修復(fù)，從而提高了所述柔性顯示器的使用壽命。
【附圖說明】
[0058]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的柔性顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0059]圖2是本發(fā)明實施例一的柔性顯示器件的制造方法的工藝流程圖；
[0060]圖3是本發(fā)明實施例一的柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0061]圖4是本發(fā)明實施例三的柔性顯示器件的制造方法的工藝流程圖；
[0062]圖5是本發(fā)明實施例三的柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0063]以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明提出的柔性顯示器件及其制造方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0064]【實施例一】
[0065]請參考圖2，其為本發(fā)明實施例一的柔性顯示器件的制造方法的工藝流程圖。如圖2所示，所述柔性顯示器件的制造方法包括:
[0066]步驟一:提供一柔性基板；
[0067]步驟二:在所述柔性基板上形成顯示器件層；
[0068]步驟三:在所述顯示器件層上形成第一導(dǎo)電圖形；
[0069]步驟四:在所述顯示器件層和第一導(dǎo)電圖形上形成第一介電絕緣層，對所述第一介電絕緣層進(jìn)行刻蝕以形成溝槽；
[0070]步驟五:在所述溝槽中形成第二導(dǎo)電圖形；
[0071]其中，所述第一導(dǎo)電圖形由非自修復(fù)導(dǎo)電材料制成，所述第二導(dǎo)電圖形由自修復(fù)導(dǎo)電材料制成。
[0072]下面將結(jié)合具體實施例和附圖3，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0073]首先，提供一柔性基板110。本實施例中，所述柔性基板110為塑料基板。在其他實施例中，所述柔性基板110也可以采用其他柔性材質(zhì)，例如樹脂或者橡膠等，只要所述柔性基板110作為柔性顯示器的外殼符合柔軟度的要求即可。
[0074]接著，在所述柔性基板110上形成顯示器件層120。所述顯示器件層120包括柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極，所述柵極、柵極絕緣層、有源層、源極和漏極分別通過不同的構(gòu)圖工藝制成。其中，所述柵極、源極和漏極均采用導(dǎo)電材料制成，例如鉬(Mo)、鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)、鈦(Ti)、鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)等金屬材料。所述有源層的材料采用多晶硅或銦鎵鋅氧化物(indium gallium zinc oxide，簡稱IGZ0)。所述柵極絕緣層采用透明非晶氧化物制成，例如二氧化硅(Si02)、氮化硅(SiNx)或二氧化硅(Si02)與氮化硅(SiNx)的組合物等。
[0075]然后，采用非自修復(fù)導(dǎo)電材料在所述顯示器件層120上形成第一導(dǎo)電圖形130。形成第一導(dǎo)電圖形130的具體過程包括:首先，通過濺鍍工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或旋涂工藝在所述顯示器件層120上形成非自修復(fù)導(dǎo)電材料層；接著，通過光刻工藝在所述非自修復(fù)導(dǎo)電材料層上形成圖形化的光阻層；然后，以所述圖形案化的光阻層為掩膜對所述非自修復(fù)導(dǎo)電材料層進(jìn)行刻蝕，以形成第一導(dǎo)電圖形130。
