電子器件、用于制造電子器件的方法和用于操作電子器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]各個(gè)實(shí)施例一般涉及電子器件、用于制造電子器件的方法和用于操作電子器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，功率電子器件，諸如二極管、雙極結(jié)型晶體管、絕緣柵雙極晶體管或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(功率MOSFET)，可以在高電壓(例如，達(dá)到1000 V或達(dá)到5000 V)和高電流(例如，達(dá)到100 A或達(dá)到5000 A)下操作。因此，可能需要附加的外部電子器件來控制功率電子器件或分析功率電子器件的功能，因?yàn)槔邕壿嬰娐?、開關(guān)電路或測(cè)量電路(例如，溫度傳感器)可能不耐受由功率電子器件所典型地操作的高電壓和/或高電流。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，電子器件可以包括:載體，載體包括彼此橫向鄰近的至少第一區(qū)域和第二區(qū)域；電絕緣結(jié)構(gòu)，被布置在載體的第一區(qū)域中，其中載體的第二區(qū)域沒有電絕緣結(jié)構(gòu)；第一電子部件，被布置在載體的第一區(qū)域中在電絕緣結(jié)構(gòu)之上；第二電子部件，被布置在載體的第二區(qū)域中；其中電絕緣結(jié)構(gòu)包括一個(gè)或更多個(gè)空室，其中一個(gè)或更多個(gè)空室的側(cè)壁被覆蓋有電絕緣材料。
【附圖說明】
[0004]在附圖中，貫穿不同的視圖，同樣的參考符號(hào)一般提及相同的部分。附圖不一定是成比例的，相反重點(diǎn)一般被放在圖解本發(fā)明的原理上。在下面的描述中，參考下面的附圖來描述本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例，在附圖中:
圖1A示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的包括電絕緣結(jié)構(gòu)的電子器件的示意圖；
圖1B至圖1D分別示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的在電子器件中包括的電絕緣結(jié)構(gòu)或電絕緣結(jié)構(gòu)的一部分的示意圖；
圖2A至圖2F分別示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電子器件的示意圖；
圖3示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電子器件的示意圖；
圖4示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的用于制造電子器件的方法的示意性流程圖；
圖5A至圖5G分別示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的在電子器件的制造期間在各個(gè)處理階段的載體(carrier)的示意圖；
圖5H示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的在電子器件的制造期間載體的處理流程和對(duì)應(yīng)的示意圖；
圖6A至圖6D分別示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的電子器件的示意圖；
圖7示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的在電子器件的制造期間載體的處理流程；以及圖8A至圖8D分別示出了根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的在電子器件的制造期間在各個(gè)處理階段的載體的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0005]下面的詳細(xì)描述提及通過圖解的方式示出特定細(xì)節(jié)的附圖和其中可以實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。
[0006]詞語“示例性的”在本文中被用于意味著“用作例子、實(shí)例或圖解”。在本文中被描述為“示例性”的任何實(shí)施例或設(shè)計(jì)不一定要被解釋為較之其它實(shí)施例或設(shè)計(jì)是優(yōu)選的或有利的。
