體積小的usb 3.1電連接器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種電連接器,尤其涉及一種體積小的USB 3.1電連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]USB 3.1是最新的USB規(guī)范,該規(guī)范由英特爾等大公司發(fā)起。數(shù)據(jù)傳輸速度提升可至速度lOGbps。與現(xiàn)有的USB技術(shù)相比,新USB技術(shù)使用一個(gè)更高效的數(shù)據(jù)編碼系統(tǒng),并提供一倍以上的有效數(shù)據(jù)吞吐率。USB 3.1包括三種類型Type-A、Type-B及Type-C。較早前USB IF組織公布了 USB 3.1標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范后,令USB的速度進(jìn)一步提升至1Gbps外,并且進(jìn)一步把USB供電能力提升至最高100W,為了迎合主要面向更輕薄、更纖細(xì)的設(shè)備,USB IF決定研發(fā)全新USB 3.1 Type C接口。
[0003]但是,現(xiàn)有USB 3.1電連接器的兩排導(dǎo)電端子要嘛都采用表面焊接,要嘛都采用穿孔焊接至外部電路,這樣會(huì)增加有USB 3.1電連接器的空間,并增大其體積。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于:提供一種體積小的USB 3.1電連接器。
[0005]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0006]—種體積小的USB 3.1電連接器,其包括上金屬屏蔽殼體、絕緣本體、兩排導(dǎo)電端子、及下金屬屏蔽殼體,所述上金屬屏蔽殼體和下金屬屏蔽殼體包覆在絕緣本體的外側(cè),所述兩排導(dǎo)電端子具有安裝在絕緣本體上側(cè)的上排導(dǎo)電端子和安裝在絕緣本體下側(cè)的下排導(dǎo)電端子,所述上排導(dǎo)電端子包括十二根導(dǎo)電端子,所述下排導(dǎo)電端子也包括十二根導(dǎo)電端子,其特征在于:所述述上排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體上側(cè)的上對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體的上焊接部,所述上焊接部用于表面焊接至外部電路板;所述下排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體下側(cè)的下對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體并向下彎折延伸的下焊接部,所述下焊接部用于穿孔焊接至外部電路板。
[0007]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明有益效果如下:兩排導(dǎo)電端子焊腳分別采用表面焊接(SMT貼板)和穿孔焊接(DIP穿孔),可降低產(chǎn)品制造難度,并能節(jié)省產(chǎn)品體積。
[0008]本發(fā)明進(jìn)一步的改進(jìn)如下:
[0009]進(jìn)一步地,所述上金屬屏蔽殼體的前端具有橢圓形的對(duì)接框口,所述對(duì)接框口用于對(duì)接連接器的正反插入配合。
[0010]進(jìn)一步地,所述上金屬屏蔽殼體包括底壁、與底壁相對(duì)設(shè)置的頂壁、及設(shè)置在底壁和頂壁之間的兩側(cè)壁,所述下金屬屏蔽殼體包圍上金屬屏蔽殼體的底壁和兩側(cè)壁。
[0011]進(jìn)一步地,所述上金屬屏蔽殼體具有筒狀部和位于筒狀部后側(cè)并向下延伸的兩個(gè)接腳,所述筒狀部的底側(cè)具有配合縫。
[0012]進(jìn)一步地,所述下金屬屏蔽殼體和上金屬屏蔽殼體的側(cè)壁通過鐳射焊接連接在一起,所述下金屬屏蔽殼體與上金屬屏蔽殼體的側(cè)壁之間設(shè)有鐳射焊點(diǎn)。
[0013]進(jìn)一步地,所述USB 3.1電連接器還包括套設(shè)有在絕緣本體外側(cè)的金屬遮蔽框,所述上排導(dǎo)電端子和下排導(dǎo)電端子向前穿過金屬遮蔽框。
[0014]進(jìn)一步地,所述絕緣本體中鑲嵌有接地片,所述接地片位于上排導(dǎo)電端子和下排導(dǎo)電端子之間。
[0015]進(jìn)一步地,所述USB 3.1電連接器還設(shè)有位于絕緣本體后側(cè)的絕緣載體,所述接地片包括水平延伸的主體部以及自主體部彎折向下延伸的焊接腳,所述焊接腳位于絕緣載體的后側(cè)。
[0016]進(jìn)一步地,所述接地片向前延伸超出絕緣本體,且所述接地片的兩側(cè)設(shè)有用于和對(duì)接連接器配合時(shí)起到卡鉤作用的缺口。
【附圖說明】
[0017]圖1是符合本發(fā)明體積小的USB 3.1電連接器的立體圖。
[0018]圖2是圖1所示USB 3.1電連接器另一視角的立體圖。
