Led芯片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光二極管技術(shù)領(lǐng)域，更為具體的說(shuō)，涉及一種LED芯片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LEDCLight Emitting D1de，發(fā)光二極管)是一種利用載流子復(fù)合時(shí)釋放能量形成發(fā)光的半導(dǎo)體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長(zhǎng)、體積小、響應(yīng)時(shí)間快、節(jié)能環(huán)保等諸多優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，隨著對(duì)LED芯片研究的不斷深入，LED芯片的發(fā)光效率得到的極大的提高，目前已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于顯示等各個(gè)領(lǐng)域。現(xiàn)有在制作LED芯片過(guò)程中，經(jīng)常在采用等離子刻蝕工藝刻蝕更大的切割坑道的過(guò)程中，出現(xiàn)刻蝕不均和柔性基底彎曲的情況，降低了廣品的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種LED芯片及其制作方法，提高了刻蝕過(guò)程中的散熱效率，將等離子刻蝕工藝產(chǎn)生的大量熱量迅速導(dǎo)出，提高了刻蝕的均勻度，避免了柔性基底彎曲的情況，提尚了廣品的良率。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案如下:
一種LED芯片的制作方法，包括:
提供一基材，所述基材包括:襯底;位于襯底任意一表面的外延層，所述外延層被多個(gè)切割坑道分割為多個(gè)發(fā)光微結(jié)構(gòu)，且所述切割坑道內(nèi)填充有隔離材料；以及，位于所述外延層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射層；
在所述導(dǎo)電反射層背離所述襯底一側(cè)形成柔性基底；
在所述柔性基底背離所述襯底一側(cè)形成磁性層；
將所述襯底自所述外延層表面剝離形成LED晶圓；
將所述LED晶圓放置在非磁性背板上，再將磁鐵放置在所述非磁性背板背離LED晶圓一側(cè)；
采用等離子刻蝕工藝對(duì)所述外延層的切割坑道進(jìn)行刻蝕，以去除所述隔離材料并將所述切割坑道擴(kuò)大至預(yù)設(shè)寬度，且同時(shí)對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻處理；
移除所述磁鐵，使所述非磁性背板自行與所述LED晶圓分離；
在所述發(fā)LED晶圓對(duì)應(yīng)的外延層背離所述磁鐵一側(cè)形成連接電極；
沿所述切割坑道對(duì)所述LED晶圓進(jìn)行切割，以得到多個(gè)LED芯片。
[0005]優(yōu)選的，所述隔離材料為光敏材料。
[0006]優(yōu)選的，在所述外延層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射層包括:采用電子束蒸鍍?cè)谒鐾庋訉颖畴x所述襯底一側(cè)形成導(dǎo)電反射層。
[0007]優(yōu)選的，在所述導(dǎo)電反射層背離所述襯底一側(cè)形成柔性基底包括:采用電鍍工藝在所述導(dǎo)電反射層背離所述襯底一側(cè)形成柔性基底。
[0008]優(yōu)選的，所述柔性基底的材質(zhì)為銅、鎳、金、銀中的一種或多種。
[0009]優(yōu)選的，在所述柔性基底背離所述襯底一側(cè)形成磁性層包括:采用電鍍工藝在所述柔性基底背離所述襯底一側(cè)形成磁性層。
[0010]優(yōu)選的，所述磁性層的材質(zhì)為鐵、鈷、鎳中的一種或多種。
[0011 ]優(yōu)選的，在所述磁性層背離所述襯底一側(cè)形成抗磨損層。
[0012]優(yōu)選的，在所述磁性層背離所述襯底一側(cè)的抗磨損層包括;采用電鍍工藝在所述磁性層背離所述襯底一側(cè)形成抗磨損層。
[0013]優(yōu)選的，所述抗磨損層為金屬材料，為絡(luò)、鎳、金、鈾中的一種或多種。
[0014]優(yōu)選的，所述非磁性背板的材質(zhì)為陶瓷、木材、玻璃、塑料中的一種。
[0015]優(yōu)選的，將所述襯底自所述外延層表面剝離包括:采用激光剝離技術(shù)將所述襯底自所述外延層表面剝離。
[0016]優(yōu)選的，對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻處理包括:采用液氦循環(huán)冷卻方式對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻處理。
[0017]相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種LED芯片，所述LED芯片采用上述制作方法制作而成。
[0018]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn):
本發(fā)明提供的一種LED芯片及其制作方法，包括:提供一基材，所述基材包括:襯底;位于襯底任意一表面的外延層，所述外延層被多個(gè)切割坑道分割為多個(gè)發(fā)光微結(jié)構(gòu)，且所述切割坑道內(nèi)填充有隔離材料；以及，位于所述外延層背離所述襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射層;在所述導(dǎo)電反射層背離所述襯底一側(cè)形成柔性基底;在所述柔性基底背離所述襯底一側(cè)形成磁性層;將所述襯底自所述外延層表面剝離形成LED晶圓；將所述LED晶圓放置在非磁性背板上，再將磁鐵放置在所述非磁性背板背離LED晶圓一側(cè);采用等離子刻蝕工藝對(duì)所述外延層的切割坑道進(jìn)行刻蝕，以去除所述隔離材料并將所述切割坑道擴(kuò)大至預(yù)設(shè)寬度，且同時(shí)對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻處理;移除所述磁鐵，使所述非磁性背板自行與所述LED晶圓分離;在所述發(fā)LED晶圓對(duì)應(yīng)的外延層背離所述磁鐵一側(cè)形成連接電極;沿所述切割坑道對(duì)所述LED晶圓進(jìn)行切割，以得到多個(gè)LED芯片。
