技術(shù)編號(hào)：9913244
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。發(fā)光二極管(Light Emitting D1de，簡(jiǎn)稱LED)是可以把電能轉(zhuǎn)化成光能的半導(dǎo)體二極管。基于氮化鎵的II1-V族化合物半導(dǎo)體材料具有特有的帶隙范圍、優(yōu)良的光電性能、優(yōu)異物化性能，在藍(lán)、綠、紫、紫外光、白光等發(fā)光二極管中得到廣泛的應(yīng)用。目前制備LED芯片的方法包括在藍(lán)寶石襯底上通過外延生長(zhǎng)制備GaN半導(dǎo)體層；在GaN半導(dǎo)體層上制備P型電極和N型電極，并減薄藍(lán)寶石襯底;對(duì)藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行激光劃片工藝;對(duì)GaN半導(dǎo)體層進(jìn)行裂片，得到若干獨(dú)立的LED...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。