有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)發(fā)光顯示裝置是致使有機(jī)發(fā)光層通過電子和空穴的復(fù)合來發(fā)光的自發(fā)光元件。有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有高亮度、低工作電壓和超薄設(shè)計(jì)。
[0003]有源矩陣有機(jī)發(fā)光顯示裝置(AM0LED)包括布置成矩陣用于顯示圖像的像素。各像素包括有機(jī)發(fā)光二極管和單元驅(qū)動(dòng)器，單元驅(qū)動(dòng)器獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管。單元驅(qū)動(dòng)器包括至少兩個(gè)薄膜晶體管和存儲(chǔ)電容器，以通過響應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)控制供給有機(jī)發(fā)光二極管的電流量來控制有機(jī)發(fā)光二極管的發(fā)光量。
[0004]有機(jī)發(fā)光二極管包括設(shè)置在上電極和下電極之間的有機(jī)材料的發(fā)光層。有機(jī)發(fā)光二極管通過當(dāng)激發(fā)子返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量來發(fā)光，激發(fā)子是通過從下電極供給的空穴和從上電極接收的電子在發(fā)光層內(nèi)復(fù)合而形成的空穴-電子對(duì)。
[0005]根據(jù)發(fā)射的光射出有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方向，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括底部發(fā)光裝置和頂部發(fā)光裝置。對(duì)于底部發(fā)光裝置，發(fā)射的光穿過基板的底部，(即，從有機(jī)發(fā)光層向著下電極)。對(duì)于頂部發(fā)光裝置，發(fā)射的光穿過基板的頂部(即，從有機(jī)發(fā)光層向著上電極)。
[0006]頂部發(fā)光有機(jī)發(fā)光顯示裝置的上電極被制得足夠薄，足以使光穿過上電極，這造成上電極的電阻增大。在相關(guān)技術(shù)中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括較大屏幕和較大面積的上電極、電阻增大的上電極和大壓降(IR降)。結(jié)果，相關(guān)技術(shù)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的大IR降可導(dǎo)致顯示裝置的功耗升高且亮度不均勻，并且導(dǎo)致可靠性降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的是提供可通過減小有機(jī)發(fā)光二極管中包括的上電極的表面電阻來降低功耗并且使亮度非均勻性減至最少的有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
【附圖說明】
[0008]附圖被包括以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并入且構(gòu)成本說明書的部分，附圖示出本發(fā)明的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本發(fā)明的原理。
[0009]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素的橫截面的視圖；
[0010]圖2A至圖2H是順序示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的視圖；
[0011]圖3A至圖3C是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的在有機(jī)發(fā)光顯示裝置中形成第一輔助電極的示例的視圖；
[0012]圖4是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的視圖，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括通過堤層的第一開口露出的下電極和通過堤層的第二開口露出的第一輔助電極；
[0013]圖5是示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的平面圖，該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括形成在包封基板上的第二輔助電極和突出圖案；以及
[0014]圖6A至圖6D是順序示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本文獻(xiàn)的實(shí)現(xiàn)方式。
[0016]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素的橫截面的視圖。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括通過堤層134彼此隔離的多個(gè)像素。各像素包括有機(jī)發(fā)光二極管130和驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管130的單元驅(qū)動(dòng)器。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板110和包封基板210，包封基板210用于包封形成在基板110上的像素。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光顯示裝置還包括與上電極138的一面接觸的第一輔助電極150和與上電極138的另一面接觸的第二輔助電極214，以減小有機(jī)發(fā)光二極管130中包括的上電極138的表面電阻。
