本發(fā)明涉及一種穩(wěn)固芯片的封裝工藝，本發(fā)明屬于電子技術(shù)領(lǐng)域。

背景技術(shù)：

方形扁平無引腳封裝(Quad Flat NO-lead Package，QFN)技術(shù)是一種重要的集成電路封裝工藝，傳統(tǒng)QFN利用銅板正反面不同圖案腐蝕得到引腳框架結(jié)構(gòu)，制作過程需要塑封貼膜，且難以設(shè)計(jì)孤島電極，I/O數(shù)受限制較多。另外，封裝后使用過程中受應(yīng)力作用往往出現(xiàn)芯片連接不牢的現(xiàn)象。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提出了一種穩(wěn)固芯片的封裝工藝，其特征在于：工藝過程包括：(1)在導(dǎo)電基板上涂覆感光材料；(2)感光材料圖形轉(zhuǎn)移，使得芯片固定平臺(tái)和引腳邦線區(qū)的線路槽露出；(3)在圖形化區(qū)基板露出部分鍍底電極；(4)在底電極上繼續(xù)鍍銅層；(5)再次涂覆感光材料，并通過圖形轉(zhuǎn)移只露出引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)的固晶焊接區(qū)銅層，而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周邊緣的銅層仍被感光材料覆蓋；(6)在引腳邦線區(qū)和固晶焊接區(qū)的銅層上鍍頂電極；(7)去除剩余感光材料；(8)在銅層側(cè)面以及芯片焊接平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層頂面修飾有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；(9)將芯片焊接在固晶焊接區(qū)，并將引腳邦定在引腳邦線區(qū)的頂電極上；(10)灌注封裝樹脂材料，樹脂固化成型后去除基板，露出底電極，完成封裝。

所述感光材料優(yōu)選聚丙烯酸酯類的干膜、濕膜。

所述底電極為標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)高于銅的金屬材料，優(yōu)選金、銀、鈀或其合金，頂電極為標(biāo)準(zhǔn)電極電勢(shì)高于銅且易于焊接的金屬，優(yōu)選金、銀、鈀或其合金。

所述芯片固定平臺(tái)包括中間的固晶焊接區(qū)和固晶焊接區(qū)四周的區(qū)域，固晶焊接區(qū)鍍有頂電極并與芯片焊接，固晶焊接區(qū)四周區(qū)域的銅層上沒有頂電極。

銅層側(cè)面以及芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層頂面修飾的有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜優(yōu)選采用棕氧化或黑氧化工藝在銅的表面反應(yīng)來獲取。

所述封裝樹脂材料優(yōu)選環(huán)氧樹脂。

所述導(dǎo)電基板為金屬基板或鍍有導(dǎo)電金屬層的剛性基板，樹脂固化成型后采用物理剝離或化學(xué)蝕刻的方式去除導(dǎo)電基板。

本發(fā)明的優(yōu)勢(shì)在于，適用于存在孤島電極的設(shè)計(jì)，可顯著增加集成電路封裝I/O數(shù)。另外，固定芯片的平臺(tái)邊角區(qū)域銅層表面有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜與封裝樹脂緊密結(jié)合，保證了芯片封裝穩(wěn)固，有利于提升后期測(cè)試良率和使用壽命。

附圖說明

圖1采用本發(fā)明封裝結(jié)構(gòu)示意圖。1-底電極；2-銅層；3-銅層表面有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；4-頂電極；5-封裝樹脂；6-芯片；7-邦線。

圖2采用本發(fā)明工藝流程圖。a-導(dǎo)電基板涂覆感光材料；b-在圖形化獲得線路槽；c-鍍底電極；d-鍍銅層；e-再次涂覆感光材料；f-引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)銅層，而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層仍被感光材料覆蓋；g-鍍頂電極；f-去除剩余感光材料；g-在銅層側(cè)面以及芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)的銅層頂面修飾有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；h-固定芯片和邦線；i-灌注封裝樹脂；j-剝離導(dǎo)電基板。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例1：

