如上所述，根據(jù)本公開示例性實施方式的薄聚合物絕緣膜31可以通過化學氣相沉積(CVD)法或浸潰法使用低粘度聚合物涂層溶液形成。
[0089]薄聚合物絕緣膜31可以被形成以具有3μπι或更小的厚度，更優(yōu)選地是Ιμπι至3 μ m0
[0090]在形成的薄聚合物絕緣膜31的厚度小于I μ m的情況下，在磁層的安置和壓制過程期間，絕緣膜可能受損，以致由于線圈圖案部40和外部磁性材料之間的接觸而產(chǎn)生有缺陷波形，而在形成的薄聚合物絕緣膜31的厚度大于3μπι的情況下，由磁性材料占有的體積依照絕緣膜的厚度的增加而被減小，以致可能存在對電感的增加的限制。
[0091]薄聚合物絕緣膜31可以單獨包含聚(對苯二甲)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂等等或者包括它們的混合物，但并不限制于此。
[0092]附加絕緣膜32可以被形成在其上形成有薄聚合物絕緣膜31的線圈圖案部40上，以便遵循線圈圖案部40的表面形狀。
[0093]在為了增加填充有磁性材料的體積、薄聚合物絕緣膜31被形成以具有小的厚度的情況下，可能會部分地形成非絕緣區(qū)域(圖6中的‘Α’)，從而產(chǎn)生有缺陷波形。因此，根據(jù)本公開的示例性實施方式，通過在磁片51的一個表面上形成底漆絕緣層32’以及安置和壓制磁片51，附加絕緣膜32可以被形成在線圈圖案部40上，而不需要附加絕緣過程。
[0094]由于附加絕緣膜32可以被形成在其上形成有薄聚合物絕緣膜31的線圈圖案部40上，以覆蓋線圈圖案部40的整體，因此可以顯著減少非絕緣區(qū)域。
[0095]附加絕緣膜32可以由任意材料形成，而沒有限制，只要這種材料可以一般地被用作為絕緣膜的材料。例如，附加絕緣膜32可以包括從由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹月旨、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中選擇的一個或多個。
[0096]同時，附加絕緣膜32還可以包括填充物。
[0097]由于底漆絕緣層32’被制造成片狀的，并且被形成在磁片51的一個表面上，而且然后在附加絕緣膜32的形成期間，磁片51被安置和壓制，所以可以增加填充物以便改善以片狀形式的底漆絕緣層32’的可成形性等等。
[0098]通過增加填充物可以改善片狀形式的底漆絕緣層32’的可成形性和絕緣性能。
[0099]任意材料可以被用作填充物，而沒有限制，只要該材料可以改善可成形性并且具有絕緣性能。例如，可以使用二氧化硅等等。
[0100]附加絕緣膜32的厚度可以是I μ m至5 μ m。
[0101]在附加絕緣膜32的厚度小于I μ m的情況下，形成覆蓋線圈圖案部40的整體是困難的，以致顯著減小非絕緣區(qū)域可能是困難的，而在附加絕緣膜32的厚度大于5μπι的情況下，由磁性材料所占有的體積可能依照絕緣膜的厚度的增加而被減小，以致可能存在對電感的增加的限制。
[0102]同時，磁性材料可以填充其上形成有薄聚合物絕緣膜31和附加絕緣膜32的線圈圖案部40的線圈部分之間的區(qū)域。
[0103]由于薄聚合物絕緣膜31和附加絕緣膜32的表面被薄薄地形成以遵循線圈圖案部40的表面形狀，在線圈部分之間的區(qū)域中形成空間。在磁層的安置和壓制過程中，磁性材料可以填充該空間。由于磁性材料填充線圈圖案部40的線圈部分之間的區(qū)域，由磁性材料占有的體積被增加，以致電感可以依照磁性材料的體積的增加而增加。
[0104]根據(jù)上文中本公開的示例性實施方式，與片式電子元件制造方法的相重疊的另外的特征將被省略。
[0105]如前所述，使用根據(jù)本公開示例性實施方式的片式電子元件及其制造方法，由薄絕緣層的形成產(chǎn)生的非絕緣缺陷可以被減少的，而不需要單獨的附加絕緣過程。
[0106]因此，簡化的過程可以被實現(xiàn)，且由線圈的非絕緣區(qū)域產(chǎn)生的在高頻時的缺陷波形可以被防止。此外，由于薄絕緣層被形成，電感器的電感等等可以被改善。
[0107]雖然以上已經(jīng)示出和描述了示例性實施方式，但顯而易見的是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本公開所附加的權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)進行修改和改變。
【主權(quán)項】