[0019]圖3是圖1所示USB 3.1電連接器立體分解圖。
[0020]圖4是圖3所示USB 3.1電連接器進(jìn)一步分解圖。
[0021]圖5是是圖4所示USB 3.1電連接器進(jìn)一步分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說明。
[0023]如圖1至圖5所示,為符合本發(fā)明的一種體積小的USB 3.1電連接器100,其傳輸數(shù)據(jù)速率能達(dá)到lOGbps。USB 3.1電連接器100為符合USB協(xié)會(huì)的Type C規(guī)格。
[0024]USB 3.1電連接器100包括上金屬屏蔽殼體10、絕緣本體(舌板)20、兩排導(dǎo)電端子3、及下金屬屏蔽殼體40。絕緣本體20的后側(cè)設(shè)有絕緣載體50,所述絕緣本體20安裝在絕緣載體50上。
[0025]上金屬屏蔽殼體10和下金屬屏蔽殼體40包覆在絕緣本體20的外側(cè)。上金屬屏蔽殼體10的前端具有橢圓形的對(duì)接框口 101,所述對(duì)接框口 101用于對(duì)接連接器的正反插入配合。由于采用橢圓形的對(duì)接框口 101,與相對(duì)傳統(tǒng)的USB插座電連接器相比,本發(fā)明的USB 3.1電連接器100可以實(shí)現(xiàn)USB插頭電連接器的正反插,具有隨便怎么插都可以插入的使用便捷性優(yōu)勢(shì)。上金屬屏蔽殼體10具有筒狀部102和位于筒狀部102后側(cè)并向下延伸的兩個(gè)接腳103,所述筒狀部102的底側(cè)具有配合縫1021。上金屬屏蔽殼體10包括底壁104、與底壁104相對(duì)設(shè)置的頂壁105、及設(shè)置在底壁104和頂壁105之間的兩側(cè)壁106,所述下金屬屏蔽殼體40包圍上金屬屏蔽殼體10的底壁104和兩側(cè)106。下金屬屏蔽殼體40和上金屬屏蔽殼體10的側(cè)壁106通過鐳射焊接連接在一起,所述下金屬屏蔽殼體40與上金屬屏蔽殼體10的側(cè)壁106之間設(shè)有鐳射焊點(diǎn)60,所述下金屬屏蔽殼體40與上金屬屏蔽殼體10的底壁104之間設(shè)有鐳射焊點(diǎn)90。下金屬屏蔽殼體40的兩側(cè)均設(shè)有向外延伸后再向下延伸的伸出腳401。
[0026]兩排導(dǎo)電端子3具有安裝在絕緣本體20上側(cè)的上排導(dǎo)電端子31和安裝在絕緣本體下20側(cè)的下排導(dǎo)電端子32。所述上排導(dǎo)電端子31包括十二根導(dǎo)電端子,所述下排導(dǎo)電端子32也包括十二根導(dǎo)電端子。
[0027]絕緣本體20中鑲嵌有接地片70,所述接地片70位于上排導(dǎo)電端子31和下排導(dǎo)電端子32之間。接地片70包括水平延伸的主體部700以及自主體部700彎折向下延伸的焊接腳702,所述焊接腳702位于絕緣載體50的后側(cè)。絕緣本體20中增加接地片70,并采用鑲嵌成型(Insert Molding)的工藝成型為一體,增強(qiáng)了絕緣本體20的零件強(qiáng)度,降低了絕緣本體20失效的風(fēng)險(xiǎn),可靠性得到了大幅提升。所述接地片70向前延伸超出絕緣本體20,且所述接地片70的兩側(cè)設(shè)有用于和對(duì)接連接器配合時(shí)起到卡鉤作用的缺口 705。缺口 705設(shè)置在主體部700靠前位置處。接地片70設(shè)有能和對(duì)接連接器的接地片卡扣的缺口 705,使得接地屏蔽效果更佳,從而降低上下兩排導(dǎo)電端子之間的電磁干擾。
[0028]USB 3.1電連接器100還包括套設(shè)有在絕緣本體20外側(cè)的金屬遮蔽框80,上排導(dǎo)電端子31和下排導(dǎo)電端子32向前穿過金屬遮蔽框80,金屬遮蔽框80的上側(cè)還設(shè)有縫合裂縫 802。
[0029]上排端子31中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣載體50上側(cè)的上對(duì)接部311及水平向后延伸超出絕緣載體50的上焊接部312,所述上焊接部312用于采用SMT技術(shù)表面焊接至外部電路板(未圖示)。下排端子32中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣載體50下側(cè)的下對(duì)接部321及水平向后延伸超出絕緣本體50并向下彎折延伸的下焊接部322,所述下焊接部322用于穿孔焊接(Through hole)至外部電路板(未圖示)。兩排導(dǎo)電端子焊腳分別采用表面焊接(SMT貼板)和穿孔焊接(DIP穿孔),可降低產(chǎn)品制造難度,并能節(jié)省產(chǎn)品體積。
