集成電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種集成電路。
【背景技術(shù)】
[0002]芯片(chip)的寬度(或長度)越長，其金屬內(nèi)連線(metal line)越長。舉例來說，液晶顯示面板的高解析度電源驅(qū)動芯片因為其狹長型的布局而使其金屬內(nèi)連線的長度過長，進(jìn)而常遭遇其芯片內(nèi)部的壓降問題(voltage drop issue)。芯片內(nèi)的金屬內(nèi)連線長度越長，其電阻值越大，導(dǎo)致壓降問題越明顯。壓降問題將導(dǎo)致操作速度下降。傳統(tǒng)解決方式通常是在芯片的制造程序中多加了介層窗插塞(Via)及金屬層(Metal layer)至芯片內(nèi)，以降低電性路徑(例如系統(tǒng)電壓VDD或接地電壓VSS)的內(nèi)部阻抗。然而，更改芯片的內(nèi)部電路布局意味著要修改多個芯片處理掩模，也就是要花費(fèi)昂貴的成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供一種集成電路，其在保護(hù)層(passivat1n layer)上增加了路由線(routing wire)，以降低電性路徑的內(nèi)部阻抗。
[0004]本發(fā)明實(shí)施例所述集成電路包括芯片(chip)、保護(hù)層(passivat1n layer)、第一金屬內(nèi)連線、路由線(routing wire)以及壓合區(qū)。保護(hù)層配置于芯片上，其中該保護(hù)層具有第一開孔。第一金屬內(nèi)連線配置于保護(hù)層下以及配置該芯片中。路由線配置于保護(hù)層上，其中該路由線的第一端通過保護(hù)層的第一開孔電性連接第一金屬內(nèi)連線的第一端。壓合區(qū)配置于保護(hù)層上，其中該壓合區(qū)電性連接路由線的第二端。
[0005]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的路由線與壓合區(qū)配置于保護(hù)層之上。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一金屬內(nèi)連線屬于該芯片的最上層金屬層(topmetal layer)。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的路由線的材質(zhì)包括金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物或鈀的合金。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的保護(hù)層還具有第二開孔，而該集成電路還包括第一金屬墊。第一金屬墊配置于保護(hù)層下且至少一部分位于該第二開孔下。其中，該壓合區(qū)通過保護(hù)層的該第二開孔電性連接該第一金屬墊。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第一金屬墊的材質(zhì)包括鋁、鋁化合物、鋁的合金、銅、銅化合物或銅的合金。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的第二開孔的短邊長度為4 μπι?80 μπι。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的第二開孔的短邊長度為2 μπι?70 μπι。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的壓合區(qū)包括黏合層(adhesive layer)以及路由層(routing layer)。黏合層具有至少一部分配置于保護(hù)層的該第二開孔中。路由層配置于保護(hù)層上，并且該路由層電性連接該路由線。該路由層具有至少一部分或全部配置于該黏合層上，并且該路由層通過保護(hù)層的該第二開孔通過該黏合層電性連接該第一金屬墊。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的黏合層的材質(zhì)包括鈦、鈦化合物或鈦鎢合金，而該路由層的材質(zhì)包括金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物或鈀的合金。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的壓合區(qū)還包括金屬凸塊。金屬凸塊配置于保護(hù)層上，以及配置于路由層上。金屬凸塊通過保護(hù)層的該第二開孔通過該路由層與該黏合層電性連接至該第一金屬墊。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的高度為3 μπι?18 μπι。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的高度為5 μπι?15 μπι。
[0015]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊與路由層的高度差大于5 μπι。
[0016]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的表面粗糙度為0.05 μπι?2 μπι。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的表面粗糙度為0.8 μπι?1.7 μπι。
[0017]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的硬度為25?120Ην。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的硬度為50?ΙΙΟΗν。
[0018]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的金屬凸塊的材質(zhì)包括金、金化合物、金的合金、銅、銅化合物、銅的合金、鎳、鎳化合物、鎳的合金、鈀、鈀化合物或鈀的合金。
