的襯底的厚度可以為50?ΙΟΟμπι。
[0064]優(yōu)選地，減薄后的襯底的厚度可以為85μπι。
[0065]步驟103:采用鉆石刀對(duì)襯底進(jìn)行劃片，在襯底的第二表面形成V型缺口。
[0066]在本實(shí)施例中，襯底的第二表面為與襯底的第一表面相反的表面。
[0067]圖2f為步驟103執(zhí)行后發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為襯底，2為N型層，3為發(fā)光層，4為P型層，5為透明導(dǎo)電層，6為P型電極，7為N型電極，10為凹槽，20為V型缺口。
[0068]可選地，V型缺口的寬度可以為10?30μπι。
[0069]優(yōu)選地，V型缺口的寬度可以為15μπι。
[0070]可選地，V型缺口的深度可以為5?25μπι。
[0071]優(yōu)選地，V型缺口的深度可以為25μπι。
[0072]步驟104:在襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡(Distributed BraggReflect1n，簡(jiǎn)稱(chēng)DBR)。
[0073]圖2g為步驟104執(zhí)行后發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為襯底，2為N型層，3為發(fā)光層，4為P型層，5為透明導(dǎo)電層，6為P型電極，7為N型電極，8為DBR，10為凹槽，20為V型缺口。
[0074]在本實(shí)施例中，DBR是兩種不同介電常數(shù)的鍍膜材料循環(huán)鍍膜，即分布式布拉格反射鏡包括交替層疊的高折射率材料層和低折射率材料層，對(duì)垂直入射的光反射效果最好。具體地，每一層膜厚是四分之一波長(zhǎng)的奇數(shù)倍。
[0075]可選地，高折射率材料層可以包括Ti0、Ti02、Ti305、Ti203、Ta205、Zr02中的一種或多種。
[0076]可選地，低折射率材料層可以包括Si02、SiNx、Al203中的一種或多種。
[0077]可選地，高折射率材料層和低折射率材料層的層數(shù)之和可以為2?50層。
[0078]優(yōu)選地，高折射率材料層和低折射率材料層的層數(shù)之和可以為20層。
[0079]可選地，該制作方法還可以包括:
[0080]在分布式布拉格反射鏡上形成金屬反射層。
[0081 ] 如前所述，DBR對(duì)垂直入射的光反射效果最好，通常DBR對(duì)垂直入射的光線(xiàn)會(huì)100%反射，但是如果不是垂直入射，則反射率較差，比如入射角為45°C時(shí)，反射率只有80%。在分布式布拉格反射鏡上形成金屬反射層，斜入射的光線(xiàn)可以通過(guò)金屬反射層實(shí)現(xiàn)反射，構(gòu)成全方位反射層，達(dá)到提高LED芯片亮度的作用。
[0082]具體地，金屬反射層可以采用鋁、金或銀形成。
[0083]步驟105:沿V型缺口對(duì)襯底的第二表面進(jìn)行隱形切割，在襯底內(nèi)形成裂縫。
[0084]圖2h為步驟105執(zhí)行后發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為襯底，2為N型層，3為發(fā)光層，4為P型層，5為透明導(dǎo)電層，6為P型電極，7為N型電極，8為DBR，10為凹槽，20為V型缺口，30為裂縫。
[0085]可選地，裂縫與襯底的第二表面的間距可以為30?60μπι。
[0086]優(yōu)選地，裂縫與襯底的第二表面的間距可以為50μπι。
[0087]步驟106:沿V型缺口對(duì)襯底的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨(dú)立的發(fā)光二極管芯片。
[0088]圖2i為步驟104執(zhí)行后發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。其中，I為襯底，2為N型層，3為發(fā)光層，4為P型層，5為透明導(dǎo)電層，6為P型電極，7為N型電極，8為DBR，10為凹槽，30為裂縫。
[0089]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)采用鉆石刀對(duì)襯底進(jìn)行劃片，在襯底的第二表面形成V型缺口，沿V型缺口對(duì)襯底的第二表面進(jìn)行隱形切割，并沿V型缺口對(duì)襯底的第一表面進(jìn)行裂片，整個(gè)劈裂過(guò)程沒(méi)有使用激光，不會(huì)產(chǎn)生燒痕、碎肩等副產(chǎn)物進(jìn)而吸收LED芯片的出射光，提高LED芯片的出光亮度。而且V型缺口和隱形切割更有利于后續(xù)裂片的實(shí)現(xiàn)，大大降低斜裂和亂裂的可能性，改善發(fā)光二極管芯片的劈裂良率，降低漏電不良率，提高產(chǎn)品整體良率，進(jìn)而提供外形規(guī)整、光電參數(shù)良好的發(fā)光二極管芯片。另外，分布式布拉格反射鏡形成在襯底的表面和V型缺口內(nèi)，可以更大程度反射發(fā)光層產(chǎn)生的光線(xiàn)，提高發(fā)光二極管芯片的出光效率。