1.一種片式電子元件的制造方法，該制造方法包括: 在絕緣襯底的至少一個表面上形成線圈圖案部； 形成薄聚合物絕緣膜以遵循所述線圈圖案部的表面形狀； 在磁片的一個表面上形成底漆絕緣層； 在其上形成有所述線圈圖案部的所述絕緣襯底的上部和下部上安置其上形成有所述底漆絕緣層的磁片，并且壓制所述磁片來形成其中附加絕緣膜被形成在所述線圈圖案部上的磁體；以及 在所述磁體的至少一個端面上形成外部電極以便連接至所述線圈圖案部。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述附加絕緣膜形成在所述薄聚合物絕緣膜上以遵循所述線圈圖案部的表面形狀。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述附加絕緣膜被形成以覆蓋其上形成有薄聚合物絕緣膜的線圈圖案部的整體。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述薄聚合物絕緣膜通過化學氣相沉積法形成。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述薄聚合物絕緣膜包括選自由聚(對苯二甲)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述底漆絕緣層包括選自由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。7.根據(jù)權(quán)利要求所述的制造方法，其中所述底漆絕緣層包括填充物。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述薄聚合物絕緣膜被形成以具有Iym至3 μ m的厚度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中所述底漆絕緣層具有Iμ m至5 μ m的厚度。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中磁性材料填充其上形成有所述薄聚合物絕緣膜和所述附加絕緣膜的所述線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域。11.一種片式電子元件，該片式電子元件包括: 磁體，該磁體包括絕緣襯底； 線圈圖案部，形成在所述絕緣襯底的至少一個表面上； 絕緣膜，形成在所述線圈圖案部的表面上；以及 外部電極，形成在所述磁體的至少一個端面上，且連接至所述線圈圖案部， 其中，所述絕緣膜包括薄聚合物絕緣膜以及附加絕緣膜，所述薄聚合物絕緣膜形成在所述線圈圖案部的表面上以遵循所述線圈圖案部的表面形狀，所述附加絕緣膜形成在其上形成有所述薄聚合物絕緣膜的所述線圈圖案部上以遵循所述線圈圖案部的表面形狀。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中所述附加絕緣膜被形成以覆蓋其上形成有所述薄聚合物絕緣膜的所述線圈圖案部的整體。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中所述薄聚合物絕緣膜包括選自由聚(對苯二甲)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中所述附加絕緣膜包括選自由環(huán)氧樹月旨、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中所述附加絕緣膜包括填充物。16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中所述薄聚合物絕緣膜被形成以具有1μπιΜ3μπι^ 。17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中附加絕緣膜具有Iμ m至5 μ m的厚度。18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的片式電子元件，其中磁性材料填充其上形成有所述薄聚合物絕緣膜和上述附加絕緣膜的所述線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域。
【專利摘要】一種片式電子元件及其制造方法，片式電子元件的制造方法可以包括：在絕緣襯底的至少一個表面上形成線圈圖案部；形成薄聚合物絕緣膜以遵循線圈圖案部的表面形狀；在磁片的一個表面上形成底漆絕緣層；在其上形成有線圈圖案部的絕緣襯底的上部和下部上安置其上形成有底漆絕緣層的磁片且壓制磁片來形成磁體，在磁體中，附加絕緣膜被形成在線圈圖案部上；以及在磁體的至少一個端面上形成外部電極以便連接至線圈圖案部。
【IPC分類】H01F17/04, H01F27/30, H01F41/00
【公開號】CN104900374
【申請?zhí)枴緾N201410448413
【發(fā)明人】韓珍玉, 金珆暎, 樸文秀
【申請人】三星電機株式會社
【公開日】2015年9月9日
【申請日】2014年9月4日
【公告號】US20150255206