Tft陣列基板及其制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板及其制作方法。
【背景技術】
[0002] 主動式薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年來得 到了飛速的發(fā)展和廣泛的應用。現(xiàn)有市場上的液晶顯示器大部分為背光型液晶顯示裝置， 其包括液晶顯示面板及背光模組（backlight module)。通常液晶顯示面板由彩膜基板 (Color Filter，CF)、薄膜晶體管陣列基板（Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、夾于彩膜基板與TFT陣列基板之間的液晶(Liquid Crystal，LC)及密封 框膠（Sealant)組成，其工作原理是通過在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動電壓來控制液晶層的 液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。
[0003] 就目前主流市場上的TFT-LCD顯示面板而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列 (Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic，STN)型，平面轉(zhuǎn)換（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment，VA)型。其中VA型液晶顯示面 板相對其他種類的液晶顯示面板具有極高的對比度，在大尺寸顯示，如電視等方面具有非 常廣的應用。VA型液晶顯示面板工作時是由TFT陣列基板側的像素電極和彩膜基板側的公 共電極形成的垂直電場來控制液晶層內(nèi)液晶分子的旋轉(zhuǎn)。
[0004] 現(xiàn)有的VA型液晶顯示面板在大視角下顯示存在視覺色差或視覺色偏。如圖1所示， 為了改善VA型液晶顯示面板在大視角下的視覺色差或視覺色偏，現(xiàn)有技術會在TFT陣列基 板側采用電荷共享(Charge Sharing)的像素設計，即將一個子像素1分為主像素區(qū)（Main Pixel) 11和次像素區(qū)（Sub Pixel) 12兩個區(qū)域;在主像素區(qū)11內(nèi)設有主區(qū)像素電極111，在 次像素區(qū)12內(nèi)設有次區(qū)像素電極121。主區(qū)像素電極111電性連接主像素開關TFT T1、以及 電荷共享TFT T3,次區(qū)像素電極121電性連接次像素開關TFT T2,電荷共享TFT T3電性連接 電荷共享電容C。所述主像素開關TFT Tl的柵極電性連接于充電掃描線22、源極電性連接于 數(shù)據(jù)線3、漏極電性連接于主區(qū)像素電極111，所述次像素開關TFT T2的柵極電性連接于充 電掃描線22、源極電性連接于數(shù)據(jù)線3、漏極電性連接于次區(qū)像素電極121，所述電荷共享 TFT T3的柵極電性連接于電荷共享掃描線21、源極電性連接于主區(qū)像素電極111、漏極電性 連接于電荷共享電容C。所述主區(qū)像素電極111與次區(qū)像素電極121均采用"米"字型的電極 結構，包含條狀的豎直主干、與豎直主干中心垂直相交的條狀的水平主干、以及分別與豎直 主干或水平主干呈±45°或±135°的條狀分支。所述電荷共享電容C用于在電荷共享TFT T3 打開時拉低主區(qū)像素電極111的電位，使得主區(qū)像素電極111與次區(qū)像素電極121具有不同 的電壓，從而消除液晶顯示面板因視角不同而產(chǎn)生的色偏。
[0005] 進一步地，所述電荷共享電容C的第一種現(xiàn)有設計如圖1、圖2所示，由與主區(qū)像素 電極111位于同一層的ITO電極112、以及與電荷共享掃描線21、充電掃描線22、及柵極位于 同一層的公共電極線23構成，ITO電極112與公共電極線23之間夾設一絕緣保護層5和一柵 極絕緣層6。所述電荷共享電容C的第二種現(xiàn)有設計如圖3所示，由與電荷共享掃描線、充電 掃描線、及柵極位于同一層的公共電極線M1、以及與數(shù)據(jù)線及源/漏極位于同一層的金屬電 極M2構成，公共電極線Ml與金屬電極M2之間僅夾設一柵極絕緣層6'。電荷共享電容C的容量 越大，對主區(qū)像素電極的拉低越明顯，色偏改善效果越顯著，但電荷共享電容C的容量越大， TFT陣列基板的開口率就越低，液晶顯示面板的穿透率也會越低，功耗就會增大。以上兩種 電荷共享電容C的現(xiàn)有設計相比，在電荷共享電容C的容量相等的前提下，第二種設計由于 公共電極線Ml與金屬電極M2之間的距離較小，使得開口率相對較大，但即使采用第二種設 計，TFT陣列基板的開口率依然是不足的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列基板，能夠提高電荷共享電容的容量，增加開 口率，提尚液晶顯不面板的顯不質(zhì)量。
