用于防止毛刺生成的襯底的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于光學(xué)器件的襯底，更具體地，涉及一種防止襯底中元件間電氣短路的用于光學(xué)器件的襯底，該電氣短路由在襯底切塊過程中生成的毛刺引起。
【背景技術(shù)】
[0002]LED正用作液晶顯示器(IXD)的背光單元(BLU)的光源，液晶顯示器用在例如電視、計算機監(jiān)視器等等的平板顯示器中。
[0003]光學(xué)器件芯片(例如LED)安裝在用于光學(xué)器件的襯底上，并且單個光學(xué)器件通過分離過程(即，用于光學(xué)器件的襯底的鋸切或切塊)來制造。
[0004]然而，根據(jù)傳統(tǒng)的方法，當(dāng)鋸切或切塊由交替堆疊的導(dǎo)電板和絕緣膜(或絕緣層)制成的用于光學(xué)器件的襯底時，在切塊過程中生成毛刺，并由于導(dǎo)電板和絕緣膜之間的材料硬度的差異而生成的毛刺沿切割方向橫越絕緣膜貫穿到導(dǎo)電板中，存在引發(fā)電氣短路的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的一個目的在于解決上述描述的現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提供一種防止襯底中元件間電氣短路的用于光學(xué)器件的襯底，該電氣短路由光學(xué)器件的襯底的切塊過程中生成的毛刺引起。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種用于光學(xué)器件的襯底，包括光學(xué)器件襯底，該光學(xué)器件襯底具有沿長度方向延伸的多個導(dǎo)電板，其中導(dǎo)電板的側(cè)表面相互結(jié)合且絕緣體插入其間，該絕緣體分別形成在該側(cè)表面上，
[0007]其中當(dāng)沿長度方向和垂直方向切割所述光學(xué)器件襯底時，在所述光學(xué)器件襯底的下表面中在切割線與絕緣體中的一個交叉的每個點處形成用于防止毛刺的具有預(yù)定深度的凹槽，所述凹槽以所述絕緣體中的一個暴露于所述凹槽的內(nèi)部的方式形成。
[0008]優(yōu)選的是，液體絕緣材料沉積和固化在凹槽內(nèi)。
[0009]優(yōu)選的是，光敏阻焊劑(PSR)沉積在絕緣體的暴露于光學(xué)器件襯底的下表面的區(qū)域上和液體絕緣材料的暴露于光學(xué)器件襯底的下表面的區(qū)域上。
[0010]優(yōu)選的是，形成凹槽使得絕緣體的暴露于光學(xué)器件襯底的下表面的至少一部分容納在凹槽內(nèi)。
[0011]優(yōu)選的是，凹槽的直徑大于每個絕緣體的寬度。
[0012]優(yōu)選的是，阻焊劑沉積在光學(xué)器件襯底的上表面和下表面上，以增加光反射率。
[0013]優(yōu)選的是，在光學(xué)器件襯底中以絕緣體暴露于腔的底面的方式形成從光學(xué)器件襯底上表面向下到達預(yù)定深度的腔。
[0014]優(yōu)選的是，用于光學(xué)器件的襯底進一步包括安裝在光學(xué)器件襯底上在腔內(nèi)部的光學(xué)器件芯片。
【附圖說明】
[0015]通過參考附圖來詳細描述其示例性實施例，本發(fā)明的上述和其他目標(biāo)、特點和優(yōu)勢對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將更明顯，其中:
[0016]圖la、lb、lc和Id是顯示本發(fā)明要解決的毛刺生成的問題的示例圖。
[0017]圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例描述用于光學(xué)器件的襯底的制造方法的圖。
[0018]圖3a、3b和3c是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例描述用于光學(xué)器件的襯底制造過程的圖。
[0019]圖4a、4b、5和6是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例描述在用于光學(xué)器件的襯底中形成防止毛刺的凹槽的位置的圖。
[0020]圖7是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的在切割光學(xué)器件的襯底時的芯片襯底的透視圖。
【具體實施方式】
