襯底處理裝置及使用其的襯底處理方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及襯底處理裝置及使用其的襯底處理方法。
【背景技術】
[0002]液晶顯示裝置(LiquidCrystal Display，IXD)、有機發(fā)光二極管(OrganicLight-Emitting D1de，OLED)、太陽能電池以及半導體元件等的處理工藝包括氣相沉積(vapor deposit1n)工藝、蝕刻(etching)工藝、派射(sputtering)工藝等的多種處理工
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[0003]最近，隨著襯底被大型化，正致力于研究均勻地處理襯底的裝置及方法。

【發(fā)明內容】

[0004]本發(fā)明的實施方式提供能夠均勻地處理襯底的襯底處理裝置及使用其的襯底處理方法。
[0005]根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置包括固定上述襯底的電極板和彎曲上述襯底的彎曲框架。上述電極板被布置在上述襯底上方。上述襯底的上面被附接至上述電極板的一面。當在平面上查看時，上述電極板可被設置成具有沿著第一方向延伸的第一短邊和第二短邊以及沿著與上述第一方向垂直的第二方向延伸的第一長邊和第二長邊的矩形形狀。
[0006]上述彎曲框架沿著上述電極板的邊緣位置布置。當在平面上查看時，上述彎曲框架可被設置成矩形箍狀。上述彎曲框架包括第一框架和第二框架，上述第一框架和上述第二框架以沿著上述第一方向延伸的假想線為基準布置在上述假想線的兩側。當在平面上查看時，上述假想線與上述電極板的一面的中央部重疊。
[0007]上述第一框架包括第一側壁部和第一支承部，上述第一側壁部對應于上述第一短邊并且與上述電極板的一面垂直，上述第一支承部從上述第一側壁部彎曲并延伸并且面對上述電極板的一面。此外，上述第一框架還包括第一延伸部和第二延伸部，上述第一延伸部和上述第二延伸部連接至上述第一側壁部并且沿著上述第一長邊和上述第二長邊以上述第二方向延伸。
[0008]上述第二框架包括第二側壁部和第二支承部，上述第二側壁部對應于上述第二短邊并且與上述電極板的一面垂直，上述第二支承部從上述第二側壁部彎曲并延伸并且面對上述電極板的一面。此外，上述第二框架還包括第三延伸部和第四延伸部，上述第三延伸部和上述第四延伸部連接至上述第二側壁部并且沿著上述第一長邊和上述第二長邊以與上述第二方向相反的方向延伸。
[0009]上述第一延伸部的一部分與上述第三延伸部的一部分在與上述假想線相遇的部分彼此重疊。此外，上述第二延伸部的一部分與上述第四延伸部的一部分在與上述假想線相遇的部分彼此重疊。
[0010]上述彎曲框架還包括連接件，上述連接件在上述第一框架和上述第二框架與上述假想線相遇的部分將上述第一框架連接至上述第二框架。在本發(fā)明的一實施方式中，上述連接件為鉸鏈。
[0011]上述連接件分別被設置在上述第一延伸部與上述第三延伸部重疊的部分和上述第二延伸部與上述第四延伸部重疊的部分。
[0012]上述彎曲框架可以調節(jié)上述第一框架與上述第二框架之間的角度以彎曲上述襯底。
[0013]上述彎曲框架的上述第一延伸部與上述第三延伸部之間的第一角度可以為約90°以上且約270°以下。此外，上述彎曲框架的上述第二延伸部與上述第四延伸部之間的第二角度可以為約90°以上且約270°以下。
[0014]根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置還可以包括材料供給部，上述材料供給部將有機物質提供至上述襯底。上述材料供給部可以朝著固定于上述電極板的上述襯底的下部面提供上述有機物質。
[0015]根據本發(fā)明的一實施方式的使用上述襯底處理裝置的襯底處理方法包括:移動電極板和彎曲框架的步驟；將襯底安置于沿著上述電極板的邊緣位置布置的上述彎曲框架中的步驟；在使用上述彎曲框架彎曲上述襯底后將上述襯底的中央部分附接至上述電極板的步驟；使用上述彎曲框架將上述襯底的除了中央部分的剩余部分附接至上述電極板的步驟；和處理上述襯底的步驟。
[0016]在上述移動電極板和彎曲框架的步驟中，將位于第一位置的上述電極板和上述彎曲框架移動至使上述襯底位于上述電極板與上述彎曲框架之間的第二位置，其中上述第一位置位于上述襯底上方。
[0017]當上述電極板移動至上述第二位置時，上述彎曲框架被彎曲成使上述第一框架與上述第二框架連接的部分具有約90°以上且約180°未滿的角度。由此，上述襯底可位于上述電極板與上述彎曲框架之間的空間中。
[0018]然后，當上述彎曲框架的被彎曲的部分被展開成使上述第一框架與上述第二框架連接的部分的角度為約180°時，上述襯底安置于上述彎曲框架中。