[0090]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括: 在襯底的第一表面形成外延層，并在所述外延層上制作電極； 減薄所述襯底； 采用鉆石刀對(duì)所述襯底進(jìn)行劃片，在所述襯底的第二表面形成V型缺口，所述襯底的第二表面為與所述襯底的第一表面相反的表面； 在所述襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡； 沿所述V型缺口對(duì)所述襯底的第二表面進(jìn)行隱形切割，在所述襯底內(nèi)形成裂縫； 沿所述V型缺口對(duì)所述襯底的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨(dú)立的發(fā)光二極管芯片。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在襯底的第一表面形成外延層，并在所述外延層上制作電極，包括: 在所述襯底的第一表面依次生長(zhǎng)N型層、發(fā)光層和P型層，形成所述外延層； 在所述P型層上形成從所述P型層延伸至所述N型層的凹槽； 在所述P型層上設(shè)置P型電極，在所述N型層上設(shè)置N型電極。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述P型層上設(shè)置P型電極，包括: 在所述P型層上形成透明導(dǎo)電層； 在所述透明導(dǎo)電層上設(shè)置所述P型電極。4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括: 在所述分布式布拉格反射鏡上形成金屬反射層。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述金屬反射層采用鋁、金或銀形成。6.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，減薄后的所述襯底的厚度為50 ?ΙΟΟμπι。7.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述V型缺口的寬度為10?3 Oum ο8.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述V型缺口的深度為5?25μ??ο9.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述分布式布拉格反射鏡包括交替層疊的高折射率材料層和低折射率材料層，所述高折射率材料層包括Ti0、Ti02、Ti305、Ti203、Ta205、Zr02中的一種或多種，所述低折射率材料層包括Si02、SiNx、Al203中的一種或多種。10.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的制作方法，其特征在于，所述裂縫與所述襯底的第二表面的間距為30?60μπι。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片的制作方法，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。所述制作方法包括：在襯底的第一表面形成外延層，并在所述外延層上制作電極；減薄所述襯底；采用鉆石刀對(duì)所述襯底進(jìn)行劃片，在所述襯底的第二表面形成V型缺口，所述襯底的第二表面為與所述襯底的第一表面相反的表面；在所述襯底的第二表面形成分布式布拉格反射鏡；沿所述V型缺口對(duì)所述襯底的第二表面進(jìn)行隱形切割，在所述襯底內(nèi)形成裂縫；沿所述V型缺口對(duì)所述襯底的第一表面進(jìn)行裂片，得到若干獨(dú)立的發(fā)光二極管芯片。本發(fā)明整個(gè)劈裂過(guò)程沒(méi)有使用激光，不會(huì)產(chǎn)生燒痕、碎屑等副產(chǎn)物進(jìn)而吸收LED芯片的出射光，提高LED芯片的出光亮度。
【IPC分類(lèi)】H01L33/10, H01L21/78, H01L33/00
【公開(kāi)號(hào)】CN105679891
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201610117497
【發(fā)明人】尹靈峰, 王江波
【申請(qǐng)人】華燦光電股份有限公司
【公開(kāi)日】2016年6月15日
【申請(qǐng)日】2016年3月2日