掩模物品的測試方法
【技術領域】
[0001] 本公開涉及一種掩模物品的測試方法，特別涉及一種通過施加一偏壓于一待測掩 模物品上，并測量其對應的電流分布的掩模物品的測試方法。
【背景技術】
[0002] 半導體的光刻工藝是采用掩模定義圖案。在現(xiàn)有技術中，掩模設計者在制造掩 模時，通常會依據(jù)半導體業(yè)或光電業(yè)中的集成電路（IC)/薄膜晶體管（TFT)/液晶顯示器 (LCD)/彩色濾光片（CF)/印刷電路板（PCB)設計者或客戶的集成電路設計圖、液晶顯示器 的薄膜晶體管設計圖、彩色濾光片設計圖或印刷電路板設計圖而開始進行。在完成掩模后， 掩模設計者通常會提供缺陷分布圖給設計者或客戶，以顯示掩模上所形成的掩模缺陷轉移 至一對應晶元或一光電基板上的相對位置。
[0003] 掩模上的掩模缺陷是指不同于一期望的掩模設計圖案外的任何圖形，通常會出現(xiàn) 在掩模的工藝中。一般而言，掩模缺陷可通過一高解析度顯微鏡或一檢測機器掃描掩模的 表面，并提取掩模圖像予以檢測。之后，提取的掩模圖像經(jīng)由檢測人員確認實體掩模上的掩 模缺陷的形態(tài)，并決定掩模是否合乎規(guī)格，可以實際應用在光刻工藝中；此一確認步驟一般 是由具有豐富經(jīng)驗的檢測人員利用檢測軟件而實現(xiàn)。若未發(fā)現(xiàn)任何掩模缺陷，或所發(fā)現(xiàn)的 掩模缺陷是落在可被制造者或使用者接受的范圍，則此掩模即可通過檢測并被實際應用以 曝光一晶元或一光學基板。反之，若所發(fā)現(xiàn)的掩模缺陷是未落在可被制造者或使用者接受 的范圍，則此掩模即未能通過檢測，必須進行清洗及/或修復以修正掩模缺陷；若所發(fā)現(xiàn)的 掩模缺陷太嚴重而無法修正時，則必須重新制造掩模。
[0004] 近年來，半導體集成電路快速發(fā)展隨著材料與設計的技術進步，集成電路產(chǎn)品的 電路設計也越來越精細復雜。然而，技術進步同時也使得集成電路的制造加工日益復雜。例 如，單一集成電路上可能必須包含數(shù)個不同的電路元件。當這些電路元件的大小降至次微 米或深微米的階段，集成電路的元件密度和功能密度都受到工藝因素的限制。當集成電路 的工藝日趨復雜之時，在掩模上或掩模基板上的非常細微的缺陷都會深深地影響集成電路 產(chǎn)品的產(chǎn)率。例如，深紫外光光刻（Extremeultravioletlithography，EUVL)所面臨的主 要技術難題之一：如何提供一個沒有缺陷的掩?；?。然而，傳統(tǒng)的掩模缺陷檢查方法卻無 法克服此一技術難題。因此，產(chǎn)業(yè)上需要提供一個測試系統(tǒng)及方法，克服深紫外光光刻所面 臨的主要技術難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本公開提供一種掩模物品的測試方法，其通過施加一偏壓于一待測掩模物品上并 測量其對應的電流分布。
[0006] 本公開的一實施例提供一種掩模物品的測試方法，包含下列步驟：電氣連接一掩 模物品至一電傳感器；使用一導體施加一偏壓至該掩模物品的多個測試接點；使用該電傳 感器測量該些測試接點的至少一電流分布；以及至少考量該電流分布，決定該掩模物品的 品質(zhì)。
[0007] 本公開的另一實施例提供一種掩模物品的測試方法，包含下列步驟：施加一偏壓 至一掩模物品；電氣連接一導體至一電傳感器；使用該導體接觸測該掩模物品的多個測試 接點；使用該電傳感器經(jīng)由該導體測量該些測試接點的至少一電流分布；以及至少考量該 電流分布，決定該掩模物品的品質(zhì)。
[0008] 上文已相當廣泛地概述本公開的技術特征及優(yōu)點，以使下文的本公開詳細描述得 以獲得較佳了解。構成本公開的權利要求標的的其它技術特征及優(yōu)點將描述于下文。本公 開所屬技術領域中技術人員應了解，可相當容易地利用下文公開的概念與特定實施例可作 為修改或設計其它結構或工藝而實現(xiàn)與本公開相同的目的。本公開所屬技術領域中技術人 員亦應了解，這類等效建構無法脫離后附的權利要求所界定的本公開的精神和范圍。
【附圖說明】
[0009] 通過參照前述說明及下列附圖，本公開的技術特征及優(yōu)點得以獲得完全了解。
[0010] 圖1是一流程圖，例示本公開一實施例的掩模物品的測試方法；
[0011] 圖2及圖3例示本公開的測試方法應用于測試一掩模物品；
[0012] 圖4A、圖5A、圖6A是分為三個掩模基板（分別標記為P-0. 5、P-3及P-5)的形貌 掃描圖像，圖4B、圖5B、圖6B為對應的電流分布圖像；
[0013] 圖7A是圖4B、圖5B、圖6B的電流分布圖，圖7B是圖7A的低導電區(qū)的電流分布 圖；
[0014] 圖8A、圖9A及圖10A是該些掩?；宓牡蛯щ妳^(qū)的電流分布圖像，圖8B、圖9B及 圖10B是該些掩?；宓?-D圖像；
