閃存結(jié)構(gòu)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在目前的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，集成電路產(chǎn)品主要可分為三大類型:模擬電路、數(shù)字電路和數(shù)/?；旌想娐?，其中，存儲(chǔ)器件是數(shù)字電路中的一個(gè)重要類型。而在存儲(chǔ)器件中，近年來閃速存儲(chǔ)器(Flash Memory，簡(jiǎn)稱閃存)的發(fā)展尤為迅速。閃存的主要特點(diǎn)是在不加電的情況下能長(zhǎng)期保持存儲(chǔ)的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重寫等優(yōu)點(diǎn)，因而在微機(jī)、自動(dòng)化控制等多項(xiàng)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]閃存結(jié)構(gòu)主要包括柵極疊層(Stack Gate)結(jié)構(gòu)和分柵(Split Gate)結(jié)構(gòu)。其中，分柵結(jié)構(gòu)由于具有更高的編程效率，在擦寫功能上可以避免過度擦寫問題，因而被廣泛運(yùn)用在各類諸如智能卡、S頂卡、微控制器、手機(jī)等電子產(chǎn)品中。
[0004]但是，現(xiàn)有技術(shù)中閃存結(jié)構(gòu)的良率有待提尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明解決的問題是提供一種閃存結(jié)構(gòu)的制造方法，提高閃存結(jié)構(gòu)的良率。
[0006]為解決上述問題，本發(fā)明提供一種閃存結(jié)構(gòu)的制造方法，包括如下步驟:提供襯底，所述襯底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)單元區(qū)；在所述襯底上形成字線層；采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理；進(jìn)行所述中和處理后，通過曝光顯影工藝在所述字線層表面形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出所述邏輯區(qū)的字線層表面；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述邏輯區(qū)的字線層，在存儲(chǔ)單元區(qū)形成字線。
[0007]可選的，所述字線層的材料為重?fù)诫s的多晶硅。
[0008]可選的，采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理的步驟中，所述顯影劑為堿性顯影劑。
[0009]可選的，所述堿性顯影劑為氫氧化四甲基銨溶液。
[0010]可選的，所述氫氧化四甲基銨溶液的質(zhì)量濃度為2%至2.5%。
[0011]可選的，采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理的步驟中，所述顯影劑的溫度為20°C至40°C。
[0012]可選的，所述曝光顯影工藝中，采用包含堿性離子的顯影劑進(jìn)行顯影。
[0013]可選的，所述堿性離子為氫氧根離子。
[0014]可選的，去除所述邏輯區(qū)的字線層的工藝為等離子體干法刻蝕工藝。
[0015]可選的，所述顯影劑與所述曝光顯影工藝中采用的顯影劑相同。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):
[0017]本發(fā)明在進(jìn)行曝光顯影工藝之前，先采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理，避免所述曝光顯影工藝中采用的顯影劑與所述字線層表面發(fā)生酸堿中和反應(yīng)而消耗所述顯影劑的問題，從而提高所述顯影劑的顯影效果，使所述曝光顯影工藝的顯影劑對(duì)所述光刻膠層充分顯影，從而使邏輯區(qū)的字線層可以被去除完全，進(jìn)而提高閃存結(jié)構(gòu)的良率。
[0018]可選方案中，采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理，避免顯影工藝中顯影劑的離子與所述字線層表面發(fā)生酸堿中和反應(yīng)而消耗顯影劑中堿性離子的問題，使所述曝光顯影工藝的顯影劑對(duì)所述光刻膠層充分顯影，從而避免邏輯區(qū)的字線層表面有光刻膠殘留，進(jìn)而降低顯影目檢時(shí)的缺陷數(shù)量。
[0019]可選方案中，所述顯影劑與所述曝光顯影工藝中采用的顯影劑相同，從而可以避免向顯影工藝中引入雜質(zhì)離子。
【附圖說明】
[0020]圖1和圖2是現(xiàn)有技術(shù)字線形成過程對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明閃存結(jié)構(gòu)的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖；
