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一種高頻導體及其制造方法

文檔序號:9845105閱讀:523來源:國知局
一種高頻導體及其制造方法
【專利說明】一種高頻導體及其制造方法 【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ]本發(fā)明涉及一種高頻導體制造方法。 【【背景技術(shù)】】
[0002] 隨著技術(shù)的發(fā)展,業(yè)界對射頻器件的電性和可靠性能都有更為苛刻的要求,傳輸 損耗更是重中之重。高頻傳輸損耗包括了導體損耗和介電損耗,其中導體損耗取決于導體 的表面電阻。目前很多射頻導體的表面電阻較大,對高頻信號的損耗較大。 【
【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為了克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種高頻導體及其制造方法,以降低高 頻導體的表面電阻。
[0004] -種高頻導體制造方法,包括如下步驟:
[0005] S1、用導電漿料在承載片上制作電極圖形;
[0006] S2、利用等離子體對所述電極圖形進行清洗,以提高所述電極圖形的導電率;
[0007] S3、經(jīng)過步驟S2后,對所述承載片上的電極圖形進行等靜壓處理,以降低所述電極 圖形的趨膚效應(yīng)電流的損耗。
[0008] 在一個實施例中,
[0009] 在步驟S2與步驟S1之間還包括如下步驟:
[0010] S11、在所述承載片除所述電極圖形的區(qū)域以外覆蓋掩膜。
[0011] 在一個實施例中,
[0012] 所述承載片是柔性的承載片。
[0013] 在一個實施例中,
[0014]所述承載片和掩膜均采用PET。
[0015] 在一個實施例中,
[0016] 在步驟S2中,使用氧等離子體對所述電極圖形進行清洗。
[0017] 在一個實施例中,
[0018] 所述步驟Sl包括如下步驟:
[0019] 在所述承載片上印刷所述電極圖形;
[0020] 對所述電極圖形進行烘干。
[0021] 在一個實施例中,
[0022] 所述烘干的溫度為80°C。
[0023] 在一個實施例中,
[0024]所述導電漿料為銀漿料。
[0025] 本發(fā)明還提供了一種高頻導體,采用所述的高頻導體制造方法制造而成。
[0026] 本發(fā)明的有益效果是:
[0027] 通過使用等離子體對電極圖形進行清洗,提升了電極圖形的有效電導率,對于因 電導率低而導致的不良品的有顯著的改善作用;另外,通過對電極圖形進行等靜壓處理,降 低了產(chǎn)品在高頻下對趨膚效應(yīng)的電流的輸損耗。 【【附圖說明】】
[0028] 圖1是本發(fā)明一種實施例的承載片及電極圖形的示意圖;
[0029] 圖2是本發(fā)明一種實施例的未經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的厚度方向的剖面示意 圖;
[0030] 圖3是本發(fā)明一種實施例的在經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的厚度方向的剖面示意 圖;
[0031] 圖4是本發(fā)明一種實施例的未經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的表面微觀圖;
[0032] 圖5是本發(fā)明一種實施例的經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的表面微觀圖;
[0033] 圖6是經(jīng)過與未經(jīng)過本發(fā)明的高頻導體制造方法得到的產(chǎn)品電性(插入損耗)對比 圖。 【【具體實施方式】】
[0034]以下對發(fā)明的較佳實施例作進一步詳細說明。
[0035] 如圖1所示,一種高頻導體制造方法,包括如下步驟:
[0036] S1、用導電漿料在承載片1上制作電極圖形2。
[0037] 首先,可以將導電漿料印刷在承載片1上,導電漿料可以采用銀漿料。
[0038]然后,將承載片1上的電極圖形2進行烘干,烘干的溫度可以為80°C。
[0039] S2、在所述承載片1除所述電極圖形2的區(qū)域以外覆蓋掩膜。
[0040] S3、利用等離子體對所述電極圖形2進行清洗,以降低所述電極圖形2中有機物的 比例含量,提高所述電極圖形2中金屬的比例含量。
[0041 ]在電子元件制造領(lǐng)域,電極楽;料往往需要加入一些有機物,例如粘合劑、溶劑等 等,使的電極漿料具有良好的性能,能夠更好地印刷在承載片上,制作得到良好的電極圖 形。但是,經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),電極圖形中殘留的有機物,會導致電極圖形中的有機物含量較高, 進而導致電極圖形的導電率降低。通過上述步驟,等離子體與電極圖形2中的有機物產(chǎn)生反 應(yīng),生成氣體溢出電極圖形2的表面,從而去除電極圖形2中至少部分的有機物,提高了電極 圖形2中金屬的比例含量,提高了電極圖形2的導電率。
[0042]在一個實施例中,可以采用氧等離子體對電極圖形2進行處理。具體可以是以氧氣 作為氣源,利用等離子處理儀器,使氧氣形成氧等離子而對電極圖形2進行清洗處理。
[0043] 具體機理如下:
[0044] 〇2+有機物-C〇2+H20
[0045] 即,電極圖形2表面進行以化學反應(yīng)為主的等離子體清洗,通過如上機理,氧等離 子體可通過化學反應(yīng)將非揮發(fā)性有機物變成易揮發(fā)的(》 2和出0。
[0046] S3、然后,對所述承載片1上的電極圖形2進行等靜壓處理,以降低所述電極圖形的 趨膚效應(yīng)電流的損耗。