在銅基板上涂覆聚丙烯酸酯干膜，通過曝光圖形轉(zhuǎn)移，使得芯片固定區(qū)和引腳邦線區(qū)的線路槽露出；在圖形化區(qū)銅基板露出部分鍍3μm銀作為底電極，在銀底電極上繼續(xù)鍍40μm銅層；再次涂覆感光材料，并通過圖形轉(zhuǎn)移只露出引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)的銅層，而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層仍被感光材料覆蓋；在引腳邦線區(qū)和固晶焊接區(qū)的銅層上鍍3μm銀作為頂電極，去除剩余聚丙烯酸酯干膜，將全部材料浸入硫酸-過氧化氫棕氧化溶液中使得銅表面生成有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；將芯片焊接在固晶焊接區(qū)，并將引腳邦定在引腳邦線區(qū)的頂電極上；灌注封裝環(huán)氧樹脂材料，樹脂固化成型后將銅基板完全腐蝕掉，得到如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)，完成封裝。工藝流程如圖2所示。

實(shí)施例2：

在鋁基板上涂覆聚丙烯酸酯干膜，通過曝光圖形轉(zhuǎn)移，使得芯片固定區(qū)和引腳邦線區(qū)的線路槽露出；在圖形化區(qū)鋁基板露出部分鍍2μm金作為底電極，在銀底電極上繼續(xù)鍍45μm銅層；再次涂覆感光材料，并通過圖形轉(zhuǎn)移只露出引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)的銅層，而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層仍被感光材料覆蓋；在引腳邦線區(qū)和固晶焊接區(qū)的銅層上鍍2μm鈀作為頂電極，去除剩余聚丙烯酸酯干膜，將全部材料浸入硫酸-過氧化氫棕氧化溶液中使得銅表面生成有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；將芯片焊接在固晶焊接區(qū)，并將引腳邦定在引腳邦線區(qū)的頂電極上；灌注封裝環(huán)氧樹脂材料，樹脂固化成型后將鋁基板完全腐蝕掉，得到如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)，完成封裝。

實(shí)施例3：

在鍍錫氧化鋁基板的錫層上涂覆聚丙烯酸酯濕膜，通過曝光圖形轉(zhuǎn)移，使得芯片固定區(qū)和引腳邦線區(qū)的線路槽露出；在圖形化區(qū)基板露出部分鍍2μm銀作為底電極，在銀底電極上繼續(xù)鍍45μm銅層；再次涂覆感光材料，并通過圖形轉(zhuǎn)移只露出引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)的銅層，而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層仍被感光材料覆蓋；在引腳邦線區(qū)和固晶焊接區(qū)的銅層上鍍2μm銀作為頂電極，去除剩余聚丙烯酸酯干膜，將全部材料浸入氫氧化鈉-亞硝酸鈉-磷酸三鈉黑氧化溶液中使得銅表面生成有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；將芯片焊接在固晶焊接區(qū)，并將引腳邦定在引腳邦線區(qū)的頂電極上；灌注封裝環(huán)氧樹脂材料，樹脂固化成型后將鍍錫氧化鋁基板物理剝離，得到如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)，完成封裝。

實(shí)施例4：

在鏡面不銹鋼基板上涂覆聚丙烯酸酯濕膜，通過曝光圖形轉(zhuǎn)移，使得芯片固定區(qū)和引腳邦線區(qū)的線路槽露出；在圖形化區(qū)不銹鋼基板露出部分鍍1μm金作為底電極，在銀底電極上繼續(xù)鍍30μm銅層；再次涂覆感光材料，并通過圖形轉(zhuǎn)移只露出引腳邦線區(qū)和芯片固定平臺(tái)上的固晶焊接區(qū)的銅層，而而芯片固定平臺(tái)上固晶焊接區(qū)四周的銅層仍被感光材料覆蓋；在引腳邦線區(qū)和固晶焊接區(qū)的銅層上鍍2μm銀作為頂電極，去除剩余聚丙烯酸酯干膜，將全部材料浸入氫氧化鈉-亞硝酸鈉-磷酸三鈉黑氧化溶液中使得銅表面生成有機(jī)金屬轉(zhuǎn)化膜；將芯片焊接在固晶焊接區(qū)，并將引腳邦定在引腳邦線區(qū)的頂電極上；灌注封裝環(huán)氧樹脂材料，樹脂固化成型后將鏡面不銹鋼基板物理剝離，得到如圖1所示的封裝結(jié)構(gòu)，完成封裝。