[0007] 本發(fā)明的目的還在于一種TFT陣列基板的制作方法，該方法制得的TFT陣列基板能 夠提尚電荷共孚電容的容量，增加開口率，提尚液晶顯不面板的顯不質(zhì)量。
[0008] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種TFT陣列基板，包括:襯底基板、及陣列排布于 所述襯底基板上的數(shù)個子像素單元；
[0009] 每一子像素單元均包括:設于所述襯底基板上圖案化的第一金屬層、覆蓋所述第 一金屬層的柵極絕緣層、設于所述柵極絕緣層上的半導體層、設于所述半導體層和柵極絕 緣層上圖案化的第二金屬層、覆蓋所述第二金屬層和柵極絕緣層的絕緣保護層、以及設于 所述絕緣保護層上的圖案化的透明導電薄膜層；
[0010] 所述透明導電薄膜層包括:相互獨立的主區(qū)像素電極、次區(qū)像素電極、及透明導電 薄膜電極板；
[0011] 所述主區(qū)像素電極電性連接主像素開關TFT、以及電荷共享TFT，次區(qū)像素電極電 性連接次像素開關TFT;
[0012] 所述圖案化的第一金屬層包括:主像素開關TFT、次像素開關TFT、與電荷共享TFT 的柵極、以及公共電極線；
[0013] 所述圖案化的第二金屬層包括:主像素開關TFT、次像素開關TFT、與電荷共享TFT 的源/漏極、及第二金屬電極板；
[0014] 部分公共電極線、第二金屬電極板、以及透明導電薄膜電極板在空間上重疊，且所 述透明導電薄膜電極板通過貫穿所述絕緣保護層和柵極絕緣層的第二過孔與所述部分公 共電極線相接觸，所述部分公共電極線、第二金屬電極板、以及透明導電薄膜電極板共同構 成該子像素單元的電荷共享電容；
[0015] 所述電荷共享TFT電性連接于電荷共享電容。
[0016] 所述圖案化的第一金屬層還包括:數(shù)條沿水平方向延伸的電荷共享掃描線、及數(shù) 條與所述電荷共享掃描線平行間隔排列的充電掃描線；
[0017] 所述圖案化的第二金屬層還包括:數(shù)條沿豎直方向延伸的數(shù)據(jù)線；
[0018] 所述數(shù)條電荷共享掃描線、充電掃描線、及數(shù)據(jù)線位于數(shù)個子像素單元的邊緣處。
[0019] 所述主像素開關TFT的柵極電性連接于充電掃描線、源極電性連接于數(shù)據(jù)線、漏極 電性連接于主區(qū)像素電極;所述次像素開關TFT的柵極電性連接于充電掃描線、源極電性連 接于數(shù)據(jù)線、漏極電性連接于次區(qū)像素電極;所述電荷共享TFT的柵極電性連接于電荷共享 掃描線、源極電性連接于主區(qū)像素電極、漏極電性連接于電荷共享電容的第二金屬電極板。
[0020] 所述主區(qū)像素電極與所述次區(qū)像素電極均為米字型結構，包括:一條狀的豎直主 干、一與豎直主干中心垂直相交的條狀的水平主干、以及數(shù)個分別與豎直主干或水平主干 呈± 45°或± 135°的條狀分支。
[0021] 所述透明導電薄膜層的材料為ΙΤ0,所述第一金屬層和第二金屬層的材料均為鉬、 鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合。
[0022] 本發(fā)明還提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括如下步驟：
[0023] 步驟1、提供一襯底基板、在所述襯底基板上沉積一金屬薄膜，圖案化所述金屬薄 膜形成第一金屬層；
[0024]所述第一金屬層包括:預形成的主像素開關TFT、次像素開關TFT、與電荷共享TFT 的柵極、以及公共電極線；
[0025]步驟2、在所述第一金屬層及襯底基板上沉積一柵極絕緣層；
[0026]步驟3、在所述柵極絕緣層上對應預形成的主像素開關TFT、次像素開關TFT、與電 荷共享TFT的柵極的上方分別形成一半導體層；
[0027]步驟4、在所述半導體層、及柵極絕緣層上再沉積一金屬薄膜，圖案化所述金屬薄 膜形成第二金屬層；
[0028]所述第二金屬層包括:預形