底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件、其制作方法及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤指一種底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件、其制作方 法及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前，有機(jī)電致發(fā)光顯示器件（OLED，OrganicLight-EmittingDisplay)是指 有機(jī)半導(dǎo)體發(fā)光材料在電場驅(qū)動下，通過載流子注入和復(fù)合導(dǎo)致發(fā)光的現(xiàn)象。其發(fā)光原理 是利用銦錫金屬氧化物（ITO,IndiumTinOxides)透明電極和金屬電極分別作為器件的陽 極和陰極，在一定電壓驅(qū)動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，電 子和空穴分別經(jīng)過電子和空穴傳輸層迀移到發(fā)光層，并在發(fā)光層中相遇形成激子使發(fā)光分 子激發(fā)，后者經(jīng)過輻射弛豫而發(fā)出可見光。0LED具有更薄更輕、主動發(fā)光（不需要背光源）、 無視角問題、高清晰、高亮度、響應(yīng)快速、能耗低、使用溫度范圍廣、抗震能力強(qiáng)、成本低和可 實現(xiàn)柔軟顯示等優(yōu)點。
[0003] 0LED按照光的取出方式可以分為底發(fā)射型和頂發(fā)射型兩大類，底發(fā)射型0LED中 的光取出來自于襯底基板一側(cè)，而頂發(fā)射型0LED中的光取出來自頂端；按照驅(qū)動方式可以 分為無源驅(qū)動和有源驅(qū)動兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管（TFT，ThinFilmTransistor) 矩陣尋址兩類，其中，有源驅(qū)動也稱為有源矩陣（AM)型中的每個發(fā)光單元都由TFT尋址獨 立控制。對于大屏幕高分辨率顯示，通常采用有源矩陣驅(qū)動方式。
[0004] 對于AM0LED顯示屏，TFT包含中的金屬層，例如柵極層、源漏極層等結(jié)構(gòu)，都是由 金屬材料制備而成，而金屬材料具有很高的反射率，當(dāng)AM0LED顯示屏為底發(fā)射型結(jié)構(gòu)時， 由于TFT包含的金屬層具有很高的反射率，外界環(huán)境光會在金屬層表面形成強(qiáng)烈的反射， 會造成了顯示屏在暗態(tài)會有很強(qiáng)的反射影像存在，即使在顯示狀態(tài)也會有反射影像，這會 降低顯示屏的畫面質(zhì)量和觀瞻效果。為了解決這個問題，現(xiàn)有的方法是在顯示屏的發(fā)光面 貼敷偏光片，這種方法可以有效地降低反射，但同時會導(dǎo)致顯示屏的亮度下降50%，S卩貼敷 偏光片會造成了像素區(qū)出射光線的大量損耗，可達(dá)到50%，進(jìn)一步會造成顯示屏的功耗上 升很大。
[0005] 因此，如何選用一種新的方法，既可以降低金屬層表面的反射率，又可以減小出射 光線的損耗率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 有鑒于此，本發(fā)明實施例提供一種底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件、其制作方法 及顯示裝置，可以降低薄膜晶體管中包含的金屬層表面的反射率，又可以減小出射光線的 損耗率，從而提尚畫面質(zhì)量和顯不效果。
[0007] 因此，本發(fā)明實施例提供了一種底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件，包括：襯底基 板，依次設(shè)置在所述襯底基板上的至少一組介質(zhì)薄膜層組和薄膜晶體管；各所述介質(zhì)薄膜 層組包括層疊設(shè)置的折射率從所述襯底基板指向所述薄膜晶體管依次遞增的至少兩層介 質(zhì)薄膜層。
[0008] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，各所述介質(zhì)薄膜層組包括：第一介質(zhì)薄膜層和位于所述第一介質(zhì)薄膜層上的第 二介質(zhì)薄膜層；
[0009] 所述第二介質(zhì)薄膜層的折射率大于所述第一介質(zhì)薄膜層的折射率。
[0010] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，所述第一介質(zhì)薄膜層與所述第二介質(zhì)薄膜層的折射率之比為0. 4至0. 6。
[0011] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，所述第一介質(zhì)薄膜層的材料為SiOx、LiF、MgF、MgO其中之一或組合；
[0012] 所述第二介質(zhì)薄膜層的材料為SiNx、CdS、Ce02、Hf02、Nb205、PbCl3、Sb2S3其中之一 或組合。
[0013] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，各所述介質(zhì)薄膜層組中包含的各介質(zhì)薄膜層的光學(xué)厚度相同。
[0014] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，各所述介質(zhì)薄膜層組中包含的各介質(zhì)薄膜層的光學(xué)厚度均為基準(zhǔn)波長的四分之 一；其中，所述基準(zhǔn)波長為550納米。
[0015] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，最上層的介質(zhì)薄膜層組中的最上層介質(zhì)薄膜層與薄膜晶體管中包含的金屬層相 互接觸。
[0016] 在一種可能的實現(xiàn)方式中，在本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件中，所述薄膜晶體管為底柵型結(jié)構(gòu)時，所述金屬層為柵極層。
[0017] 所述薄膜晶體管為頂柵型結(jié)構(gòu)時，所述金屬層為源漏極層。
[0018] 本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有 機(jī)電致發(fā)光顯示器件。
[0019] 本發(fā)明實施例還提供了一種本發(fā)明實施例提供的上述底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯 示器件的制作方法，包括：
[0020] 在襯底基板上依次形成至少一組介質(zhì)薄膜層組和薄膜晶體管的圖案；其中，形成 各所述介質(zhì)薄膜層組的過程具體包括：
[0021] 在襯底基板上形成折射率從所述襯底基板指向所述薄膜晶體管依次遞增的至少 兩層介質(zhì)薄膜層。
[0022] 本發(fā)明實施例的有益效果包括：
[0023] 本發(fā)明實施例提供的一種底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件、其制作方法及顯示裝 置，包括：襯底基板，依次設(shè)置在襯底基板上的至少一組介質(zhì)薄膜層組和薄膜晶體管；各介 質(zhì)薄膜層組包括層疊設(shè)置的折射率從襯底基板指向薄膜晶體管依次遞增的至少兩層介質(zhì) 薄膜層，由于在襯底基板和薄膜晶體管之間增加了至少一組層疊設(shè)置的折射率從襯底基板 指向薄膜晶體管依次遞增的至少兩層介質(zhì)薄膜層，這樣通過引入至少一組從低到高的折射 率搭配的多層介質(zhì)薄膜層的介質(zhì)薄膜層組，借助薄膜光學(xué)理論，既可以降低薄膜晶體管中 包含的金屬層表面的反射率，又可以減小出射光線的損耗率，從而提高畫面質(zhì)量和顯示效 果。
【附圖說明】
[0024] 圖la至圖Id分別為本發(fā)明實施例提供的底發(fā)射型有機(jī)電致發(fā)光顯示器件的結(jié)構(gòu) 示意圖；
[0025]圖2為本發(fā)明實施例提