柔性器件制作方法及柔性顯示器件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種柔性器件的制作方法及柔性顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著技術(shù)發(fā)展，柔性顯示裝置在近幾年獲得了越來(lái)越廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。在柔性顯示基板的制備過(guò)程中，為了保證各膜層的精確對(duì)位和平坦度，通常需要一個(gè)具有一定機(jī)械強(qiáng)度且平整的支撐基底，將柔性基板粘合在該支撐基底上，再在柔性基板上形成TFT器件的各個(gè)膜層，制作形成柔性顯示基板，最后將該柔性顯示基板從支撐基底上剝離下來(lái)。但是，在柔性顯示基板的剝離過(guò)程中，柔性基板往往會(huì)產(chǎn)生輕微的變形，致使出現(xiàn)電子元件線路錯(cuò)位、良品率降低等不良影響，從而造成柔性顯示裝置的成本增加。
[0003]例如，在目前現(xiàn)有的技術(shù)中，通常是使用激光技術(shù)從而支撐基底的一側(cè)或者底部進(jìn)行柔性顯示基板的剝離。但是，由于柔性顯示基板中的各膜層較薄，或者激光能量較高等因素，顯示元件容易在剝離過(guò)程中被損壞，從而造成柔性顯示裝置的成本增加。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)還通過(guò)對(duì)柔性基板進(jìn)行改性，例如采用離子注入法將離子注入到柔性基板的表面，以降低柔性基板的熱膨脹系數(shù)，從而改善柔性顯示基板的翹曲問(wèn)題和圖形偏移。但是這又會(huì)存在這樣的問(wèn)題:由于需要使用較高的注入能量對(duì)柔性基板進(jìn)行改性，這使得制備柔性顯示基板的工藝相對(duì)復(fù)雜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種柔性器件的制作方法及柔性顯示器件，其不僅工藝簡(jiǎn)單、成本較低，而且還可以增加柔性基板阻隔水氧的效果、強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性。
[0006]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種柔性器件的制作方法，包括以下步驟:
[0007]S1，在支撐基底上制備有機(jī)硅氧烷層；
[0008]S2，在所述有機(jī)硅氧烷層上制備柔性基板；
[0009]S3，在所述柔性基板上制備顯示器件；
[0010]S4，對(duì)所述有機(jī)硅氧烷層與所述支撐基底相接觸的表面進(jìn)行氧化處理，以在所述有機(jī)硅氧烷層與所述支撐基底之間形成二氧化硅層；
[0011 ] S5，將所述支撐基底自所述二氧化硅層剝離。
[0012]優(yōu)選的，在完成所述步驟S4之后，進(jìn)行所述步驟S5之前，還包括以下步驟:
[0013]對(duì)所述二氧化硅層進(jìn)行固化處理。
[0014]優(yōu)選的，在完成所述步驟S2之后，進(jìn)行所述步驟S3之前，還包括以下步驟:
[0015]對(duì)所述柔性基板和所述有機(jī)硅氧烷層進(jìn)行固化處理。
[0016]優(yōu)選的，在所述步驟S1中，采用涂布法或旋涂法制備所述有機(jī)硅氧烷層。
[0017]優(yōu)選的，采用透明材料制作所述支撐基底;并且，
[0018]在所述步驟S4中，進(jìn)行所述氧化處理的方式為:透過(guò)所述支撐基底朝向所述有機(jī)硅氧烷層與所述支撐基底相接觸的表面照射紫外線或臭氧。
[0019]優(yōu)選的，所述透明材料包括玻璃。
[0020]優(yōu)選的，所述步驟S3進(jìn)一步包括以下步驟:
[0021 ] S31，在所述柔性基板上制備TFT器件；
[0022]S32，在所述TFT器件上制備有機(jī)發(fā)光材料層；
[0023]S33，在所述有機(jī)發(fā)光材料層上制備封裝保護(hù)層。
[0024]優(yōu)選的，所述有機(jī)硅氧烷層包括聚二甲基硅氧烷。
[0025]優(yōu)選的，所述柔性基板包括聚酰亞胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
[0026]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種柔性顯示器件，包括柔性基板，在所述柔性基板上設(shè)置有顯示器件，在所述柔性基板背離所述顯示器件的表面設(shè)置有有機(jī)硅氧烷層，在所述有機(jī)硅氧烷層上設(shè)置有二氧化硅層。
[0027]優(yōu)選的，所述二氧化硅層為經(jīng)過(guò)固化處理之后的膜層。
[0028]優(yōu)選的，所述柔性基板和所述有機(jī)硅氧烷層為經(jīng)過(guò)固化處理之后的膜層。
[0029]優(yōu)選的，所述顯示器件包括TFT器件、有機(jī)發(fā)光材料層和封裝保護(hù)層，其中，所述TFT器件設(shè)置在所述柔性基板上;所述有機(jī)發(fā)光材料層設(shè)置在所述TFT器件上;所述封裝保護(hù)層設(shè)置在有機(jī)發(fā)光材料層上。
[0030]優(yōu)選的，所述有機(jī)硅氧烷層包括聚二甲基硅氧烷。