[0007]關(guān)于形成在一側(cè)或表面“上”的沉積材料或者在載體“上”沉積層所使用的詞語“在…上”，在本文中可以被用于意味著所沉積的材料可以被“直接地形成”在所意指的側(cè)、表面或載體上，例如，與所意指的側(cè)、表面或載體直接接觸。關(guān)于形成在一側(cè)或表面“上”的沉積材料或者在載體“上”沉積層所使用的詞語“在…上”，在本文中可以被用于意味著所沉積的材料可以在一個(gè)或更多個(gè)附加層被布置在所意指的側(cè)、表面或載體與所沉積的材料之間的情況下，被“間接地形成”在所意指的側(cè)、表面或載體上。
[0008]關(guān)于結(jié)構(gòu)的(或載體的)“橫向”延伸、橫向方向、或“橫向”鄰近所使用的術(shù)語“橫向”，在本文中可以被用于意味著沿著與載體的表面平行的方向的延伸、或與載體的表面平行的方向。這意味著載體的表面(例如，襯底的表面或晶片的表面)可以用作參照，通常被提及為載體的主處理表面(或另一類型載體的主處理表面)。進(jìn)一步地，關(guān)于結(jié)構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)元件(例如，腔(cavity))的)“寬度”所使用的術(shù)語“寬度”，在本文中可以被用于意味著結(jié)構(gòu)的橫向延伸。進(jìn)一步地，關(guān)于結(jié)構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)元件的)高度所使用的術(shù)語“高度”，在本文中可以被用于意味著沿著與載體的表面垂直的(例如，與載體的主處理表面垂直的)方向的結(jié)構(gòu)的延伸。進(jìn)一步地，關(guān)于凹陷(recess)的(或結(jié)構(gòu)元件的)深度所使用的術(shù)語“深度”，在本文中可以被用于意味著沿著與載體的表面垂直的(例如，與載體的主處理表面垂直的)方向的凹陷的延伸。進(jìn)一步地，“豎向”結(jié)構(gòu)可以被提及為在與橫向方向垂直的(例如，與載體的主處理表面垂直的)方向上延伸的結(jié)構(gòu)，并且“豎向”延伸可以被提及為沿著與橫向方向垂直的方向的延伸(例如，與載體的主處理表面垂直的延伸)。
[0009]關(guān)于覆蓋結(jié)構(gòu)的(或結(jié)構(gòu)元件的)沉積材料所使用的詞語“覆蓋”，在本文中可以被用于意味著所沉積的材料可以完全地覆蓋結(jié)構(gòu)(或結(jié)構(gòu)元件)，例如，覆蓋結(jié)構(gòu)的表面和所有暴露的側(cè)。關(guān)于覆蓋結(jié)構(gòu)(或結(jié)構(gòu)元件)的沉積材料所使用的詞語“覆蓋”，在本文中可以被用于意味著所沉積的材料可以至少部分地覆蓋結(jié)構(gòu)，例如，材料可以至少部分地覆蓋結(jié)構(gòu)的表面和所暴露的側(cè)。
[0010]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，空室例如還可以被填充有材料，例如，硅晶片中的空室可以被填充或部分地填充有氧化硅。因此，關(guān)于“空”室所使用的術(shù)語“空”，在本文中可以被用于意味著空室本身(例如腔，例如空隙(void)，例如空結(jié)構(gòu))可以沒有材料。然而，空室可以被部分地填充有填充材料，或者可以被完全地填充有填充材料。提到這點(diǎn)，空室可以被部分地填充或完全地填充有與提供空室的材料不同的另一材料。
[0011]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，如本文所描述的形成層(例如，沉積層，沉積材料，和/或應(yīng)用成層處理)還可以包括形成層，其中該層可以包括各個(gè)子層，從而不同的子層分別可以包括不同的材料。換言之，各個(gè)不同的子層可以被包括在層中，或者各個(gè)不同的區(qū)域可以被包括在所沉積的層和/或所沉積的材料中。
