薄膜晶體管的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及薄膜晶體管的制造領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管(thin film transistor，TFT)作為一種開(kāi)關(guān)元件被廣泛地應(yīng)用在液晶顯示裝置等電子裝置中?，F(xiàn)有技術(shù)中，在薄膜晶體管的制作過(guò)程中，在制作遮光層、柵極、源極、漏極或者是于薄膜晶體管相連的存儲(chǔ)電容的時(shí)候，存在蝕刻制程。下面以遮光層為例進(jìn)行描述，在制作遮光層的時(shí)候，首先設(shè)置一整層的金屬層，然后通過(guò)蝕刻制程將整層的金屬層蝕刻成為需要的形狀，以形狀遮光層。由于在制作的過(guò)程中需要蝕刻制程，因此會(huì)導(dǎo)致薄膜晶體管制作的時(shí)間周期較長(zhǎng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管的制作方法，所述薄膜晶體管的制造方法包括:
[0004]提供承載體，所述承載體包括相對(duì)設(shè)置的第一表面及第二表面；
[0005]在所述承載體的第一表面上形成間隔設(shè)置的光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面；
[0006]沉積金屬，通過(guò)所述間隙露出的第一表面上形成金屬層，其中，所述金屬層為遮光層、柵極、源極、漏極、存儲(chǔ)電極中的任意一種或多種；
[0007]剝離所述光阻單元。
[0008]其中，在所述步驟“在所述承載體的第一表面上形成間隔設(shè)置的光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面”包括:
[0009]在所述承載體的所述第一表面上形成整層的光阻層；
[0010]對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，以形成間隔設(shè)置的所述光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面。
[0011]其中，所述步驟“對(duì)所述光阻層進(jìn)行曝光，以形成間隔設(shè)置的所述光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面”包括:
[0012]提供光罩，所述光罩與所述光阻層間隔一段預(yù)設(shè)距離且相對(duì)設(shè)置，所述光罩包括第一部分及第二部分，所述第一部分及所述第二部分對(duì)光線的阻隔作用不同；
[0013]提供光源，所述光源設(shè)置在所述光罩遠(yuǎn)離所述光阻層的一側(cè)，所述光源發(fā)出的光線照射到所述第一部分及所述第二部分以使得所述光阻層形成間隔設(shè)置的光阻單元，其中，所述第一部分與所述光阻單元相對(duì)應(yīng)，所述第二部分與相鄰的光阻單元之間的間隙相對(duì)應(yīng)。
[0014]其中，所述薄膜晶體管的制作方法還包括:
[0015]調(diào)整所述光源發(fā)出的光線，以使得所述光阻單元鄰近所述間隙的位置形成倒角。
[0016]其中，所述步驟“在所述承載體的第一表面上形成間隔設(shè)置的光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面”包括:
[0017]在所述承載體的所述第一表面上形成整層的光阻層；
[0018]對(duì)所述光阻層進(jìn)行預(yù)烘烤；
[0019]對(duì)經(jīng)過(guò)預(yù)烘烤的光阻層進(jìn)行預(yù)設(shè)溫度與預(yù)設(shè)時(shí)間的烘烤；
[0020]對(duì)烘烤過(guò)后的光阻層進(jìn)行顯影處理，以形成間隔設(shè)置的所述光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面。
[0021 ] 其中，在進(jìn)行顯影處理時(shí)，使用2.38 %的TMAH或者0.4%的TMAH或者4.5 %的Κ0Η。
[0022]其中，所述光阻層的厚度為I微米?5微米。
[0023]其中，當(dāng)所述金屬層為遮光層時(shí)，所述承載體為透明基板。
[0024]其中，當(dāng)所述金屬層為源極及漏極時(shí)，所述源極及所述漏極同時(shí)形成。
[0025]其中，當(dāng)所述金屬層為柵極及存儲(chǔ)電極時(shí)，所述柵極與所述存儲(chǔ)電極同時(shí)形成。
[0026]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法，在承載體的第一表面上形成間隔設(shè)置的光阻單元，相鄰的光阻單元之間形成間隙且露出部分第一表面，接著沉積金屬，通過(guò)所述間隙露出的第一表面上形成金屬層，其中，所述金屬層為遮光層、柵極、源極、漏極、存儲(chǔ)電極中的任意一種或者多種，接著，剝離所述光阻單元。由此可見(jiàn)，本發(fā)明的薄膜晶體管的制作方法不需要進(jìn)行蝕刻等中制程，從而減小了薄膜晶體管制作的時(shí)間周期。
【附圖說(shuō)明】
