Oled顯示器及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種0LED顯示器及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，顯示器市場中心位置逐漸由平板顯示器(Flat Panel Display，F(xiàn)PD)所占據(jù)。利用FH)可以制造大尺寸且薄而輕的顯示設(shè)備。這類FH)包括液晶顯示器(LiquidCrystal Display，IXD)、等離子體顯示面板(Plasma Display Panel，PDP)、有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting D1de, OLED)顯不器等。
[0003]OLED顯示器是一種新興的平板顯示器，其具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異的特性，因此具有非常好的發(fā)展前景。
[0004]高PPI (每英寸所擁有的像素數(shù)目)是顯示器行業(yè)未來發(fā)展的趨勢，PPI的提升使得單位像素(Pixel)的面積不斷減小，像素面積減小后發(fā)光區(qū)的面積對應(yīng)減小，所需的發(fā)光電流隨之變小，因此需要對薄膜晶體管(TFT)的結(jié)構(gòu)重新改造以降低開態(tài)電流。
[0005]但是現(xiàn)有對于降低開態(tài)電流的解決方案中，存在周邊GIP(Gate In Panel)電路中電流不夠的問題，而高PPI顯示器需要周邊GIP電路有較大的電流來保證傳輸及傳輸速度，因此現(xiàn)有的解決方案存在一定的局限性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種0LED顯示器及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的0LED顯示器不能兼具降低像素區(qū)域的開態(tài)電流及保證周邊GIP電路區(qū)域有較大電流的問題。
[0007]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種0LED顯示器的制造方法，所述0LED顯示器的制造方法包括:
[0008]提供基板，所述基板上形成有源極、漏極及溝道；
[0009]在所述基板上形成第一柵絕緣層；
[0010]在所述第一柵絕緣層上形成第一柵極；
[0011]以所述第一柵極為掩膜，刻蝕所述第一柵絕緣層；
[0012]在所述第一柵極上形成第二柵絕緣層；及
[0013]在所述第二柵絕緣層上形成第二柵極；
[0014]其中，所述第一柵極至溝道的距離與所述第二柵極至溝道的距離不同。
[0015]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，所述第一柵絕緣層包括形成于所述基板上的第一氧化硅層以及形成于所述第一氧化硅層上的第一氮化硅層。
[0016]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，以所述第一柵極為掩膜，刻蝕所述第一柵絕緣層中僅對所述第一氮化硅層進行刻蝕。
[0017]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，以所述第一柵極為掩膜，刻蝕所述第一柵絕緣層中對所述第一氮化硅層和第一氧化硅層均進行刻蝕。
[0018]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，所述第一柵極為像素區(qū)域中的柵極，所述第二柵極為周邊電路區(qū)域中的柵極。
[0019]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，所述第一柵極為像素區(qū)域中的部分柵極和/或周邊電路區(qū)域中的部分柵極，所述第二柵極為像素區(qū)域中的部分柵極和/或周邊電路區(qū)域中的部分柵極。
[0020]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，所述第二柵絕緣層的厚度比所述第一柵絕緣層的厚度小。
[0021]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，所述第二柵絕緣包括第二氮化硅層。
[0022]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，還包括:在所述第二柵極上形成層間介質(zhì)層。
[0023]可選的，在所述的0LED顯示器的制造方法中，還包括:在所述層間介質(zhì)層上依次形成陽極、有機發(fā)光層及陰極。
[0024]本發(fā)明還提供一種0LED顯示器，所述0LED顯示器包括:
[0025]基板，所述基板上形成有源極、漏極及溝道；
[0026]位于所述基板上的柵絕緣層；
[0027]位于所述柵絕緣層上的第一柵極及第二柵極；
[0028]其中，所述第一柵極至溝道的距離與所述第二柵極至溝道的距離不同。
[0029]可選的，在所述的0LED顯示器中，所述第一柵極為像素區(qū)域中的柵極，所述第二柵極為周邊電路區(qū)域中的柵極。
[0030]可選的，在所述的0LED顯示器中，所述第一柵極為像素區(qū)域中的部分柵極和/或周邊電路區(qū)域中的部分柵極，所述第二柵極為像素區(qū)域中的部分柵極和/或周邊電路區(qū)域中的部分柵極。
[0031]可選的，在所述的0LED顯示器中，還包括:
[0032]形成于所述第二柵極上的層間介質(zhì)層；
[0033]形成于所述層間介質(zhì)層上的陽極；
[0034]形成于所述陽極上的有機發(fā)光層；及
[0035]形成于所述有機發(fā)光層上的陰極。
[0036]發(fā)明人在深入研究了現(xiàn)有技術(shù)后發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)通過增加?xùn)沤^緣層的厚度或做雙重柵絕緣層來減小開態(tài)電流，該方式會使得像素區(qū)域與周邊電路區(qū)域的開態(tài)電流同時降低，但是現(xiàn)有技術(shù)中卻忽略了這一點，從而導(dǎo)致了現(xiàn)有技術(shù)中的0LED顯示器不能兼具降低開態(tài)電流及保證周邊GIP電路有較大電流的問題。
[0037]因此，在發(fā)明提供的0LED顯示器及其制造方法中，通過在基板上形成第一柵絕緣層；在所述第一柵絕緣層上形成第一柵極；以所述第一柵極為掩膜，刻蝕所述第一柵絕緣層；在所述第一柵極上形成第二柵絕緣層；及在所述第二柵絕緣層上形成第二柵極，從而使得所述第一柵極至溝道的距離與所述第二柵極至溝道的距離不同，即像素區(qū)域與周邊電路區(qū)域可采用不同厚度的柵絕緣層，由此便可兼具降低像素區(qū)域的開態(tài)電流及保證周邊GIP電路區(qū)域有較大電流。
【附圖說明】
[0038]圖1?圖4是本發(fā)明實施例的0LED顯示器的制造方法所形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0039]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的0LED顯示器及其制造方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0040]請參考圖1?圖4，其為本發(fā)明實施例的0LED顯示器的制造方法所形成的結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0041]如圖1所示，在本申請實施例中，首先提供一基板10，所述基板10上形成有源極
11、漏極13以及源漏極之間的溝道12。優(yōu)選的，所述基板10為玻璃基板，進一步的，所述玻璃基板上還可以形成絕緣層。較佳的，所述溝道12的材料為多晶硅。
[0042]請繼續(xù)參考圖1，在本申請實施例中，接著，在所述基板10上形成第一柵絕緣層14，即所述第一柵絕緣層14覆蓋所述源極11、漏極13、源漏極之間的溝道12以及暴露出的基板10。優(yōu)選的，所述第一柵絕緣層14為雙層結(jié)構(gòu)，包括形成于所述基板10上的第一氧化娃層14a以及形成于所述第一氧化娃層14a上的第一氮化娃層14b。
[0043]接著，在所述第一柵絕緣層14上形成第一柵極15。在本申請實施例中，僅在像素區(qū)域的第一柵絕緣層14上形成柵極(即第一柵極15)。
[0044]請參考圖2，接著以所述第一柵極15為掩膜，刻蝕所述第一柵