[0030]本發(fā)明不局限于上述具體的實(shí)施方式,本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā),不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng),所作出的種種變換,均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種體積小的USB 3.1電連接器,其包括上金屬屏蔽殼體、絕緣本體、兩排導(dǎo)電端子、及下金屬屏蔽殼體,所述上金屬屏蔽殼體和下金屬屏蔽殼體包覆在絕緣本體的外側(cè),所述兩排導(dǎo)電端子具有安裝在絕緣本體上側(cè)的上排導(dǎo)電端子和安裝在絕緣本體下側(cè)的下排導(dǎo)電端子,所述上排導(dǎo)電端子包括十二根導(dǎo)電端子,所述下排導(dǎo)電端子也包括十二根導(dǎo)電端子,其特征在于:所述述上排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體上側(cè)的上對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體的上焊接部,所述上焊接部用于表面焊接至外部電路板;所述下排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體下側(cè)的下對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體并向下彎折延伸的下焊接部,所述下焊接部用于穿孔焊接至外部電路板。2.如權(quán)利要求1所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述上金屬屏蔽殼體的前端具有橢圓形的對(duì)接框口,所述對(duì)接框口用于對(duì)接連接器的正反插入配合。3.如權(quán)利要求2所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述上金屬屏蔽殼體包括底壁、與底壁相對(duì)設(shè)置的頂壁、及設(shè)置在底壁和頂壁之間的兩側(cè)壁,所述下金屬屏蔽殼體包圍上金屬屏蔽殼體的底壁和兩側(cè)壁。4.如權(quán)利要求3所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述上金屬屏蔽殼體具有筒狀部和位于筒狀部后側(cè)并向下延伸的兩個(gè)接腳,所述筒狀部的底側(cè)具有配合縫。5.如權(quán)利要求4所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述下金屬屏蔽殼體和上金屬屏蔽殼體的側(cè)壁通過鐳射焊接連接在一起,所述下金屬屏蔽殼體與上金屬屏蔽殼體的側(cè)壁之間設(shè)有鐳射焊點(diǎn)。6.如權(quán)利要求5所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述USB 3.1電連接器還包括套設(shè)有在絕緣本體外側(cè)的金屬遮蔽框,所述上排導(dǎo)電端子和下排導(dǎo)電端子向前穿過金屬遮蔽框。7.如權(quán)利要求6所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述絕緣本體中鑲嵌有接地片,所述接地片位于上排導(dǎo)電端子和下排導(dǎo)電端子之間。8.如權(quán)利要求7所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述USB 3.1電連接器還設(shè)有位于絕緣本體后側(cè)的絕緣載體,所述接地片包括水平延伸的主體部以及自主體部彎折向下延伸的焊接腳,所述焊接腳位于絕緣載體的后側(cè)。9.如權(quán)利要求8所述的USB3.1電連接器,其特征在于:所述接地片向前延伸超出絕緣本體,且所述接地片的兩側(cè)設(shè)有用于和對(duì)接連接器配合時(shí)起到卡鉤作用的缺口。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種體積小的USB?3.1電連接器,其包括上金屬屏蔽殼體、絕緣本體、兩排導(dǎo)電端子、及下金屬屏蔽殼體,所述述上排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體上側(cè)的上對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體的上焊接部,所述上焊接部用于表面焊接至外部電路板;所述下排端子中的每一個(gè)均具有水平向前延伸至絕緣本體下側(cè)的下對(duì)接部及水平向后延伸超出絕緣載體并向下彎折延伸的下焊接部,所述下焊接部用于穿孔焊接至外部電路板。兩排導(dǎo)電端子焊腳分別采用表面焊接和穿孔焊接,可降低產(chǎn)品制造難度,并能節(jié)省產(chǎn)品體積。
【IPC分類】H01R4/02, H05K1/18
【公開號(hào)】CN105305102
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410362886
【發(fā)明人】馬大強(qiáng)
【申請(qǐng)人】昆山全方位電子科技有限公司
【公開日】2016年2月3日
【申請(qǐng)日】2014年7月28日