Amoled顯示屏及像素排列方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及AMOLED顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種AMOLED顯示屏及像素排列方法。
【背景技術(shù)】
[0002]AMOLED(Active-matrix organic light emitting d1de，有源矩陣有機發(fā)光二極體)，是主動發(fā)光器件。相比現(xiàn)在的薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-1XD)這一主流平板顯示技術(shù)，AMOLED具有高對比度、廣視角、低功耗、厚度更薄等優(yōu)點，所以被認為是下一代顯示技術(shù)。
[0003]為了使得AMOLED顯示屏美觀，窄邊框設(shè)計目前已經(jīng)成為顯示屏領(lǐng)域的趨勢。最常用的是GIP(Gate Drive IC In Panel，門面板)技術(shù)，即直接將柵極驅(qū)動電路集成于包括0LED像素陣列的基板中，該柵極驅(qū)動電路稱為GIP電路。而在AMOLED顯示屏中，通常會在0LED像素陣列外側(cè)設(shè)置周邊區(qū)域，以便在該周邊區(qū)域布置GIP電路。同時在該周邊區(qū)域還設(shè)置遮擋圈，以對GIP電路進行遮擋，從而使得AMOLED顯示屏整體更加美觀。然而，遮擋圈的存在往往會使AMOLED顯示屏的顯示區(qū)域看起來較小。而且隨著分辨率的不斷提高，GIP電路所占面積越來越大，從而使得窄邊框設(shè)計的難度越來越高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，針對上述在高分辨率情況下難于實現(xiàn)窄邊框設(shè)計的問題，本發(fā)明提供一種AMOLED顯示屏及像素排列方法，能夠在高分辨率情況下實現(xiàn)窄邊框設(shè)計。
[0005]—種AMOLED顯示屏，其特征在于，在基板上設(shè)有包括若干像素的0LED像素陣列、包括若干薄膜晶體管的薄膜晶體管陣列及GIP電路，所述GIP電路分布于所述薄膜晶體管陣列的外側(cè)，所述0LED像素陣列在完全覆蓋所述薄膜晶體管陣列的基礎(chǔ)上還覆蓋于所述GIP電路上，且所述像素與所述薄膜晶體管保持一一對應(yīng)連接。
[0006]在其中一個實施例中，所有所述像素均勻分布。
[0007]在其中一個實施例中，所述GIP電路平行于所述薄膜晶體管陣列的列方向時，所述0LED像素陣列中覆蓋于所述GIP電路上的所有所述像素處于同一列；所述GIP電路平行于所述薄膜晶體管陣列的行方向時，所述0LED像素陣列中覆蓋于所述GIP電路上的所有所述像素處于同一行。
[0008]在其中一個實施例中，所述0LED像素陣列位于第一層；所述薄膜晶體管陣列及GIP電路位于第二層。
[0009]在其中一個實施例中，在所述第一層與第二層之間還設(shè)有絕緣層，且所述絕緣層設(shè)有使所述薄膜晶體管與對應(yīng)像素電極連接的連接通路。
[0010]在其中一個實施例中，所述連接通路包括過孔和導(dǎo)線，且所述導(dǎo)線通過所述過孔使所述薄膜晶體管與對應(yīng)像素電極連接。
[0011]在其中一個實施例中，所述AMOLED顯示屏采用薄膜封裝。
[0012]—種AMOLED顯示屏像素排列方法，用于形成上述的AMOLED顯示屏中的0LED像素陣列，且該所述AMOLED顯示屏像素排列方法在完全覆蓋所述薄膜晶體管陣列的區(qū)域和覆蓋所述GIP電路的區(qū)域中均勻排列所述像素。
[0013]在其中一個實施例中，AMOLED顯示屏像素排列方法還包括:判斷所述GIP電路平行于所述薄膜晶體管陣列的列方向時，將位于同列的所述像素設(shè)于所述GIP電路的上方，且將其他所述像素依次均勻分布排列。
[0014]在其中一個實施例中，AMOLED顯示屏像素排列方法還包括:判斷所述GIP電路平行于所述薄膜晶體管陣列的行方向時，將位于同行的所述像素設(shè)于所述GIP電路的上方，且將其他所述像素依次均勻分布排列。