[0012]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，如本文描述那樣，用于處理載體的方法(例如，用于在載體中形成一個(gè)或更多個(gè)空室或空結(jié)構(gòu)的方法)或用于制造電子器件的方法可以包括若干基本的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可以在整個(gè)制造處理中至少一次地或者在載體的處理期間的至少一次中至少一次地使用這些基本的半導(dǎo)體制造技術(shù)。對(duì)基本技術(shù)的下面的描述應(yīng)當(dāng)被理解為圖解例子，這些技術(shù)可以被包括在本文描述的處理中。被示例性地描述的基本技術(shù)可能不一定需要被解釋為較之其它技術(shù)或方法是優(yōu)選的或有利的，因?yàn)樗鼈儍H用來圖解可以如何實(shí)踐本發(fā)明的一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例。為了簡明，被示例性地描述的基本技術(shù)的圖解可以僅是短的概況，并且不應(yīng)當(dāng)被視為窮舉的說明。
[0013]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，如本文所描述那樣，成層處理(或成層)可以被包括在用于處理載體的方法中、用于制造電子器件的方法中、或者另一處理或方法中。在成層處理中，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例(成層處理因此可以包括沉積材料)，可以使用沉積技術(shù)將層沉積在表面上(例如，在載體上，在晶片上，在襯底上，或在另一層上等)，沉積技術(shù)可以包括化學(xué)氣相沉積(CVD，或CVD處理)和物理氣相沉積(PVD，或PVD處理)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，所沉積的層的厚度可以取決于其特定功能而在從幾納米達(dá)到若干微米的范圍內(nèi)。進(jìn)一步地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，取決于層的相應(yīng)的特定功能，層可以包括電絕緣材料、電半傳導(dǎo)材料和導(dǎo)電材料中的至少一種。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，PVD和CVD處理的變更可以被用在用于處理載體的方法中，例如，用于沉積電絕緣層、或用于利用導(dǎo)電材料填充空結(jié)構(gòu)。
[0014]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，化學(xué)氣相沉積處理(CVD處理)可以包括多種變更，如例如，大氣壓 CVD (APCVD)JgS CVD (LPCVD)，超高真空 CVD (UHVCVD)、等離子體增強(qiáng) CVD (PECVD)、高密度等離子體CVD (HDPCVD)、遠(yuǎn)程等離子體增強(qiáng)CVD (RPECVD)、原子層沉積(ALD)、原子層CVD (ALCVD)、氣相外延(VPE)、金屬有機(jī)CVD (MOCVD)和混合物理CVD (HPCVD)等。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，成層處理還可以包括例如使用旋轉(zhuǎn)涂覆和噴射涂覆等來形成抗蝕劑層(resistlayer)或沉積抗蝕劑層。
[0015]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，圖案化處理(或圖案化)可以被包括在用于處理載體的方法中，在用于制造電子器件的方法中，或在另一處理或方法中，如本文中所描述那樣。圖案化處理可以包括例如去除表面層的所選擇部分和/或去除材料的所選擇部分。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以使用圖案化處理將多個(gè)溝槽(trench)、凹陷和/或洞形成在載體中或在載體的表面層中。進(jìn)一步地，對(duì)層進(jìn)行圖案化可以被用于形成圖案化層，例如，掩模層。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，因?yàn)榭赡軤可娑鄠€(gè)處理，所以存在各種可能性以執(zhí)行圖案化處理，其中各方面可以是:例如，使用至少一個(gè)平版印刷處理，選擇表面層的(或載體的或材料的)應(yīng)當(dāng)被去除的至少一部分；并且例如，使用至少一個(gè)蝕刻處理，去除表面層的被選擇的部分。
[0016]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以應(yīng)用多種平版印刷處理來生成掩模層(例如，圖案化的抗蝕劑層)，例如，照相平版印刷、微平版印刷或納米平版印刷、電子束平版印刷、X射線平版印刷、紫外平版印刷、極紫外平版印刷和干涉平版印刷等。平版印刷處理可以包括初始清潔處理、準(zhǔn)備處理、應(yīng)用抗蝕劑(例如，光致抗蝕劑)、對(duì)抗蝕劑曝光(例如，將光致抗蝕劑曝光于光圖案)、對(duì)抗蝕劑顯影(例如，使用化學(xué)光致抗蝕劑顯影劑對(duì)光致抗蝕劑顯影)中的至少一個(gè)。