[0017]單元驅(qū)動(dòng)器包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動(dòng)晶體管120、存儲(chǔ)電容器160和用于驅(qū)動(dòng)晶體管的信號(hào)線。開關(guān)晶體管響應(yīng)于來自選通線的掃描信號(hào)來導(dǎo)通并且將來自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)施加到驅(qū)動(dòng)晶體管120的柵端子。驅(qū)動(dòng)晶體管120根據(jù)柵-源電壓，控制施加到有機(jī)發(fā)光二極管130的電流量。即使通過使開關(guān)晶體管截止來切斷數(shù)據(jù)信號(hào)的供應(yīng)，存儲(chǔ)電容器160也將驅(qū)動(dòng)晶體管120的柵-源電壓保持給定時(shí)間段，從而致使所需電流量流入有機(jī)發(fā)光二極管130中。
[0018]驅(qū)動(dòng)晶體管120包括:半導(dǎo)體層122，其形成在基板110上的緩沖層112上方；柵極124，其與半導(dǎo)體層122的溝道部分交疊，使柵絕緣層114插入在柵極124和半導(dǎo)體層122之間。另外，驅(qū)動(dòng)晶體管120包括源極126和漏極127，源極126和漏極127經(jīng)由穿透層間絕緣層116和柵絕緣層114的接觸孔與半導(dǎo)體層122接觸。
[0019]存儲(chǔ)電容器160的下電極由與半導(dǎo)體層122相同的材料制成，存儲(chǔ)電容器160的上電極由與柵極124相同的材料制成。存儲(chǔ)電容器160的下電極可由與柵極124相同的材料制成，存儲(chǔ)電容器160的上電極可由與源極126和漏極127相同的材料制成。
[0020]驅(qū)動(dòng)晶體管120的一個(gè)電極(例如，源極126或漏極127)經(jīng)由穿透平整膜118的接觸孔連接到有機(jī)發(fā)光二極管130的下電極132，以向有機(jī)發(fā)光二極管130供應(yīng)驅(qū)動(dòng)電流。下電極132在平整膜118上形成為連接到驅(qū)動(dòng)晶體管120的一個(gè)電極。下電極132可由Cr、Al、AINd、Mo、Cu、W、Au、N1、Ag或這些材料的合金或氧化物形成。另外，下電極132可由ΙΤ0/反射層/ΙΤ0的多層構(gòu)成，使得從有機(jī)發(fā)光層136發(fā)射的光被向上反射。對(duì)應(yīng)于各像素將下電極132圖案化。
[0021]有機(jī)發(fā)光二極管130響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流，發(fā)射紅光、綠光或藍(lán)光，以顯示預(yù)定的圖像數(shù)據(jù)。有機(jī)發(fā)光二極管130:下電極132和上電極138，其彼此面對(duì)；有機(jī)發(fā)光層136，其設(shè)置在下電極132和上電極138之間。下電極132和上電極138彼此絕緣，并且將不同極性的電壓施加到有機(jī)發(fā)光層136。有機(jī)發(fā)光層136從下電極132接收空穴并且從上電極138接收電子以形成激發(fā)子(空穴-電子對(duì))，并且通過當(dāng)激發(fā)子返回到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的能量來發(fā)光。有機(jī)發(fā)光層136包括空穴注入層HIL、空穴傳輸層HTL、發(fā)光層EL、電子傳輸層ETL和電子注入層EIL。有機(jī)發(fā)光層136形成在發(fā)光區(qū)中，但沒有形成在形成有驅(qū)動(dòng)晶體管120的非發(fā)光區(qū)中。
[0022]上電極138可由透明導(dǎo)電層形成，以從包括在有機(jī)發(fā)光二極管130中的有機(jī)發(fā)光層136發(fā)射光。透明導(dǎo)電層可由銦錫氧化物(ΙΤ0)、錫氧化物(T0)、銦鋅氧化物(ΙΖ0)、銦錫鋅氧化物(ΙΤΖ0)或這些材料的組合制成。上電極138是板狀的并且形成在基板110的整個(gè)表面上方。有機(jī)發(fā)光二極管130通過堤層134對(duì)應(yīng)于各像素，以產(chǎn)生紅光、綠光或藍(lán)光。
[0023]堤層134具有第一開口 0PN1和第二開口 0PN2，用于分別限定各像素中的發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)。堤層134通過將下電極的部分露出的第一開口 0PN1限定各像素的發(fā)光區(qū)。除了發(fā)光區(qū)之外的區(qū)域是非發(fā)光區(qū)。堤層134通過第二開口 0PN2將形成在非發(fā)光區(qū)內(nèi)的第一輔助電極150露出。堤層134可包括諸如聚酰亞胺材料的有機(jī)材料或諸如氮化硅膜、氧化娃膜等的無機(jī)材料。
[0024]第一輔助電極150用于減小構(gòu)成有機(jī)發(fā)光二極管130的上電極138的表面電阻，并且可形成在堤層134的下面。例如，第一輔助電極150可與有機(jī)發(fā)光二極管130的下電極132位于同一平面，即，位于平整膜118上。
[0025]第一輔助電極150可由比上電極138具有更低比電阻和更高導(dǎo)電率的導(dǎo)電材料制成。例如，第一輔助電極150可由銀(Ag)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(A1)、鎂(Mg)、釹(Nd)、這些材料的合金、或這些材料的層合物形成。
[0026]通過形成與上電極138電連接并且處于上電極138下方的第一輔助電極150可減小上電極138的表面電阻。由于上電極138的表面減小，因此可抑制由跨上