Ltps陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯不技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種LTPS(Low Temperature Poly-silicon,低溫多晶硅)陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]采用LTPS工藝的液晶顯示裝置由于具有較高的電子迀移率，能夠有效減小TFT (Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的面積以提升像素的開(kāi)口率，并且在增強(qiáng)顯示亮度的同時(shí)能夠降低功耗及生產(chǎn)成本，目前已成為液晶顯示領(lǐng)域的研宄熱點(diǎn)。但是LTPS工藝復(fù)雜，制備陣列基板(Array基板)所需的光罩(Mask)的類(lèi)型及數(shù)量較多，導(dǎo)致制造流程繁多，無(wú)法降低生產(chǎn)成本。因此如何減少LTPS工藝所使用的光罩的類(lèi)型及數(shù)量，實(shí)為目前企業(yè)需要努力的目標(biāo)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種LTPS陣列基板及其制造方法，能夠減少LTPS工藝所使用的光罩的類(lèi)型及數(shù)量。
[0004]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種LTPS陣列基板的制造方法，包括:在基體上形成LTPS陣列基板的薄膜晶體管的柵極；在包括柵極的基體上依次形成絕緣層、半導(dǎo)體層和第一正性光阻層，絕緣層的上表面為一平面；自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光以形成多晶硅層；在多晶硅層上形成薄膜晶體管的源極和漏極；在絕緣層和一部分的源極上形成像素電極；在由源極和漏極組成的源漏電極層上形成平坦鈍化層，并在平坦鈍化層內(nèi)形成接觸孔以暴露柵極、源極和漏極的表面，接觸孔位于多晶硅層以外的區(qū)域；在平坦鈍化層上形成透明電極層，使得透明電極層可通過(guò)接觸孔與柵極、源極和漏極電連接。
[0005]其中，在包括柵極的基體上形成絕緣層之前，還在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層，且緩沖層的上表面和柵極的上表面構(gòu)成一平面。
[0006]其中，在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層的步驟包括:在包括柵極的基體上依次形成緩沖層、負(fù)性光阻層；自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以除去位于柵極正上方的負(fù)性光阻層；除去位于柵極正上方的緩沖層，且保留未被柵極覆蓋的基體上的緩沖層。
[0007]其中，在未被柵極覆蓋的基體上形成緩沖層的步驟包括:在包括柵極的基體上依次形成緩沖層、第二正性光阻層；自基體朝向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以除去位于柵極正上方的第二正性光阻層；除去位于柵極正上方的緩沖層，且保留未被柵極覆蓋的基體上的緩沖層O
[0008]其中，自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光以形成多晶硅層的步驟包括:自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以?xún)H在對(duì)應(yīng)于柵極的正上方的第一區(qū)域保留第一正性光阻層；向除第一區(qū)域之外的半導(dǎo)體層注入第一雜質(zhì)離子；自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以在柵極的正上方形成第二區(qū)域的第一正性光阻層，第二區(qū)域小于第一區(qū)域；向除第二區(qū)域之外的半導(dǎo)體層注入第二雜質(zhì)離子；除去第二區(qū)域的第一正性光阻層。
[0009]其中，除去第二區(qū)域的第一正性光阻層的步驟之后還包括:在多晶硅層上涂布光阻層并根據(jù)預(yù)定圖案進(jìn)行曝光；蝕刻去除預(yù)定圖案以外的多晶硅層；除去剩余的光阻層。
[0010]其中，第一雜質(zhì)離子和第二雜質(zhì)離子分別為N+、N —型雜質(zhì)離子。
[0011]其中，自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光以形成多晶硅層的步驟包括:自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以?xún)H在對(duì)應(yīng)于柵極的正上方的第一區(qū)域保留第一正性光阻層；向除第一區(qū)域之外的半導(dǎo)體層注入P型雜質(zhì)離子；自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，以在柵極的正上方形成第二區(qū)域的第一正性光阻層，第二區(qū)域小于第一區(qū)域；除去第二區(qū)域的第一正性光阻層。
[0012]本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種LTPS陣列基板，包括:基體；柵極，位于基體上；依次形成于包括柵極的基體上的絕緣層、多晶硅層，其中絕緣層的上表面為一平面；源極和漏極，位于多晶硅層上；像素電極，位于絕緣層和一部分的源極上；平坦鈍化層，位于由源極和漏極組成的源漏電極層上，平坦鈍化層內(nèi)形成接觸孔以暴露柵極、源極和漏極的表面，接觸孔位于多晶硅層以外的區(qū)域；透明電極層，位于平坦鈍化層上且透明電極層可通過(guò)接觸孔與柵極、源極和漏極電連接。
