例還提供了一種制作方法，用于制作上述實施例所述的顯示面板。該制作方法如圖6所示。
[0067]參考圖6，圖6為本申請實施例提供的一種制作方法的流程示意圖，該制作方法包括:
[0068]步驟Sll:提供一基板。
[0069]所述基板為TFT陣列基板，包括多個薄膜晶體管。所述薄膜晶體管用于顯示驅(qū)動和/或觸控驅(qū)動。
[0070]步驟SI2:在所述基板表面形成陽極層。
[0071]如上述，基板為TFT陣列基板。當形成陽極層時，需要在基板表面形成一層絕緣層。并通過光刻工藝對絕緣層進行刻蝕，形成通孔。然后在形成有通孔的絕緣層表面形成陽極層?？梢酝ㄟ^蒸鍍工藝形成所述陽極層。陽極層通過該所述通孔與對應的薄膜晶體管點連接。
[0072]步驟S13:圖案化所述陽極層，形成多個成陣列排布的陽極。
[0073]可以通過光刻工藝圖案化所述陽極層，形成多個陽極。具體的，一個陽極對應一個像素單元。
[0074]步驟S14:在圖案化的陽極層表面形成發(fā)光功能層。
[0075]其中，所述發(fā)光功能層包括至少一層子功能層;所述發(fā)光功能層劃分為成陣列排布的多個像素單元;在垂直于所述基板的方向上，所述像素單元與所述陽極一一相對設置；在第一方向上相鄰的兩個像素單元之間設置有隔斷結(jié)構(gòu);所述隔斷結(jié)構(gòu)使得至少一層子功能層在所述兩個像素單元之間斷開;所述第一方向平行于所述基板。
[0076]通過隔斷結(jié)構(gòu)，使得在第一方向上相鄰的兩個像素單元的至少一層子功能層在該兩個像素單元之間斷開，從而消除該兩個像素單元之間發(fā)生電流泄漏的問題，避免泄漏發(fā)光的問題，可以保證最終制備的顯示面板的圖像顯示效果。
[0077]步驟SI5:在所述發(fā)光功能層表面形成陰極層。
[0078]陰極層可以分為多個與陽極一一對應的陰極單元，也可以為一整層導電層結(jié)構(gòu)。
[0079]所述制作方法在圖案化所述陽極層后，在圖案化的陽極層表面形成發(fā)光功能層之前，還包括形成像素定義結(jié)構(gòu)。形成像素定義結(jié)構(gòu)方法包括:
[0080]步驟S21:在所述陽極層的一側(cè)形成像素定義層。
[0081]步驟S22:圖案化所述像素定義層，以暴露出對應所述像素單元的至少部分所述陽極層。暴露的陽極層為陽極的發(fā)光區(qū)。
[0082]可以通過光刻工藝圖案化所述像素定義層。圖案化后的像素定義層后，形成像素定義結(jié)構(gòu)。像素定義結(jié)構(gòu)形成多個像素區(qū)域。所述像素區(qū)域與顯示面板的像素單元一一對應。
[0083]像素定義層被刻蝕的部分用于形成與像素單元一一對應的像素開口區(qū)，未被刻蝕的部分形成所述像素定義結(jié)構(gòu)，所述像素定義結(jié)構(gòu)上方用于形成隔斷結(jié)構(gòu)。
[0084]可選的，在所述制作方法中，設置有所述隔斷結(jié)構(gòu)的子功能層的形成過程包括:通過蒸鍍工藝，采用設定形狀的掩膜版形成所述子功能層。其中，所述掩膜版包括沿第二方向Z延伸的條形遮擋區(qū)域，在蒸鍍形成所述子功能層時，所述條形遮擋區(qū)域用于在所述子功能層上形成開口。
[0085]—般的，發(fā)光功能層包括多層子功能層?？梢酝ㄟ^蒸鍍工藝采用掩膜版形成需要形成開口作為隔斷結(jié)構(gòu)的子功能層。
[0086]可選的，所述在所述發(fā)光功能層表面形成陰極層包括:通過蒸鍍工藝，采用所述掩膜版在所述發(fā)光功能層表面形成所述陰極層。其中，在蒸鍍形成所述陰極層時，所述條形遮擋區(qū)域用于在所述陰極層上形成開口；在垂直于所述基板的方向上，所述陰極層上的開口與所述子功能層上的開口相對設置。該實施方式中，陰極層與發(fā)光功能層的預設子功能層采用相同的掩膜版進行蒸鍍，形成開口，減少了掩膜版的使用，降低了制作成本。采用該實施方式，可以形成如圖1所示的顯示面板。
[0087]可選的，所述在所述發(fā)光功能層表面形成陰極層包括:通過蒸鍍工藝，在所述發(fā)光功能層表面形成陰極層。該實施方式中，只在發(fā)光功能層的預設子功能層形成開口，而陰極是直接蒸鍍的整層導電層。采用該實施方式，可以形成如圖2所示的顯示面板。
