片式電子元件及其制造方法
【專利說明】片式電子元件及其制造方法
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2014年3月7日遞交于韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2014-0027292的權(quán)益，該韓國專利通過引用被合并于本申請中。
【背景技術(shù)】
[0003]本公開涉及一種片式電子元件及其制造方法。
[0004]電感器，它是片式電子元件之一，是一種典型的無源器件，與電阻和電容一起形成電子電路來移除噪聲。這種電感器可以與電容器結(jié)合，利用電磁特性來配置放大特定頻帶中的信號的諧振電路、濾波電路等等。
[0005]目前，隨著信息技術(shù)(IT)設(shè)備如各種通信設(shè)備，顯示器等等的小型化和纖薄化的趨勢的發(fā)展，對在IT設(shè)備中使用的各種器件，如電感器，電容器，晶體管等等的小型化和纖薄化的技術(shù)研究在不斷被展開。電感器已經(jīng)被具有小尺寸和高密度并且能夠自動貼裝的芯片迅速替代，通過將磁粉和樹脂混合、并將該混合物施加到通過電鍍形成在薄膜絕緣襯底的上表面和下表面上的線圈圖案(pattern)而形成的薄型電感器的發(fā)展已經(jīng)被實施。
[0006]根據(jù)上文描述的薄型電感器，線圈圖案被形成在絕緣襯底上，然后絕緣層被形成在其上，以防止線圈圖案和外部磁性材料之間的接觸。
[0007]但是，在根據(jù)相關(guān)技術(shù)通過層壓法等而形成絕緣材料的情況下，需要足夠?qū)挾鹊慕^緣層以便形成絕緣層到線圈的較低部分。由于由外部磁性材料占有的體積依照絕緣層的寬度的增加而被減小，可能會引起如電感器的電感減小等等的缺陷的發(fā)生。
[0008]因此，薄型電感器的發(fā)展一直以這樣的方式:通過減小絕緣層的厚度來增加電感。然而，在應(yīng)用以最小厚度形成絕緣層的方法的情況下，可能會形成線圈的非絕緣區(qū)域。
[0009]由于如上文描述的非絕緣區(qū)域的形成，通過金屬磁性材料(其為磁性原料)等和線圈圖案之間的直接接觸，可能會產(chǎn)生漏電流。因此，由于漏電流的產(chǎn)生，在IMHz的頻率可以呈現(xiàn)正常的電感，但是在高頻條件下可能會迅速減小，從而出現(xiàn)有缺陷的波形。
[0010]因此，根據(jù)相關(guān)技術(shù)，執(zhí)行用于防止線圈的非絕緣缺陷的單獨附加絕緣過程，但也存在過程復(fù)雜、加工性惡化的問題，并且對于缺陷的改善是微不足道的。
[0011]相關(guān)技術(shù)文件
[0012](專利文件I)日本專利公開出版物N0.2005-210010
[0013](專利文件2)日本專利公開出版物N0.2008-166455

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014]本公開的一方面可以提供一種片式電子元件及其制造方法，該片式電子元件能夠減少由于沒有單獨的附加絕緣過程的薄絕緣層的形成引起的非絕緣缺陷，從而防止在高頻的缺陷波形，且能夠增加電感器的電感，等等。
[0015]根據(jù)本公開的一方面，片式電子元件的制造方法可以包括:在絕緣襯底的至少一個表面上形成線圈圖案部；形成薄聚合物絕緣膜以遵循線圈圖案部的表面形狀；在磁片的一個表面上形成底漆絕緣層；在其上形成有線圈圖案部的絕緣襯底的上部和下部上安置其上形成有底漆絕緣層的磁片，并且壓制磁片來形成其中附加絕緣膜被形成在所述線圈圖案部上的磁體；以及在磁體的至少一個端面上形成外部電極以便連接至線圈圖案部。
[0016]附加絕緣膜可以被形成在薄聚合物絕緣膜上以遵循線圈圖案部的表面形狀。
[0017]附加絕緣膜可以被形成以覆蓋其上形成有薄聚合物絕緣膜的線圈圖案部的整體。
[0018]薄聚合物絕緣膜通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法被形成。
[0019]薄聚合物絕緣膜可以包括選自由聚(對苯二甲)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。
[0020]底漆絕緣層可以包括選自由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。
[0021 ] 底漆絕緣層可以包括填充物。