[0013]其中，LTPS陣列基板還包括緩沖層，緩沖層位于未被柵極覆蓋的基體上，且緩沖層的上表面和柵極的上表面構(gòu)成一平面。
[0014]本發(fā)明實(shí)施例的LTPS陣列基板及其制造方法，自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光，即利用不透光的柵極進(jìn)行曝光以形成多晶硅層，在多晶硅層的制程中無(wú)需使用光罩，從而能夠減少LTPS工藝所使用的光罩的類(lèi)型及數(shù)量，簡(jiǎn)化制程并降低生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0015]圖1是本發(fā)明的LTPS陣列基板一實(shí)施例的制造方法的流程圖；
[0016]圖2是本發(fā)明的制造方法中形成柵極的示意圖；
[0017]圖3是本發(fā)明的制造方法中形成絕緣層、半導(dǎo)體層和正性光阻層的示意圖；
[0018]圖4是本發(fā)明的制造方法中形成未圖案化的多晶硅層的示意圖；
[0019]圖5是本發(fā)明的制造方法中形成圖案化的多晶硅層的示意圖；
[0020]圖6是本發(fā)明的制造方法中形成源極和漏極的示意圖；
[0021]圖7是本發(fā)明的制造方法中形成像素電極的示意圖；
[0022]圖8是本發(fā)明的制造方法中形成透明電極層的第一剖視圖；
[0023]圖9是本發(fā)明的制造方法中形成平坦鈍化層的示意圖；
[0024]圖10是本發(fā)明的制造方法中形成透明電極層的第二剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明所提供的示例性的實(shí)施例的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[0026]圖1是本發(fā)明的LTPS陣列基板一實(shí)施例的制造方法的流程圖。如圖1所示，本實(shí)施例的制造方法包括以下步驟:
[0027]步驟11:在基體上形成LTPS陣列基板的薄膜晶體管的柵極。
[0028]如圖2所示，基體21用于形成液晶顯示面板的LTPS陣列基板，所述基體21可為玻璃基體、塑料基體或可撓式基體。
[0029]本實(shí)施例可以利用第一光罩對(duì)形成于基體21上的第一金屬層進(jìn)行曝光，并在曝光后進(jìn)行顯影、刻蝕等圖案化制程以得到形成柵極22，其中可利用包含有磷酸、硝酸、醋酸以及去離子水的蝕刻液對(duì)第一金屬層進(jìn)行蝕刻，當(dāng)然也可以采用干法蝕刻。
[0030]當(dāng)然，本實(shí)施例還可以通過(guò)其他方式得到柵極22，例如采用化學(xué)氣相沉積(Chemical vapor deposit1n, CVD)、等離子化學(xué)氣相沉積(Plasma Enhanced Chemicalvapor deposit1n,PECVD)、派射、真空蒸鍍或低壓化學(xué)氣相沉積等方法直接在基體21上形成具有預(yù)定圖案的柵極22。其中，第一金屬層可由金屬，例如鋁、鉬、鈦、鉻、銅，或金屬氧化物，例如氧化鈦，或金屬的合金或其它導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0031]步驟12:在包括柵極的基體上依次形成絕緣層、半導(dǎo)體層和正性光阻層，其中絕緣層的上表面為一平面。
[0032]結(jié)合圖3所示，在形成絕緣層25、半導(dǎo)體層26和正性光阻層27之前，本實(shí)施例需要在未被柵極22覆蓋的基體21上形成緩沖層(Buffer layer) 23，具體過(guò)程包括但不限于:
[0033]首先，在包括柵極22的基體21上依次形成緩沖層23、負(fù)性光阻層24。緩沖層23可以為氮化硅(SiNx)層、氧化硅(S1x)層或者其他非導(dǎo)電材料的組合，緩沖層23可用于防止基體21內(nèi)的雜質(zhì)在后續(xù)工藝中向上擴(kuò)散而影響之后形成的低溫多晶硅層的品質(zhì)，氮化硅層和氧化硅層可以采用化學(xué)氣相沉積、等離子化學(xué)氣相沉積形成、濺射、真空蒸鍍或低壓化學(xué)氣相沉積等方法形成，但不限于此。
[0034]然后，自基體21背向柵極22的一側(cè)進(jìn)行曝光，位于柵極22正上方的負(fù)性光阻層24由于受到柵極22的遮擋而未曝光，因此可在顯影時(shí)被灰化去除。
[0035]最后，剝離除去剩余的負(fù)性光阻層24，再通過(guò)刻蝕除去位于柵極22正上方的緩沖層23，從而保留未覆蓋柵極22的緩沖層23。
[0036]本實(shí)施例形成緩沖層23的方式還可以為:
[0037]首先，在包括柵極22的基體21上依次形成緩沖層23、正性光阻層，相對(duì)形成于半導(dǎo)體層26上的正性光阻層27，此處的正性光阻層可理解為第二正性光阻層，則正性光阻層27為第一正性光阻層。然后，自基體21朝向柵極22的一側(cè)進(jìn)行曝光，以除去位于柵極22正上方的正性光阻層。最后，除去位于柵極21正上方的緩沖層23，且保留未被柵極22覆蓋的基體21上的緩沖層23。
[0038]步驟13:自基體背向柵極的一側(cè)進(jìn)行曝光以形成多晶硅層。
[0039]結(jié)合圖4所示，首先，自基體21背向柵極22的一側(cè)進(jìn)行曝光，位于柵極22上方的第一區(qū)域Q1的正性光阻層27由于受到柵極22的遮擋而未曝光，因此可在顯影時(shí)被保留，且未被柵極22遮擋而被曝光的正性光阻層27