[0019]當上述彎曲框架被彎曲成使上述第一框架與上述第二框架連接的部分的角度為超過約180°且約270°以下時，上述襯底的中央部分被彎曲而被附接至上述電極板的一面。
[0020]當上述彎曲框架被彎曲成使上述第一框架與上述第二框架連接的部分的角度為約90°以上且約180°以下時，上述襯底的被彎曲的部分被展開而使上述襯底的除了中央部分的剩余部分被附接至上述電極板的一面。
[0021]然后，可以對固定于上述電極板的上述襯底的下部面執(zhí)行沉積有機物質的處理工
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[0022]根據本發(fā)明的實施方式，可以平坦地固定襯底以將有機物質均勻地沉積到襯底表面。
【附圖說明】
[0023]圖1是根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置的立體圖。
[0024]圖2是根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置的正視圖。
[0025]圖3是根據本發(fā)明的一實施方式的彎曲框架的立體圖。
[0026]圖4是根據本發(fā)明的一實施方式的被彎曲的彎曲框架的立體圖。
[0027]圖5是根據本發(fā)明的一實施方式的被彎曲的彎曲框架的立體圖。
[0028]圖6a至圖6e是依次示出使用襯底處理裝置的襯底處理方法的正視圖。
【具體實施方式】
[0029]本發(fā)明可以進行多種修改并且可以具有多種形態(tài)，因此將在附圖中示出特定實施方式并在說明書中對其進行詳細描述。然而，這并不旨在用特定公開形態(tài)限定本發(fā)明，而是應理解，本發(fā)明包括包含在本發(fā)明的精神和技術范圍內的所有變形、等同物及替代物。
[0030]本申請中諸如“包括”或“具有”等的措辭應被理解為為了指定說明書中所記載的特征、數(shù)字、步驟、動作、構件、部件或它們的組合的存在，而不是提前排除一個或多個其他特征、數(shù)字、步驟、動作、構件、部件或它們的組合的存在或附加可能性。此外，當層、膜、區(qū)±或、板等的部分被稱為在另一部分“上”時，不僅包括其“直接”位于另一部分“上”的情況而且還包括它們之間具有其他部分的情況。相反，當層、膜、區(qū)域、板等的部分被稱為在另一部分“下”時，不僅包括其“直接”位于另一部分“下”的情況而且還包括它們之間具有其他部分的情況。
[0031]在整個附圖中，類似的附圖標記指示類似的構件。在附圖中，為了本發(fā)明清楚起見，各結構的尺寸與實際相比被放大示出。雖然第一、第二等的措辭可被用于描述多種構件，但是構件并不限定于這些措辭。這些措辭僅用于將一個構件與另一構件區(qū)分開。例如，在不背離本發(fā)明的權利范圍的情況下，第一構件可被稱為第二構件，類似地，第二構件也可被稱為第一構件。除非文中另有明確所指，否則單數(shù)的表述包括復數(shù)的表述。
[0032]下面，將參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行更加詳細的描述。
[0033]圖1是根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置的立體圖，其中示出了襯底被固定至襯底處理裝置之前的狀態(tài)。
[0034]圖2是根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置的正視圖，其中示出了襯底被固定至襯底處理裝置上的狀態(tài)。
[0035]圖3是根據本發(fā)明的一實施方式的彎曲框架的立體圖。
[0036]參照圖1至圖3，根據本發(fā)明的一實施方式的襯底處理裝置包括固定襯底SUB的電極板EP和彎曲上述襯底SUB的彎曲框架BF。
[0037]上述襯底SUB可以由玻璃、硅、金屬、塑料等構成。上述襯底SUB可以是撓性襯底和非撓性襯底中的任一種。
[0038]上述襯底SUB可被設置成多種形狀。在本發(fā)明的一實施方式中，上述襯底SUB被設置成具有一對短邊和一對長邊的矩形板狀，并且在下面的描述中將上述短邊的延伸方向表示為第一方向D1，將上述長邊的延伸方向表示為第二方向D2。雖然在本發(fā)明的實施方式中上述襯底SUB被描述為矩形，但其并不限于此，上述襯底SUB可被設置成圓形或多邊形等。
[0039]上述電極板EP被布置在上述襯底SUB上方。上述電極板EP可以通過靜電引力附接至與上述電極板EP的一面相面對的上述襯底SUB的上面。
[0040]上述電極板EP可以由導電材料，例如，鋁(A1)、銅(Cu)、鐵(Fe)等構成。
[0041]上述電極板EP可被設置成具有彼此平行的兩對邊的矩形板狀。當在平面上查看時，上述電極板EP具有沿著上述第一方向D1延伸的第一短邊SS1和第二短邊SS2、和沿著上述第二方向D2延伸的第一長邊LSI和第二長邊LS2。
[0042]上述電極板EP的寬度可