[0022]薄聚合物絕緣膜可以被形成以具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0023]底漆絕緣層可以具有I μ m至5 μ m的厚度。
[0024]磁性材料可以填充其上形成有所述薄聚合物絕緣膜和附加絕緣膜的線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域。
[0025]根據(jù)本公開的又一方面，一種片式電子元件可以包括:磁體，該磁體包括絕緣襯底；線圈圖案部，形成在絕緣襯底的至少一個表面上；絕緣膜，形成在線圈圖案部的表面上；以及外部電極，形成在磁體的至少一個端面上，且連接至線圈圖案部，其中，絕緣膜包括薄聚合物絕緣膜以及附加絕緣膜，薄聚合物絕緣膜形成在線圈圖案部的表面上以遵循線圈圖案部的表面形狀，附加絕緣膜形成在其上形成有所述薄聚合物絕緣膜的線圈圖案部上以遵循線圈圖案部的表面形狀。
[0026]附加絕緣膜可以被形成以覆蓋其上形成有薄聚合物絕緣膜的線圈圖案部的整體。
[0027]薄聚合物絕緣膜可以包括選自由聚(對苯二甲)、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。
[0028]附加絕緣膜可以包括選自由環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂以及聚碳酸酯樹脂組成的組中的一個或多個。
[0029]附加絕緣膜可以包括填充物。
[0030]薄聚合物絕緣膜可以被形成以具有I μ m至3 μ m的厚度。
[0031]附加絕緣膜可以具有I μ m至5 μ m的厚度。
[0032]磁性材料可以填充其上形成有所述薄聚合物絕緣膜和附加絕緣膜的線圈圖案部的線圈部分之間的區(qū)域。
【附圖說明】
[0033]根據(jù)以下結(jié)合附圖的詳細描述將更清楚地理解本公開的上述和其他方面、特征和其他優(yōu)點，其中:
[0034]圖1至4是順序地示出了根據(jù)本公開示例性實施方式的片式電子元件的制造方法的視圖；
[0035]圖5是示出了根據(jù)本公開示例實施方式的片式電子元件的示意透視圖，其中線圈圖案部被不出；
[0036]圖6是沿著圖5的直線1-1’的橫截面視圖。
【具體實施方式】
[0037]現(xiàn)在將參考附圖對本公開的示例性實施方式進行詳細描述。
[0038]本公開可能以多種不同形式舉例說明，但是不應(yīng)該被理解為限制為這里所述的特定的實施方式。更確切地說，提供這些實施例使得本公開將是徹底和完整的，并且將為本領(lǐng)域技術(shù)人員充分地傳達本公開的范圍。
[0039]附圖中，為了清楚，元件的形狀和尺寸可能被夸大的，并且相同的標號將始終用于表示相同或相似的元件。
[0040]片式電子元件的制造方法
[0041]圖1至4是順序地示出了根據(jù)本公開示例性實施方式的片式電子元件的制造方法的視圖；
[0042]參考圖1，首先，線圈圖案部40可以形成在絕緣襯底20的至少一個表面上。
[0043]絕緣襯底20不被特別地限定。例如，可以使用聚丙二醇(PPG)襯底、鐵素體襯底、基于金屬的軟磁材料或者類似的作為絕緣襯底20，并且絕緣襯底可以具有40至100 μ Π?μ m的厚度。
[0044]可以使用例如電鍍法作為形成線圈圖案部40的方法，但是本公開不限于此。線圈圖案部40可以由具有良好的導(dǎo)電性的金屬形成。例如，可以使用銀(Ag)，鈀(Pd)，鋁(Al)，鎳(Ni),鈦(Ti),金(Au),銅(Cu),或鉬(Pt),或者它們的混合等等。
[0045]通孔電極(via electrode)45可以通過在絕緣襯底20的部分形成孔并且使用導(dǎo)電材料填充孔來形成，由此形成在絕緣襯底20的一個表面上的線圈圖案部40和形成在絕緣襯底20的另一表面是哪個的線圈圖案部40通過通孔電極45可以彼此電連接。
[0046]通過對絕緣襯底20的中心部分執(zhí)行鉆孔工藝、激光工藝、噴砂工藝或者沖壓工藝等等，穿透絕緣襯底20的過孔(through hole) 55可以被形成在絕緣襯底20的中心部分中。
[0047]參考圖2，薄聚合物絕緣膜31可以被形成在線圈圖案部40上以遵循線圈圖案部40的表面形狀。
[0048]通過化學(xué)氣相沉積(CVD)法或浸潰法，使用低粘度聚合物涂層溶液，可以形成薄聚合物絕緣膜31。
[0049]在通過CVD法或浸潰法，使用