時，如圖4b所示，在每個切割線CL和所述絕緣體B交叉的點CP處在襯底的下表面中形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽110，并且所述凹槽110以所述絕緣體B暴露在每個所述的用于防止毛刺的凹槽110的內(nèi)部的方式形成。
[0032]也就是說，光學器件襯底包括沿長度方向延伸的導電板A，其中導電板A的側(cè)表面相互結(jié)合并且絕緣體B插入其間，并且絕緣體A分別形成在導電板A的側(cè)表面上。進一步地，當沿長度方向和垂直方向切割光學器件襯底時，在切割線CL與絕緣體B交叉的每個點處在光學器件襯底的下表面中形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽110。凹槽110以絕緣體B暴露于凹槽110的內(nèi)部的方式形成。
[0033]優(yōu)選地，如圖4b和6所示，凹槽(配合)110的直徑大于絕緣體B的寬度，并且如圖5的側(cè)視圖(橫截面圖)所示，用于防止毛刺的凹槽110應(yīng)當形成，以使得暴露于所述襯底100的下表面上的所述絕緣體B的至少一部分容納在用于防止毛刺的所述凹槽110的內(nèi)部。
[0034]如圖5所示在用于防止毛刺的這樣的凹槽110的內(nèi)部，液體絕緣材料130沉積和固化，或者如圖5的左側(cè)的底視圖中所示額外地沉積光敏阻焊劑(PSR)，從而大大減少由毛刺引起的電氣短路的可能性。
[0035]以這樣的方式，對于絕緣體B形成在其中的用于光學器件100的襯底，當如圖6所示，在切割線CL和所述絕緣體B交叉的每個點CP處在襯底的下表面中形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽110時；即使在切割用于光學器件100的所述襯底過程中生成了毛刺，用于防止毛刺的所述凹槽110阻擋了毛刺貫穿到相鄰導電區(qū)(板)中；因此，它基本有效地消除了電氣短路的可能性。進一步地，當用于防止毛刺的凹槽110的內(nèi)部沉積有絕緣材料130時，效果可以加倍。此外，當液體絕緣材料130填充到凹槽110中時，光敏阻焊劑(PSR)可以如圖5所示沉積在比所述凹槽110的直徑更大的區(qū)域上，以防止與精度有關(guān)的故障，并且凹槽110也可以如圖6所示形成為從襯底的一端開始到襯底的另一端的延伸的形狀，使得凹槽橫越沿長度方向形成的多個絕緣體。
[0036]與此同時，如圖7所示，在如上述形成用于防止毛刺的凹槽110之后，如果必要，可以額外地形成從襯底的上表面向下延伸到預(yù)定深度的腔D(在步驟S300中)。取決于制造過程，所述凹槽110和腔D可以同時形成，或者凹槽110可以形成在腔D形成之后。腔以絕緣體B暴露于腔D的下表面的方式形成，并且具有向下收縮的錐形。
[0037]作為參考，在形成用于防止毛刺的凹槽110的步驟S200中，凹槽110可以形成在已經(jīng)沉積阻焊劑的光學器件的上表面和下表面上。在凹槽110形成之前以這種方式在光學器件襯底100的上表面和下表面上沉積阻焊劑(優(yōu)選地，白色阻焊劑)的原因在于增強光的反射能力。
[0038]如上所述，在圖7中示出了在切割用于光學器件的襯底之后的芯片襯底，在用于光學器件的襯底中，形成有用于防止毛刺的凹槽110和腔D。
[0039]圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的從用于光學器件的襯底切割芯片襯底的透視圖。
[0040]參考圖7，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，芯片襯底包括:對應(yīng)于襯底(用于光學器件的)100的導電板，用于使導電板絕緣的絕緣體B，用于防止毛刺的凹槽110和液體絕緣材料130，光敏阻焊劑(PSR)和腔D。在這樣的芯片襯底中，光學器件芯片安裝在腔D的內(nèi)部。一旦完成電鍍，在腔D的內(nèi)部安裝光學芯片，然后進行引線接合以連接芯片到由絕緣體B分離的任何一個導電板。在這種情況下，光學芯片的剩余電極電連接到另一個沒有光學芯片與之結(jié)合的導電板。
[0041]此外，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的用于光學器件的襯底之下，如圖5所示，進一步包括保護部分，其中在襯底下方絕緣體B的暴露區(qū)域上沉積有阻焊劑，以防止當沉積用于焊接所制造的芯片襯底的焊膏時由于焊膏浸潤到絕緣體中導致的性能退化，從而避免焊膏在其上沉積。
[0042]以上的描述僅是本發(fā)明的技術(shù)宗旨的示例性說明，并且在本發(fā)明的范圍內(nèi)而不背離本發(fā)明的基本特征時，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說各種修改、變更以及替換是有可能的。因此，本發(fā)明的保護范圍必須根據(jù)附加的權(quán)利要求進行解釋，并且它必須以這樣的方式進行解釋，即本發(fā)明的權(quán)利范圍包括所有在與本發(fā)明等價范圍內(nèi)的技術(shù)宗旨。
【主權(quán)項】
1.一種用于光學器件的襯底，所述光學器件包括光學器件襯底，所述光學器件襯底具有沿長度方向伸長的多個導電板，其中所述導電板的側(cè)表面相互結(jié)合且絕緣體插入其間，所述絕緣體分別形成在所述側(cè)表面上， 其中當沿長度方向和垂直方向切割所述光學器件襯底時，在所述光學器件襯底的下表面中在切割線與絕緣體中的一個交叉的每個點處形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽，所述凹槽以所述絕緣體中的一個暴露于所述凹槽的內(nèi)部的方式形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光學器件的襯底，其中液體絕緣材料在所述凹槽內(nèi)部沉積并固化。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于光學器件的襯底，其中光敏阻焊劑(PSR)沉積在所述絕緣體的暴露于光學器件襯底的下表面的區(qū)域上和所述液體絕緣材料的暴露于光學器件襯底的下表面的區(qū)域上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光學器件的襯底，其中所述凹槽形成為使得所述絕緣體的暴露于光學器件襯底的下表面的至少一部分容納在所述凹槽內(nèi)部。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于光學器件的襯底，其中所述凹槽的直徑比每個絕緣體的寬度更大。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任何一項所述的用于光學器件的襯底，其中阻焊劑沉積在所述光學器件襯底的上表面和下表面上，以增加光反射率。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任何一項所述的用于光學器件的襯底,其中在所述光學器件襯底中以下述方式形成從所述光學器件襯底的上表面向下到達預(yù)定深度的腔:所述絕緣體暴露于所述腔的底面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于光學器件的襯底，進一步包括在所述腔內(nèi)部安裝在所述光學器件襯底上的光學器件芯片。
【專利摘要】一種用于光學器件的襯底，包括光學器件襯底，該光學器件襯底包括沿長度方向延伸的多個導電板，其中導電板的側(cè)表面相互結(jié)合且絕緣體插入其間，絕緣體分別形成在該側(cè)表面上。當沿長度方向和垂直方向切割光學器件襯底時，在光學器件襯底的下表面中在切割線與絕緣體中的一個交叉的每個點處形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽，所述凹槽以所述絕緣體中的一個暴露于所述凹槽的內(nèi)部的方式形成。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-62
【公開號】CN104659184
【申請?zhí)枴緾N201410670009
【發(fā)明人】安范模, 南基明, 俞京秀
【申請人】普因特工程有限公司
【公開日】2015年5月27日
【申請日】2014年11月20日
【公告號】US20150138659