[0031]優(yōu)選的，所述柔性基板包括聚酰亞胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯。
[0032]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0033]本發(fā)明提供的柔性器件的制作方法，其先后在支撐基底上制備有機(jī)硅氧烷層、柔性基板和顯示器件，然后對(duì)有機(jī)硅氧烷層與支撐基底相接觸的表面進(jìn)行氧化處理，以在有機(jī)硅氧烷層與支撐基底之間形成二氧化硅層，該二氧化硅層可以降低柔性基板和支撐基底之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而可以更容易地將支撐基底剝離，進(jìn)而降低柔性器件被損壞的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品良率。此外，二氧化硅層還具有阻隔水汽的作用，而且還可以增加柔性基板的強(qiáng)度和穩(wěn)定性。本發(fā)明提供的柔性器件的制作方法只需對(duì)有機(jī)硅氧烷層與支撐基底相接觸的表面進(jìn)行氧化處理，即可達(dá)到降低柔性器件被損壞的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品良率的目的，從而工藝簡(jiǎn)單、成本較低。
[0034]本發(fā)明提供的柔性顯示器件，其在柔性基板背離顯示器件的表面設(shè)置有有機(jī)硅氧烷層，并在該有機(jī)硅氧烷層上設(shè)置二氧化硅層，該二氧化硅層可以降低柔性基板和支撐基底之間的結(jié)合強(qiáng)度，從而可以更容易地將支撐基底剝離，進(jìn)而降低柔性器件被損壞的風(fēng)險(xiǎn)，提高產(chǎn)品良率。此外，二氧化硅層還具有阻隔水汽的作用，而且還可以增加柔性基板的強(qiáng)度和穩(wěn)定性。
【附圖說(shuō)明】
[0035]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的柔性器件的制作方法的流程框圖；
[0036]圖2為完成步驟S3之后的柔性器件的剖視圖；
[0037]圖3為進(jìn)行步驟S4的過(guò)程示意圖；
[0038]圖4為完成步驟S5之后的柔性器件的剖視圖；
[0039]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的柔性器件的制作方法的流程框圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來(lái)對(duì)本發(fā)明提供的柔性器件的制作方法及柔性顯示器件進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0041]圖1為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的柔性器件的制作方法的流程框圖。請(qǐng)參閱圖1，柔性器件制作方法包括以下步驟:
[0042]S1，在支撐基底上制備有機(jī)硅氧烷層；
[0043]S2，在有機(jī)硅氧烷層上制備柔性基板；
[0044]S3，在柔性基板上制備顯示器件；
[0045]S4，對(duì)有機(jī)硅氧烷層與支撐基底相接觸的表面進(jìn)行氧化處理，以在有機(jī)硅氧烷層與支撐基底之間形成二氧化硅層；
[0046]S5，將支撐基底自二氧化硅層剝離。
[0047]在步驟S1中，有機(jī)硅氧烷層可以采用涂布法或旋涂法制備。該有機(jī)硅氧烷層可以包括聚二甲基娃氧燒(PDMS，polydime thy lsiloxane)，該材料具有良好的電絕緣性和耐高低溫性，可在-50?+250°C的溫度條件下長(zhǎng)期使用；而且，聚二甲基硅氧烷材料還具有壓縮率大，表面張力低，憎水防潮性好等的優(yōu)點(diǎn)。另外，聚二甲基硅氧烷因其具有表面張力低的性質(zhì)，可以在為流體之后極易形成平滑、均勻的涂層。在實(shí)際應(yīng)用中，可以根據(jù)不同的需求，對(duì)聚二甲基硅氧烷進(jìn)行適當(dāng)?shù)母男浴?br>[0048]另外，在本實(shí)施例中，采用透明材料制作支撐基底，例如玻璃，以在進(jìn)行步驟S4的氧化處理時(shí)，紫外線或臭氧可以透過(guò)支撐基底朝向有機(jī)硅氧烷層與支撐基底相接觸的表面。
[0049]在步驟S2中，柔性基板包括諸如聚酰亞胺或者聚萘二甲酸乙二醇酯等的聚合物基板。
[0050]步驟S3進(jìn)一步包括以下步驟:
[0051 ] S31，在柔性基板上制備TFT器件。
[0052]S32，在TFT器件上制備有機(jī)發(fā)光材料層。
[0053]S33，在有機(jī)發(fā)光材料層上制備封裝保護(hù)層。
[0054]圖2為完成步驟S3之后的柔性器件的剖視圖。如圖2所示，在完成步驟S33之后，在支撐基底1上依次設(shè)置有有機(jī)硅氧烷層2、柔性基板3和顯示器件。其中，該顯示器件由TFT器件4、有機(jī)發(fā)光材料層5和封裝保護(hù)層6組成。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，顯示器件還可以根據(jù)具體需要由其他種類的膜層組成。
[0055]如圖3所示，為進(jìn)行步驟S4的過(guò)程示意圖。在步驟S4中，進(jìn)行氧化處理的方式為:透過(guò)支撐基底1朝向有機(jī)硅氧烷層2與支