[0076]其中，所述非自修復(fù)導(dǎo)電材料為鉬(Mo)、鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)、鈦(Ti)、鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)等金屬材料。
[0077]此后，所述顯示器件層120和第一導(dǎo)電圖形130上形成第一介電絕緣層140，并對所述第一介電絕緣層140進(jìn)行刻蝕以形成溝槽。所述第一介電絕緣層140能夠保護(hù)其下面的第一導(dǎo)電圖形130，避免所述第一導(dǎo)電圖形130與后續(xù)形成的第二導(dǎo)電圖形150短路。
[0078]之后，采用自修復(fù)導(dǎo)電材料在所述溝槽中形成第二導(dǎo)電圖形150。形成第二導(dǎo)電圖形150的具體過程包括:首先，通過噴墨打印工藝或旋涂工藝在所述第一介電絕緣層140上及溝槽中形成自修復(fù)型導(dǎo)電膠層；接著，通過光刻工藝在所述自修復(fù)型導(dǎo)電膠層上形成圖形化的光阻層；然后，以所述圖形案化的光阻層為掩膜對所述自修復(fù)型導(dǎo)電膠層進(jìn)行刻蝕，去除所述溝槽外的自修復(fù)型導(dǎo)電膠層，以形成第二導(dǎo)電圖形150。
[0079]所述第一導(dǎo)電圖形130與第二導(dǎo)電圖形150都是通過一次構(gòu)圖工藝形成的，所述第一導(dǎo)電圖形130的線寬相對較大、長度相對較短(即長寬比相對較低)，所述第二導(dǎo)電圖形150的線寬相對較小、長度相對較長(即長寬比相對較高)。
[0080]本實施例中，所述自修復(fù)導(dǎo)電材料為自修復(fù)型導(dǎo)電膠，所述自修復(fù)型導(dǎo)電膠能夠自動修復(fù)因外力破壞產(chǎn)生的膠體微裂紋。所述自修復(fù)型導(dǎo)電膠包括填充有銀納米線的導(dǎo)電膠、含有多孔炭材料的導(dǎo)電膠或含有銦的熱可修復(fù)型導(dǎo)電膠。
[0081 ] 其中，所述填充有銀納米線的導(dǎo)電膠是核殼結(jié)構(gòu)的納米粒子，所述核殼結(jié)構(gòu)的納米粒子的殼為聚苯乙烯，所述核殼結(jié)構(gòu)的納米粒子的核為分散有銀納米線的聚硫醇與二甲基苯胺的混合物。所述填充有銀納米線的導(dǎo)電膠制備方法采用乳液聚合法，通過乳液聚合法將核殼結(jié)構(gòu)的納米粒子分散在填充有銀納米線的各項同性導(dǎo)電膠的膠體中。
[0082]所述含有多孔炭材料的導(dǎo)電膠的成分包括環(huán)氧樹脂、固化促進(jìn)劑、環(huán)氧稀釋劑份、乳化劑、含孔碳材料粉末、去離子水和囊壁材料，所述含有多孔炭材料的導(dǎo)電膠的制備方法采用乳液聚合法。
[0083]所述含有銦的熱可修復(fù)型導(dǎo)電膠的成分包括環(huán)氧樹脂、片狀銀粉、固化劑、固化促進(jìn)劑、聚甲基丙烯酸酯微粉、銦填料和偶聯(lián)劑等材料，所述含有銦的熱可修復(fù)型導(dǎo)電膠的通過固固混合和固液混合工藝制備而成。其中，所述含有銦的熱可修復(fù)型導(dǎo)電膠，在加熱到150 °C時可自動修復(fù)受損膠體。
[0084]形成第二導(dǎo)電圖形150之后，在所述第二導(dǎo)電圖形150上依次形成金屬擴(kuò)散阻擋層160和第二介電絕緣層180。如圖3所示，所述金屬擴(kuò)散阻擋層160包覆在所述第二導(dǎo)電圖形150和第二介電絕緣層180上，將所述自修復(fù)型導(dǎo)電膠封閉住。
[0085]在形成金屬擴(kuò)散阻擋層160之后，形成第二介電絕緣層180之前，還包括:在所述金屬擴(kuò)散阻擋層160上形成易流動的介電層170。所述易流動的介電層170能夠使得后續(xù)形成的第二介電絕緣層180的表面更加平整，進(jìn)而平坦化柔性顯示器件的表面。