[0047] 經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn),印刷的電極圖形2內(nèi)部比較松散,表面粗糙,在高頻電路中,由于趨 膚效應(yīng)的存在,電流是沿著導體表面?zhèn)鬏數(shù)?,所以導體表面的平滑程度就直接影響著電流 傳輸過程的損耗,導體表面平滑程度越差,即表面越不平整,毛刺和凹坑越多,這樣電流流 經(jīng)這段導體就會經(jīng)過更多的路程,趨膚效應(yīng)電流的損耗增加。通過上述步驟S3,電極圖形2 的結(jié)構(gòu)更加密實,表面更加平滑,在傳輸高頻信號的過程中,電極圖形2對趨膚效應(yīng)的電流 的損耗更小。
[0048] 在一個實施例中,所述承載片2可以是有機物材料。這樣在步驟S2中如果不采用掩 膜,那么步驟S3中的等離子體會腐蝕承載片2。為了保護承載片2需要采用掩膜,掩膜的形狀 可以與電極圖形2的形狀互補。掩膜可以采用聚對苯二甲酸乙二醇酯膜片(Polyethylene terephathalate,縮略詞為PET,簡稱聚酯)
[0049] 在一個實施例中,所述承載片2可以是柔性的承載片,例如采用PET。
[0050] 在一個實施例中,對經(jīng)過上述高頻導體制造方法進行處理的電極圖形2與沒有經(jīng) 過上述高頻導體制造方法處理的電極圖形2(只是在承載片1上
[0051] 印刷出電極圖形2)的對比如下表:
[0052] 表1加工前后電極圖形表面成分分析表
[0054]表2加工前后電極圖形厚度及表面粗糙度
[0056] 由表可知,加工后電極圖形表面成分發(fā)生了變化,有機物減少,銀含量有了提高, 同時表面粗糙度要小于未加工,加工后的電極圖形2的表面粗糙度可以得到改善,這將使得 最終成品的有效電導率提尚。
[0057] 如圖2所示,未經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的厚度方向的剖面示意圖,由此可見電 極圖形內(nèi)部的構(gòu)成松散、無規(guī)律。如圖3所示,經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的厚度方向的剖 面示意圖,電極圖形內(nèi)部構(gòu)成緊密、有規(guī)律,且厚度比圖2小。
[0058] 如圖4所示,未經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的表面微觀圖,可以看出,表面并不平 整,如圖5所示,經(jīng)過等靜壓處理的電極圖形的表面微觀圖,相比圖4,電極圖形的表面的平 整度得到了較大的提高。
[0059] 如圖6所示,
[0060]某帶通濾波器使用與未使用本高頻導體制造方法的電性對比圖(圓點標示的測試 曲線代表此產(chǎn)品經(jīng)過本方法處理,三角形標示的測試曲線代表此產(chǎn)品未經(jīng)過本方法處理) 數(shù)據(jù)顯示經(jīng)過本方法處理的產(chǎn)品插入損耗降低〇.7dB。
[0061]以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明,不能認定 本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在 不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干簡單推演或替換,都應(yīng)當視為屬于本發(fā)明由 所提交的權(quán)利要求書確定的專利保護范圍。
【主權(quán)項】
1. 一種高頻導體制造方法,其特征是,包括如下步驟: 51、 用導電漿料在承載片上制作電極圖形; 52、 利用等離子體對所述電極圖形進行清洗,以提高所述電極圖形的導電率; 53、 經(jīng)過步驟S2后,對所述承載片上的電極圖形進行等靜壓處理,以降低所述電極圖形 的趨膚效應(yīng)電流的損耗。2. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 在步驟S2與步驟S1之間還包括如下步驟: S11、在所述承載片除所述電極圖形的區(qū)域以外覆蓋掩膜。3. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 所述承載片是柔性的承載片。4. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 所述承載片和掩膜均采用PET。5. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 在步驟S2中,使用氧等離子體對所述電極圖形進行清洗。6. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 所述步驟S1包括如下步驟: 在所述承載片上印刷所述電極圖形; 對所述電極圖形進行烘干。7. 如權(quán)利要求6所述的高頻導體制造方法,其特征是, 所述烘干的溫度為80°C。8. 如權(quán)利要求1所述的高頻導體制造方法,其特征是, 所述導電漿料為銀漿料。9. 一種高頻導體,其特征是,采用如權(quán)利要求1至8任一所述的高頻導體制造方法制造 而成。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高頻導體及其制造方法,該方法包括如下步驟:S1、用導電漿料在承載片上制作電極圖形;S2、利用等離子體對所述電極圖形進行清洗,以提高所述電極圖形的導電率;S3、經(jīng)過步驟S2后,對所述承載片上的電極圖形進行等靜壓處理,以降低所述電極圖形的趨膚效應(yīng)電流的損耗。通過使用等離子體對電極圖形進行清洗,提升了電極圖形的有效電導率,對于因電導率低而導致的不良品的有顯著的改善作用;另外,通過對電極圖形進行等靜壓處理,降低了產(chǎn)品在高頻下對趨膚效應(yīng)的電流的輸損耗。
【IPC分類】H01B13/00, H01B5/14, C23C26/00
【公開號】CN105609169
【申請?zhí)枴緾N201510979024
【發(fā)明人】李志龍, 伍雋, 龐新鋒, 蘇柯銘, 武明陽
【申請人】深圳順絡(luò)電子股份有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2015年12月23日
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