[0022]圖4和圖5是本發(fā)明字線形成過程一實(shí)施例對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6是采用本發(fā)明閃存結(jié)構(gòu)的制造方法后顯影目檢時(shí)的缺陷數(shù)量圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]由【背景技術(shù)】可知，現(xiàn)有技術(shù)形成的閃存結(jié)構(gòu)良率有待提高。結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)存儲(chǔ)字線形成過程分析其原因。參考圖1和圖2，示出了現(xiàn)有技術(shù)字線形成過程對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]具體地，請(qǐng)參考圖1，提供襯底100，其中，所述襯底100包括邏輯區(qū)II和存儲(chǔ)單元區(qū)I。所述存儲(chǔ)單元區(qū)I的襯底100上形成有浮柵層200以及浮柵介質(zhì)層300 ;在所述邏輯區(qū)II和存儲(chǔ)單元區(qū)I的襯底100上形成字線層400’，在所述字線層400’表面形成圖形化的光刻膠層(圖未示)，所述圖形化的光刻膠層暴露出所述邏輯區(qū)II的字線層400’。
[0026]參考圖2，以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述邏輯區(qū)II的字線層400’ (如圖2所示)，在所述存儲(chǔ)單元區(qū)I形成字線400。
[0027]繼續(xù)參考圖2，形成所述字線層400’后，所述字線層400’的表面附著有酸性的基團(tuán)而使所述字線層400’表面呈酸性，通過曝光顯影工藝形成圖形化的光刻膠層時(shí)，由于顯影工藝中顯影劑包含堿性離子，因此所述顯影劑容易在所述字線層400’表面發(fā)生酸堿中和反應(yīng)而消耗所述顯影劑中的堿性離子，這容易減弱顯影劑的顯影效果，導(dǎo)致所述曝光顯影工藝的顯影劑對(duì)所述光刻膠層顯影不充分，從而引起邏輯區(qū)II的字線層400’表面有光刻膠殘留，進(jìn)而容易導(dǎo)致邏輯區(qū)II的字線層400’去除不完全，使邏輯區(qū)II有字線層殘留物410”。所述字線殘留物410”的存在不僅使顯影目檢時(shí)的缺陷數(shù)量增加，還容易降低閃存結(jié)構(gòu)的良率。
[0028]為了解決所述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種閃存結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:提供襯底，所述襯底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)單元區(qū)；在所述襯底上形成字線層；采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理；進(jìn)行所述中和處理后，通過曝光顯影工藝在所述字線層表面形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出所述邏輯區(qū)的字線層表面；以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述邏輯區(qū)的字線層，在存儲(chǔ)單元區(qū)形成字線。
[0029]本發(fā)明在進(jìn)行曝光顯影工藝之前，先采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理，避免所述曝光顯影工藝中采用的顯影劑與所述字線層表面發(fā)生酸堿中和反應(yīng)而消耗所述顯影劑的問題，從而提高所述顯影劑的顯影效果，使所述曝光顯影工藝的顯影劑對(duì)所述光刻膠層充分顯影，從而使邏輯區(qū)的字線層可以被去除完全，進(jìn)而提高閃存結(jié)構(gòu)的良率。
[0030]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0031]圖3是本發(fā)明閃存結(jié)構(gòu)的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖，圖4和圖5是本發(fā)明字線形成過程一實(shí)施例對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)示意圖，本實(shí)施例閃存結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下基本步驟:
[0032]步驟S1:提供襯底，所述襯底包括邏輯區(qū)和存儲(chǔ)單元區(qū)；
[0033]步驟S2:在所述襯底上形成字線層；
[0034]步驟S3:采用顯影劑對(duì)所述字線層表面進(jìn)行中和處理；
[0035]步驟S4:進(jìn)行中和處理后，通過曝光顯影工藝在所述字線層表面形成圖形化的光刻膠層，所述圖形化的光刻膠層暴露出所述邏輯區(qū)的字線層表面；
[0036]步驟S5:以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，去除所述邏輯區(qū)的字線層，在存儲(chǔ)單元區(qū)形成字線。
[0037]為了更好地說明本發(fā)明閃存結(jié)構(gòu)的制造方法，下面將結(jié)合參考圖4和圖5，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做進(jìn)一步的描述。
[0038]結(jié)合參考圖4，首先執(zhí)行步驟S1，提供襯底500，所述襯底500包括邏輯區(qū)II和存儲(chǔ)單元區(qū)I。
[0039]所述襯底500的材料可以為硅、鍺、鍺化硅、碳化硅、砷化鎵或鎵化銦，所述襯底500還能夠?yàn)榻^緣體上的硅襯底或者絕緣體上的鍺襯底。本實(shí)施例中，所述襯底