[0015]上述AMOLED顯示屏及像素排列方法具有的有益效果為:在該AMOLED顯示屏及像素排列方法中，GIP電路分布于薄膜晶體管陣列的外側(cè)，0LED像素陣列在完全覆蓋薄膜晶體管陣列的基礎(chǔ)上還覆蓋于GIP電路上，且像素與薄膜晶體管保持一一對應(yīng)連接。因此，0LED像素陣列能夠遮擋位于下方的GIP電路，擴大了 AMOLED顯示屏的顯示區(qū)域，從而減小了上述遮擋圈占用的空間。同時分辨率越高，像素的數(shù)量就越多，遮擋效果越好，該AMOLED顯示屏及像素排列方法在高分辨率情況下能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框設(shè)計。
【附圖說明】
[0016]圖1為一實施例的AMOLED顯示屏中薄膜晶體管陣列及GIP電路的排列結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖2為圖1所示實施例的AMOLED顯示屏中0LED像素陣列的排列結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]圖3為圖1所示實施例的AMOLED顯示屏的整體外觀結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為了更清楚的解釋本發(fā)明提供的AMOLED顯示屏及像素排列方法，以下結(jié)合實施例作具體的說明。
[0020]在一實施例中，AMOLED顯示屏在基板上設(shè)有0LED像素陣列130、薄膜晶體管陣列120及GIP電路110，如圖1、圖2所示。0LED像素陣列130包括若干按行、列依次重復(fù)排列的像素，薄膜晶體管陣列120包括若干按行、列依次重復(fù)排列的薄膜晶體管，GIP電路110分布于薄膜晶體管陣列130的外側(cè)。一般情況下，薄膜晶體管陣列130外側(cè)離AMOLED顯示屏的四周邊緣較近，因此GIP電路110分布于AMOLED顯示屏的邊緣。具體來說，GIP電路110可以平行于0LED像素陣列130的行方向，也可以平行于0LED像素陣列130的列方向。
[0021]本實施例中AMOLED顯示屏像素的排列方式如圖3所示，0LED像素陣列130在完全覆蓋薄膜晶體管陣列120的基礎(chǔ)上還覆蓋于GIP電路110上。也就是說，在本實施例中擴大了 0LED像素陣列130在AMOLED顯示屏中的整體分布面積(例如在不影響視覺效果的情況下通過調(diào)整各像素之間的分布距離來擴大0LED像素陣列130的分布面積)進而使得0LED像素陣列130能夠遮擋位于下方的GIP電路110，擴大了 AMOLED顯示屏的顯示區(qū)域，從而能夠減小了用于遮擋GIP電路110的遮擋圈占用的空間。同時像素分辨率越高，像素的數(shù)量越多，那么遮擋效果就越好。
[0022]另外，雖然0LED像素陣列130的整體分布面積較大，但像素與薄膜晶體管依然保持——對應(yīng)連接的關(guān)系，從而保證AMOLED顯示屏能夠正常工作。
[0023]需要說明的是，上述0LED像素陣列130覆蓋于GIP電路110上，可以是0LED像素陣列130只覆蓋于GIP電路110的一部分電路；也可以是0LED像素陣列130完全覆蓋GIP電路110。若窄邊框設(shè)計要求較低時，前者(即0LED像素陣列130只覆蓋于GIP電路110的一部分)雖然仍然會在AMOLED顯示屏上布置少量遮擋圈來遮擋GIP電路110中沒有被遮蓋的電路，但完全能夠滿足上述較低的窄邊框設(shè)計要求。而若窄邊框設(shè)計要求較高甚至需要無邊框時，采用后者(即0LED像素陣列130完全覆蓋GIP電路110)即能夠滿足要求。
[0024]同時，在0LED像素陣列130中，所有像素均勻分布，以保證AMOLED顯示屏的色彩均勻，具有較好的顯示效果。