[0086]后續(xù)按照現(xiàn)有的工藝在所述第二介電絕緣層180上完成OLED發(fā)光器件的蒸鍍或者液晶材料的填充，之后進(jìn)行切割和封裝，從而形成完整的柔性顯示器件100。所述柔性顯示器件100包括:柔性基板110 ;形成于所述柔性基板110上的顯示器件層120 ;形成于所述顯示器件層120的第一導(dǎo)電圖形130 ;形成于在所述顯示器件層120和第一導(dǎo)電圖形130上的第一介電絕緣層140形成于所述第一介電絕緣層140中的溝槽；形成于所述溝槽中的第二導(dǎo)電圖形150。
[0087]如圖3所示，所述柔性顯示器件100還包括:形成于所述第二導(dǎo)電圖形150上的金屬擴(kuò)散阻擋層160和第二介電絕緣層180，所述金屬擴(kuò)散阻擋層160位于所述第二導(dǎo)電圖形150和第二介電絕緣層180之間。
[0088]如圖3所示，所述柔性顯示器件還包括:形成于所述金屬擴(kuò)散阻擋層160上的易流動的介電層170，所述易流動的介電層170位于所述金屬擴(kuò)散阻擋層160和第二介電絕緣層180之間。
[0089]本實施例中，所述柔性顯示器件100包括長寬比相對較低的第一導(dǎo)電圖形130和長寬比相對較高的第二導(dǎo)電圖形150，所述第一導(dǎo)電圖形130由鉬(Mo)、鉬鋁鉬(Mo/Al/Mo)、鈦(Ti)、鈦鋁鈦(Ti/Al/Ti)等普通金屬材料制成，所述第二導(dǎo)電圖形150由自修復(fù)型導(dǎo)電膠制成，所述第一介電絕緣層140和第二介電絕緣層180均由氧化物、氮化物或者氧氮化合物制成，所述易流動的介電層170由硼磷硅玻璃(BPTEOS)制成。
[0090]本實施例中，所述第一導(dǎo)電圖形130包括金屬焊墊(Pad)等長寬比相對較低的器件，所述第二導(dǎo)電圖形150包括交叉設(shè)置且相互獨立的柵線和數(shù)據(jù)線，所述柔性顯示器件100的柵線和數(shù)據(jù)線均為自修復(fù)金屬線，所述自修復(fù)金屬線在斷裂后能夠?qū)崿F(xiàn)自動修復(fù)。
[0091]【實施例二】
[0092]請參考圖2，其為本發(fā)明實施例一的柔性顯示器件的制造方法的工藝流程圖。如圖2所示，所述柔性顯示器件的制造方法包括:
[0093]步驟一:提供一柔性基板；
[0094]步驟二:在所述柔性基板上形成顯示器件層；
[0095]步驟三:在所述顯示器件層上形成第一導(dǎo)電圖形；
[0096]步驟四:在所述顯示器件層和第一導(dǎo)電圖形上形成第一介電絕緣層，對所述第一介電絕緣層進(jìn)行刻蝕以形成溝槽；
[0097]步驟五:在所述溝槽中形成第二導(dǎo)電圖形；
[0098]其中，所述第一導(dǎo)電圖形由非自修復(fù)導(dǎo)電材料制成，所述第二導(dǎo)電圖形由自修復(fù)導(dǎo)電材料制成。
[0099]具體的，本實施例中的步驟一至步驟四的內(nèi)容與實施例一中的步驟一至步驟四的內(nèi)容相同，在此不再一一贅述，具體內(nèi)容和相應(yīng)的參數(shù)請參見實施例一中的步驟一至步驟四。本實施例的目的在于說明與實施例一中的不同步驟(步驟五):
[0100]如圖3所示，采用自修復(fù)導(dǎo)電材料在所述溝槽中形成第二導(dǎo)電圖形150的具體過程包括:首先，通過濺鍍工藝、化學(xué)氣相沉積工藝或旋涂工藝在所述第一介電絕緣層140上及溝槽中形成低熔點合金材料層；接著，通過光刻工藝在所述低熔點合金材料層上形成圖形化的光阻層；然后，以所述圖形案化的光阻層為掩膜對所述低熔點合金材料層進(jìn)行刻蝕，去除所述溝槽外的低熔點合金材料層，以形成第二導(dǎo)電圖形150。
[0101]其中，所述低