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Oled柔性顯示器件的制作方法

文檔序號:9827233閱讀:503來源:國知局
Oled柔性顯示器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及OLED顯示技術(shù),尤其是指一種OLED柔性顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的OLED柔性顯示器件(Flexible 0LED),一般采用頂發(fā)射方式(topemiss1n),傳統(tǒng)的頂發(fā)射方式OLED柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示,從下至上依次包括:柔性基板91、陽極層92、空穴注入層(HIL) 93、空穴傳輸層(HTL) 94、有機發(fā)光層(EML) 95、電子傳輸層(ETL)96、電子注入層(EIL)97、陰極層98以及覆蓋層99。
[0003]其中,先在柔性基板91上蒸鍍陽極層92,陽極層92采用IT0/Ag/IT0薄膜,厚度為10nm?200nm;再在陽極層92上依次蒸鍍有機層:空穴注入層(HIL) 93、空穴傳輸層(HTL) 94、有機發(fā)光層(EML) 95、電子傳輸層(ETL) 96以及電子注入層(EIL) 97 ;再蒸鍍陰極層98,陰極層98采用Mg:Ag合金,厚度為15nm?25nm ;最后再在陰極層98上制備一層覆蓋層99,覆蓋層99通常采用有機材料。
[0004]為得到高純色和高效率,一般是通過調(diào)節(jié)其微腔結(jié)構(gòu)(即有機層HIL、HTL、EML、ETL、EIL中的一層或幾層),實現(xiàn)高純色與高效率。然而,傳統(tǒng)的OLED柔性顯示器件,普遍存在效率及壽命過低的問題,主要是由于OLED柔性顯示器件的封裝方式為薄膜封裝,在撓曲過程中,薄膜封裝可能會形成細小的通道,使水氧到達OLED柔性顯示器件。又因為覆蓋層通常采用有機材料,其阻水氧能力很弱,而陰極層采用較為活潑的Mg:Ag合金,接觸水氧后極易發(fā)生反應(yīng)導(dǎo)致器件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)中OLED柔性顯示器件接觸水氧后極易發(fā)生反應(yīng)導(dǎo)致器件失效問題,為了解決這一問題,本發(fā)明提供了一種OLED柔性顯示器件,包括:
[0006]柔性基板,所述柔性基板上依次制備有陰極層、有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,所述覆蓋層的材料為具有耐水氧性的無機材料T12或SiC。
[0007]本發(fā)明的OLED柔性顯示器件,通過將傳統(tǒng)的OLED結(jié)構(gòu)進行倒置,將容易氧化的陰極層直接鍍設(shè)在柔性基板上,再在陰極層上覆蓋有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,達到保護陰極層不受氧化的目的。另外,采用具有耐水氧性的無機材料T12或SiC作為覆蓋層的材料,可增強OLED器件的阻水氧能力,有效提高OLED器件的壽命。并且,T12和SiC的折射率較高,可進一步提高OLED器件的光純度。
[0008]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述覆蓋層的厚度為50nm?80nm。綜合覆蓋層的折射率,將覆蓋層的厚度設(shè)置在50nm?80nm范圍內(nèi),可進一步提高OLED器件的光純度。
[0009]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陽極層的材料為Au、Pt或Ti。Au、Pt或Ti的穩(wěn)定性好并且功函數(shù)高,較好的穩(wěn)定性可保護有機發(fā)光單元,較高的功函數(shù)可有效提高空穴的注入效率。
[0010]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陽極層的厚度為1nm?20nm。由此將陽極層設(shè)為半反半透層(反射率與透射率均為50% ),可提高OLED器件的微腔效應(yīng)。
[0011]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陰極層的材料為Mg。Mg的功函數(shù)較低,可有效提高電子的注入效率。
[0012]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述陰極層的厚度為10nm?200nm。綜合陰極材料的折射率,將陰極層的厚度設(shè)為10nm?200nm范圍內(nèi),形成一個全反射陰極,可提高OLED器件的微腔效應(yīng)。
[0013]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述有機發(fā)光單元包括電子注入層、電子傳輸層、有機發(fā)光層、空穴傳輸層以及空穴注入層,所述的電子注入層、電子傳輸層、有機發(fā)光層、空穴傳輸層以及空穴注入層依次制備于所述陰極層上。
[0014]本發(fā)明OLED柔性顯示器件的進一步改進在于,所述空穴注入層包括第三空穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層,所述的第三空穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層依次制備于所述空穴傳輸層上。不同的空穴注入層作用不同,第一空穴注入層的主要作用是增加注入效率,第二空穴注入層及第三空穴注入層的主要作用為增強微腔效應(yīng)。
【附圖說明】
[0015]圖1是傳統(tǒng)的OLED柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖2是本發(fā)明OLED柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖3是本發(fā)明OLED柔性顯示器件的較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0018]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白,以下結(jié)合附圖及實施例,對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實施例僅用以解釋本發(fā)明,并不用于限定本發(fā)明。
[0019]圖2是本發(fā)明OLED柔性顯示器件的結(jié)構(gòu)示意圖,配合參看圖2,本發(fā)明的OLED柔性顯示器件,包括:
[0020]柔性基板10,柔性基板10上依次制備有陰極層20、有機發(fā)光單元30、陽極層40以及覆蓋層50,覆蓋層50的材料為具有耐水氧性的無機材料T12或SiC。其中,有機發(fā)光單元30包括電子注入層310、電子傳輸層320、有機發(fā)光層330、空穴傳輸層340以及空穴注入層350,電子注入層310、電子傳輸層320、有機發(fā)光層330、空穴傳輸層340以及空穴注入層350依次制備于陰極層20上。