[0025]具體的，GIP電路110平行于薄膜晶體管陣列120的列方向時，0LED像素陣列130中覆蓋于GIP電路110上的所有像素處于同一列。那么相當(dāng)于在傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列120與0LED像素陣列130——垂直對應(yīng)的AMOLED顯示屏中，本實施例將最接近GIP電路110的整列像素均沿行方向平移相同的距離，并平移至能夠覆蓋于GIP電路110的位置處。同時為了保證整個0LED像素陣列130中的所有像素分布均勻，其余各列的像素也應(yīng)當(dāng)沿行方向移動一定距離，需注意的是，在其余各像素的調(diào)整過程中，需保證同列的像素移動相同的距離。圖1即為上述情況。
[0026]需要說明的是，上述最接近GIP電路110的整列像素可以完全將GIP電路110覆蓋，同時若GIP電路110空間較大時，若要完全覆蓋GIP電路110，則可以將兩列或更多列的像素移動至能夠覆蓋GIP電路110的位置；另外，若不需要完全覆蓋GIP電路110時，則可將上述最接近GIP電路110的整列像素同時沿行方向向GIP電路110的上方區(qū)域平移較小的距離即可。
[0027]另外，若GIP電路110平行于薄膜晶體管陣列120的行方向時，0LED像素陣列130中覆蓋于GIP電路110上的所有像素處于同一行。那么相當(dāng)于在傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列120與0LED像素陣列130——垂直對應(yīng)的AMOLED顯示屏中，本實施例將最接近GIP電路110的整行像素均沿列方向平移相同的距離，并平移至能夠覆蓋于GIP電路110的位置處。同時為了保證整個0LED像素陣列130中的所有像素分布均勻，其余各列的像素也應(yīng)當(dāng)移動一定距離，需注意的是，在其余各像素的調(diào)整過程中，需保證同行的像素移動相同的距離。
[0028]需要說明的是，上述最接近GIP電路110的整行像素可以完全將GIP電路110覆蓋，同時若GIP電路110空間較大時，若要完全覆蓋GIP電路110，則可以將兩行或更多行的像素移動至能夠覆蓋GIP電路110的位置；另外，若不需要完全覆蓋GIP電路110時，則可將上述最接近GIP電路110的整行像素同時沿列方向向GIP電路110的上方區(qū)域平移較小的距離即可。
[0029]可以理解的是，GIP電路110的分布不限于上述情況，例如若GIP電路110既包括平行于薄膜晶體管陣列120列方向的電路，又包括平行于薄膜晶體管陣列120行方向的電路，則同樣按上述所述情況排列各像素。但應(yīng)注意的是，若在傳統(tǒng)薄膜晶體管陣列120與0LED像素陣列130 —一垂直對應(yīng)的基礎(chǔ)上移動像素時，同行的所有像素在行方向上移動的距離必須相同，且同列的像素在列方向上移動的距離也必須相同。總之，最終要使得0LED像素陣列130中所有的像素均勻分布。
[0030]根據(jù)上述內(nèi)容可以看出，本實施例提供的AMOLED顯示屏中的0LED像素陣列130，與傳統(tǒng)方式相比，相當(dāng)于將像素向AMOLED顯示屏的兩側(cè)或四周平移一定距離，從而將GIP電路110遮擋，進而實現(xiàn)窄邊框設(shè)計。
[0031]具體的，0LED像素陣列130位于第一層，薄膜晶體管陣列120及GIP電路110位于第二層，這種排布方式，便于實現(xiàn)0LED像素陣列130在完全覆蓋薄膜晶體管陣列120的基礎(chǔ)上還覆蓋于GIP電路110上。其中，0LED像素陣列130依次為陰極層、有機材料層、陽極層，且陽極層與薄膜晶體管陣列120電性連接，而薄膜晶體管陣列120與GIP電路110電性連接。
[0032]可以理解的是，0LED像素陣列130、薄膜晶體管陣列120及GIP電路110的層次排列關(guān)系不限于上述一種情況，只要能夠?qū)崿F(xiàn)0LED像素陣列130在完全覆蓋薄膜晶體管陣列120的基礎(chǔ)上還覆蓋于GIP電路110上即可。
[0033]具體的，當(dāng)0LED像素陣列130需要移動較大的距離以實現(xiàn)窄邊框或者無邊框顯示時，對應(yīng)0LED像素和薄膜晶體管之間可能會出現(xiàn)沒有足夠的空間通過導(dǎo)線連接的問題。這種情況