液、尿素水溶液、NH4F水溶液混合攪拌后得到混合溶液； (4)將步驟(3)所得的混合溶液倒入聚四氟乙烯內(nèi)襯中，將步驟(2)所得的泡沫銅圓片的上端面固定在聚四氟乙烯的內(nèi)襯上、泡沫銅圓片的下端面與混合溶液的頂部接觸，然后將聚四氟乙烯內(nèi)襯放入不銹鋼水熱釜中在100-130°C的溫度下進(jìn)行7-9h水熱反應(yīng)； (5)將步驟(4)所得中間產(chǎn)物取出置于燒舟中，在空氣氣氛下升溫至340-360°C后，熱處Sl.8-2.2ho4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于:步驟(1)中所述的泡沫銅沖壓成圓片的厚度為8mm，半徑為6cm，先置于丙酮中超聲清洗的時(shí)間為10-20min，然后置于無水乙醇中超聲清洗的時(shí)間均為10-20min。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于:步驟(2)中泡沫銅圓片置于濃鹽酸中腐蝕時(shí)間為1.5-2.5h，5%稀鹽酸超聲清洗的次數(shù)為2次，每次超聲時(shí)間為10_20min。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于:步驟(3)的具體過程如下:分別配置濃度為0.6-1.2mol/L的Co(NO3)2水溶液，濃度為0.8_lmol/L的尿素水溶液和濃度為0.4-2mol/L的NH4F水溶液，然后將這三種溶液混合后攪拌0.8-1.2h得到混合溶液，其中，混合溶液中Co(NO3)2水溶液、尿素水溶液、NH4F水溶液的體積比為2:1:17.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于:步驟(4)中所述的泡沫銅圓片的上端面通過聚四氟乙烯膠帶固定在聚四氟乙烯內(nèi)襯上。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的三維Cu/Co304多級納米線陣列的制備方法，其特征在于:步驟(5)中升溫速度為2°C/min。9.一種三維Cu/Co304多級納米線陣列的用途，其特征在于:能夠用于儲能器件以及能量轉(zhuǎn)化器件的電極材料。
【文檔編號】B82Y30/00GK105958059SQ201610566388
【公開日】2016年9月21日
【申請日】2016年7月18日
【發(fā)明人】張勇, 陳仕剛, 解嚴(yán), 章昱, 崔接武, 秦永強(qiáng), 鄭紅梅, 王巖, 吳玉程
【申請人】合肥工業(yè)大學(xué)