[0021]下面的描述內(nèi)容僅僅體現(xiàn)本發(fā)明的原理。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以運用本發(fā)明的原理，并且創(chuàng)造包括在本發(fā)明的概念和范圍內(nèi)的各種裝置，即使在說明書中沒有清楚地解釋或闡明。此外，原則上在本說明書中列舉的所有條件項和實施例很清楚是為了理解本發(fā)明概念的目的，并且人們應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明不是限制于這樣專門列舉的示例性實施例和條件。
[0022]上述描述的目標(biāo)、特點和優(yōu)勢通過下面關(guān)于附圖的詳細的描述將更明顯，并且因此本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地運用本發(fā)明的技術(shù)宗旨。對關(guān)于本發(fā)明的公知的現(xiàn)有技術(shù)的詳細描述將被省略，如果認為它可能不必要地模糊了本發(fā)明的要點。在下文中，將參考附圖詳細地描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選示例性實施例。
[0023]圖la、lb和Ic是顯示本發(fā)明要解決的毛刺生成的問題的示例圖。圖1a是顯示由切割用于光學(xué)器件的襯底而得到的芯片襯底的透視圖。
[0024]在示例性實施例中，用于光學(xué)器件的襯底是多個芯片襯底的陣列，其具有預(yù)定大小并且通過切割為每一個單獨的芯片襯底而使用。此時，橫截面10形成為具有如圖1b所示的頂視圖、如圖1c所示的側(cè)視圖以及如圖1d所示的底視圖。當(dāng)根據(jù)上述圖切割襯底時，在鋸切或切塊過程中生成了毛刺，并且絕緣體(這是非常薄的層)將損壞，導(dǎo)致絕緣擊穿，因此故障問題發(fā)生，例如電氣短路。
[0025]因此，在本發(fā)明中，為解決這一問題，提出了一種用于光學(xué)器件的襯底結(jié)構(gòu)。下文中，將參考圖2描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制造用于光學(xué)器件的襯底的方法以及通過該方法制造的用于光學(xué)器件的襯底。
[0026]圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例的制造用于光學(xué)器件的襯底的方法。參考圖2，根據(jù)該示例性實施例的制造用于光學(xué)器件的襯底的方法包括:堆疊步驟S100，防止毛刺的凹槽的形成步驟S200，和腔形成步驟S300。
[0027]在堆疊步驟SlOO中，如圖3a所示，多個沿著長度方向延伸的導(dǎo)電板(或襯底)A和使所述導(dǎo)電板電絕緣的絕緣體(或絕緣層)B交替堆疊并結(jié)合。以這樣的方式，導(dǎo)電板A和絕緣體B交替堆疊且隨后加熱和加壓，從而產(chǎn)生導(dǎo)電材料塊，其中絕緣體B以固定的間隙排列。
[0028]接著，通過如圖3b中的虛線所示垂直切割使用上述方式生產(chǎn)的導(dǎo)電材料塊，如圖3c所示完成了用于光學(xué)器件的襯底的制造過程，其中多個垂直絕緣膜B具有間隙地平行排列。在本發(fā)明的示例性實施例中，盡管如圖3c所示用于光學(xué)器件的襯底是通過交替堆疊導(dǎo)電板A和絕緣膜B來制造的，但是制造方法不限于此，用于光學(xué)器件的襯底也可以如圖3c所示那樣制造。例如，多個沿長度方向延伸的導(dǎo)電板A的側(cè)表面相互結(jié)合，其中絕緣體B形成在每一個結(jié)合表面上，從而獲得如圖3c所示的用于光學(xué)器件的襯底。
[0029]作為參考，圖3c中的虛線表示用于獲得每個獨立芯片襯底的切割線。如果用于光學(xué)器件的襯底被沿橫越絕緣體B的切割線切斷，由于絕緣體的寬度非常薄，在由絕緣體B分離的相鄰的導(dǎo)電板A中電氣短路的可能性會由于切割過程中生成的毛刺而增加。這個問題可以通過形成如下文描述的用于防止毛刺的凹槽來消除。
[0030]下文中，將參考圖4a至6描述凹槽的形成步驟S200，該凹槽用于防止在堆疊步驟中產(chǎn)生的用于光學(xué)器件的襯底中的毛刺。
[0031]首先，在用于防止毛刺的凹槽的形成步驟S200中，如圖4a所示，多個沿其長度方向延伸的導(dǎo)電板A的側(cè)表面互相結(jié)合，其中當(dāng)沿長度方向和與長度方向垂直的垂直方向切割在每個結(jié)合表面上形成有絕緣膜B的用于光學(xué)器件100的襯底