[0015] 圖11例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0016] 圖12A、圖13A、圖14A是分為三個掩?；澹ǚ謩e標記為M-0. 5、M-1及M-2)的形 貌掃描圖像，圖12B、圖13B、圖14B為對應的電流分布圖像；
[0017] 圖15A是圖12B、圖13B、圖14B的電流分布圖，圖15B是圖15A的高導電區(qū)的電流 分布圖；
[0018] 圖16A、圖17A及圖18A是該些掩模基板的高導電區(qū)的電流分布圖像，圖16B、圖 17B及圖18B是該些掩?；宓?-D圖像；
[0019] 圖19及圖20例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0020] 圖21及圖22例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0021] 圖23是一流程圖，例示本公開另一實施例的掩模物品的測試方法；
[0022] 圖24及圖25例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0023] 圖26例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0024] 圖27及圖28例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0025] 圖29及圖30例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模物品；
[0026] 圖31及圖32例示本公開的測試方法應用于測試另一掩模基板；
[0027] 圖33例示本公開的測試方法應用于測試另一掩?；澹?br>[0028] 圖34例示本公開的測試方法應用于測試另一掩?；澹?br>[0029] 圖35例示本公開的測試方法應用于測試另一掩?；?；以及
[0030] 圖36例示本公開的測試方法應用于測試另一掩?；濉?br>【具體實施方式】
[0031] 下列實施方式說明及其對應附圖是用以說明本發(fā)明的實施例，不應限縮本案公開 的內(nèi)容僅限于下列實施例。此外，本公開所屬技術領域中技術人員應可了解，下文公開的實 施例可適當?shù)赜枰越M合而形成其它實施例。
[0032] 本公開涉及一種掩模物品的測試方法。下列記載詳細說明本發(fā)明的實施步驟及掩 模物品結構以使本公開得以被完整地理解。實現(xiàn)本公開的技術并不限于本領域技術人員。 此外，現(xiàn)有的結構及步驟并未記載于下文，以免本案創(chuàng)作受到不必要的限制。本公開的較佳 實施例將于下文中描述，然而本公開除了下文之外，亦可廣泛地實現(xiàn)于其它實施例中。本公 開的范圍不應限制于下文的記載，而應由權利要求予以定義。
[0033] 圖1是一流程圖，例示本公開一實施例的掩模物品的測試方法。在本公開的一實 施例中，該測試方法包含：步驟101，電氣連接一掩模物品至一電傳感器；步驟103,使用一 導體施加一偏壓至該掩模物品的多個測試接點；步驟105,使用該電傳感器測量該些測試 接點的至少一電流分布；以及步驟107,至少考量該電流分布，決定該掩模物品的品質(zhì)。
[0034] 圖2及圖3例示本公開的測試方法應用于測試一掩模物品20。在本公開的一實 施例中，該掩模物品20包含一基板21及一導電層23 (例如，硅化鉬層）。在本公開的一實 施例中，該基板21是一石英基板或一摻雜鈦的氧化硅玻璃基板。在本公開的一實施例中， 如圖2所示，實現(xiàn)該步驟101 (電氣連接一掩模物品至一電傳感器）可通過形成至少一觸點 23A于該導電層23上，并使用該電傳感器31的一感測探針（未顯示于圖中）接觸該觸點 23A。在本公開的另一實施例中，如圖3所示，實現(xiàn)該步驟101 (電氣連接一掩模物品至一電 傳感器）可通過置放該掩模物品20于一載臺10上（電氣連接于該電傳感器31)，并于該掩 模物品20與該載臺10之間形成一電氣通路。在本公開的一較佳實施例中，該掩模物品20 與該載臺10間的電氣通路包含該導電層23上的觸點23A、該載臺10上的觸點10A及連接 該觸點23A與該觸點10A的導線11。
[0035] 參考圖2及圖3,在本公開的一實施例中，實現(xiàn)該步驟103 (使用一導體施加一偏壓 至該掩模物品的多個測試接點）可通過電氣連接一導體33至一偏壓35 (例如一電壓源）， 并使用該導體33接觸該掩模物品20的多個測試接點。在本公開的一實施例中，該導體33 是一導電探針。
[0036] 在本公開的一實施例中，實現(xiàn)該步驟105 (使用該電傳感器測量該些測試接點的 至少一電流分布）可通過測量從該偏壓35經(jīng)過該導體33及該掩模物品20