[0019]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，在該芯片的垂直方向，上述的第二開孔與金屬凸塊的面積比為0%?90%。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的第二開孔與金屬凸塊的面積比為5%?33%。
[0020]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的集成電路還包括第二金屬內(nèi)連線。第二金屬內(nèi)連線配置于保護(hù)層下以及配置于芯片中，其中該第二金屬內(nèi)連線位于該第一金屬墊的第一側(cè)且不接觸該第一金屬墊。金屬凸塊在芯片的垂直方向至少部分重疊于第一金屬墊以及至少部分重疊于第二金屬內(nèi)連線。
[0021]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的集成電路還包括第二金屬墊。第二金屬墊配置于保護(hù)層下且在第一金屬墊的第一側(cè)。第二金屬內(nèi)連線配置于第一金屬墊與第二金屬墊之間。金屬凸塊沿芯片的垂直方向至少部分重疊于該第二金屬墊。
[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的保護(hù)層還具有第三開孔。第二金屬墊至少一部分位于該第三開孔下。金屬凸塊通過保護(hù)層的該第三開孔電性連接該第二金屬墊。
[0023]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的路由線的高度為0.1 μπι?9μπι。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，上述的路由線的高度為2 μπι?5 μπι。
[0024]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的集成電路還包括第一金屬墊。第一金屬墊配置于保護(hù)層下。在芯片的垂直方向，壓合區(qū)位于該第一金屬墊上方。
[0025]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的壓合區(qū)包括路由層。路由層配置于保護(hù)層上，并且電性連接該路由線。
[0026]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的壓合區(qū)包括金屬凸塊。金屬凸塊配置于保護(hù)層上，并且配置于該路由層上。
[0027]基于上述，本發(fā)明實(shí)施例所述集成電路在芯片處理結(jié)束后的封裝處理中增加了路由線在保護(hù)層(passivat1n layer)上，以降低電性路徑的內(nèi)部阻抗。再者，相較于在芯片處理中更動金屬內(nèi)連線的路由(routing)布局而言，在封裝處理中增加路由線可有較大的設(shè)計彈性且縮短處理所需全部時間。
[0028]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說明如下。
【附圖說明】
[0029]圖1是本發(fā)明實(shí)施例說明一種集成電路100布局結(jié)構(gòu)的俯視示意圖；
[0030]圖2是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖1所示剖面線A-B繪制集成電路100的剖面示意圖；
[0031]圖3A至圖3C是本發(fā)明實(shí)施例說明在制造過程的不同步驟中圖1所示集成電路100的俯視不意圖；
[0032]圖4A至圖4C是依照圖3A至圖3C所示剖面線A-B繪制的集成電路100的剖面示意圖；
[0033]圖5是本發(fā)明另一實(shí)施例說明一種集成電路500布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0034]圖6是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖5所示剖面線C-D繪制集成電路500的剖面示意圖；
[0035]圖7是本發(fā)明又一實(shí)施例說明一種集成電路700布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0036]圖8是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖7所示剖面線E-F繪制集成電路700的剖面示意圖；
[0037]圖9是本發(fā)明又一實(shí)施例說明一種集成電路900布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0038]圖10是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖9所示剖面線G-H繪制集成電路900的剖面示意圖；
[0039]圖11是本發(fā)明再一實(shí)施例說明一種集成電路1100布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0040]圖12是本發(fā)明另一實(shí)施例說明一種集成電路1200布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0041]圖13是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖12所示剖面線1-J繪制集成電路1200的剖面示意圖；
[0042]圖14是本發(fā)明又一實(shí)施例說明一種集成電路1400布局結(jié)構(gòu)的俯視不意圖；
[0043]圖15是本發(fā)明實(shí)施例說明沿圖14所示剖面線K-L繪制集成電路1400的剖面示意圖。
[0044]附圖標(biāo)記說明:
[0045]100:集成電路；
[0046]210:芯片；
[0047]220:保護(hù)層；
[0048]221:第一開孔；
[0049]222:第二開孔；
[0050]230:第一金屬內(nèi)連線；
[0051]231:金屬內(nèi)連線；
[0052]240:路由線；
[0053]241:黏合層；
[0054]250:壓合區(qū)；
[0055]251:金屬凸塊；
[005