[0017]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可被包括在平版印刷處理中的初始清潔處理或清潔處理可以被應(yīng)用于通過例如濕法化學(xué)處理來從表面(例如，從表面層，從載體以及從晶片等)去除有機(jī)或無機(jī)污染物。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，清潔處理(例如，化學(xué)機(jī)械拋光(CMP ))也可以被應(yīng)用以從表面(例如，從表面層，從載體或從晶片等)去除氧化物層(例如，薄氧化硅層)。
[0018]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以應(yīng)用抗蝕劑以覆蓋表面(例如，表面層、載體或晶片等)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，應(yīng)用抗蝕劑可以包括旋轉(zhuǎn)涂覆或噴射涂覆以生成抗蝕劑層。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，例如，使用光或電子，(例如，通過將抗蝕劑曝光于光圖案)抗蝕劑可以被曝光以將想要的圖案轉(zhuǎn)印至抗蝕劑，其中，可以由圖案化的平版印刷掩模(例如，具有用于曝光抗蝕劑層的圖案化鉻層的玻璃載體)來限定想要的圖案。
[0019]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，平版印刷處理可以包括對(duì)抗蝕劑顯影(例如，使用光致抗蝕劑顯影劑對(duì)光致抗蝕劑顯影)以部分地去除抗蝕劑以(例如，在表面層上、或載體和晶片等上)生成圖案化的抗蝕劑層。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，顯影處理可以包括專用化學(xué)溶液(所謂的顯影劑)，如例如，氫氧化鈉或氫氧化四甲基銨(TMAH，無金屬離子的顯影劑)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以在硬烘處理(加熱處理，例如，快速熱處理)中固化圖案化的抗蝕劑層，為稍后的處理實(shí)現(xiàn)更加持久的保護(hù)層。
[0020]獨(dú)立于所描述的平版印刷處理，在所謂的抗蝕劑剝離處理中，可以在想要的處理階段(例如，在已蝕刻溝槽或已對(duì)載體圖案化之后)完全地(或部分地)去除抗蝕劑層或圖案化的抗蝕劑層。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，可以化學(xué)地和/或通過使用氧等離子體來去除抗蝕劑。
[0021]應(yīng)當(dāng)注意到，包括例如對(duì)抗蝕劑曝光和對(duì)抗蝕劑顯影的平版印刷處理也可以被視為圖案化處理，其中可以通過平版印刷處理來生成圖案化的抗蝕劑層(軟掩?；蚩刮g劑掩模)。進(jìn)一步地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，隨后使用蝕刻處理，可以將圖案從圖案化的抗蝕劑層轉(zhuǎn)印至在先沉積或生長的層，其中之前沉積或生長的層可以包括硬掩模材料，如例如，創(chuàng)建所謂硬掩模的氧化物或氮化物(例如氧化硅，例如氮化硅)。
[0022]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在圖案化處理中可以包括的蝕刻處理可以被應(yīng)用，以從在先沉積的層、生長的表面層或者從載體(或襯底，或晶片)等去除材料。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，硬掩模材料的圖案化層可以用作如下的掩模，該掩模用于如在想要的位置將凹陷、溝槽或洞蝕刻或形成至載體中或形成至表面層中的處理。進(jìn)一步地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，圖案化的光致抗蝕劑也可以用作掩模(所謂的軟掩模)。通?？梢躁P(guān)于特定需要，例如，化學(xué)穩(wěn)定性或機(jī)械穩(wěn)定性，例如為了保護(hù)區(qū)域免受蝕刻，或者為了在成層處理期間限定要生成的結(jié)構(gòu)元件的形狀等，來選擇掩模材料。
