一種在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高硅片良率的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[OOO1 ]本發(fā)明設(shè)及閃存廣品制造領(lǐng)域，具體設(shè)及一種在閃存廣品制造時(shí)提局娃片良率的 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 對(duì)于閃存產(chǎn)品，柵極氧化層是整個(gè)工藝流程中至關(guān)重要的核屯、制程，而柵極氧化 層生長(zhǎng)過(guò)程中溫度的均勻性是其關(guān)鍵指標(biāo)，它決定著后續(xù)光刻制程中疊加的好壞，也影響 著產(chǎn)品娃片邊緣的缺陷和產(chǎn)品良率，ISSG(現(xiàn)場(chǎng)濕氣生成）是在低壓高溫的環(huán)境下，通入一 定的氨氣、氧氣，經(jīng)過(guò)一系列化學(xué)反應(yīng)氧化娃原子生成二氧化娃的工藝，娃片在燈泡的加熱 下，通過(guò)7根探頭來(lái)控制溫度，進(jìn)而控制生長(zhǎng)的均勻性。由于娃片邊緣最容易產(chǎn)生形變，當(dāng)最 邊緣的探頭加溫過(guò)高，娃片產(chǎn)生塑性變形，工藝完成后，娃片不能恢復(fù)原狀。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本發(fā)明解決上述技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案如下：
[0004] -種在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高娃片良率的方法，在柵極氧化層生長(zhǎng)時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)濕氣生 成工藝中，將最邊緣的探頭溫度相對(duì)于工藝溫度降低一定溫度t，所述的t的范圍為7°CW 內(nèi)。
[0005] 本發(fā)明的有益效果是:本方法可通過(guò)簡(jiǎn)單的控制，有效減少閃存產(chǎn)品制造時(shí)娃片 的形變，提局娃片的良率，運(yùn)用此方法之后，娃片的良率提局7%。
[0006] 在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可W做如下改進(jìn)。
[0007] 進(jìn)一步的，所述的t為6°C~7°C。
[000引本發(fā)明的有益效果是:最邊緣探頭溫度降低6°C~7°C時(shí)，效果最好。
【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1為本發(fā)明現(xiàn)場(chǎng)濕氣生成工藝中最邊緣探頭的位置示意圖。
[0010]圖中，1代表最邊緣的探頭。
【具體實(shí)施方式】
[0011] W下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并 非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0012] -種在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高娃片良率的方法，在柵極氧化層生長(zhǎng)時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)濕氣生 成工藝中，將最邊緣的探頭溫度相對(duì)于工藝溫度降低一定溫度t，可有效減少娃片的變形， 提高娃片的良率，如表1所示，表格中，T7代表最邊緣的探頭，17的基礎(chǔ)溫度為本工序的溫 度，+3°C表示最邊緣探頭的溫度增加3攝氏度，W此類(lèi)推。
[0013]
[0014] 由表格可知，17相對(duì)比工藝溫度降低6~9°C，形變最小，但是娃片邊緣溫度降低太 多，使娃片邊緣氧化層生長(zhǎng)變慢，厚度變薄，最終影響忍片的擊穿電壓和存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)， 因此降低娃片最邊緣探頭的溫度6~7°C，可W使娃片最小形變，邊緣的氧化層也可W滿足 工藝需要。
[0015] 如圖1所示，為現(xiàn)場(chǎng)濕氣生成工藝中T7的具體位置。
[0016] 后續(xù)工藝光刻對(duì)娃片的變形要求十分嚴(yán)格，如果娃片形變嚴(yán)重，機(jī)臺(tái)經(jīng)常報(bào)警，降 低了生產(chǎn)效率，經(jīng)試驗(yàn)證明，運(yùn)用本方法之前，娃片的非變形面積為91.31%，運(yùn)用本方法之 后，娃片的非變形面積為98.79%，娃片的良率提高7%，同時(shí)提高了后續(xù)工藝光刻的正產(chǎn)效 率。
[0017]W上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用W限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和 原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高硅片良率的方法，其特征在于，在柵極氧化層生長(zhǎng)時(shí)的 現(xiàn)場(chǎng)濕氣生成工藝中，將最邊緣的探頭溫度相對(duì)于工藝溫度降低一定溫度t，所述的t的范 圍為7°c以內(nèi)。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高硅片良率的方法，其特征在于，所述的 t為6〇C_7〇C。
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及閃存產(chǎn)品制造領(lǐng)域，具體涉及一種在閃存產(chǎn)品制造時(shí)提高硅片良率的方法，在柵極氧化層生長(zhǎng)時(shí)的現(xiàn)場(chǎng)濕氣生成工藝中，將最邊緣的探頭溫度相對(duì)于工藝溫度降低一定溫度t，實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，t在7℃以內(nèi)，特別是6-7℃時(shí)，防止形變效果最好。本方法可通過(guò)簡(jiǎn)單的控制，有效減少閃存產(chǎn)品制造時(shí)硅片的形變，提高硅片的良率，運(yùn)用此方法之后，硅片的良率提高7％。
【IPC分類(lèi)】H01L21/02, H01L21/67
【公開(kāi)號(hào)】CN105428277
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510765546
【發(fā)明人】馬鳴明
【申請(qǐng)人】武漢新芯集成電路制造有限公司
【公開(kāi)日】2016年3月23日
【申請(qǐng)日】2015年11月11日