[0021]優(yōu)選地,綜合覆蓋層的折射率,將覆蓋層50的厚度設(shè)置在50nm?80nm范圍內(nèi),可進一步提高OLED器件的光純度。T12和SiC的折射率都較高,可進一步提高OLED器件的光純度。陽極層40的材料采用Au、Pt或Ti。Au、Pt或Ti的穩(wěn)定性好并且功函數(shù)高,較好的穩(wěn)定性可保護有機發(fā)光單元,較高的功函數(shù)可有效提高空穴的注入效率。陽極層40的厚度為1nm?20nm,由此將陽極層40設(shè)為半反半透層(反射率與透射率均為50% ),可提高OLED器件的微腔效應(yīng)。陰極層20的材料采用Mg,Mg的功函數(shù)較低,可有效提高電子的注入效率。綜合陰極材料的折射率,將陰極層20的厚度設(shè)為10nm?200nm范圍內(nèi),形成一個全反射陰極,可提高OLED器件的微腔效應(yīng)。
[0022]本發(fā)明的OLED柔性顯示器件,通過將傳統(tǒng)的OLED結(jié)構(gòu)進行倒置,并改變陰極層、陽極層和覆蓋層的材料以及厚度,具有以下優(yōu)點:
[0023]第一,將容易氧化的陰極層直接鍍設(shè)在柔性基板上,再在陰極層上覆蓋有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,達到保護陰極層不受氧化的目的。
[0024]第二,陰極層的材料采用功函數(shù)較低的Mg可有效提高電子的注入效率。
[0025]第三,陽極層的材料采用Au、Pt或Ti。Au、Pt或Ti的穩(wěn)定性好并且功函數(shù)高,較好的穩(wěn)定性可保護有機發(fā)光單元,較高的功函數(shù)可有效提高空穴的注入效率。陽極層的厚度為1nm?20nm,由此將陽極層設(shè)為半反半透層(反射率與透射率均為50% ),可提高OLED器件的微腔效應(yīng)。
[0026]第四,覆蓋層的材料采用具有耐水氧性的無機材料T12或SiC,可增強OLED器件的阻水氧能力,有效提高OLED器件的壽命。并且,T12和SiC的折射率都較高,可進一步提高OLED器件的光純度。
[0027]圖3是本發(fā)明OLED柔性顯示器件的較佳實施例的結(jié)構(gòu)示意圖,參閱圖3所示,在該實施例中,本發(fā)明的OLED柔性顯示器件,包括:
[0028]柔性基板10,柔性基板10上依次制備有陰極層20、有機發(fā)光單元30、陽極層40以及覆蓋層50,覆蓋層50的材料為具有耐水氧性的無機材料T12或SiC。其中,有機發(fā)光單元30包括電子注入層310、電子傳輸層320、有機發(fā)光層330、空穴傳輸層340、第三空穴注入層353、第二空穴注入層352以及第一空穴注入層351,電子注入層310、電子傳輸層320、有機發(fā)光層330、空穴傳輸層340、第三空穴注入層353、第二空穴注入層352以及第一空穴注入層351依次制備于陰極層20上。不同的空穴注入層作用不同,第一空穴注入層351的主要作用是增加注入效率,第二空穴注入層352及第三空穴注入層353的主要作用為增強微腔效應(yīng)。
[0029]以上所述僅是本發(fā)明的較佳實施例而已,并非對本發(fā)明做任何形式上的限制,雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明,任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi),當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例,但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾,均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種OLED柔性顯示器件,其特征在于,包括: 柔性基板,所述柔性基板上依次制備有陰極層、有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,所述覆蓋層的材料為具有耐水氧性的無機材料T12或SiC。2.如權(quán)利要求1所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述覆蓋層的厚度為50nm?80nm。3.如權(quán)利要求1或2所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陽極層的材料為Au、Pt 或 Ti。4.如權(quán)利要求3所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陽極層的厚度為1nm?20nmo5.如權(quán)利要求3所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陰極層的材料為Mg。6.如權(quán)利要求4所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陰極層的材料為Mg。7.如權(quán)利要求5所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陰極層的厚度為10nm ?200nm。8.如權(quán)利要求6所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述陰極層的厚度為10nm ?200nm。9.如權(quán)利要求7所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述有機發(fā)光單元包括電子注入層、電子傳輸層、有機發(fā)光層、空穴傳輸層以及空穴注入層,所述的電子注入層、電子傳輸層、有機發(fā)光層、空穴傳輸層以及空穴注入層依次制備于所述陰極層上。10.如權(quán)利要求8所述的OLED柔性顯示器件,其特征在于,所述空穴注入層包括第三空穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層,所述的第三空穴注入層、第二空穴注入層以及第一空穴注入層依次制備于所述空穴傳輸層上。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種OLED柔性顯示器件,包括:柔性基板,所述柔性基板上依次制備有陰極層、有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,所述覆蓋層的材料為具有耐水氧性的無機材料TiO2或SiC。本發(fā)明的OLED柔性顯示器件,通過將傳統(tǒng)的OLED結(jié)構(gòu)進行倒置,將容易氧化的陰極層直接鍍設(shè)在柔性基板上,再在陰極層上覆蓋有機發(fā)光單元、陽極層以及覆蓋層,達到保護陰極層不受氧化的目的。另外,采用具有耐水氧性的無機材料作為覆蓋層的材料,可增強OLED器件的阻水氧能力,有效提高OLED器件的壽命。
【IPC分類】H01L27/32, H01L51/50
【公開號】CN105590944
【申請?zhí)枴緾N201410578898
【發(fā)明人】祝文秀, 黃添旺, 何志江, 翟保才
【申請人】上海和輝光電有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2014年10月24日
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