[0019]由上述內(nèi)容可知，本發(fā)明提供的技術(shù)方案，在柔性基底上形成磁性層，利用磁性層與磁鐵間互相吸引的特性使LED晶圓平整貼合于非磁性背板上，使整個(gè)LED晶圓與磁鐵形成緊密結(jié)合的散熱整理，在采用等離子刻蝕工藝對(duì)所述外延層的切割坑道進(jìn)行刻蝕的過(guò)程中，對(duì)磁鐵進(jìn)行冷卻處理，使冷氣與整個(gè)LED晶圓產(chǎn)生良好的接觸，迅速將等離子刻蝕工藝產(chǎn)生的大量熱量通過(guò)磁鐵導(dǎo)出，提高了散熱效率，進(jìn)而提高了刻蝕的均勻度，避免了柔性基底彎曲、刻蝕速率不均等情況，提尚了廣品的良率；后續(xù)將磁鐵移除即可使非磁性背板與LED晶圓自行分離，工藝簡(jiǎn)單，有效提升生產(chǎn)效率。同時(shí)，通過(guò)在柔性基底一側(cè)形成磁性層并固定于磁鐵上，利用磁性層與磁鐵間互相吸引的特性使LED晶圓平整貼合于非磁性背板上，進(jìn)一步避免了柔性基底彎曲的情況。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。[0021 ]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種LED芯片的制作方法流程圖；
圖2a至圖2i為圖1制作方法流程圖對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]正如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有在制作LED芯片過(guò)程中，經(jīng)常在采用等離子刻蝕工藝刻蝕更大的切割坑道的過(guò)程中，出現(xiàn)刻蝕不均和柔性基底彎曲的情況，降低了產(chǎn)品的良率。
[0024]基于此，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種LED芯片的制作方法，提高了刻蝕過(guò)程中的散熱效率，將等離子刻蝕工藝產(chǎn)生的大量熱量迅速導(dǎo)出，提高了刻蝕的均勻度，避免了柔性基底彎曲的情況，提尚了廣品的良率。具體參考圖1至圖2 i所不，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例提供的LED芯片的制作方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0025]圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種LED芯片的制作方法的流程圖，圖2a至圖2i為圖1制作方法流程圖對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)流程圖；其中，制作方法包括:
S1、提供一基材。
[0026]參考圖2a所示，提供一基材100，基材包括:
襯底101 ；
其中，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的襯底為藍(lán)寶石襯底;除上述材質(zhì)襯底外，在本申請(qǐng)其他實(shí)施例中襯底還可以為其他材質(zhì)，對(duì)此本申請(qǐng)不做具體限制。
[0027]位于襯底101任意一表面的外延層102，外延層102被多個(gè)切割坑道103分割為多個(gè)發(fā)光微結(jié)構(gòu)，且切割坑道103內(nèi)填充有隔離材料;其中，外延層包括位于襯底表面的第一半導(dǎo)體層、位于第一半導(dǎo)體層背離襯底一側(cè)的有源層和位于有源層背離襯底一側(cè)的第二半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層可以為N型半導(dǎo)體層，則第二半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層;或者，第一半導(dǎo)體層為P型半導(dǎo)體層，而第二半導(dǎo)體層為N型半導(dǎo)體層。第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層的材質(zhì)可以為氮化鎵。
[0028]需要說(shuō)明的是，本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)提供的第一半導(dǎo)體層、第二半導(dǎo)體層和有源層的材質(zhì)不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì);另外，本申請(qǐng)實(shí)施例對(duì)于第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層的導(dǎo)電類型，同樣不做具體限制，需要根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行設(shè)計(jì)。
[0029]此外，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的隔離材料為光敏材料，具體的，光敏材料為正性光刻膠或負(fù)性光刻膠，主要防止后續(xù)在外延層表面形成導(dǎo)電反射層時(shí)，導(dǎo)電反射層的材質(zhì)進(jìn)入切割坑道，進(jìn)而導(dǎo)致結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生的電性問(wèn)題。
[0030]以及，位于外延層102背離襯底一側(cè)的導(dǎo)電反射層104，其中，導(dǎo)電反射層可以為金屬反射層。
[0031 ] S2、在導(dǎo)電反射層背離襯底一側(cè)形成柔性基底。
[0032]參考圖2b所示，形成柔性基底200于導(dǎo)電反射層104背離襯底101—側(cè)。具體的，在導(dǎo)電反射層背離襯底一側(cè)形成柔性基底包括:
采用電鍍工藝在導(dǎo)電反射層背離襯底一側(cè)形成柔性基底，其中，柔性基底的材質(zhì)為銅、鎳、金、銀中的一種或多種。
[0033]本申請(qǐng)實(shí)施例提供的LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)發(fā)光的芯片，采用散熱能力高的柔性基底制作LED芯片，可以使LED芯片發(fā)光過(guò)程中產(chǎn)生的熱量，通過(guò)柔性基底更迅速的傳遞到與其電連接的基板上，改善LED芯片發(fā)光時(shí)的散熱環(huán)境，滿足大功率LED芯片的散熱要求。
[0034]S3、在柔性基底