技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種疊層封裝雙面散熱功率模塊，包括輸入功率端子、輸出功率端子、頂部金屬絕緣基板、底部金屬絕緣基板，所述輸入功率端子包括正極功率端子和負極功率端子，頂部金屬絕緣基板和底部金屬絕緣基板疊層設(shè)置，頂部金屬絕緣基板和底部金屬絕緣基板在二者相對的面上均燒結(jié)有芯片，輸入功率端子、輸出功率端子與芯片電連接，所述輸出功率端子設(shè)置在頂部金屬絕緣基板上燒結(jié)的芯片和底部金屬絕緣基板上燒結(jié)的芯片之間。本發(fā)明能夠降低回路寄生電感，減小了功率模塊的體積，節(jié)約了成本，減輕了重量，尤其適合SiC功率芯片的封裝；同時可以減小功率模塊的熱阻，提高功率模塊的散熱效率，并且提高了模塊的可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：牛利剛;滕鶴松;王玉林;徐文輝
受保護的技術(shù)使用者：揚州國揚電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.14
技術(shù)公布日：2017.09.15