[0088]在上述制作方法中，隔斷結(jié)構(gòu)為形成設置在發(fā)光功能層上的開口。通過蒸鍍工藝，采用預設結(jié)構(gòu)的掩膜版在發(fā)光功能層上形成開口作為隔斷結(jié)構(gòu)。需要說明的是，本領(lǐng)域內(nèi)技術(shù)人員應該理解，上述采用預設結(jié)構(gòu)的掩膜版對發(fā)光功能層進行蒸鍍以形成開口的方式只是本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明的在發(fā)光功能層上形成開口的制作方法還可以是采用整面沉積發(fā)光功能層，然后對沉積的發(fā)光功能層進行光刻方式或者激光(laser)鐳射方式進行圖案化處理。與此同時，在技術(shù)和工藝條件允許的情況下，上述在陰極層形成開口的制作方法也可以是采用整面沉積陰極層，然后對沉積的陰極層進行光刻或激光鐳射方式進行圖案化處理。具體視情況而定，本發(fā)明對此不作限制。
[0089]在其他實施方式中，隔斷結(jié)構(gòu)還可以為形成兩像素單元之間的凸起結(jié)構(gòu)，此時，上述制作方法中，所述在圖案化的陽極層表面形成發(fā)光功能層，在所述發(fā)光功能層表面形成陰極層的方法如圖8。
[0090]當隔斷結(jié)構(gòu)為設置在發(fā)光功能層上的開口時，如上述，可以通過預設形狀的掩膜版形成發(fā)光功能層，該條形掩膜版的結(jié)構(gòu)如圖7所示，圖7為本申請實施例提供的一種形成發(fā)光功能層的原理示意圖。在第一方向X上相鄰的兩像素單元31的發(fā)光功能層形成開口作為隔斷結(jié)構(gòu)，可以采用蒸鍍工藝形成發(fā)光功能層，在進行蒸鍍形成發(fā)光功能層時，采用掩膜版71進行蒸鍍。掩膜版71具有沿第二方向Z延伸的條形遮擋區(qū)域72，在蒸鍍形成所述子功能層時，所述條形遮擋區(qū)域能夠在所述子功能層上形成沿第二方向延伸的開口。此時，行形成的顯示面板的結(jié)構(gòu)如圖3所述。
[0091]參考圖8，圖8為本申請實施例提供的一種形成發(fā)光功能層以及陰極層方法的流程示意圖，該方法包括:
[0092]步驟S31:在所述陽極層表面形成像素隔離結(jié)構(gòu)以及位于所述像素隔離結(jié)構(gòu)表面的凸起結(jié)構(gòu)。
[0093]步驟S32:通過蒸鍍工藝，在所述基板設置有所述陽極層的一側(cè)形成發(fā)光功能層以及陰極層，所述發(fā)光功能層位于所述陰極層與所述陽極層之間。
[0094]其中，所述凸起結(jié)構(gòu)用于使得所述發(fā)光功能層以及所述陰極層在與所述凸起結(jié)構(gòu)相對的位置處斷開。當凸起結(jié)構(gòu)的高度大于預設高度值且側(cè)面與底面夾角大于預設角度時，蒸鍍發(fā)光功能層以及陰極時，凸起結(jié)構(gòu)會使得發(fā)光功能層和陰極層在凸起位置斷裂。該實施方式制備如圖5所示的顯示面板。發(fā)光功能層的所有子功能層均會由于該凸起結(jié)構(gòu)的作用發(fā)生斷裂，從而避免凸起結(jié)構(gòu)兩側(cè)的兩個像素單元之間發(fā)生電流泄漏問題，避免了泄漏發(fā)光的問題。
[0095]可選的，所述預設高度為2μπι。所述預設角度為85°。需要說明的是，當預設角度大于90°時，凸起結(jié)構(gòu)在圖5表示為倒置的梯形結(jié)構(gòu)，即凸起結(jié)構(gòu)的上表面長度大于下表面長度。
[0096]圖8所示實施方式中，形成凸起結(jié)構(gòu)的方法可以如圖9與圖1O所示。
[0097]參考圖9，圖9為本申請實施例提供的一種制作凸起結(jié)構(gòu)方法的流程示意圖，該方法包括:
[0098]步驟S41:在所述陽極層表面形成第一介質(zhì)層。
[0099]步驟S42:通過第一次光刻工藝圖案化所述第一介質(zhì)層，形成像素隔離結(jié)構(gòu)。
[0100]步驟S43:在所述像素隔離結(jié)構(gòu)表面形成第二介質(zhì)層。
[0101]步驟S44:通過第二次光刻工藝圖案化所述第二介質(zhì)層，形成所述凸起結(jié)構(gòu)。
[0102]該實施方式中，第一光刻形成像素隔離結(jié)構(gòu)，第二次光刻形成凸起結(jié)構(gòu)。第一介質(zhì)層與第二介質(zhì)層的材料可以相同或是不同，該實施方式制備如圖5a或圖5b所示的顯示面板。
[0103]參考圖10，圖1