[0023]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在電子器件的制造期間或者在處理載體期間的一些處理可能要求共形(conformally)沉積的層或者可能要求共形地沉積層(例如，用于在結(jié)構(gòu)元件的側(cè)壁上形成層或者覆蓋腔的內(nèi)側(cè)壁或表面)，這意味著層(或形成層的材料)可以沿著與另一本體的界面而展現(xiàn)僅僅小的厚度變化，例如，層可能沿著界面的形態(tài)的邊緣、臺(tái)階或其它要素而展現(xiàn)僅僅小的厚度變化。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，諸如鍍制、原子層沉積(ALD)或若干CVD處理(例如，ALCVD或LPCVD)的成層處理可以適合于生成材料的共形層或共形地沉積的層。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，使用例如原子層沉積(ALD)處理，具有高縱橫比(例如大于5，例如大于10，例如大于20)的結(jié)構(gòu)可以被共形地覆蓋有層或薄膜。進(jìn)一步地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，使用例如原子層沉積(ALD)處理，腔的或空室的內(nèi)側(cè)壁可以(完全地或部分地)覆蓋有共形層或共形薄膜。換言之，如果腔或腔結(jié)構(gòu)可以具有至少一個(gè)開口以使得形成材料層的材料可以到達(dá)腔或腔結(jié)構(gòu)的內(nèi)部，則使用原子層沉積可以允許用材料層(例如，用共形材料層)涂覆(coat)腔或腔結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)壁。進(jìn)一步地，如果空室可以具有至少一個(gè)開口，則使用原子層沉積可以允許完全地填充空室。
[0024]對(duì)于若干原因而言，如本文所描述那樣，可以想要將一個(gè)或更多個(gè)靈敏電子部件集成為一個(gè)電子器件，其中靈敏電子部件(例如，傳感器、開關(guān)、邏輯電路和微處理器等)可能不易于能夠耐受電子器件(例如，半導(dǎo)體功率器件、IGBT和功率MOSFET等)的相應(yīng)的操作條件。靈敏電子部件可以例如在比電子器件所操作的電流和/或電壓低至少一個(gè)幅度量級(jí)的電壓范圍和/或電流范圍中工作。說明性地，可能想要在單個(gè)載體中或在單個(gè)半導(dǎo)體襯底中提供第一電子部件和第二電子部件，其中，這兩個(gè)電子部件可能需要不同的操作條件(例如，操作電壓和操作電流等)，例如，可以想要將傳感器(例如，溫度傳感器)集成至功率電子器件中以提供對(duì)功率電子器件的實(shí)際狀態(tài)的直接測(cè)量，將電流和/或電壓測(cè)量結(jié)構(gòu)集成至功率電子器件中以更準(zhǔn)確地確定功率電子器件的電子屬性，和/或?qū)㈤_關(guān)結(jié)構(gòu)或控制電路(例如，邏輯電路)集成至功率電子器件中以控制功率電子器件的操作。
[0025]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，如在下面描述的那樣，可以提供如下電子器件，該電子器件包括至少第一電子部件(例如，傳感器、邏輯電路、開關(guān)電路、控制電路和/或測(cè)量電路)和第二電子部件(例如，功率電子部件，諸如二極管、雙極結(jié)型晶體管、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)、功率MOSFET (功率金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS )場效應(yīng)晶體管(FET ))、晶閘管、門關(guān)斷晶閘管、MOS控制晶閘管和集成門極換流晶閘管(IGCT)等)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第二電子部件可以被配置為在與第一電子部件不同的其它操作條件(例如，在不同的電壓范圍和/或在不同的電流范圍)下操作。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第二電子部件可以是在比第一電子部件的操作條件大一個(gè)或更多個(gè)幅度量級(jí)的電壓范圍和/或電流范圍中操作的半導(dǎo)體功率部件，例如，第二電子部件可以操作在從約50 V至約5000 V的范圍內(nèi)的電壓和/或在從約0.5 A至約5000A的范圍內(nèi)的電流，其中，第一電子部件可以是在低于約50 V的電壓和/或低于約50 A的電流處工作的邏輯電路或傳感器。