[0027]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管的制作方法的流程圖。
[0029]圖2為本發(fā)明步驟SlOl的對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的制作方法中薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖3為本發(fā)明步驟S102對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的制作方法中薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖4為本發(fā)明步驟S103對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的制作方法中薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0032]圖5為本發(fā)明步驟S104對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的制作方法中薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0033]圖6為本發(fā)明光阻層整層地設(shè)置在承載體的第一表面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0034]圖7為本發(fā)明薄膜晶體管的制作方法中步驟I1-1中薄膜晶體管的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0036]需要說(shuō)明的是，在本發(fā)明實(shí)施例中使用的術(shù)語(yǔ)是僅僅出于描述特定實(shí)施例的目的，而非旨在限制本發(fā)明。在本發(fā)明實(shí)施例和所附權(quán)利要求書(shū)中所使用的單數(shù)形式的“一種”、“所述”和“該”也旨在包括多數(shù)形式，除非上下文清楚地表示其他含義。還應(yīng)當(dāng)理解，本文中使用的術(shù)語(yǔ)“和/或”是指并包含一個(gè)或多個(gè)相關(guān)聯(lián)的列出項(xiàng)目的任何或所有可能組合。另外，本發(fā)明的說(shuō)明書(shū)和權(quán)利要求書(shū)及上述附圖中的術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于區(qū)別不同對(duì)象，而不是用于描述特定順序。此外，術(shù)語(yǔ)“包括”和“具有”以及它們?nèi)魏巫冃危鈭D在于覆蓋不排他的包含。例如包含了一系列步驟或單元的過(guò)程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備沒(méi)有限定于已列出的步驟或單元，而是可選地還包括沒(méi)有列出的步驟或單元，或可選地還包括對(duì)于這些過(guò)程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。
[0037]請(qǐng)參閱圖1，圖1為本發(fā)明一較佳實(shí)施方式的薄膜晶體管的制作方法的流程圖。所述薄膜晶體管的制作方法包括但不僅限于以下步驟。
[0038]步驟SlOl，提供承載體100，所述承載體100包括相對(duì)設(shè)置的第一表面10a及第二表面100b。請(qǐng)參閱圖2，在本實(shí)施方式中，所述承載體100可以為透明基板，比如玻璃基板，塑料基板等，也可以為在透明基板上設(shè)置有其他層(比如緩沖層或者半導(dǎo)體層或者絕緣層)之后，所述透明基板與所述透明基板上設(shè)置的其他層一并被視為承載體。
[0039]步驟S102，在所述承載體100的第一表面10a上形成間隔設(shè)置的光阻單元210，相鄰的光阻單元210之間形成間隙220且露出部分第一表面100a。請(qǐng)參閱圖3，在圖3中示意性地畫(huà)出了兩個(gè)光阻單元210，兩個(gè)光阻單元210設(shè)置在所述承載體100的第一表面10a上且兩個(gè)光阻單元210之間形成間隙220，通過(guò)所述間隙220漏出部分第一表面100a。可以理解地，所述光阻單元210的數(shù)目并不局限于兩個(gè)，也可以為N個(gè)(N大于等于3)，則，相鄰的光阻層210之間形成的間隙220的個(gè)數(shù)則為N-1個(gè)。
[0040]步驟S103，沉積金屬，通過(guò)所述間隙220露出的第一表面10a上形成金屬層500，請(qǐng)參閱圖4，其中，所述金屬層500為遮光層、柵極、源極、漏極、存儲(chǔ)電極中的任意一種或多種。沉積金屬時(shí)，會(huì)在所述光阻單元210上以及通過(guò)光阻單元210的之間的間隙220露出的第一表面10a上形成金屬層500。形成在光阻單元210上的金屬層在后續(xù)的制作步驟中會(huì)被除去，而通過(guò)光阻層210之間的間隙220露出的第一表面10a上形成的金屬層可以為薄膜晶體管中的遮光層、柵極、源極、漏極、存儲(chǔ)電容中的存儲(chǔ)電極等等。所述金屬層的材料可以為但不僅限于為鉬(Mo)等。可以理解地，所述在所述第一表面10a形成的金屬層的數(shù)量與所