第一電子部件可以是用于第二電子部件的(例如，用于功率開關(guān)(例如，功率晶體管)的)控制電路，其中，用于大功率開關(guān)的控制電路可以在達(dá)到30A的電流(例如，脈沖開關(guān)電流)處操作。進(jìn)一步地，如果功率開關(guān)可以例如在約600 V的電壓以及約I A的電流處工作，則用于這樣的功率開關(guān)的控制電路可以例如在小于約0.5 A的電流處操作。第一電子部件(例如，邏輯電路、開關(guān)電路、測(cè)量電路和/或溫度傳感器)可能不易于耐受由功率電子部件典型地操作的電壓和/或電流，其中，第一電子部件和第一電子部件可以被布置為在單個(gè)載體中彼此鄰近，因此，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一電子部件可以經(jīng)由被布置在載體中的電絕緣結(jié)構(gòu)來與第二電子部件分離。
[0026]進(jìn)一步地，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，第一電子部件可以例如經(jīng)由布置在載體上的金屬化結(jié)構(gòu)而被電耦接至第二電子部件以便分析和/或控制第二電子部件，其中第一電子部件和第二電子部件可以被至少部分地形成在載體中。
[0027]說明性地，各個(gè)實(shí)施例的另一方面可以是提供在同一載體中包括第一電子部件和第二電子部件的電子器件(例如彼此鄰近，或者例如第一電子部件可以被第二電子部件所圍繞)，其中第一電子部件可以被布置在埋置的電絕緣結(jié)構(gòu)上，其中埋置的電絕緣結(jié)構(gòu)可以包括至少部分地填充有電絕緣材料的一個(gè)或更多個(gè)腔(空室)。例如，硅晶片中的一個(gè)或更多個(gè)腔可以被至少部分地填充有氧化硅；或者一個(gè)或更多個(gè)腔可以被形成或可以被置于硅晶片中，其中一個(gè)或更多個(gè)腔的內(nèi)表面(或表面區(qū)域)被覆蓋(或涂覆)有氧化硅。因此，根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，被布置在載體中的第一電子部件的部分可以與被布置在載體內(nèi)的第二電子部件的部分至少部分地電分離，以使得可以防止或減少從第一電子部件到第二電子部件的電荷載流子輸運(yùn)。
[0028]換言之，可以提供如下載體，該載體包括在載體中布置的至少一個(gè)電絕緣結(jié)構(gòu)，至少一個(gè)電絕緣結(jié)構(gòu)至少在與載體的表面平行的方向上延伸，提供在電絕緣結(jié)構(gòu)和所述載體的表面之間的載體的分離區(qū)域，其中第一電子部件可以被布置在載體的分離區(qū)域中，以及另一電子部件可以被提供在載體中在載體的分離區(qū)域之外。提及這點(diǎn)，載體的分離區(qū)域可以與載體部分地或完全地分離(電和/或溫度分離)。
[0029]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，下面描述的電子器件可以包括載體，例如硅晶片，載體具有上表面(例如，主處理表面)和與載體的上表面相對(duì)的下表面。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，載體可以包括從上表面延伸至載體中的至少一個(gè)載體區(qū)域，其中至少一個(gè)載體區(qū)域可以經(jīng)由介電材料結(jié)構(gòu)與載體的其余部分導(dǎo)電分離，其中介電材料結(jié)構(gòu)可以具有橫向延伸(平行于載體的上表面和/或平行于載體的下表面)，例如，載體可以包括所謂的絕緣體上硅(silicon-on-1nsulator)結(jié)構(gòu)或絕緣體上半導(dǎo)體(semiconductor-on-1nsulator)結(jié)構(gòu)，例如，載體可以包括所謂的懸空娃(silicon-on-nothing)結(jié)構(gòu)。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，介電材料結(jié)構(gòu)的橫向延伸可以在橫向上被限制，例如，介電材料結(jié)構(gòu)的橫向延伸可以小于載體的寬度，以使得可以提供載體中的第二區(qū)域，其中第二區(qū)域可以沒有介電材料結(jié)構(gòu)，這可以允許在載體的第二區(qū)域中提供電子部件，該電子部件被配置為使得能夠在載體的上表面和載體的下表面之